光刻设备和方法.pdf

诸如夹持器(310)等的支撑件被配置成可释放地保持诸如掩模版(300)等的图案形成装置，以将其固定并防止其热诱导变形。例如，静电夹持器包括具有相对的第一表面(313)和第二表面(315)的第一衬底(312)、位于第一表面上并且被配置成接触掩模版的多个突节(316)、具有相对的第一表面(317)和第二表面(319)的第二衬底(314)。第二衬底的第一表面被耦合至第一衬底的第二表面。多个冷却元件(318)位于第二衬底的第一表面与第一衬底的第二表面之间。冷却元件被配置成使得电子从第一衬底的第二表面行进至第二衬底的第一表面。各冷却元件与相应的突节基本上对准。

1.  一种光刻设备，包括：
静电夹持器，被配置成可释放地保持掩模版，所述静电夹持器包括：
第一衬底，具有相对的第一表面和第二表面；
多个突节，位于所述第一表面上并且被配置成接触所述掩模版；
第二衬底，具有相对的第一表面和第二表面，所述第二衬底的所述第一表面被耦合至所述第一衬底的所述第二表面；以及
多个冷却元件，位于所述第二衬底的所述第一表面与所述第一衬底的所述第二表面之间，所述冷却元件被配置成使得电子从所述第一衬底的所述第二表面行进至所述第二衬底的所述第一表面，其中所述多个冷却元件中的一个或多个与相应的突节基本上对准。

2.  根据权利要求1所述的光刻设备，进一步包括：
卡盘，被耦合至所述第二衬底的所述第二表面，所述卡盘被配置成充当用于所述多个冷却元件的热沉。

3.  根据权利要求2所述的光刻设备，其中所述卡盘包括被配置成在其中提供冷却剂循环的多个冷却通道。

4.  根据权利要求1所述的光刻设备，其中所述多个冷却元件包括多个热隧穿冷却(TTC)元件或者多个热电冷却元件(TEC)，每个冷却元件被配置成使得电流从所述衬底的所述第二表面流走。

5.  根据权利要求4所述的光刻设备，其中所述多个TEC中的每一个包括被耦合至所述第二衬底的所述第一表面的焊料凸块。

6.  根据权利要求5所述的光刻设备，其中所述多个TEC中的每一个进一步包括被耦合至所述第一衬底的所述第二表面并且被配置成与相应的焊料凸块配对的立柱。

7.  根据权利要求4所述的光刻设备，进一步包括布置在所述第二衬底的所述第一表面上的硅层。

8.  根据权利要求4所述的光刻设备，其中所述多个TEC被包括在热电膜中。

9.  根据权利要求4所述的光刻设备，其中所述第一衬底和所述第二衬底中的至少一个包括涂敷有导热材料的基本上零热膨胀的材料。

10.  根据权利要求1所述的光刻设备，其中所述静电夹持器包括堇青石。

11.  根据权利要求4所述的光刻设备，其中所述多个TTC元件中的每一个包括第一金属板和第二金属板，所述第一金属板被耦合至所述第一衬底的所述第二表面，并且所述第二金属板被耦合至所述第二衬底的所述第一表面。

12.  根据权利要求11所述的光刻设备，其中所述多个TTC元件中的每一个进一步包括位于所述第一板与所述第二板之间并且被配置成维持所述第一板与所述第二板之间的距离的间隔物。

13.  根据权利要求1所述的光刻设备，进一步包括：
控制器，被配置成控制流过所述多个TEC中的每一个的电流。

14.  根据权利要求13所述的光刻设备，其中所述控制器被配置成单独地控制所述多个TEC中的每一个。

15.  一种静电夹持器，包括：
第一衬底，具有相对的第一表面和第二表面；
多个突节，位于所述第一表面上并且被配置成接触掩模版；
第二衬底，具有相对的第一表面和第二表面，所述第二衬底的所述第一表面被耦合至所述第一衬底的所述第二表面；以及
多个冷却元件，位于所述第二衬底的所述第一表面与所述第一衬底的所述第二表面之间，所述冷却元件被配置成将电子从所述第一衬底的所述第二表面传导至所述第二衬底的所述第一表面，其中所述多个冷却元件中的一个或多个与相应的突节基本上对准。

16.  一种方法，包括：
由堇青石形成夹持器，所述夹持器具有相对的第一表面和第二表面，所述第一表面被配置成耦合至物体；
在所述夹持器的所述第二表面上提供中间层；以及
将所述夹持器耦合至卡盘，其中所述中间层增强所述夹持器与所述卡盘之间的粘合性。

17.  根据权利要求16所述的方法，其中所述形成包括：
形成第一堇青石层，所述第一堇青石层在其中形成有通道；以及
将所述第一层堇青石层烧结至第二堇青石层，所述第二堇青石层基本上为平坦的；
其中所述通道被配置成容纳冷却剂的流动。

18.  根据权利要求17所述的方法，其中所述形成进一步包括：
在第三堇青石层中形成多个电极。

19.  根据权利要求16所述的方法，其中所述提供包括：
在所述夹持器的所述第二表面上形成二氧化硅层。

20.  根据权利要求16所述的方法，其中所述提供包括：
将硅基玻璃层键合至所述夹持器的所述第二表面。

21.  根据权利要求20所述的方法，其中所述接触包括：
使所述夹持器与由硅基玻璃制成的卡盘接触。

22.  一种设备，包括：
卡盘；
夹持器，被配置成可释放地保持掩模版，所述夹持器由堇青石形成；以及
中间层，被耦合至所述夹持器的表面并且被耦合至所述卡盘。

23.  根据权利要求22所述的设备，其中所述卡盘包括被配置成容纳冷却剂的流动的多个通道。

24.  根据权利要求22所述的设备，其中所述夹持器包括被配置成容纳冷却剂的流动的多个通道。

25.  根据权利要求22所述的设备，其中所述夹持器包括被配置成接触所述掩模版的多个突节。

26.  根据权利要求22所述的设备，其中所述夹持器包括多个电极。

27.  一种被配置成可释放地保持光刻设备中的掩模版的静电夹持器，所述静电夹持器包括：
第一衬底，具有相对的第一表面和第二表面，所述第一衬底的所述第二表面具有热扩散材料的第一涂层；
第二衬底，具有相对的第一表面和第二表面，所述第二衬底的所述第一表面具有热扩散材料的第二涂层并且被耦合至所述第一衬底的所述第二表面；
热隧穿冷却(TTC)元件的阵列，位于所述第二衬底的所述第一表面与所述第一衬底的所述第二表面之间，所述TTC元件的阵列被配置成将电子从所述第一衬底的所述第二表面传导至所述第二衬底的所述第一表面；以及
第三衬底，具有多个突节，所述第三衬底位于所述第一衬底的所述第一表面上，并且其中所述多个突节被配置成接触所述掩模版。

28.  根据权利要求27所述的静电夹持器，其中所述第二衬底的所述第二表面与卡盘光学地接触，所述卡盘具有被配置成使冷却剂循环的多个通道。

29.  根据权利要求28所述的静电夹持器，其中所述卡盘和所述第一衬底及所述第二衬底中的每一个包括玻璃陶瓷材料，其中所述第三衬底包括由多层材料制成的玻璃，并且其中所述玻璃陶瓷材料和所述多层材料是零热膨胀系数(CTE)材料。

30.  根据权利要求27所述的静电夹持器，其中所述第一衬底、所述第二衬底或所述第三衬底中的至少一个包括堇青石。

31.  根据权利要求27所述的静电夹持器，其中所述热扩散材料的第一涂层和所述热扩散材料的第二涂层包括类金刚石碳(DLC)涂层。

32.  根据权利要求27所述的静电夹持器，其中所述TTC元件的阵列中的每一个TTC元件包括第一金属板和第二金属板，所述第一金属板被耦合至所述第一衬底的所述第二表面，并且所述第二金属板被耦合至所述第二衬底的所述第一表面。

33.  根据权利要求32所述的静电夹持器，其中所述TTC元件的 阵列中的每一个TTC元件进一步包括位于所述第一金属板与所述第二金属板之间并且被配置成维持所述第一金属板与所述第二金属板之间的距离的间隔物。

34.  一种方法，包括：
由堇青石形成夹持器，所述夹持器具有相对的第一表面和第二表面；以及
将所述夹持器的所述第一表面配置成接触物体。

35.  根据权利要求34所述的方法，进一步包括：
在所述夹持器的所述第二表面上提供中间层；以及
将所述夹持器耦合至卡盘，其中所述中间层增强所述夹持器与所述卡盘之间的粘合性。

36.  根据权利要求35所述的方法，其中所述提供包括：
在所述夹持器的所述第二表面上形成二氧化硅层。

37.  根据权利要求35所述的方法，其中所述提供包括：
将硅基玻璃层键合至所述夹持器的所述第二表面。

38.  根据权利要求35所述的方法，其中所述提供包括：
将金属层键合至所述夹持器的所述第二表面。

39.  根据权利要求35所述的方法，其中所述耦合包括：
使所述夹持器与由硅基玻璃制成的卡盘接触。

40.  根据权利要求34所述的方法，其中所述形成包括：
形成第一堇青石层，所述第一堇青石层在其中形成有通道；以及
将所述第一堇青石层烧结至第二堇青石层，所述第二堇青石层基本上为平坦的；
其中所述通道被配置成容纳冷却剂的流动。

41.  根据权利要求40所述的方法，其中所述形成进一步包括：
在第三堇青石层中形成多个电极。

42.  根据权利要求34所述的方法，其中配置包括：
对所述夹持器的所述第一表面进行抛光。

43.  根据权利要求42所述的方法，其中抛光包括：
对所述夹持器的所述第一表面进行金刚石抛光。

44.  根据权利要求42所述的方法，其中抛光包括：
对所述夹持器的所述第一表面进行抛光，直到所述夹持器的所述第一表面具有高度在基本上20nm至30nm的范围内的凸块为止。

45.  根据权利要求34所述的方法，其中所述形成包括：
形成第一堇青石层，所述第一堇青石层在其中形成有通道；以及
对所述第一堇青石层进行烧结；
对第二堇青石层进行烧结，所述第二堇青石层基本上为平坦的；
将所述第一堇青石层与所述第二堇青石层直接键合，
其中所述通道被配置成容纳冷却剂的流动。

46.  根据权利要求34所述的方法，进一步包括：
在所述夹持器的所述第二表面上形成多个突节。

47.  根据权利要求46所述的方法，进一步包括：
将涂层施加至所述多个突节和所述夹持器的所述第二表面。

48.  根据权利要求47所述的方法，其中所述涂层包括氮化钛。

光刻设备和方法
相关申请的交叉引用
本申请要求2013年2月7日提交的美国临时申请61/762,047的优先权，并且该申请通过引用整体并入本文。
技术领域
本公开涉及光刻设备和方法，并且特别涉及光刻设备的支撑图案形成装置的部分。
背景技术
光刻设备是将期望的图案施加到衬底的目标部分上的机器。可以例如在集成电路(IC)的制造中使用光刻设备。在这样的情况中，备选地被称为掩模或掩模版的图案形成装置可以用于生成对应于IC的单个层的电路图案，并且该图案可以被成像到具有辐射敏感材料(抗蚀剂)层的衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一部分、一个或多个裸片)上。通常，单个衬底将含有连续地曝光的相邻目标部分的网络。已知的光刻设备包括：所谓的步进器，其中通过使整个图案一次曝光到目标部分上来照射各目标部分；和所谓的扫描器，其中通过在给定方向(“扫描”方向)上扫描通过辐射光束的图案而同步地平行于或反向平行于该方向扫描衬底来照射各目标部分。也可以通过将图案压印到衬底上而使图案从图案形成装置转移至衬底。
光刻被广泛地认为是IC和其他器件和/或结构的制造中的关键步骤中的一个。然而，随着利用光刻做出的特征的尺寸变得较小，光刻正在成为用于使得微型IC或其他器件和/或结构能够被制造的更加至关重要的因素。
图案印刷的限制的理论估计可以通过如等式(1)所示用于分辨率的瑞利准则给出：
CD=k1×λNA---(1)]]>
其中，λ是所使用的辐射的波长，NA是用于印刷图案的投影系统的数值孔径，k₁是依赖于工艺的调整因子、也称作瑞利常数，并且CD是印刷出的特征的特征尺寸(或临界尺寸)。由等式(1)得出，可以以如下三种方式得到特征的最小可印刷尺寸的降低：通过缩短曝光波长λ、通过增加数值孔径NA或者通过减小k₁的值。
为了缩短曝光波长并因此降低最小可印刷尺寸，已提议使用极紫外(EUV)辐射源。EUV辐射是具有在5nm至20nm的范围内、例如在13nm至14nm的范围内、例如诸如6.7nm或6.8nm等的在5nm至10nm的范围内的波长的电磁辐射。可能的源包括：例如，激光产生的等离子体源、放电等离子体源或基于由电子储存环提供的同步辐射的源。
EUV辐射可以使用等离子体产生。用于产生EUV辐射的辐射系统可以包括：用于激发燃料以提供等离子体的激光器，和用于容纳等离子体的源收集器模块。等离子体例如可以通过将激光束引导在诸如合适材料(例如，锡)的微滴、或者诸如Xe气体或Li蒸汽等的合适气体或蒸汽的流之类的燃料处来创建。所产生的等离子体发射出输出辐射、例如EUV辐射，其利用辐射收集器来收集。辐射收集器可以是镜像垂直入射辐射收集器，其接收辐射并使辐射聚焦成光束。源收集器模块可以包括布置成提供真空环境以支持等离子体的封闭结构或室。这样的辐射系统典型地称作激光产生的等离子体(LPP)源。
产生EUV辐射的另一已知方法被称为双激光脉冲(DLP)。在DLP方法中，通过Nd:YAG激光器将微滴预加热以使得微滴(例如，锡微滴)分解成蒸汽和小颗粒，接着通过CO₂激光器将它们加热至非常高的温度。
然而，由这样的源生成的辐射将不仅是EUV辐射，并且源还可能以包括红外(IR)辐射和深紫外(DUV)辐射的其他波长进行发射。DUV辐射可能对光刻系统是有害的，因为它可以导致对比度的损失。此外，不期望的IR辐射可以使得对系统内的部件造成热损伤。因此， 已知使用光谱纯度滤光片以增加所传输的辐射中EUV的比例并且以减少或甚至消除诸如DUV和IR辐射等的不期望的非EUV辐射。
当辐射撞击掩模版或掩模时，掩模版或掩模可以由于从辐射吸收的热而变形。当辐射是具有相对高的能量的EUV辐射时，该变形尤其是有问题的。为减少变形，可以使冷却剂通过用于将掩模版或掩模固定至光刻设备的其余部分(例如，卡盘和/或夹持器)的装置循环。然而该冷却剂可能通过装置中的破裂泄漏。此外，这样的基于冷却剂的冷却系统可以依赖于装置的导热性能，该导热性能可能较差。
发明内容
因此，需要的是一种能够固定掩模版并防止图案形成装置的热诱导变形的装置。根据本发明的第一方面，提供了一种光刻设备。光刻设备包括掩模版和被配置成可释放地保持掩模版的静电夹持器。静电夹持器包括具有相对的第一表面和第二表面的第一衬底、位于第一表面上并且被配置成接触掩模版的多个突节、具有相对的第一表面和第二表面的第二衬底。第二衬底的第一表面被耦合至第一衬底的第二表面。多个冷却元件位于第二衬底的第一表面与第一衬底的第二表面之间。冷却元件被配置成使得电子从第一衬底的第二表面行进至第二衬底的第一表面。每一个冷却元件与相应的突节基本上对准。
根据第二方面，提供一种静电夹持器。静电夹持器包括：第一衬底，具有相对的第一表面和第二表面；多个突节，位于第一表面上并且被配置成接触掩模版；第二衬底，具有相对的第一表面和第二表面，第二衬底的第一表面被耦合至第一衬底的第二表面；和多个冷却元件，位于第二衬底的第一表面与第一衬底的第二表面之间。冷却元件被配置成将电子从第一衬底的第二表面传导至第二衬底的第一表面。多个冷却元件中的每一个与相应的突节基本上对准。
根据第三方面，提供一种方法。方法包括：由堇青石形成夹持器，夹持器具有相对的第一表面和第二表面，第一表面被配置成耦合至物体；在夹持器的第二表面上提供中间层；以及将夹持器耦合至卡盘。 中间层增强夹持器与卡盘之间的粘合性。
根据第四方面，提供一种设备。设备包括：
卡盘，
夹持器，被配置成可释放地保持掩模版，夹持器由堇青石形成；以及中间层，被耦合至夹持器的表面并且被耦合至卡盘。
下面参照附图详细地描述发明的进一步特征和优点以及发明的各种实施例的结构和操作。需要注意的是，本发明不限于在本文中描述的具体实施例。这样的实施例在本文中仅呈现用于说明的目的。对于相关领域技术人员而言，基于在本文中所包含的教导的附加实施例是显而易见的。
附图说明
在本文中所包含并且形成说明书的一部分的附图图示出本发明，并且与描述一起进一步用于阐释本发明的原理并使得相关领域技术人员能够进行和使用发明。
图1示意性地描绘了光刻设备。
图2是光刻设备的更加详细的示意图。
图3是光刻设备的包括了夹持器和卡盘的部分的图。
图4是光刻设备的包括了夹持器和卡盘的部分的示意图。
图5是热电冷却凸块的图。
图6是光刻设备的包括了夹持器和卡盘的部分的示意图。
图7是热电冷却膜的截面图。
图8和图9是光刻设备的包括了夹持器和卡盘的部分的示意图。
图10是热隧穿冷却元件的示意图。
图11是由堇青石形成夹持器的方法的流程图。
图12至图16图示了图11的流程图中的中间步骤。
图17是光刻设备的包括了夹持器和卡盘的部分的图。
图18是图示出包括堇青石在内的不同材料的电导率的曲线图。
图19是图示出堇青石层对施加至堇青石层的不同表面上的电压 差的响应的曲线图。
本发明的特征和优点将从如下面结合附图时所阐述的详细描述中变得更加显而易见，在附中相似的附图标记自始自终标识相应的元件。在附图中，相似的附图标记一般指示同样的、功能性类似的和/或结构上类似的元件。元素首次出现的附图用相应附图标记中的最左侧数字指示。
具体实施方式
本说明书公开了包含本发明的特征的一个或多个实施例。所公开的实施例仅举例说明了发明。本发明的范围不限于所公开的实施例。本发明由随附的权利要求来限定。
所描述的实施例以及说明书中对“一个实施例”、“实施例”“示例实施例”等等的提及指示所描述的实施例可以包括特定特征、结构或特性，但每个实施例可以并不一定包括特定特征、结构或特性。此外，这样的措词并不一定是指相同的实施例。此外，当与实施例有关地描述特定特征、结构或特性时，应该理解的是，与其他实施例有关地影响这样的特征、结构或特性是在本领域技术人员的知识内，而不管是否明确地描述。
本发明的实施例可以以硬件、固件、软件或其任何组合来实施。本发明的实施例也可以实施为可由一个或多个处理器读取和执行的存储在机器可读介质上的指令。机器可读介质可以包括用于以可由机器(例如，计算装置)读取的形式存储或传输信息的任何机构。例如，机器可读介质可以包括只读存储器(ROM)；随机存取存储器(RAM)；磁盘存储介质；光存储介质；闪存装置；电、光、声音或其他形式的传播信号(例如，载波、红外信号、数字信号等)，以及其他。此外，固件、软件、程序、指令可以在在本文中描述为执行特定动作。然而，应该认识到的是，这样的描述仅为了方便并且实际上这样的动作由计算装置、处理器、控制器或执行固件、软件、程序、指令等等的其他装置产生。
然而，在更详细地描述这样的实施例之前，呈现出可以实施本发明的实施例的示例环境是有指导性的。
图1示意性地示出了根据本发明的实施例的包括源收集器模块SO的光刻设备LAP。设备包括：照射系统(照射器)IL，被配置成调节辐射光束B(例如，EUV辐射)；支撑结构(例如，掩模台)MT，被构造成支撑图案形成装置(例如，掩模或掩模版)MA并连接至被配置成将图案形成装置精确定位的第一定位器PM；衬底台(例如，晶片台)WT，被构造成保持衬底(例如，涂有抗蚀剂的晶片)W并连接被至配置成将衬底精确定位的第二定位器PW；和投影系统(例如，反射型投影系统)PS，被配置成将通过图案形成装置MA赋予辐射光束B的图案投影到衬底W的目标部分(例如，包括一个或多个裸片)上。
照射系统可以包括各种类型的光学部件，如折射型、反射型、磁性型、电磁型、静电型或其他类型的光学部件，或者它们的任何组合，用于引导、成形或控制辐射。
支撑结构MT以取决于图案形成装置的定向、光刻设备的设计和诸如例如图案形成装置是否被保持在真空环境下等的其他条件的方式来保持图案形成装置MA。支撑结构可以使用机械的、真空的、静电的或其他夹持技术来保持图案形成装置。支撑结构可以是例如可以根据需要固定或可动的框架或台。支撑结构可以确保图案形成装置例如相对于投影系统处于期望的位置。
术语“图案形成装置”应该广义地解释为是指可以用于在辐射光束的横截面中向辐射光束赋予图案的任何装置，以便在衬底的目标部分中创建出图案。赋予辐射光束的图案可以对应于诸如集成电路等的正在目标部分中创建的器件中的特定功能性层。
图案形成装置可以是透射型的或反射型的。图案形成装置的示例包括掩模、可编程反射镜阵列和可编程LCD面板。掩模是光刻中公知的，并且包括诸如二元、交替相移和衰减相移等的掩模类型，以及各种混合掩模类型。可编程反射镜阵列的示例采用小反射镜的矩阵布 置，其中的每一个能够单独地倾斜以便沿不同方向对入射的辐射光束进行反射。倾斜的反射镜在由反射镜矩阵反射的辐射光束中赋予图案。
像照射系统一样的投影系统可以包括各种类型的光学部件，如折射型、反射型、磁性型、电磁型和静电型或其他类型的光学部件，或它们的任何组合，视对于正使用的曝光辐射或对于诸如真空的使用等的其他因素的情况而定。对于EUV辐射也可以期望使用真空，因为其他气体可能吸收太多的辐射。因此，借助于真空壁和真空泵，可以将真空环境提供至整个光束路径。
如这里所描绘的，设备是反射型的(例如，采用反射型掩模)。
光刻设备可以是具有两个(双平台)或更多衬底台(和/或两个或更多掩模台)的类型。在这样的“多平台”机器中，可以并行地使用附加的台，或者一个或多个台上执行预备步骤，而在使用一个或多个其他台用于曝光。
参见图1，照射器IL从源收集器设备SO接收极紫外辐射光束。产生EUV辐射的方法包括但不一定限于将材料转换成具有至少一个元素、例如氙、锂或锡的等离子体状态，该至少一个元素具有在EUV范围内的一个或多个发射谱线。在通常称作激光产生等离子体(“LPP”)的一个这样的方法中，可以通过用激光束照射具有所需谱线发射元素的材料的诸如微滴、流或簇等的燃料来产生所需的等离子体。源收集器设备SO可以是包括用于提供激发燃料的激光束的激光器(图1中未示出)的EUV照射系统的一部分。所产生的等离子体发射出输出辐射，例如EUV辐射，其被用布置在源收集器设备中的辐射收集器收集。激光器和源收集器设备可以是单独实体，例如当CO₂激光器被用于提供用于燃料激发的激光束时。
在这样的情况中，激光器不视为形成光刻设备的一部分，并且借助于包括例如合适的引导反射镜和/或扩束器的光束传递系统，使激光束从激光器传到源收集器设备。
在通常称作放电产生等离子体(“DPP”)的备选方法中，通过 利用放电使燃料蒸发来产生EUV发射等离子体。燃料可以是具有在EUV范围内的一个或多个发射谱线的诸如氙、锂或锡等的元素。放电可以通过电源生成，该电源可以形成源收集器设备的一部分或者可以是经由电连接而连接至源收集器设备的单独实体。
照射器IL可以包括用于调整辐射光束的角强度分布的调整器。通常，可以调整照射器的光瞳面中的强度分布的至少外径向范围和/或内径向范围(常分别被称为σ外和σ内)。另外，照射器IL可以包括诸如琢面场和光瞳反射镜装置等的各种其他部件。照射器可以用于调节辐射光束，以在其横截面中具有期望的均匀性和强度分布。
辐射光束B入射在被保持在支撑结构(例如，掩模台MT)上的图案形成装置(例如，掩模)MA上，并且通过图案形成装置而被图案化。在从图案形成装置(例如，掩模)MA反射之后，辐射光束B穿过投影系统PS，该投影系统将光束聚焦在衬底W的目标部分C上。借助于第二定位器PW和位置传感器PS2(例如，干涉仪装置、线性编码器或电容传感器)，可以使衬底台WT精确地移动，例如以便将不同目标部分C定位在辐射光束B的路径中。类似地，第一定位器PM和另一位置传感器PS1可以用于将图案形成装置(例如，掩模)MA相对于辐射光束B的路径精确地定位。图案形成装置(例如，掩模)MA和衬底W可以利用掩模对准标记M1、M2和衬底对准标记P1、P2而对准。
所描绘的设备可以以下面的模式中的至少一个使用：
1.在步进模式中，使支撑结构(例如，掩模台)MT和衬底台WT维持基本静止，而将赋予辐射光束的整个图案一次投影到目标部分上(即，单次静态曝光)。接着使衬底台WT在X和/或Y方向上偏移以使得不同的目标部分C能够被曝光。
2.在扫描模式中，同步地扫描支撑结构(例如，掩模台)MT和衬底台WT而同时将赋予辐射光束的图案投影到目标部分C上(即，单次动态曝光)。衬底台WT相对于支撑结构(例如，掩模台)MT的速率和方向可以由投影系统PS的(缩小)放大率和图像反转特性 来确定。
3.在另一模式中，使支撑结构(例如，掩模台)MT维持基本静止地保持着可编程的图案形成装置，并且在将赋予辐射光束的图案投影到目标部分C上时移动或扫描衬底台WT。在该模式中，通常采用脉冲辐射源，并且在衬底台WT的每次移动之后或在扫描期间的连续辐射脉冲之间根据需要更新可编程的图案形成装置。该操作模式可以容易地应用于使用诸如上面所提类型的可编程反射镜阵列等的可编程图案形成装置的无掩模光刻。
也可以采用上述使用模式的组合和/或变化或者完全不同的使用模式。
图2更详细地示出光刻设备100，包括源收集器设备SO、照射系统IL和投影系统PS。源收集器设备SO被构造和布置成使得在源收集器设备SO的封闭结构220中可以维持真空环境。EUV辐射发射等离子体210可以由放电产生等离子体源形成。EUV辐射可以由例如Xe气体、Li蒸汽或Sn蒸汽等的气体或蒸汽产生，在这种气体或蒸汽中创建出非常热的等离子体210以发射出在电磁光谱内的EUV范围的辐射。非常热的等离子体210例如通过引起至少部分电离的等离子体的放电来创建。对于辐射的有效生成，可能需要Xe、Li、Sn蒸汽或其他合适气体或蒸汽的例如10Pa的局部压力。在实施例中，激发的锡(Sn)的等离子体被提供以产生EUV辐射。
由热等离子体210发射的辐射经由被定位在源室211中的开口之中或之后的可选的气体阻挡件或污染物阱230(在一些情况中也被称为污染物阻挡件或翼片阱)而被从源室211传到收集器室212。污染物阱230可以包括通道结构。污染物阱230还可以包括气体阻挡件或气体阻挡件与通道结构的组合。如现有技术中已知的，在本文中进一步指示的污染物阱或污染物阻挡件230至少包括通道结构。
收集器室212可以包括辐射收集器CO，其可以是所谓的掠入射收集器。辐射收集器CO具有上游辐射收集器侧251和下游辐射收集器侧252。横穿收集器CO的辐射可以被反射离开光栅光谱滤光片240 以被聚焦在虚拟源点IF中。虚拟源点IF常被称为中间焦点，并且源收集器设备被布置成使得中间焦点IF位于封闭结构220中的开口219处或附近。虚拟源点IF是辐射发射等离子体210的图像。光栅光谱滤光片240特别用于抑制红外(IR)辐射。
随后，辐射横穿照射系统IL，照射系统可以包括被布置成在图案形成装置MA处提供辐射光束221的期望角度分布以及在图案形成装置MA处提供期望的辐射强度均匀性的琢面场反射镜装置222和琢面光瞳反射镜装置224。当辐射光束221在由支撑结构MT保持的图案形成装置MA处反射时，形成了经图案化的光束226，并且经图案化的光束226通过投影系统PS经由反射元件228、230被成像到由晶片台或衬底台WT保持的衬底W上。
比示出的更多的元件通常可以存在于照射光学单元IL和投影系统PS中。光栅光谱滤光片240可以取决于光刻设备的类型而可选地存在。此外，与图中示出的那些相比可以有更多的反射镜存在，例如与图2中示出的那些相比可以有1至6个附加的反射元件存在于投影系统PS中。
如图2中图示出的收集器镜片CO被描绘成仅作为收集器(或收集器反射镜)的示例的具有掠入射反射器253、254和255的嵌套收集器。掠入射反射器253、254和255围绕光轴O同轴对称地布置，并且该类型的收集器镜片CO优选地与通常称作DPP源的放电产生等离子体源组合使用。
用于冷却掩模版的方法和系统
图3示出根据实施例的光刻设备的一部分的截面图。具体地，图3示出耦合至夹持器310的掩模版300。夹持器310被耦合至、例如被键合至卡盘320。如上所述，掩模版是将图案赋予到辐射的入射光束上的装置。例如，掩模版300可以包括经图案化的反射表面(例如，以阵列布置并且其状态可以被控制以确定向入射光束赋予的图案的多个反射镜)。(辐射的入射光束用箭头350描绘在图3中)。
在实施例中，夹持器310可以是静电夹持器。例如，夹持器310 可以生成静电场以将掩模版300保持在适当位置。如在下面更详细描述的，静电夹持器310可以包括生成该静电场的电极。
在一个示例中，夹持器310包括第一衬底312和第二衬底314。第一衬底312具有相对表面313和315，并且第二衬底314具有相对表面317和319。第一衬底312的表面313具有位于其上的突节316。如图3所示，突节316接触掩模版300。
当掩模版300接收辐射的入射光束时，它可以从入射光束吸收功率并且变热。例如，入射光束可以传递28W的功率。当变热时，掩模版300的一部分可能变形。例如，在掩模版300包括反射表面的实施例中，该表面的一部分可能变形。在实施例中，为防止该变形，期望将掩模版300保持在基本室温(近似22摄氏度)中。
为实现对掩模版300的这一温度控制，可以将夹持器310维持在低于室温的温度(例如，14摄氏度)中。通过夹持器310与掩模版300之间的接触(例如，通过突节316)，可以使热从掩模版300转移至夹持器310。与使用冷却剂填充通道的传统夹持器对比，夹持器310包括用于提供冷却的冷却元件318。如相关领域技术人员基于本文中的描述应该认识到的，夹持器中的冷却剂填充通道可能引出数个问题(例如，通道的破裂，这会导致冷却剂的泄漏)。
在示出的示例中，冷却元件318位于第一和第二衬底312和314之间。例如，如图3所示，冷却元件318位于第一衬底312的表面315与第二衬底314的表面317之间。冷却单元318可以被配置成使得电子从第一衬底312的表面315行进至第二衬底314的表面317。热随着电子从第一衬底312行进至第二衬底314而消散或行进，由此将第一衬底312冷却。如下面更详细地描述的，冷却元件318可以利用各种技术(例如，热电冷却或热隧穿冷却)来实施。
在一个示例中，如图3的实施例中所示，冷却元件318中的每一个相对于突节316中的相应的一个突节基本上对准。在实施例中，该对准维持了夹持器310和掩模版300的结构稳定性，由此进一步减少了掩模版300的变形。
在一个示例中，夹持器310被键合至卡盘320。在实施例中，夹持器310被光学地键合至卡盘320。如相关领域技术人员应该认识到的，可以使用其他类型的键合或耦合。
在实施例中，卡盘320可以用作用于夹持器310的热沉。如上面所提到的，冷却元件318可以用于使热转移离开第一衬底312。为防止热积聚在夹持器310中，卡盘320可以用作热沉以将该热从系统中去除。例如，如图3所示，卡盘320包括通道322。通道322可以被配置成容纳冷却剂(例如，水)的流动。冷却剂可以用于维持卡盘320的温度恒定并由此将热从系统中去除。例如，冷却剂可以是维持在22摄氏度的水。
第一和第二衬底312和314以及卡盘320可以由光刻设备中用于形成夹持器的各种不同材料制成。如图3所示，第一衬底312接触掩模版300，第二衬底314接触第一衬底312，并且卡盘320接触第二衬底314。所以，第一衬底312、第二衬底314或卡盘320的任何变形都会引起掩模版300的变形。因此，在实施例中，第一衬底312、第二衬底314和/或卡盘320可以由零(或基本零的)热膨胀材料形成。例如，硅基玻璃陶瓷材料和多层玻璃材料通常具有零(或基本零)热膨胀材料的性能。例如，可以使用的一个材料是(肖特公司(SCHOTT Corporation)生产)。第一衬底312、第二衬底314和卡盘320可以由相同材料或不同材料形成。
因此，通过冷却元件318的使用，可以使夹持器310的第一衬底312维持在近似14摄氏度的温度，由此减少或消除了掩模版300的热诱导变形。
图17示出根据实施例的光刻设备的一部分的截面图。具体地，图17示出耦合至夹持器1710的掩模版300。夹持器1710与夹持器310基本类似，除了夹持器1710另外包括第三衬底1702。如图17所示，第三衬底1702被耦合至第一衬底312的第一表面313，并且突节316形成于第三衬底1702的顶表面上。在实施例中，第三衬底1702可以由与用于形成第一和第二衬底312和314的材料类似的材料形成 (例如，诸如多层材料或玻璃陶瓷材料等的零或基本零的热膨胀系数材料)。
图4示出根据实施例的光刻设备的一部分的功能性截面图。具体地，图4示出了夹持器410和卡盘320的实施例。在图4中示出的实施例中，冷却元件被实施为热电冷却(TEC)凸块406。例如，如图4所述，TEC凸块406位于第一衬底312的表面315与第二衬底314的表面317之间。TEC凸块406中的每一个相对于突节316中相应的一个突节对准。
在一个示例中，TEC元件通过采用帕尔贴效应(Peltier Effect)的优点而操作。当电子在两个不相似的材料之间流动时，一个材料变得较冷并且另一个变得较暖。特别地，随着电子从第一材料行进至第二材料，电子将热与它们一起带走。例如，在图4的实施例中，可以在各TEC凸块406的相对端部之间建立电压差，以生成在其中经过的电流。该电流可以用于使热从第一衬底312转移至第二衬底314。
如图4所示，控制器450耦合至卡盘320。在实施例中，控制器450可以用于提供可变的冷却。例如，控制器450可以被配置成控制通过各TEC凸块406的电流的量。因此，控制器450可以响应于改变对于掩模版300的不同部分的冷却需要。例如，控制器450可以用于调整电流使得整个第一衬底312都保持处于近似14摄氏度。
此外，控制从第一衬底312转移的热的量的能力可以用于抵消第一衬底312的可能较差的导热性能。特别地，控制器450可以用于增加从第一衬底312流至第二衬底314的电流的量，以容纳第一衬底312的可能较差的导热性能。相比之下，在基于冷却剂的静电夹持器中，如果夹持器具有较差的导热性能，则冷却剂通道必须被置于尽可能靠近掩模版。
在实施例中，控制器450可以被配置成通过与各TEC凸块406的电连接而提供可变的冷却。例如，控制器450可以通过形成在第一和第二衬底312和314以及卡盘320中的布线层被电连接至TEC凸块406。通过该电连接，控制器450可以控制横跨各TEC凸块406的 电压差，并由此控制通过各TEC凸块406的电流。
如相关领域技术人员基于本文中的描述应该认识到的，其他配置可以用于建立控制器450与TEC凸块406之间的电连接。例如，控制器450可以代替地直接耦合至第一衬底312，由此消除对于第二衬底314和卡盘320中的布线层的需要。
在图4中示出的实施例中，表面315和317被分别涂敷有类金刚石碳(DLC)涂层402和404。在实施例中，DLC涂层402和404可以增加第一衬底312和第二衬底314之间的导热性。DLC涂层402和404的存在是可选的：可以省略一个或两者。在其他实施例中，可以使用提升热转移的其他涂层代替DLC涂层402和404，或除DLC涂层402和404以外还使用其他涂层。
如图4所示，第二衬底314包括硅层408。在实施例中，硅层408可以用于促进TEC凸块406的形成。例如，在实施例中，TEC凸块406可以通过沉积工艺直接创建到第二衬底314的表面317上。该沉积工艺可以通过包括硅层408而得到辅助。特别地，标准沉积工艺通常设计为将材料沉积在硅上。因此，通过包括硅层408，可以利用这样的标准工艺创建出TEC凸块406。然而硅层408的存在不是必需的。例如，TEC凸块406可以通过直接沉积到第二衬底314上而创建。备选地，可以使用其他层代替硅层408或除硅层408以外还使用其它层，以促进TEC凸块406的创建。
图5示出图示了根据实施例的TEC凸块500的实施例的截面图。如图5所示，凸块500包括金属垫502、焊料凸块524、立柱506、金属垫508、热电层510、金属迹线512和金属迹线514。
如图5所示，为使热从第一衬底312转移至第二衬底314，电子从金属迹线512、通过热电层510、焊料层508、立柱506、凸块524、垫502和金属迹线514流动。在实施例中，金属迹线512和514及垫502和508可以由导电材料、例如铜或铝形成。此外，在实施例中，立柱506可以被配置成在焊料回流工艺期间与焊料凸块506配对以建立第一和第二衬底312和314之间的电互连。立柱506可以由导电材 料、例如铜或铝形成。
在实施例中，热电层510可以或者被n掺杂或者被p掺杂以允许电子从第一衬底312主动转移至第二衬底314。在进一步的实施例中，不同凸块500可以包括不同掺杂的热电层510。例如，凸块500的掺杂可以在相邻凸块500中交替，以允许在第一和第二衬底312和314之间形成完整的电路环路(具有通过具有n掺杂热电层的凸块在一个方向上行进并且通过具有p掺杂热电层的凸块在相反方向上行进的电流)。
垫502和508及金属迹线512和514可以被包括在由控制器、例如控制器450控制的回路中。控制器可以调整在第一和第二衬底312和314之间经过的电流的量，以控制从第一衬底312转移至第二衬底314的热的量。
如上面所提到的，为增强夹持器410和掩模版300的结构整体性，诸如TEC凸块500等的冷却元件可以相对于突节316中相应的一个突节基本上对准。在实施例中，实施为TEC凸块的TEC元件的使用增强了突节316与相应的冷却元件之间的对准性。特别地，相对小尺寸的TEC凸块500(例如，长度、宽度和厚度在100μm的数量级上)增强了TEC凸块406的分辨率，从而允许了与突节316的更好的对准性。
如上面所提到的，TEC凸块500可以用于使热从第一衬底312转移至第二衬底314。一旦热被转移至第二衬底314，热就被转移至可以充当热沉的卡盘320。为促进热从第二衬底314至卡盘320的转移，第二衬底314可以包括热通路520。热通路520可以用导热材料、例如铜或铝来填充，以促进热从第二衬底314到卡盘320的转移。
图6示出根据实施例的光刻设备的一部分的截面图。更具体地，图6示出包括卡盘320和夹持器610的截面图。夹持器610与图4中示出的夹持器410基本类似，除了用TEC膜602替换TEC凸块406以外。在实施例中，TEC膜602可以相对薄。例如，在一个实施例中，TEC膜602可以在100μm厚的数量级上。
图7示出根据实施例的TEC膜602的截面图。如图7所示，TEC膜602包括金属面702、传导性元件704和金属板706。如图7所示，金属板706将相邻的传导性元件704电耦合。传导性元件704可以被n掺杂或者被p掺杂，并且可以用于促进电子从第一衬底312至第二衬底314的流动，由此冷却第一衬底312。例如，如图7的实施例中所示，传导性元件704可以被交替地n掺杂和p掺杂，以创建在第一和第二衬底312和314之间经过的电流的回路。
图8示出包括卡盘320和静电夹持器810的光刻设备的一部分的截面图。夹持器810与图4中示出的夹持器410基本类似，除了用TEC模块802替换TEC凸块406以外。在实施例中，TEC模块802中的每一个可以被键合至表面315和317以促进电子从第一衬底312至第二衬底314的流动。在实施例中，TEC模块802可以近似0.6mm厚并且在长度和宽度上为近似1mm。在实施例中，TEC模块802可以使用胶被键合至表面315和317。在可选实施例中，可以使用其他粘结剂方法，例如焊料或纳米箔片(nanofoil)焊料。
图9示出根据实施例的包括了卡盘320和夹持器910的光刻设备的截面图。夹持器910与如图4所示的夹持器410基本类似，除了用热隧穿冷却(TTC)阵列902替换TEC凸块406以外。
TTC元件以类似于TEC元件的方式工作。特别地，电子被用于将热从一个材料转移至另一个(例如，在图9中，从第一衬底312转移至第二衬底314)。然而，与TEC元件不一样，TTC元件在两个材料之间不包括导体。而是，TTC元件依靠量子隧穿以使电子在两个材料之间经过。例如，在图9中，TTC阵列902可以包括TTC元件的阵列，其中的每一个包括以5nm的数量级的距离分开的两个金属板。通过控制两个不同板上的电压，控制器450可以控制在两个板之间隧穿的电子的流动的幅值和方向，并由此控制从第一衬底312转移至第二衬底314的热的量。此外，与TEC凸块406一样，TTC阵列902的元件可以与相应的突节316基本上对准。使冷却元件与相应的突节316对准可以增强夹持器910的结构稳定性，由此减少附接至其上的 掩模版的变形。
图10示出根据实施例的TTC元件1000的功能图。TTC元件1000包括金属板1002和1004。如图10所示，金属板1002是收集器板并且金属板1004是发射器板。板1002和1004以距离d分开。在实施例中，距离d可以是5nm的数量级。在实施例中，TTC元件1000可以包括可维持板1002与1004之间的距离d的间隔物1006。间隔物1006可以由合适的电介质材料形成。在该实施例中，TTC元件1000由半导体材料与发射器-收集器金属的特殊夹层结构制造。间隔物1006被以化学的方式去除并且在真空中被密封，留下维持板1002与1004之间的距离d的相对小的压电致动器。真空间隙对传导性热损失绝缘，导致高的卡诺效率。
电子可以基于板1004与1002之间的电压差V从板1004隧穿至板1002。在实施例中，控制器、例如控制器450可以被配置成控制用于阵列中的各TTC元件的电压V，以提供定制的冷却。处于低功率等级(例如，大约费米等级)的电子和处于高功率等级的电子两者都参与通过板1004与1002之间的势垒的隧穿，由此将热从发射器转移至收集器。这样做时，效率在发射器电场的宽范围内保持高。
如相关领域技术人员将基于本文中的描述而认识到的，TTC元件通常可以在最低冷却温度近似600摄氏度的情况中使用。该温度很好地在光刻设备的正常操作温度之外。然而，通过使板1002与1004处于纳米范围内的距离，电子可以跨越该段距离隧穿，与其一起运载热，由此可以以近似22摄氏度的温度提供冷却。发射器板1004采用特殊金属。在实施例中，特殊金属在其表面具有超晶格或共振隧穿结构，其中的任一个都使发射器板1004有效地缩进(indent)。这些纳米结构可以与发射器固体中的电子的波性能相互作用，改变它们的行为和降低材料的功函数。功函数被限定为电子离开发射器的表面所需的功率的量。电子能量的广谱参与真空热电子发射热泵吸。
在实施例中，与TEC元件相比，TTC元件可以相对高效。例如，TTC元件的卡诺效率可以在40％与55％之间，而TEC元件的卡诺效 率可以在5％与7％之间。
用于由堇青石形成夹持器的方法和系统
堇青石是基于镁和铁的晶体。它具有比用于制作夹持器的很多材料高的热导率并且还具有相对高的硬度。此外，堇青石展现出在室温或大约室温时基本为零的热膨胀。
图11示出根据实施例的由堇青石形成夹持器的方法1100。并非方法1100的所有步骤可能是需要的，也不是图11中示出的所有步骤都一定必须以示出的顺序出现。
在步骤1102中，形成第一层堇青石。例如可以形成如图12所示的堇青石的层1202。层1202包括通道1204。在实施例中，通道1204可以被配置成容纳通过夹持器的冷却剂(例如，水)的流动。在实施例中，可以在层1202处于“绿色”状态的时形成通道1204。在“绿色”状态中，层1202是多孔的并且可以被操控。例如，可以通过机加工或钻孔来形成通道1204。
在步骤1104中，将第一层堇青石烧结至第二层堇青石。例如，如图12所示，可以将层1202烧结至堇青石的层1206。如图12所示，层1206可以是基本上平面的。在备选实施例中，层1206可以具有其他形状。
在实施例中，将层1202和1206烧结创建出熔融键合(fusion bond)。一旦层1202和1206被键合，就将所产生的堇青石的组合层退火成致密状态。在该致密状态中，堇青石可以难以操控。在一个实施例中，可以使用共烧键合(co-fired bond)使层1202和层1206接合。为创建共烧键合，可以将各处于“绿色”状态的层1202和1206一起加压并置于被加热至近似1,300℃的烤炉中。
备选地，可以使用直接键合将层1202与1206接合。为创建直接键合，可以将各已经单独地烧结成致密状态的层1202和1206在被加热至近似1,200℃的烤炉中一起加压。
然而，为使组合层的表面平面化，可以将堇青石层抛光和/或研磨。
在步骤1106中，例如用薄膜沉积(TFD)，在第三层堇青石中形 成多个电极。例如，图13A示出堇青石的层1302的俯视图。如图13A所示，层1302具有形成在其中的沟槽1304。此外，层1302可以包括形成在沟槽内的凸块1306。在实施例中，沟槽1304可以使用离子束加工(IBF形成。可以在适当位置留下凸块1306，以提供用于所产生的夹持器的结构支撑件。如图13B所示，可以用导电材料1308填充沟槽1304。在实施例中，导电材料1308是铝(Al)。一旦硬化了，导电材料就可以用作电极。
在实施例中，在用导电材料1308填充沟槽1304之前，可以将电介质材料施加至沟槽1304用于平面化。例如，可以施加一层苯并环丁烯(BCB)以使将被施加导电材料1308的表面平面化。BCB层可以进一步充当用于导电材料1308的粘结剂。
电介质隔离层(例如，二氧化硅(SiO₂))也可以施加至导电材料1308。在进一步的实施例中，电介质层相对薄，例如小于10μm。因为薄电介质层使夹持器与掩模版之间的距离减小，所以使用薄电介质层可以增加针对给定电压的夹持力。
在另一实施例中，薄膜转移(TFD)工艺可以用于形成电极。在TFD工艺中，将氮(N)施加至硅(Si)晶片。接着将导电材料(例如，Al)施加至晶片并且可以将电介质隔离层(例如，SiO₂层)施加至导电材料。接着可以将晶片的硅部分去除(例如，经由蚀刻或研磨)，留下电极。可以将这些电极插入沟槽1304中。
在步骤1108中，将第三层堇青石键合至组合的第一和第二层堇青石。例如，如图14所示，将层1302键合至堇青石的层1402。在实施例中，层1402是图12中所示层1202与1206的组合。在实施例中，当层1302和1402都处于致密状态下将两者组合。例如，因为两个层的尺寸必须在该键合工艺中保持恒定，所以可以在致密状态下完成键合。在实施例中，层1302和1402的键合可以在高压下并且使用高温来完成。
在可选的步骤1110中，在组合的堇青石层上形成突节。例如，如图15所示，可以在组合堇青石层1502上形成突节1504。在实施例 中，组合堇青石层1502是层1302和1402的组合。在实施例中，可以通过施加光致抗蚀剂、对光致抗蚀剂进行图案化并且用例如盐酸将堇青石的未保护区域溶解来形成突节。在进一步的实施例中，可以将涂层施加至突节。例如，如图15所示，将涂层1506施加至突节1504和堇青石层1502的顶表面。涂层1506可以是导电涂层，例如氮化钛(TiN)涂层。涂层1506可以防止残留电荷建立在突节的表面上，由此减小了粘着影响，并且可以减小突节1504上的磨损的影响。涂层1506也可以用于控制突节1504的表面性能(例如，通过控制涂层1506的厚度)。
在实施例中，步骤1110可以省略。例如，如下面所述，堇青石夹持器的表面自身可以用于接触诸如掩模版等的物体。在进一步的实施例中，如果使用了堇青石夹持器的表面自身，则可以将用于使堇青石夹持器的表面平面化的任何电介质材料、例如BCB材料从突节上去除(例如，通过研磨)。在另一实施例中，可以使用例如IBF来控制突节的表面粗糙度(或堇青石夹持器的表面)。
在可选的步骤1111中，将堇青石夹持器的表面配置成接触(例如，碰触)物体(例如，掩模版)。例如，参见图14，可以将层1302的顶表面抛光以允许其接触或碰触掩模版。在实施例中，抛光可以是金刚石抛光。例如，金刚石抛光可以用于将层1302的顶表面抛光直到凸块留下近似20nm至30nm高为止。例如，即使在抛光之后，堇青石也可以包括提供它的表面上的凸块网络的混合化合物或硬度的结构。这些凸块可以硬的足以满足夹持器掩模版加载寿命要求。因此，留在堇青石的表面上的凸块可以有效地用作突节。
省略层1302的表面上的突节可以具有显著优点。例如，省略突节并替代使用堇青石的表面上的凸块，可以增加用于制造夹持器的吞吐量。此外，堇青石的表面粗糙度可以降低夹持器与其所保持的物体(例如，掩模版)之间的粘着影响。
在步骤1112中，提供中间层。例如，如图16所示，在夹持器1502上提供中间层1602。在实施例中，中间层1602是阳极键合至夹持器 1502的硅基玻璃(例如，)在另一实施例中，层1602是二氧化硅的层。在这样的实施例中，可以在夹持器1502上生长出二氧化硅的层。在另一实施例中，中间层1602可以替代为金属层。在这样的实施例中，中间层1602可以通过使金属层在夹持器1502上生长或者通过使预制的金属层键合至夹持器1502来提供。
中间层1602可以增强夹持器1502与卡盘1604之间的粘合性。如相关领域技术人员应该认识到的，堇青石通常难以与其他结构接触。例如，可能难以将堇青石抛光的可以充分光滑以允许与其他材料接触。因此，通过提供中间层1602并且将中间层抛光，可以加强夹持器1502与卡盘1604之间的键合。
在步骤1114中，将夹持器耦合至卡盘。例如，在实施例中，将夹持器光学地键合至卡盘。例如，如图16所示，可以通过使用中间层1602将夹持器1502光学地键合至卡盘1604。例如，将夹持器1502在被加热至300℃的烤炉中抵着卡盘1604加压。在实施例中，步骤1112可以省略。在这样的实施例中，可以将夹持器1502直接键合至卡盘1604。例如，可以将夹持器1502在被加热至300℃的烤炉中抵着卡盘1604加压。
图18是示出堇青石、BF玻璃和玻璃的电导率的曲线图1800。特别地，曲线图1800图示出在给定时间内材料上的表面电荷的保留时间。如图18所示，与BF玻璃和玻璃相比，堇青石保持表面电荷相对好。因此，堇青石是比BF玻璃和玻璃更好的绝缘体。
图19是图示出堇青石层对施加至层的不同表面的电压差的响应的曲线图。如图19所示，堇青石层展现出磁滞现象，因为不同表面随时间变化而维持电压差，由此图示出堇青石具有高的电隔离性能。
虽然在本文针对IC制造中的光刻设备的使用进行了具体提及，但应该理解的是，在本文中描述的光刻设备可以具有其他应用，如集成光学系统、用于磁畴存储器的引导及检测图案、平板显示器、液晶显示器(LCD)、薄膜磁头等的制造。本领域技术人员应该认识的是， 在这样的备选应用的上下文中，本文中的术语“晶片”或“裸片”的任何使用都可以视为分别与更一般的术语“衬底”或“目标部分”同义。本文中所指的衬底可以在曝光之前或之后在例如轨道(track)(典型地将一层抗蚀剂施加至衬底并且使曝光的抗蚀剂显影的工具)、量测工具和/或检查工具中进行处理。在适用时，本文中的公开也可以应用于这样或其他的衬底处理工具。此外，可以将衬底处理超过一次，例如以便创建出多层IC，使得本文中使用的术语衬底也可以是指已经含有多个经过处理的层的衬底。
虽然在上面针对光学光刻的上下文中对本发明的实施例的使用进行了具体提及，但应该认识到的是，本发明可以在其他应用中使用，例如压印光刻，并且当情况允许时，不限于光学光刻。在压印光刻中，图案形成装置中的拓扑可以被压印到施加至衬底的抗蚀剂层上，在这之后通过施加电磁辐射、热、压力或其组合使抗蚀剂固化。抗蚀剂固化之后，将图案形成装置从抗蚀剂中移走，将图案留在其中。
虽然在本文中针对光刻设备中的静电夹持器的使用进行了具体提及，但应该理解的是，在本文中描述的静电夹持器可以具有其他应用，例如用于在掩模检查设备、晶片检查设备、空间图像量测设备中使用，以及更通常地在或者在真空中或者在大气(非真空)条件中测量或处理诸如晶片(或其他衬底)或掩模(或其他图案形成装置)等的物体的任何设备中、如例如在等离子体蚀刻设备或沉积设备中使用。
如本文中使用的术语“辐射”和“光束”包含所有类型的电磁辐射，包括紫外(UV)辐射(例如，具有或大约具有365nm、355nm、248nm、193nm、157nm或126nm的波长)和极紫外(EUV)辐射(例如，具有5nm至20nm范围内的波长)，以及诸如离子束或电子束等的带电粒子的光束。
术语“透镜”在情况允许时可以是指各种类型的光学部件的任何一个或组合，包括折射型、反射型、磁型、电磁型和静电光学部件。
尽管上面已经描述了发明的具体实施例，但应认识到的是，本发 明可以除了上述以外的其他方式实践。描述不意在限制发明。
需要认识到的是，具体实施方式意在用于解释权利要求，但发明内容和摘要部分不意在用于解释权利要求。发明内容和摘要部分可以阐述如由发明人预想到的发明的一个或多个但不是所有示例性实施例，并且因此不意在以任何方式限制本发明和随附权利要求。上面已经借助于图示了指定功能及其关系的实施的功能性构造块描述了本发明。为了描述方便，本文中专门限定了这些功能性构造块的界线。可以限定可选界线，只要指定功能及其关系被适当地进行。
具体实施例的前述描述因此完整地披露了本发明的一般性质，从而其他人无需过度实验就可以通过应用本领域现有技术中的知识容易地修改和/或调节用于如具体实施例的各种应用，而不脱离本发明的一般概念。因此，基于本文中呈现的教导和引导，这样的调节和修改意在应该在所公开的实施例的等同方式的含义和范围内。应该理解的是，本文中的措词或术语是用于描述的目的并且不是限制，使得本说明书的术语或措词应该由技术人员鉴于教导和引导来解释。
本发明的宽度和范围不应该由上述示例性实施例中的任何一个限制，而是应该只根据以下权利要求及其等同方式来限定。