用于小型电磁继电器的由内部氧化的氧化银材料制成的具有高导电性的电接点.pdf

本发明涉及一种用于小型电磁继电器的由内部氧化的氧化银材料制成的具有高导电性的电接点，所述电接点的制备是通过对基本上由如下成分组成的银合金：以重量计5.1－9％Sn，1.5－5％In和0.005－0.06％Bi以及由Ag和不可避免杂质组成的平衡组分，进行内部氧化处理，然后进行热处理以使沉积氧化物扩散、聚集并生长；其中所述内部氧化的氧化银材料具有能使复合氧化物粗晶粒分散并分布于银基体内的金相结构，所述形成的复合氧化物粗晶粒为锡基氧化物超细晶粒和铟基氧化物超细晶粒粗化的结果，其经内部氧化处理沉积，并经热处理以使沉积氧化物扩散、聚集并生长。

1.  一种用于小型电磁继电器的由内部氧化的氧化银材料制成的具有高导电性的电接点，所述电接点的制备是通过对基本上由如下成分组成的银合金：以重量计5.1-9％Sn，1.5-5％In和0.005-0.06％Bi以及由Ag和不可避免杂质组成的平衡组分，进行内部氧化处理，然后进行热处理以使沉积氧化物扩散、聚集并生长；其中所述内部氧化的氧化银材料具有能使复合氧化物粗晶粒分散并分布于银基体内的金相结构，所述形成的复合氧化物粗晶粒为锡基氧化物超细晶粒和铟基氧化物超细晶粒粗化的结果，其经内部氧化处理沉积，并经热处理以使沉积氧化物扩散、聚集并生长。

2.  一种用于小型电磁继电器的由内部氧化的氧化银材料制成的具有高导电性的电接点，所述电接点的制备是通过对基本上由如下成分组成的银合金：以重量计5.1-9％Sn，1.5-5％In，0.03-0.5％Ni和0.005-0.06％Bi以及由Ag和不可避免杂质组成的平衡组分，进行内部氧化处理，然后进行热处理以使沉积氧化物扩散、聚集并生长；其中所述内部氧化的氧化银材料具有能使复合氧化物粗晶粒分散并分布于银基体内的金相结构，所述形成的复合氧化物粗晶粒为锡基氧化物超细晶粒和铟基氧化物超细晶粒粗化的结果，其经内部氧化处理沉积，并经热处理以使沉积氧化物扩散、聚集并生长。

3.  一种用于小型电磁继电器的由内部氧化的氧化银材料制成的具有高导电性的电接点，所述电接点的制备是通过对基本上由如下成分组成的银合金：以重量计5.1-9％Sn，1.5-5％In，0.05-0.5％Cu和0.005-0.06％Bi以及由Ag和不可避免杂质组成的平衡组分，进行内部氧化处理，然后进行热处理以使沉积氧化物扩散、聚集并生长；其中所述内部氧化的氧化银材料具有能使复合氧化物粗晶粒分散并分布于银基体内的金相结构，所述形成的复合氧化物粗晶粒为锡基氧化物超细晶粒和铟基氧化物超细晶粒粗化的结果，其经内部氧化处理沉积，并经热处理以使沉积氧化物扩散、聚集并生长。

4.  一种用于小型电磁继电器的由内部氧化的氧化银材料制成的具有高导电性的电接点，所述电接点的制备是通过对基本上由如下成分组成的银合金：以重量计5.1-9％Sn，1.5-5％In，0.05-0.5％Cu，0.005-0.06％Bi和0.03-0.5％Ni以及由Ag和不可避免杂质组成的平衡组分，进行内部氧化处理，然后进行热处理以使沉积氧化物扩散、聚集并生长；其中所述内部氧化的氧化银材料具有能使复合氧化物粗晶粒分散并分布于银基体内的金相结构，所述形成的复合氧化物粗晶粒为锡基氧化物超细晶粒和铟基氧化物超细晶粒粗化的结果，其经内部氧化处理沉积，并经热处理以使沉积氧化物扩散、聚集并生长。

5.  一种用于小型电磁继电器的由内部氧化的氧化银材料制成的具有高导电性的电接点，所述电接点的制备是通过对基本上由如下成分组成的银合金：以重量计5.1-9％Sn，1.5-5％In，0.05-0.8％Te以及由Ag和不可避免杂质组成的平衡组分，进行内部氧化处理，然后进行热处理以使沉积氧化物扩散、聚集并生长；其中所述内部氧化的氧化银材料具有能使复合氧化物粗晶粒分散并分布于银基体内的金相结构，所述形成的复合氧化物粗晶粒为锡基氧化物超细晶粒和铟基氧化物超细晶粒粗化的结果，其经内部氧化处理沉积，并经热处理以使沉积氧化物扩散、聚集并生长。

6.  一种用于小型电磁继电器的由内部氧化的氧化银材料制成的具有高导电性的电接点，所述电接点的制备是通过对基本上由如下成分组成的银合金：以重量计5.1-9％Sn，1.5-5％In，0.05-0.8％Te和0.03-0.5％Ni以及由Ag和不可避免杂质组成的平衡组分，进行内部氧化处理，然后进行热处理以使沉积氧化物扩散、聚集并生长；其中所述内部氧化的氧化银材料具有能使复合氧化物粗晶粒分散并分布于银基体内的金相结构，所述形成的复合氧化物粗晶粒为锡基氧化物超细晶粒和铟基氧化物超细晶粒粗化的结果，其经内部氧化处理沉积，并经热处理以使沉积氧化物扩散、聚集并生长。

7.  一种用于小型电磁继电器的由内部氧化的氧化银材料制成的具有高导电性的电接点，所述电接点的制备是通过对基本上由如下成分组成的银合金：以重量计5.1-9％Sn，1.5-5％In，0.05-0.5％Cu和0.05-0.8％Te以及由Ag和不可避免杂质组成的平衡组分，进行内部氧化处理，然后进行热处理以使沉积氧化物扩散、聚集并生长；其中所述内部氧化的氧化银材料具有能使复合氧化物粗晶粒分散并分布于银基体内的金相结构，所述形成的复合氧化物粗晶粒为锡基氧化物超细晶粒和铟基氧化物超细晶粒粗化的结果，其经内部氧化处理沉积，并经热处理以使沉积氧化物扩散、聚集并生长。

8.  一种用于小型电磁继电器的由内部氧化的氧化银材料制成的具有高导电性的电接点，所述电接点的制备是通过对基本上由如下成分组成的银合金：以重量计5.1-9％Sn，1.5-5％In，0.05-0.5％Cu，0.05-0.8％Te和0.03-0.5％Ni以及由Ag和不可避免杂质组成的平衡组分，进行内部氧化处理，然后进行热处理以使沉积氧化物扩散、聚集并生长；其中所述内部氧化的氧化银材料具有能使复合氧化物粗晶粒分散并分布于银基体内的金相结构，所述形成的复合氧化物粗晶粒为锡基氧化物超细晶粒和铟基氧化物超细晶粒粗化的结果，其经内部氧化处理沉积，并经热处理以使沉积氧化物扩散、聚集并生长。

用于小型电磁继电器的 由内部氧化的氧化银材料 制成的具有高导电性的电接点
技术领域
本发明涉及一种由内部氧化的氧化银材料制成的电接点，其在用于小型元件时可长时间具有高导电性和优良电接触特性，即所述材料表现出高抗熔接性(welding resistance)和高耐磨性并适于在尺寸更小的电磁继电器中使用。
背景技术
各种电磁继电器应用于汽车、办公设备等作为功能组件。
电磁继电器100如示意的纵断剖面图6A和图6B所示，例如，由包括铁心111和线圈112的电磁铁101，大致L形截面的衔铁杆102、设在衔铁杆102上部的活动接触簧片141和固定接触簧片142，以及电接点151和152构成，所述电接点151和152相对地分别固定在活动接触簧片141和固定接触簧片142的一端。
电磁铁101至少部分被磁轭(yoke)103覆盖，绝缘体106设在磁轭103上表面。活动接触簧片141和固定接触簧片142另一端由绝缘体106保护。回复弹簧143设于固定接触簧片142上部，且回复弹簧143一端被绝缘体106保护。接触驱动片107设于衔铁杆102和回复弹簧143之间，与活动接触簧片141接触。
当电流在电磁铁101的线圈112中流过时，如图6B所示，衔铁杆102一端102a被铁心111吸引。这样，衔铁杆102围绕衔铁铰链102c摆动，而衔铁杆102另一端102b引起活动接触簧片141的一端141a通过接触驱动片107向上移动。结果，固定在活动接触簧片141末端的电接点151和固定在固定接触簧片142末端的电接点152相互接触，而使电流从中通过，获得了继电器的运行态。
如图6A中所示，当电磁铁101的线圈112中的电流流动停止时，电接点151和152互相断开，而使继电器处于停止状态。
当电磁继电器100具有上述结构时，如用于汽车时，其在电源电压14VDC，额定电流20-30A状态下使用。在这种情况下，电接点通常为铆钉形，直径为3-5mm。
最近，当汽车和办公设备朝着尺寸更小重量更轻发展时，迅速需要它们能具有通用功能和高性能。因此，作为汽车、办公设备等功能组件的电磁继电器也变得更小巧。这样，用在电磁继电器中的电接点也变得更小，并要求当其为铆钉形时具有1.5-2.5mm的帽头直径。
即使尺寸上变得更小，这种电磁继电器也必须要在与常规电磁继电器相同的条件下操作，也就是说，在汽车应用中，在电源电压14VDC，额定电流20-30A状态下使用。这样，由于接点变小使得电接点每单位面积内的电流密度就变得更高。
对用于具有上述结构的电磁继电器中的电接点已经建议并商品化了各种材料。在它们当中，具有能使银基体中沉积锡基氧化物超细晶粒和铟基氧化物超细晶粒(稍后描述)的金相结构的内部氧化的氧化银材料吸引了更多的注意。
如US4,680,162中所述，内部氧化的氧化银材料通过对基本上由如下成分组成的银合金，以重量计(重量百分数)：4.5-10％Sn，0.1-5％In和0.01-5％Bi和由银及不可避免杂质组成的平衡组分，在氧化氛中温度为650-750℃条件下保持15-30小时进行内部氧化处理制成。
如日本专利申请，第二次公开号为S55-4825中所述，内部氧化的氧化银材料还可以通过对基本上由如下成分组成的银合金，以重量计(重量百分数)：5-10％Sn，1-6％In和0.01-0.5％Ni和由银及不可避免杂质组成的平衡组分，在氧化氛中温度为650-750℃条件下保持15-30小时进行内部氧化处理制成。
如日本专利申请，第一次公开号为S51-55989中所述，内部氧化的氧化银材料还可以通过对基本上由如下成分组成的银合金，以重量计(重量百分数)：3-12％Sn，2-15％In和0.1-8％Cu和由银及不可避免杂质组成的平衡组分，在氧化氛中温度为650-750℃条件下保持15-30小时进行内部氧化处理制成。
如日本专利申请，第一次公开号为H04-314837中所述，内部氧化的氧化银材料还可以通过对基本上由如下成分组成的银合金，以重量计(重量百分数)：4-11％Sn，1-5％In和0.05-4％Te，以及如果需要0.03-0.5％Ni和由银和不可避免杂质组成的平衡组分，在氧化氛中温度为650-750℃条件下保持15-30小时进行内部氧化处理制成。
但是，在用于电磁继电器时，由上述内部氧化的氧化银材料制成的电接点具有相对低的导电性。因此，当电接点由小尺寸的内部氧化的氧化银材料制成时，接点间会产生更多的热量并导致接点的软化。结果，接点的抗熔接性和耐磨性明显降低，最终在相对短的时间内到达其使用寿命终点。
发明内容
在这种情况下，本发明人经深入研究改进了上述常规电接点的导电率，并获得了下述结果。
本发明的第一方面是在下述研究结果基础之上完成的。
指明了内部氧化的氧化银材料的银合金具有的合金组分：Sn含量为5.1-9％，In含量为1.5-5％，和Bi含量为0.005-0.06％，其也构成了上述US4,680,162中所公开的常规电接点，在这之后，在进行内部氧化处理之前的状态下，所得材料在上述常规条件下进行内部氧化处理。当所述材料然后在空气气氛中900-960℃温度下，进行10-20小时的热处理时，由内部氧化处理沉积了的锡基氧化物超细晶粒和铟基氧化物超细晶粒通过作为合金组分的Bi的作用而扩散、聚集并生长为复合氧化物粗晶粒，从而获得具有能使复合氧化物粗晶粒分散在银基体内的金相结构的内部氧化的氧化银材料。由此获得的内部氧化的氧化银材料中，经内部氧化处理而沉积的锡基氧化物超细晶粒和铟基氧化物超细晶粒不存在于银基体中，从而，电接点的导电性显著改善，且可以显著地降低由于尺寸减小带来的高电流密度导致地产生热量的增加。结果，消除了接点间的熔化和由内部氧化的氧化银材料制成的电接点磨损，因而，在长时间内会显示优良的接点特性。
根据本发明第一方面所述的电接点是基于上述研究结果获得的。
根据本发明第一方面所述的电接点是由用于小型电磁继电器的具有高导电性的内部氧化的氧化银材料制成，所述电接点通过如下方法制备：通过对基本上由如下成分组成的银合金：以重量计5.1-9％Sn，1.5-5％In和0.005-0.06％Bi以及由Ag和不可避免杂质组成的平衡组分，进行内部氧化处理，然后进行热处理以使沉积氧化物扩散、聚集并生长，其中所述内部氧化的氧化银材料具有能使复合氧化物粗晶粒分散并分布于银基体内的金相结构，所述形成的复合氧化物粗晶粒为锡基氧化物超细晶粒和铟基氧化物超细晶粒粗化的结果，其经内部氧化处理沉积，并经热处理使沉积氧化物扩散、聚集并生长。
由于根据本发明第一方面所述的电接点具有高导电性，由尺寸减小带来的高电流密度导致的发热能够显著地降低。结果，消除了经对其加热而使电接点的软化，且保持了接点的抗熔耐久性。这样，电接点特性，如抗熔接性和耐磨性就可在很长时间内保持在高水平。
下面将会描述上述用在银合金中的指定组成用于制造本发明第一方面所述的电接点的理由。
(a)Sn
Sn在内部氧化处理中产生热稳定的Sn基氧化物，因此Sn组分具有在内部氧化处理中形成热稳定的Sn基氧化物并改善接点抗熔接性和耐磨性的作用。
当Sn含量小于5.1％时，不足量的Sn基氧化物沉积，这样就可能不会获得上述改善效应。当Sn含量大于9％时，由于硬度的显著增加可能会破坏导线可塑性和帽头可加工性。因此，Sn含量设定为5.1-9％。
(b)In
In具有在内部氧化处理中加速Sn基氧化物沉积的作用，并形成热稳定的In基氧化物。这样，在存在Sn基氧化物时，In具有改善抗熔接性的作用。
当In含量小于1.5％时，不能沉积足量的Sn基氧化物，且作为银基体内合金组分的Sn组分可能会形成固溶体，而导致在维持高导电性方面造成困难。当In含量大于5％时，由于硬度的增加可能会破坏导线可塑性和帽头可加工性。因此，In含量设定为1.5-5％。
(c)Bi
Bi具有明显地加速内部氧化处理中沉积的Sn基氧化物超细晶粒和In基氧化物超细晶粒的扩散、聚集和生长的效应，其导致在用于沉积氧化物的扩散、聚集和生长的热处理过程中复合氧化物粗晶粒的形成。
当Bi含量小于0.005％时，Sn基氧化物和In基氧化物的超细晶粒的扩散、聚集和生长不能充分进行，从而导致Sn基氧化物和In基氧化物超细晶粒保留在银基体中，造成在导电性方面不能得到充分的改善。当Bi含量大于0.06％时，复合氧化物粗晶粒生长得太大，导致Ag基体占据的面积比例过大而使抗熔接性减小。因此，Bi含量设定为0.005-0.06％。
本发明的第二方面是在下述研究结果基础之上完成的。
在指明与构成上述日本专利申请，第二次公开号为S55-4825中所公开的常规电接点的内部氧化的氧化银材料银合金具有共有合金组分：Sn含量为5.1-9％，In含量为1.5-5％，和Ni含量为0.03-0.5％后，在进行内部氧化处理前的状态下，进一步加入0.005-0.06％Bi作为合金组分，所得的含铋银合金在上述常规条件下进行内部氧化处理。当所述材料然后在空气气氛中900-960℃温度下，进行10-20小时热处理时，由内部氧化处理沉积了的锡基氧化物超细晶粒和铟基氧化物超细晶粒通过作为合金组分的Bi作用而扩散、聚集并生长为复合氧化物粗晶粒，从而获得具有能使复合氧化物粗晶粒分散在银基体内的金相结构的内部氧化的氧化银材料。由此获得的内部氧化的氧化银材料中，经内部氧化处理而沉积的锡基氧化物和铟基氧化物超细晶粒不存在于银基体中，从而，电接点的导电性显著改善，且由于尺寸减小带来的高电流密度导致的产生热量的增加可以显著地降低。结果，消除了接点间的熔化和由内部氧化的氧化银材料制成的电接点磨损，因而，在长时间内会显示优良的接点特性。
根据本发明第二方面所述的电接点是基于上述研究结果获得的。
根据本发明第二方面所述的电接点是由用于小型电磁继电器的具有高导电性的内部氧化的氧化银材料制成，所述电接点通过如下方法制备：通过对基本上由如下成分组成的银合金：以重量计5.1-9％Sn，1.5-5％In，0.03-0.5％Ni和0.005-0.06％Bi以及由Ag和不可避免杂质组成的平衡组分，进行内部氧化处理，然后进行热处理以使沉积氧化物扩散、聚集并生长，其中所述内部氧化的氧化银材料具有能使复合氧化物粗晶粒分散并分布于银基体内的金相结构，所述形成的复合氧化物粗晶粒为Sn基氧化物超细晶粒和In基氧化物超细晶粒粗化的结果，其经内部氧化处理沉积，并经热处理以使沉积氧化物扩散、聚集并生长。
由于根据本发明第二方面所述的电接点具有高导电性，由尺寸减小带来的高电流密度导致的热量产生能够显著地降低。结果，消除了经对其加热而使电接点的软化，且保持了接点的抗熔耐久性性。这样，电接点特性，如抗熔接性和耐磨性就可在很长时间内保持在高水平。
下面将会描述上述用在银合金中的指定组成用于制造本发明第二方面所述的电接点的理由。
(a)Sn
Sn在内部氧化处理中产生热稳定的Sn基氧化物，因此Sn组分具有在内部氧化处理中形成热稳定的Sn基氧化物和改善接点抗熔接性和耐磨性的作用。
当Sn含量小于5.1％时，不足量的Sn基氧化物沉积，这样就可能不会获得上述改善效应。当Sn含量大于9％时，由于硬度的显著增加可能会破坏导线可塑性和帽头可加工性。因此，Sn含量设定为5.1-9％。
(b)In
In具有在内部氧化处理中加速Sn基氧化物沉积的作用，并形成热稳定的In基氧化物。这样，在存在Sn基氧化物时，In具有改善抗熔接性的作用。
当In含量小于1.5％时，不能沉积足量的Sn基氧化物，且作为银基体内合金组分的Sn组分可能形成固溶体，而导致在维持高导电性方面造成困难。当In含量大于5％时，由于硬度的增加可能会破坏导线可塑性和帽头可加工性。因此，In含量设定为1.5-5％。
(c)Ni
Ni具有精炼银基体的银晶粒以改善强度的作用，并使得进一步减少电接点厚度成为可能。
当Ni含量小于0.03％时，不能获得改善强度的期望效果。当Ni含量大于0.5％时，趋向于破坏导线可塑性和帽头可加工性。因此，Ni含量设定为0.03-0.5％。
(d)Bi
Bi具有明显地加速内部氧化处理中沉积的Sn基氧化物和In基氧化物超细晶粒的扩散、聚集和生长的效应，其导致在用于沉积氧化物的扩散、聚集和生长的热处理过程中复合氧化物粗晶粒的形成。
当Bi含量小于0.005％时，Sn基氧化物和In基氧化物的超细晶粒的扩散、聚集和生长不能充分进行，从而导致Sn基氧化物和In基氧化物超细晶粒保留在银基体中，造成在导电性方面不能得到充分的改善。当Bi含量大于0.06％时，复合氧化物粗晶粒生长得太大，导致Ag基体占据的面积比例过大而使抗熔接性减小。因此，Bi含量设定为0.005-0.06％。
本发明的第三方面是在下述研究结果基础之上完成的。
在指明与构成上述日本专利申请，第一次公开号为S51-55989中所公开的常规电接点的内部氧化的氧化银材料银合金具有共有合金组分：Sn含量为5.1-9％，In含量为1.5-5％，和Cu含量为0.05-0.5％后，在进行内部氧化处理前的状态下，任选地加入0.03-0.5％Ni，并进一步加入0.005-0.06％Bi作为合金组分，所得的含铋银合金在上述常规条件下进行内部氧化处理。当所述材料然后在空气气氛中900-960℃温度下，进行10-20小时热处理时，由内部氧化处理沉积了的锡基氧化物和铟基氧化物超细晶粒通过作为合金组分的Bi作用而扩散、聚集并生长为复合氧化物粗晶粒，从而获得具有能使复合氧化物粗晶粒分散在银基体内的金相结构的内部氧化的氧化银材料。由此获得的内部氧化的氧化银材料中，经内部氧化处理而沉积的锡基氧化物和铟基氧化物超细晶粒不存在于银基体中，从而，电接点的导电性显著改善，且可以显著地降低由于尺寸减小带来的高电流密度导致的产生热量的增加。结果，消除了接点间的熔化和由内部氧化的氧化银材料制成的电接点磨损，因而，在长时间内会显示优良的接点特性。在进一步加入了Ni的情况下，由于Ni的作用使得强度提高，其对电接点的尺寸减小有贡献。
根据本发明第三方面所述的电接点是基于上述研究结果获得的。
根据本发明第三方面中的一个方式所述的电接点是由用于小型电磁继电器的具有高导电性的内部氧化的氧化银材料制成，所述电接点通过如下方法制备：通过对基本上由如下成分组成的银合金：以重量计5.1-9％Sn，1.5-5％In，0.05-0.5％Cu和0.005-0.06％Bi以及由Ag和不可避免杂质组成的平衡组分，进行内部氧化处理，然后进行热处理以使沉积氧化物扩散、聚集并生长，其中所述内部氧化的氧化银材料具有能使复合氧化物粗晶粒分散并分布于银基体内的金相结构，所述形成的复合氧化物粗晶粒为Sn基氧化物超细晶粒和In基氧化物超细晶粒粗化的结果，其经内部氧化处理沉积，并经热处理以使沉积氧化物扩散、聚集并生长。
由于根据本发明第三方面中的一个方式所述的电接点具有高导电性，由尺寸减小带来的高电流密度导致的热量产生能够显著地降低。结果，消除了经对其加热使电接点的软化，且保持了接点的抗熔耐久性。这样，电接点特性，如抗熔接性和耐磨性就可在很长时间内维持在高水平。
根据本发明第三方面中的另一方式所述的电接点是由用于小型电磁继电器的具有高导电性的内部氧化的氧化银材料制成，所述电接点通过如下方法制备：通过对基本上由如下成分组成的银合金：以重量计5.1-9％Sn，1.5-5％In，0.05-0.5％Cu，0.005-0.06％Bi和0.03-0.5％Ni以及由Ag和不可避免杂质组成的平衡组分，进行内部氧化处理，然后进行热处理以使沉积氧化物扩散、聚集并生长，其中所述内部氧化的氧化银材料具有能使复合氧化物粗晶粒分散并分布于银基体内的金相结构，所述形成的复合氧化物粗晶粒为Sn基氧化物超细晶粒和In基氧化物超细晶粒粗化的结果，其经内部氧化处理沉积，并经热处理以使沉积氧化物扩散、聚集并生长。
由于根据本发明第三方面中的另一方式所述的电接点具有高导电性，由尺寸减小带来的高电流密度导致的热量产生能够显著地降低。结果，消除了经对其加热使电接点的软化，且保持了接点的抗熔耐久性。这样，电接点特性，如抗熔接性和耐磨性就可在很长时间内维持在高水平。
通过添加Ni，银基体的银晶粒被精炼且强度提高，从而使得进一步减少电接点的厚度成为可能。
下面将会描述上述用在银合金中的指定组成用于制造本发明第三方面所述的电接点的理由。
(a)Sn
Sn在内部氧化处理中产生热稳定的Sn基氧化物，因此Sn组分具有在内部氧化处理中形成热稳定的Sn基氧化物和改善接点抗熔接性和耐磨性的作用。
当Sn含量小于5.1％时，不足量的Sn基氧化物沉积，这样就可能不会获得上述改善效应。当Sn含量大于9％时，由于硬度的显著增加可能会破坏导线可塑性和帽头可加工性。因此，Sn含量设定为5.1-9％。
(b)In
In具有在内部氧化处理中加速Sn基氧化物沉积的作用，并形成热稳定的In基氧化物。这样，在存在Sn基氧化物时，In具有改善抗熔接性的作用。
当In含量小于1.5％时，不能沉积足量的Sn基氧化物，且作为银基体内合金组分的Sn组分可能形成固溶体，而导致在维持高导电性方面造成困难。当In含量大于5％时，由于硬度的增加可能会破坏导线可塑性和帽头可加工性。因此，In含量设定为1.5-5％。
(c)Cu
Cu具有在内部氧化处理中加速Sn基氧化物和In基氧化物沉积的作用。
当Cu含量小于0.05％时，可能不会获得上述改善效应。当Cu含量大于0.5％时，趋向于破坏抗熔接性和耐磨性。因此，Cu含量设定为0.05-0.5％。
(d)Bi
Bi具有明显地加速内部氧化处理中沉积的Sn基氧化物和In基氧化物超细晶粒的扩散、聚集和生长的效应，其导致在扩散、聚集和生长沉积氧化物的热处理过程中复合氧化物粗晶粒的形成。
当Bi含量小于0.005％时，Sn基氧化物和In基氧化物的超细晶粒的扩散、聚集和生长不能充分进行，而导致Sn基氧化物和In基氧化物超细晶粒保留在银基体中，造成在导电性方面不能得到充分的改善。当Bi含量大于0.06％时，复合氧化物粗晶粒生长得太大，导致银基体占据的面积比例过大而使抗熔接性减小。因此，Bi含量设定为0.005-0.06％。
(e)Ni
Ni具有精炼银基体的银晶粒以改善强度的作用，并使得进一步减少电接点厚度成为可能。因此，可任选地加入Ni。
当Ni含量小于0.03％时，不能获得改善强度的期望效果。当Ni含量大于0.5％时，趋向于破坏导线可塑性和帽头可加工性。因此，Ni含量设定为0.03-0.5％。
本发明的第四个方面是在下述研究结果基础之上完成的。
在指明与构成上述日本专利申请，第一次公开号为H04-314837中所公开的常规电接点的内部氧化的氧化银材料的含Te银合金具有共有合金组分：Sn含量为5.1-9％，In含量为1.5-5％，和Te含量为0.05-0.8％后，在进行内部氧化处理前的状态下，并任选指明Ni含量为0.03-0.5％，所得的银合金在上述常规条件下进行内部氧化处理。当所述材料然后在空气气氛中900-960℃温度下，进行热处理10-20小时时，由内部氧化处理沉积了的锡基氧化物和铟基氧化物超细晶粒通过作为合金组分的Te作用而扩散、聚集并生长为复合氧化物粗晶粒，从而获得具有能使复合氧化物粗晶粒分散在银基体内的金相结构的内部氧化的氧化银材料。由此获得的内部氧化的氧化银材料中，经内部氧化处理而沉积的锡基氧化物和铟基氧化物超细晶粒不存在于银基体中，从而，电接点的导电性显著改善，且可以显著地降低由于尺寸减小带来的高电流密度导致的产生热量的增加。结果，消除了接点间的熔化和由内部氧化的氧化银材料制成的电接点磨损，因而，在长时间内会显示优良的接点特性。在进一步加入了Ni的情况下，由于Ni的作用使得强度提高，其对电接点的尺寸减小有贡献。
根据本发明第四方面所述的电接点是基于上述研究结果获得的。
根据本发明第四方面中的一个方式所述的电接点是由用于小型电磁继电器的具有高导电性的内部氧化的氧化银材料制成，所述电接点通过如下方法制备：通过对基本上由如下成分组成的银合金：以重量计5.1-9％Sn，1.5-5％In，0.05-0.8％Te以及由Ag和不可避免杂质组成的平衡组分，进行内部氧化处理，然后进行热处理以使沉积氧化物扩散、聚集并生长，其中所述内部氧化的氧化银材料具有能使复合氧化物粗晶粒分散并分布于银基体内的金相结构，所述形成的复合氧化物粗晶粒为Sn基氧化物超细晶粒和In基氧化物超细晶粒粗化的结果，其经内部氧化处理沉积，并经热处理以使沉积氧化物扩散、聚集并生长。
由于根据本发明第四方面中的一个方式所述的电接点具有高导电性，能够显著地降低由尺寸减小带来的高电流密度导致的热量产生。结果，消除了经对其加热使电接点的软化，且保持了接点的抗熔耐久性。这样，电接点特性，如抗熔接性和耐磨性就可在很长时间内维持在高水平。
根据本发明第四方面中另一方式所述的电接点是由用于小型电磁继电器的具有高导电性的内部氧化的氧化银材料制成，所述电接点通过如下方法制备：通过对基本上由如下成分组成的银合金：以重量计5.1-9％Sn，1.5-5％In，0.05-0.8％Te和0.03-0.5％Ni以及由Ag和不可避免杂质组成的平衡组分，进行内部氧化处理，然后进行热处理以使沉积氧化物扩散、聚集并生长，其中所述内部氧化的氧化银材料具有能使复合氧化物粗晶粒分散并分布于银基体内的金相结构，所述形成的复合氧化物粗晶粒为Sn基氧化物超细晶粒和In基氧化物超细晶粒粗化的结果，其经内部氧化处理沉积，并经热处理以使沉积氧化物扩散、聚集并生长。
由于根据本发明第四方面中另一方式所述的电接点具有高导电性，由尺寸减小带来的高电流密度导致的热量产生能够显著地降低。结果，消除了经对其加热使电接点的软化，且保持了接点的抗熔耐久性。这样，电接点特性，如抗熔接性和耐磨性就可在很长时间内维持在高水平。
通过添加Ni，银基体的银晶粒被精炼且强度提高，从而使得进一步减少电接点的厚度成为可能。
下面将会描述上述用在银合金中的指定组成用于制造本发明第四方面所述的电接点的理由。
(a)Sn
Sn在内部氧化处理中产生热稳定的Sn基氧化物，因此Sn组分具有在内部氧化处理中形成热稳定的Sn基氧化物和改善接点抗熔接性和耐磨性的作用。
当Sn含量小于5.1％时，不足量的Sn基氧化物沉积，这样就可能不会获得上述改善效应。当Sn含量大于9％时，由于硬度的显著增加可能会破坏导线可塑性和帽头可加工性。因此，Sn含量设定为5.1-9％。
(b)In
In具有在内部氧化处理中加速Sn基氧化物沉积的作用，并形成热稳定的In基氧化物。这样，在存在Sn基氧化物时，In具有改善抗熔接性的作用。
当In含量小于1.5％时，不能沉积足量的Sn基氧化物，且作为银基体合金组分的Sn组分可能形成固溶体，从而导致在保持高导电性方面造成困难。当In含量大于5％时，由于硬度的增加可能会破坏导线可塑性和帽头可加工性。因此，In含量设定为1.5-5％。
(c)Te
Te具有在由开关操作引起的电弧产生时形成易升华氧化物从而改善抗熔接性和耐磨性的作用。Te还具有显著加速内部氧化处理中沉积的Sn基氧化物和In基氧化物超细晶粒的扩散、聚集和生长的效应，其导致在使沉积氧化物扩散、聚集和生长的热处理过程中复合氧化物粗晶粒的形成。
当Te含量小于0.05％时，Sn基氧化物和In基氧化物的超细晶粒的扩散、聚集和生长不能充分进行，导致Sn基氧化物和In基氧化物超细晶粒保留在银基体中，造成在导电性方面不能得到充分的改善。当Te含量大于0.8％时，复合氧化物粗晶粒生长得太大，导致银基体占据的面积比例过大而使抗熔接性减小以及加工性能变劣。因此，Te含量设定为0.05-0.8％。
(d)Ni
Ni具有精炼银基体的银晶粒以改善强度的作用，并使得进一步减少电接点厚度成为可能。因此，可任选地加入Ni。
当Ni含量小于0.03％时，不能获得改善强度的期望效果。当Ni含量大于0.5％时，趋向于破坏导线可塑性和帽头可加工性。因此，Ni含量设定为0.03-0.5％。
本发明的第五个方面是在下述研究结果基础之上完成的。
在指明与构成上述日本专利申请，第一次公开号为S51-55989中所公开的常规电接点的内部氧化的氧化银材料的银合金具有共有合金组分：Sn含量为5.1-9％，In含量为1.5-5％，和Cu含量为0.05-0.5％后，在进行内部氧化处理前的状态下，任选加入0.03-0.5％Ni，和进一步加入0.05-0.8％Te作为合金组分，所得的含Te银合金在上述常规条件下进行内部氧化处理。当所述材料然后在空气气氛中900-960℃温度下，进行10-20小时热处理时，由内部氧化处理沉积了的锡基氧化物和铟基氧化物超细晶粒通过包含的作为合金组分的Te的作用而扩散、聚集并生长为复合氧化物粗晶粒，从而获得具有能使复合氧化物粗晶粒分散在银基体内的金相结构的内部氧化的氧化银材料。由此获得的内部氧化的氧化银材料中，经内部氧化处理而沉积的锡基氧化物和铟基氧化物超细晶粒不存在于银基体中，从而，电接点的导电性显著改善，且可以显著地降低由于尺寸减小带来的高电流密度导致的产生热量的增加。结果，消除了接点间的熔化和由内部氧化的氧化银材料制成的电接点磨损，因而，在长时间内会显示优良的接点特性。在进一步加入了Ni的情况下，由于Ni的作用使得强度提高，其对电接点的尺寸减小有贡献。
根据本发明第五方面所述的电接点是基于上述研究结果获得的。
根据本发明第五方面中的一个方式所述的电接点是由用于小型电磁继电器的具有高导电性的内部氧化的氧化银材料制成，所述电接点通过如下方法制备：通过对基本上由如下成分组成的银合金：以重量计5.1-9％Sn，1.5-5％In，0.05-0.5％Cu和0.05-0.8％Te以及由Ag和不可避免杂质组成的平衡组分，进行内部氧化处理，然后进行热处理以使沉积氧化物扩散、聚集并生长，其中所述内部氧化的氧化银材料具有能使复合氧化物粗晶粒分散并分布于银基体内的金相结构，所述形成的复合氧化物粗晶粒为Sn基氧化物超细晶粒和In基氧化物超细晶粒粗化的结果，其经内部氧化处理沉积，并经热处理以使沉积氧化物扩散、聚集并生长。
由于根据本发明第五方面中的一个方式所述的电接点具有高导电性，由尺寸减小带来的高电流密度导致的热量产生能够显著地降低。结果，消除了经对其加热而使电接点的软化，且保持了接点的抗熔耐久性。这样，电接点特性，如抗熔接性和耐磨性就可在很长时间内维持在高水平。
根据本发明第五方面中另一方式所述的电接点是由用于小型电磁继电器的具有高导电性的内部氧化的氧化银材料制成，所述电接点通过如下方法制备：通过对基本上由如下成分组成的银合金：以重量计5.1-9％Sn，1.5-5％In，0.05-0.5％Cu，0.05-0.8％Te和0.03-0.5％Ni以及由Ag和不可避免杂质组成的平衡组分，进行内部氧化处理，然后进行热处理以使沉积氧化物扩散、聚集并生长，其中所述内部氧化的氧化银材料具有能使复合氧化物粗晶粒分散并分布于银基体内的金相结构，所述形成的复合氧化物粗晶粒为Sn基氧化物超细晶粒和In基氧化物超细晶粒粗化的结果，其经内部氧化处理沉积，并经热处理以使沉积氧化物扩散、聚集并生长。
由于根据本发明第五方面中另一方式所述的电接点具有高导电性，由尺寸减小带来的高电流密度导致的热量产生能够显著地降低。结果，消除了经对其加热而使电接点的软化，且保持了接点的抗熔耐久性。这样，电接点特性，如抗熔接性和耐磨性就可在很长时间内维持在高水平。
通过添加Ni，银基体的银晶粒被精炼且强度提高，从而使得进一步减少电接点的厚度成为可能。
下面将会描述上述用在银合金中的指定组成用于制造本发明第五方面所述的电接点的理由。
(a)Sn
Sn在内部氧化处理中产生热稳定的Sn基氧化物，因此Sn组分具有在内部氧化处理中形成热稳定的Sn基氧化物和改善接点抗熔接性和耐磨性的作用。
当Sn含量小于5.1％时，不足量的Sn基氧化物沉积，这样就可能不会获得上述改善效应。当Sn含量大于9％时，由于硬度的显著增加可能会破坏导线可塑性和帽头可加工性。因此，Sn含量设定为5.1-9％。
(b)In
In具有在内部氧化处理中加速Sn基氧化物沉积的作用，并形成热稳定的In基氧化物。这样，在存在Sn基氧化物时，In具有改善抗熔接性的作用。
当In含量小于1.5％时，不能沉积足量的Sn基氧化物，且作为银基体合金组分的Sn组分可能形成固溶体，而导致在保持高导电性方面造成困难。当In含量大于5％时，由于硬度的增加可能会破坏导线可塑性和帽头可加工性。因此，In含量设定为1.5-5％。
(c)Cu
Cu具有在内部氧化处理中加速Sn基氧化物和In基氧化物沉积的作用。
当Cu含量小于0.05％时，可能不会获得上述改善效应。当Cu含量大于0.5％时，趋向于破坏抗熔接性和耐磨性。因此，Cu含量设定为0.05-0.5％。
(d)Te
Te具有在由开关操作引起的电弧产生时形成易升华氧化物从而改善抗熔接性和耐磨性的作用。Te还具有显著加速内部氧化处理中沉积的Sn基氧化物和In基氧化物超细晶粒的扩散、聚集和生长的效应，其导致在沉积氧化物扩散、聚集和生长的热处理过程中复合氧化物粗晶粒的形成。
当Te含量小于0.05％时，Sn基氧化物和In基氧化物的超细晶粒的扩散、聚集和生长不能充分进行，导致Sn基氧化物和In基氧化物超细晶粒保留在银基体中，造成在导电性方面不能得到充分的改善。当Te含量大于0.8％时，复合氧化物粗晶粒生长得太大，导致银基体占据的面积比例过大而使抗熔接性减小以及加工性能趋劣。因此，Te含量设定为0.05-0.8％。
(e)Ni
Ni具有精炼银基体的银晶粒以改善强度的作用，并使得进一步减少电接点厚度成为可能。因此，可任选地加入Ni。
当Ni含量小于0.03％时，不能获得改善强度的期望效果。当Ni含量大于0.5％时，趋向于破坏导线可塑性和帽头可加工性。因此，Ni含量设定为0.03-0.5％。
附图说明
图1是根据本发明第一方面的实施方案1-3的电接点金相结构示意图(放大倍数20,000)。
图2是根据本发明第二方面的实施方案2-3的电接点金相结构示意图(放大倍数20,000)。
图3是根据本发明第三方面的实施方案3-3的电接点金相结构示意图(放大倍数20,000)。
图4是根据本发明第四方面的实施方案4-3的电接点金相结构示意图(放大倍数20,000)。
图5是根据本发明第五方面的实施方案5-3的电接点金相结构示意图(放大倍数20,000)。
图6A是停止状态电磁继电器例子的纵向剖面示意图。
图6B是运行状态电磁继电器例子的纵向剖面示意图。
图7是比较实施方案1-a3的常规电接点的金相结构示意图(放大倍数20,000)。
图8是比较实施方案2-3的常规电接点的金相结构示意图(放大倍数20,000)。
图9是比较实施方案3-3的常规电接点的金相结构示意图(放大倍数20,000)。
图10是比较实施方案4-a3的常规电接点的金相结构示意图(放大倍数20,000)。
图11是比较实施方案5-3的常规电接点的金相结构示意图(放大倍数20,000)。
具体实施方式
本发明的优选实施方案将参考相应附图进行更详细的描述。本发明并不限制到下列各实施方案，且这些实施方案的组成特点可以适当组合。
(第一方面)
具有如表1-1所示组分的每种银合金经高频感应熔炉熔化，然后铸成柱形锭。将金属锭在700℃温度下热压成宽30mm×厚10mm的板，将该板在700℃温度下热轧成宽30mm×厚3mm的板，然后将该板经中间退火而冷轧成宽30mm×厚0.6mm的薄板。将获得的薄板沿纵向以间隔2mm宽度切割成为长30mm×宽2mm×厚0.6mm的金属片。
上述金属片在氧化氛中700℃下保持24小时的条件下进行内部氧化处理，获得内部氧化的银合金(以后称为内部氧化材料)1-A1到1-A13和比较实施方案的内部氧化材料1-B1到1-B9。
(表1-1)