显示装置及其制造方法.pdf

提供了一种显示装置及其制造方法。该显示装置包括：基板；驱动电压线，设置在基板上；驱动电压线焊盘，用于将驱动电压传输给驱动电压线；驱动晶体管，连接至驱动电压线；像素电极，连接至驱动晶体管；共电极，与像素电极相对；发光元件，设置在像素电极和共电极之间；以及共电极焊盘，设置在基板上，以便将共电压传输给共电极。在基板的侧面露出共电极焊盘和驱动电压线焊盘。

1.  一种显示装置，包括：
基板；
驱动电压线，设置在所述基板上；
驱动电压线焊盘，用于将驱动电压传送给所述驱动电压线；
驱动晶体管，连接至所述驱动电压线；
像素电极，连接至所述驱动晶体管；
共电极，与所述像素电极相对；
发光元件，设置在所述像素电极和所述共电极之间；以及
共电极焊盘，设置在所述基板上，所述共电极焊盘用于将电压传送给所述共电极，
其中，在所述基板的侧面露出所述共电极焊盘和所述驱动电压线焊盘。

2.  根据权利要求1所述的显示装置，
其中，所述共电极焊盘和所述驱动电压线焊盘的每个的至少一侧包括在所述基板的所述侧面露出的第一部分以及没有在所述基板的所述侧面露出的第二部分；以及
其中，所述共电极焊盘的所述第二部分与所述基板的所述侧面之间的距离或所述驱动电压线焊盘的所述第二部分与所述基板的所述侧面之间的距离为25μm或更小。

3.  一种制造显示装置的方法，包括：
在基板上形成多条栅极线、包括驱动电压线焊盘的驱动电压线、多条数据线、以及共电极焊盘；
在所述驱动电压线焊盘和所述共电极焊盘之间形成第一连接元件；
在所述栅极线、所述驱动电压线、和所述数据线上形成保护膜和像素电极；
在所述像素电极上形成发光层；
在所述发光层上形成共电极；
在所述共电极上形成密封元件；以及
切割所述基板。

4.  根据权利要求3所述的方法，其中，切割所述基板包括切割所述第一连接元件。

5.  根据权利要求3所述的方法，其中，所述驱动电压线焊盘包括与所述数据线的材料相同的材料。

6.  根据权利要求3所述的方法，其中，所述共电极焊盘包括与所述栅极线的材料相同的材料。

7.  根据权利要求6所述的方法，其中，所述共电极是透明的。

8.  根据权利要求7所述的方法，其中，所述第一连接元件包括与所述共电极的材料相同的材料。

9.  根据权利要求6所述的方法，其中，所述像素电极是透明的。

10.  根据权利要求9所述的方法，其中所述第一连接元件包括与所述像素电极的材料相同的材料。

11.  根据权利要求3所述的方法，其中，所述共电极焊盘包括与所述数据线的材料相同的材料。

12.  根据权利要求11所述的方法，其中，所述第一连接元件包括与所述数据线的材料相同的材料。

13.  根据权利要求3所述的方法，还包括：
形成栅极线短路棒，所述栅极线短路棒将所述多条栅极线彼此连接；以及
形成数据线短路棒，所述数据线短路棒将所述多条数据线彼此连接。

14.  根据权利要求13所述的方法，还包括：
形成第二连接元件，所述第二连接元件将所述驱动电压线焊盘连接至所述栅极线短路棒或所述数据线短路棒。

15.  根据权利要求13所述的方法，还包括：
形成第三连接元件，所述第三连接元件将所述共电极焊盘连接至所述栅极线短路棒或所述数据线短路棒。

16.  根据权利要求14所述的方法，其中，切割所述基板包括切割所述第二连接元件。

17.  根据权利要求15所述的方法，其中，切割所述基板包括切割所述第三连接元件。

18.  根据权利要求3所述的方法，其中，还包括：
在所述基板上形成放电元件，并且连接至所述第一连接元件。

19.  根据权利要求14所述的方法，还包括：
在所述基板上形成放电元件，并且连接至所述第一连接元件和所述第二连接元件中的至少一个。

20.  根据权利要求15所述的方法，还包括：
在所述基板上形成放电元件，并且连接至所述第一连接元件和所述第三连接元件中的至少一个。

21.  根据权利要求18所述的方法，其中所述放电元件连接至地电位。

22.  一种制造显示装置的方法，包括：
在基板上形成多条栅极线、包括驱动电压线焊盘的驱动电压线、多条数据线、以及共电极焊盘；
形成连接至所述共电极焊盘的放电元件；
在所述栅极线、所述驱动电压线、和所述数据线上形成保护膜和像素电极；
在所述像素电极上形成发光层；
在所述发光层上形成共电极；
在所述共电极上形成密封元件；以及
切割所述基板。

23.  根据权利要求22所述的方法，其中，切割所述基板包括去除所述放电元件。

显示装置及其制造方法
相关申请的交叉引用
本申请要求于2005年10月28日提交的韩国专利申请第10-2005-0102590号的优先权，其全部内容结合于此作为参考。
技术领域
本发明涉及显示装置及制造该显示装置的方法。
背景技术
近年来，已经需要更轻和更薄的监控器和电视机。随着这种需求，阴极射线管(CRT)已被诸如液晶显示器(LCD)的平板显示装置所取代。
然而，由于LCD需要背光单元来显示图像，所以它具有较慢的响应速度和较窄的视角。
由于有机发光显示器(OLED)不存在这种问题，因此它吸引了越来越多的关注。
通常，OLED显示器包括介于两个电极之间的发光层。从一个电极注入的电子和从另一个电极注入的空穴相结合，以形成发射能量和光的激子(电子空穴对)。
由于OLED显示器不需要诸如背光单元的附加光源，因此OLED显示器可具有低功耗、快响应速度、宽视角、以及高对比度的优点。
OLED显示器可根据其驱动方法分为无源矩阵或有源矩阵显示器。
无源矩阵显示器具有从两个电极彼此相对的区域发射光的简单结构。另一方面，有源矩阵显示器具有使用薄膜晶体管(TFT)通过电流驱动像素发光的结构。
有源矩阵OLED显示器可根据其发光方法分为底部发射型和/或顶部发射型。底部发射型显示器朝向形成有TFT的基板发光，以及顶部发射型显示器远离形成有TFT的基板发光。
由于光不能通过形成有TFT和布线的部分，所以底部发射型显示器可具有低孔径比。另一方面，由于发光区与TFT和布线所占据的空间不相关，所以顶部发射型显示器可具有高孔径比。
在背景部分所披露的上述信息只用于增加对本发明背景的理解，因此它可包括不构成本领域技术人员已知现有技术的信息。
发明内容
本发明提供了一种显示器和一种可在制造过程中防止电荷积聚在共电极上的制造该显示器的方法。
本发明的附加特征将在以下的描述中进行阐述，部分地从该描述中变得显而易见，或可通过实施本发明来了解。
本发明披露了一种显示装置，包括：基板；驱动电压线，设置在基板上；以及驱动电压线焊盘，用于接收并将驱动电压传送给驱动电压线。驱动晶体管连接至驱动电压线，像素电极连接至驱动晶体管，共电极与像素电极相对。发光元件设置在像素电极和共电极之间，并且在基板上形成共电极焊盘，以将共电压传送给共电极。在基板的侧面露出部分共电极焊盘和部分驱动电压线焊盘。
本发明还披露了一种制造显示装置的方法，包括在基板上形成多条栅极线、包括驱动电压线焊盘的驱动电压线、多条数据线、以及共电极焊盘。在驱动电压线焊盘和共电极焊盘之间形成第一连接元件，在栅极线、驱动电压线和数据线上形成保护膜和像素电极。在像素电极上形成发光层，在发光层上形成共电极，在共电极上形成密封元件，并切割基板。
本发明还披露了一种制造显示装置的方法，包括在基板上形成多条栅极线、包括驱动电压线焊盘的驱动电压线、多条数据线、以及共电极焊盘。形成连接至共电极焊盘的放电元件，并在栅极线、驱动电压线、和数据线上形成保护膜和像素电极。在像素电极上形成发光层，并在发光层上形成共电极。在共电极上形成密封元件，并切割基板。
应该理解，前面的一般描述和下面的详细描述只是示例性的和说明性的，目的在于提供对所声明的本发明的进一步说明。
附图说明
用于提供对本发明的进一步理解、并入以及组成说明书一部分的附图示出了本发明的示例性实施例，并与描述一起用于解释本发明的原理。
图1是示出根据本发明示例性实施例的显示装置的框图；
图2是示出根据本发明示例性实施例的显示装置的等效电路图；
图3A是示出根据本发明示例性实施例的在底部基板(basesubstrate)上的显示装置布局的视图；
图3B是示出图3A的显示装置布局的视图；
图3C是沿图3B的线IIIc-IIIc截取的剖视图；
图4是示出根据本发明另一示例性实施例的显示装置部分布局的视图；
图5是示出根据本发明另一示例性实施例的显示装置部分布局的视图；
图6是示出根据本发明另一示例性实施例的显示装置布局的视图；
图7和图8是分别沿图6的线VII-VII和VIII-VIII截取的剖视图；
图9是示出根据本发明另一示例性实施例的显示装置布局的视图；以及
图10、图11、和图12是分别沿图9的线X-X、XI-XI和XII-XII截取的剖视图。
具体实施方式
下面将参照附图更加全面地描述本发明，在附图中示出了本发明的实施例。然而，本发明可以多种不同的形式来实现而不局限于在此描述的实施例。相反地，提供这些实施例，使得对于本领域的技术人员来说，本发明充分公开并且完全覆盖本发明的范围。在附图中，为清楚起见，扩大了层和区域的尺寸和相对尺寸。附图中相同的标号表示相同的元件。
应当理解，当提到元件或层“位于”另一元件或层上或者“连接到”另一元件或层时，其可直接位于其它元件或层上或者直接连接到另一元件或层，或者也可存在插入元件或层。相反地，当提到元件“直接位于”另一元件或层上或者“直接连接到”另一元件或层时，则不存在插入元件或层。
在本发明的示例性实施例中，OLED显示器包括彼此相对的像素电极和共电极以及置于其间的发光元件。
根据传统的制造工艺，当形成共电极或在共电极上执行密封工艺时，由于电子注入、离子注入或静电，电荷可能积聚在共电极上。
当电荷积聚在共电极上时，由于在共电极和发光元件之间产生电位差，发光元件可能不能工作。
因此，发光元件、像素电极、或共电极的表面可能剥落，从而使显示装置的质量恶化。
为了解决该问题，本发明提供了一种显示装置以及制造这种显示装置的方法，其中，在制造过程期间可以防止电荷积聚在共电极上。
图1是示出根据本发明示例性实施例的OLED显示器的框图，以及图2是示出图1的OLED显示器的像素的等效电路图。
参照图1，OLED显示器包括显示面板300、连接至显示面板300的扫描驱动器400和数据驱动器500、以及控制驱动器的信号控制器600。
显示面板300包括多条显示信号线G₁至G_n和D₁至D_m、多条驱动电压线(未示出)、以及连接至这些线并基本呈矩阵排列的多个像素PX。
显示信号线G₁至G_n和D₁至D_m包括多条传送扫描信号的栅极线G₁至G_n，以及多条传送数据电压的数据线D₁至D_m。
栅极线G₁至G_n基本沿行方向延伸，并彼此分离，同时基本彼此平行。
数据线D₁至D_m基本沿列方向延伸，并彼此分离，同时基本彼此平行。
驱动电压线将驱动电压Vdd传送至像素PX。
如图2所示，每个像素PX连接至栅极线121和数据线171，并且包括有机发光二极管LD、驱动晶体管Qd、电容器Cst以及开关晶体管Qs。
驱动晶体管Qd是三端器件，其具有连接至开关晶体管Qs和电容器Cst的控制端、连接至驱动电压线172(即，Vdd)的输入端、以及连接至有机发光二极管LD的输出端。
开关晶体管Qs也是三端器件，其具有连接至栅极线121的控制端、连接至数据线171的输入端、以及连接至电容器Cst和驱动晶体管Qd的输出端。
电容器Cst连接在开关晶体管Qs和驱动电压线172之间。电容器Cst维持预定时间周期内由开关晶体管Qs所充电的数据电压。
有机发光二极管LD的正极和负极分别连接至驱动晶体管Qd和共电压Vss。
有机发光二极管LD根据由驱动晶体管Qd所提供的电流I_LD量来发射不同强度的光，以显示图像。
电流I_LD量取决于驱动晶体管Qd的控制端和输入端之间的电压Vgs的大小。
开关晶体管Qs和驱动晶体管Qd是由非晶硅或多晶硅制成的n沟道场效应晶体管(FET)。
可选地，这些晶体管Qs和Qd可为p沟道场效应晶体管。在这种情况下，p沟道场效应晶体管的工作、电压、和电流将和n沟道场效应晶体管的相反。
下面将参照图3A、图3B和图3C详细描述图1的显示装置。
图3A是示出根据本发明示例性实施例的在底部基板上形成的显示装置布局的视图，图3B是示出从图3A的底部基板切掉之后的显示装置布局的视图，以及图3C是沿图3B的线IIIc-IIIc截取的剖视图。
参照图3A，可由透明玻璃或塑料材料制成的底部基板10包括多个单位区域20。每个单位区域20由切割面线(cutting-plane line)30来限定。
在单位区域20内形成多条栅极线121、多条数据线171、多条驱动电压线172、以及连接至线121、171、和172的薄膜晶体管(未示出)。
在栅极线121、数据线171、驱动电压线172和薄膜晶体管上形成像素电极191。
在像素电极191和共电极270之间形成发光元件(未示出)。
沿着像素电极191和共电极270的一个边缘形成将栅极线121彼此连接的栅极线短路棒61，以及沿着像素电极191和共电极270的另一个边缘形成将数据线171彼此连接的数据线短路棒62。
沿着像素电极191和共电极270的另一个边缘形成共电极焊盘279。
共电极焊盘279的一部分延伸用作用于通过接触孔187将共电极270连接于此的接触部(contact)278。
共电极焊盘279接收共电压Vcom，并通过接触部278将共电压Vcom传送给共电极270。
共电极焊盘279可由与栅极线121或数据线171相同的材料制成。
沿着像素电极191和共电极270的另一个边缘形成将驱动电压传送给驱动电压线172的驱动电压线焊盘178A。
驱动电压线焊盘178A接收驱动电压Vdd，并将驱动电压Vdd传送给各个驱动电压线172。
驱动电压线焊盘178A可由与数据线171相同的材料制成。
连接器76将共电极焊盘279和驱动电压线焊盘178A彼此电连接。
当共电极焊盘279由与栅极线121相同的材料制成时，连接器76可由诸如铟锡氧化物(ITO)或铟锌氧化物(IZO)的透明导电材料制成。当共电极焊盘279由与数据线171相同的材料制成时，连接器76也可由与数据线171相同的材料制成。
连接器77将共电极焊盘279和数据线短路棒62彼此电连接。连接器78将驱动电压线焊盘178A和栅极线短路棒61彼此电连接。
除栅极线短路棒61和数据线短路棒62以外，共电极焊盘279或驱动电压线焊盘178A也可连接至将栅极线121或数据线171彼此连接的另一部分。
共电极焊盘279和驱动电压线焊盘178A的位置可相互交换。因此，与短路棒61和62的连接关系可相应的变化。
通过将共电极焊盘279电连接至栅极线短路棒61、数据线短路棒62和驱动电压线焊盘178A，可以将在共电极270中生成的电荷移动到另一个连接沟道(connection channel)。
通过这种配置，可以使共电极270中的电荷所引起的故障最少。
下文中，将参照图3A、图3B和图3C详细描述制造根据本发明的示例性实施例的显示装置的方法。
如图3A所示，可通过执行溅射工艺等将金属膜顺序地层积在每个单位区域20的底部基板10上。随后，对金属膜进行光刻工艺，以形成包括栅极线121、栅极线短路棒61以及共电极焊盘279的栅极导体。
接下来，形成栅极绝缘层(未示出)和多个半导体(未示出)。
此后，通过执行溅射(sputtering，喷镀)工艺等来层积金属膜，然后对该金属膜进行光刻工艺，以形成包括数据线171、驱动电压线172以及驱动电压线焊盘178A的数据导体。
然后，通过化学汽相沉积工艺等涂覆无机绝缘材料或光敏绝缘材料以形成保护膜(未示出)。
在保护膜上形成像素电极191，并同时形成连接栅极线短路棒61、数据线短路棒62、共电极焊盘279和驱动电压线焊盘178A的连接器76、77和78。
连接器76、77、和78延伸到限定每个单位区域20的切割面线30之外。
在像素电极191上形成发光元件(未示出)。
在发光元件上形成共电极270。
密封元件(未示出)设置在共电极270上，并且其用于密封单位区域20。
在密封工艺之后，沿着切割面线30切割单位区域20，以形成单独的显示装置。
此时，在切割面线30处切割连接器76、77、和78。
更具体地，在切割面线30内的连接器76、77、和78的部分组成栅极线短路棒61、数据线短路棒62、共电极焊盘279或驱动电压线焊盘178A的一部分，以及在切割面线30外的连接器76、77、和78的部分被去除。
结果，栅极线短路棒61、数据线短路棒62、共电极焊盘279和驱动电压线焊盘178A被分成在基板110侧面露出的第一部分61a、62a、279a和178Aa，以及没有在基板110侧面露出的第二部分61b、62b、279b和178Ab。
共电极焊盘279b的第二部分279b与基板110之间的距离D1以及驱动电压线焊盘178A与基板110之间的距离D2可为25μm或更小。
当共电极焊盘279由与数据导体相同的材料制成时，可同时形成共电极焊盘279和数据导体。
另外，连接器76、77、和78可由与共电极270相同的材料制成，并且在形成共电极270时而不是像素电极191时形成。
下文中，将参照图4详细描述根据本发明另一示例性实施例的显示装置。
图4是示出根据本发明另一示例性实施例的显示装置部分布局的视图，其中，显示装置形成在底部基板上。
类似于前面的实施例，根据本实施例的显示装置包括在底部基板10上形成的栅极线(未示出)、数据线(未示出)、驱动电压线172、以及连接至这些线的薄膜晶体管(未示出)。
在栅极线、数据线、驱动电压线172、以及薄膜晶体管上形成像素电极191。
在像素电极191和共电极(未示出)之间形成发光元件(未示出)。
沿着像素电极191的一个边缘形成共电极焊盘279。
共电极焊盘279的一部分延伸用作用于连接共电极270的接触部278。
驱动电压供给线178共同连接至驱动电压线172，并且驱动电压供给线178延伸到与共电极焊盘279相邻的部分以形成驱动电压线焊盘178A。
换句话说，不同于图3A中的显示装置，根据本示例性实施例，沿着像素电极191的同一边缘排列共电极焊盘279和驱动电压线焊盘178A。
此外，根据本示例性实施例的显示装置包括在形成底部基板10上的放电元件86。
放电元件86通过连接器79电连接至共电极焊盘279。
放电元件86连接至地电位，并且可由与栅极线、数据线、像素电极191、或共电极270相同的材料制成。
由于类似于图3A的连接器76、77、78，放电元件86在切割面线30的外部形成，因此在切割工艺中去除放电元件86。
通过这种配置，可以通过放电元件86将在共电极270中生成的电荷释放到外部空间。
因此，可以将由在制造过程中在共电极270中生成的电荷所引起的故障减到最少。
接下来，下面将参照图5详细描述根据本发明另一示例性实施例的显示装置。
图5是示出根据本发明另一示例性实施例的显示装置的部分布局的视图，其中，显示装置形成在底部基板上。
类似于前面的实施例，根据本发明实施例的显示装置包括在底部基板10上形成的栅极线(未示出)、数据线(未示出)、驱动电压线172、以及连接至这些线的薄膜晶体管(未示出)。
在栅极线、数据线、驱动电压线172、以及薄膜晶体管上形成像素电极191。
在像素电极191和共电极(未示出)之间形成发光元件(未示出)。
沿着像素电极191的一个边缘形成共电极焊盘279。
共电极焊盘279的一部分延伸作为用于连接共电极270的接触部278。
驱动电压供给线178共同连接至驱动电压线172，驱动电压供给线178延伸到与共电极焊盘279相邻的部分以形成驱动电压线焊盘178A。
换句话说，沿着像素电极191的同一边缘排列共电极焊盘279和驱动电压线焊盘178A。
不同于图4的显示装置，根据本示例性实施例，共电极焊盘279和驱动电压线焊盘178A通过连接器79彼此电连接。
由于共电极焊盘279相邻于驱动电压线焊盘178A形成，所以可以提供比图3A中所示连接器更短的连接器。
此外，类似于图4的实施例，根据本实施例的显示装置包括形成在底部基板10上的放电元件86。
然而，不同于图4中所示的实施例，驱动电压线焊盘178A电连接至共电极焊盘279和放电元件86。
通过这种配置，可以通过放电元件86将在共电极270中生成的电荷释放到外部空间，同时朝向驱动电压线172扩散电荷。因此，可以更加有效地防止由共电极270中生成的电荷所引起的故障。
下文中，将参照图6、图7、和图8详细描述根据本发明另一示例性实施例的显示装置。
图6是示出根据本发明另一示例性实施例的显示装置布局的视图，以及图7和图8是分别沿图6的线VII-VII和VIII-VIII截取的剖视图。
在可由透明玻璃或塑料材料制成的电介质基板(dielectricsubstrate)110上设置包括第一控制电极124a的多条栅极线121、以及包括多个第二控制电极124b的多个栅极导体。
栅极线121大体上沿纵向延伸并传输选通信号。
每条栅极线121均包括用于连接至其它层或外部驱动电路的宽端部(wider end portion)129。第一控制电极124a从栅极线121突出。
在用于生成选通信号的扫描驱动电路(未示出)集成在电介质基板110上的情况下，栅极线121可延伸到与扫描驱动电路直接连接。
第二控制电极124b与栅极线121隔开，如图6所示，它们包括向下、向右、然后向上延伸的存储电极127。
栅极导体121和124b可由诸如铝(Al)或铝合金的基于铝的金属、诸如银(Ag)或银合金的基于银的金属、诸如铜(Cu)或铜合金的基于铜的金属、诸如钼(Mo)或钼合金的基于钼的金属、铬(Cr)、钽(Ta)或钛(Ti)制成。
然而，栅极导体121和124b可具有包括具有不同物理特性的两个导电层(未示出)的多层结构。
为了减小信号延迟或压降，两个导电层中的一个可由具有低电阻率的金属制成，例如基于铝的金属、基于银的金属、或基于铜的金属。
优选地，另一个导电层可由具有良好的物理、化学、以及与其它材料电接触特性的材料制成，尤其是铟锡氧化物(ITO)或铟锌氧化物(IZO)。例如，另一个导电层可由基于钼的金属、铬、钛、或钽制成。
多层结构的实例包括底部铬层和上部铝(合金)层，以及底部铝(合金)层和上部钼(合金)层。
然而，栅极导体121和124b可由各种金属和导电材料制成。
栅极导体121和124b的表面可相对于电介质基板110的表面倾斜30°至80°范围内的角度。
在栅极导体121和124b上形成可由氮化硅SiN_x、氧化硅SiO_x等制成的栅极绝缘层140。
在栅极绝缘膜140上形成可由氢化非晶硅(a-Si)或多晶硅制成的多个第一和第二岛形半导体154a和154b。
第一和第二半导体154a和154b分别设置在第一和第二控制电极124a和124b上。
在第一和第二半导体154a和154b上分别形成多个第一对欧姆接触元件163a和165a以及多个第二对欧姆接触元件163b和165b。
欧姆接触元件163a、163b、165a和165b是岛形的，并且它们可由掺杂有诸如磷(P)的n型杂质掺杂的n+氢化非晶硅等的硅化物制成。
在欧姆接触元件163a、163b、165a和165b以及栅极绝缘层140上形成包括多条数据线171、多条驱动电压线172、以及多个第一和第二输出电极175a和175b的多个数据导体。
数据线171大体上沿横向延伸以与栅极线121交叉，并传输数据信号。
每条数据线171均包括多个朝向第一控制电极124a延伸的第一输入电极173a以及用于连接至其它层或外部驱动电路的宽端部179。
在用于生成数据信号的数据驱动电路(未示出)集成在电介质基板110上的情况下，数据线171可延伸到与数据驱动电路直接连接。
驱动电压线172大体上沿横向延伸以与栅极线121交叉，并传输驱动电压。
每条驱动电压线172包括多个朝向第二控制电极124b延伸的第二输入电极173b。
驱动电压线172与存储电极127重叠并可连接至存储电极127。
第一和第二输出电极175a和175b彼此隔开，并且与数据线171、以及驱动电压线172隔开。
第一输入电极173a和第一输出电极175a彼此相对，并且第一控制电极124a置于其间，以及第二输入电极173b和第二输出电极175b彼此相对，并且第二控制电极124b置于其间。
数据导体171、172、175a和175b可由诸如钼(Mo)、铬(Cr)、钽(Ta)、或钛(Ti)、或其合金的难熔金属制成。数据导体171、172、175a和175b可具有由难熔金属等制成的导电层(未示出)以及由低电阻率材料制成的导电层(未示出)所组成的多层结构。
多层结构的实例包括底部铬或钼(或其合金)层和上部铝(或铝合金)层的双层结构，以及底部钼(或钼合金)层、中间铝(或铝合金)层和上部钼(或钼合金)层的三层结构。
然而，代替上述材料，数据导体171、172、175a、和175b可由各种金属和导电材料制成。
类似于栅极导体121和124b，数据导体171、172、175a、和175b的侧面也可相对于电介质基板110的表面倾斜30°至80°范围内的角度。
欧姆接触元件163a、163b、165a和165b只夹置在下面的第一和第二半导体154a和154b以及上覆的数据导体171、172、175a和175b之间，并且它们减小了其间的接触电阻。
半导体154a和154b具有在输入电极173a和173b以及输出电极175a和175b之间没有被数据导体171、172、175a和175b所覆盖的露出部分。
在数据导体171、172、175a、和175b以及半导体154a和154b的露出部分上形成保护膜(钝化层)180。
保护膜180可由诸如氮化硅或氧化硅的无机绝缘材料、有机绝缘材料、以及低介电常数绝缘材料制成。
这里，有机绝缘材料和低介电常数绝缘材料可具有4.0或更小的介电常数。通过执行等离子体增强化学汽相沉积(PECVD)形成的材料实例包括a-Si:C:O和a-Si:O:F。
保护膜180可由具有光敏特性的有机绝缘材料制成，并且其可具有平坦的表面。
然而，为了使用有机薄膜的优良特性并保护半导体154a和154b的露出部分，保护膜180可具有底部无机膜和上部有机膜的双层结构。
在保护膜180中形成露出数据线171的端部179及第一和第二电极175a和175b的多个接触孔182、185a、和185b，并且在保护膜180和栅极绝缘膜140中形成露出栅极线121的端部129及第二控制电极124b的多个接触孔181和184。
在保护膜180上形成多个像素电极191、多个连接元件85、以及多个接触辅助元件81和82。
像素电极191、连接元件85、以及接触辅助元件81和82可由诸如铝、银、或其合金的反射金属制成。
像素电极191通过接触孔185b连接至第二输出电极175b，以及连接元件85通过接触孔184和185a连接至第二控制电极124b和第一输出电极175a。
接触辅助元件81和82分别通过接触孔181和182连接至栅极线121的端部129和数据线171的端部179。
接触辅助元件81和82可加强数据线171和栅极线121所露出的端部179和129与外部装置的附着力，并且保护端部179和129。
在保护膜180上形成隔离物(Partition)361。
隔离物361像堤一样环绕在像素电极191周围以限定开口365，并且它们可由有机或无机绝缘材料制成。
此外，隔离物361可由包括黑色素的光敏材料制成。在这种情况下，隔离物361用作阻光元件，并可以简单工艺形成。
在由隔离物361限定的开口365中，在像素电极191上形成有机发光元件370。
有机发光元件370可由发红光、绿光、或蓝光的有机材料制成。
OLED显示器通过使用由有机发光元件370发射的红光、绿光、和蓝光的空间结合来显示期望的图像。
有机发光元件370可具有包括发光层(未示出)和用于改进发光层的发光效率的辅助层(未示出)的多层结构。
辅助层的实例包括：平衡电子和空穴的电子转移层(ETL)(未示出)和空穴转移层(HTL)(未示出)，以及增强电子和空穴注入的电子注入层(EIL)(未示出)和空穴注入层(HIL)(未示出)。
在有机发光元件370上形成共电极270。
将共电压Vss施加给共电极270，共电极270可由诸如铟锡氧化物(ITO)或铟锌氧化物(IZO)的透明导电材料制成。
在OLED显示器中，第一控制电极124a、第一输入电极173a和第一输出电极175a连同第一半导体154a一起组成开关薄膜晶体管(开关TFT)Qs，并且在第一输入电极173a和第一输出电极175a之间的第一半导体154a中形成开关TFT Qs的沟道。
此外，第二控制电极124b、第二输入电极173b和第二输出电极175b连同第二半导体154b一起组成驱动TFT Qd，并且在第二输入电极173b和第二输出电极175b之间的第二半导体154b中形成驱动TFT Qd的沟道。
像素电极191、有机发光元件370以及共电极270组成有机发光二极管LD。在本示例性实施例中，像素电极191和共电极270分别用作正极和负极。可选地，像素电极191和共电极270可分别用作负极和正极。
存储电极127和驱动电压线172彼此重叠以组成存储电容器Cst。
根据本示例性实施例的OLED显示器通过在相对于电介质基板110的向上方向中发光来显示图像。
换句话说，反射像素电极191和透明共电极270可应用在顶部发射型OLED显示器中，其中，在相对于电介质基板110的向上方向中显示图像。
当半导体154a和154b由多晶硅制成时，半导体154a和154b包括面向控制电极124a和124b的本征区(intrinsic region)(未示出)以及置于本征区之间的非本征区(未示出)。
在这种情况下，非本征区电连接至输入电极173a和173b以及输出电极175a和175b，并且可省略欧姆接触元件163a、163b、165a及165b。
此外，控制电极124a和124b可设置在半导体154a和154b上。在这种情况下，栅极绝缘层140也设置在半导体154a和154b以及控制电极124a和124b之间。
此外，数据导体171、172、173b、和175b设置在绝缘层140之上，并且通过接触孔(未示出)(通过栅极绝缘层140形成)电连接至半导体154a和154b。
可选地，数据导体171、172、173b、和175b可设置在栅极绝缘层140之下，并且电连接至半导体154a和154b。
在共电极270上形成密封元件390。
密封元件390密封有机发光元件370和共电极270，以防止外部潮气或氧气的渗入。
密封元件390可由诸如玻璃或塑料、或薄膜状的树脂制成。
接下来，将参照图9、图10、图11和图12详细描述根据本发明另一个示例性实施例的显示装置。
图9是示出根据本发明的示例性实施例的显示装置布局的视图，以及图10、图11和图12是分别沿图9的线X-X、XI-XI和XII-XII截取的剖视图。
在电介质基板110上设置包括第一控制电极124a的多条栅极线121以及包括多个第二控制电极124b的多个栅极导体。
每条栅极线121均包括宽端部129。
第二控制电极124b包括从其延伸的存储电极127。
在栅极半导体121和124b上形成栅极绝缘层140。
在栅极绝缘膜140上形成多个第一和第二岛形半导体154a和154b，以及在第一和第二半导体154a和154b上分别形成多个第一对欧姆接触元件163a和165a及多个第二对欧姆接触元件163b和165b。
在欧姆接触元件163a、163b、165a和165b以及栅极绝缘层140上形成包括多条数据线171的多个数据导体、多条驱动电压线172、以及多个第一和第二输出电极175a和175b。
每条数据线171均包括多个朝向第一控制电极124a延伸的多个第一输入电极173a，以及用于连接至其它层或外部驱动电路的宽端部179。
每条驱动电压线172均包括多个朝向第二控制电极124b延伸的第二输入电极173b。
第一和第二输出电极175a和175b彼此隔开，并且与数据线171和驱动电压线172隔开。
在数据导体171、172、175a和175b以及半导体154a和154b的露出部分上形成保护膜180。在保护膜180中形成露出数据线171的端部179以及第一和第二输出电极175a和175b的多个接触孔182、185a和185b。此外，在保护膜180和栅极绝缘膜140中形成露出栅极线121的端部129以及第二控制电极124b的多个接触孔181和184。
在保护膜180上形成多个像素电极191、多个第一和第二连接元件85和86、以及多个接触辅助元件81和82。
像素电极191通过接触孔185b连接至第二输出电极175b，以及连接元件85通过接触孔184和185a连接至第二控制电极124b和第一输出电极175a。
在保护膜180上形成隔离物361。
在由隔离物361限定的开口365中，在像素电极191上形成有机发光元件370。
在有机发光元件370上形成共电极270。
在共电极270上形成密封元件390。
然而，不同于图6至图8中的显示装置，根据本示例性实施例，像素电极191由诸如铟锡氧化物(ITO)或铟锌氧化物(IZO)的透明导电材料制成，并且共电极270由诸如钙(Ca)、钡(Ba)、镁(Mg)、铝(Al)或银(Ag)的反射金属制成。
因此，根据本示例性实施例的显示装置通过在相对于电介质基板110的向下方向上发光来显示图像。
换句话说，透明像素电极191和反射共电极270应用在底部发射型OLED显示器中，其中，在相对于电介质基板110的向下方向上显示图像。
此外，不同于图6至图8中所示的显示装置，根据本示例性实施例的显示装置还包括与栅极线121平行延伸的辅助电极线122。
辅助电极线122包括沿横向从其突出的突起123，并用于传输共电压。
辅助电极线122可由与栅极线121或数据线171相同的材料制成，并位于与栅极线121或数据线171相同的层中，并且它可与栅极线121平行延伸。
此外，保护膜180中的接触孔186露出辅助电极线122的突起123。
第二连接元件86通过接触孔186连接至辅助电极线122的突起123。
共电极270通过接触孔366和第二连接元件86连接至辅助电极线122的突起123。
由于共电极270连接至辅助电极线122的突起123，所以即使当共电极270由具有相对高电阻率的透明或半透明导电材料制成时，其也可以稳定地将共电压提供给共电极270。
因此，可以将基本一致的共电压提供给共电极270的整个区域而不引起压降。
根据本发明示例性实施例，可以在显示装置的制造过程中释放积聚在共电极上的电荷，从而增强了显示装置的可靠性。
对于本领域的技术人员来说，在不背离本发明的精神和范围的情况下，可对本发明进行各种修改和改变。因此，在所附权利要求及其等同替换的范围内的所有这种修改和改变均涵盖在本发明中。