一种新型特效硅片清洗液制备方法.pdf

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摘要
申请专利号:

CN201410846601.4

申请日:

2014.12.31

公开号:

CN104498208A

公开日:

2015.04.08

当前法律状态:

实审

有效性:

审中

法律详情:

实质审查的生效IPC(主分类):C11D 1/831申请日:20141231|||公开

IPC分类号:

C11D1/831; C11D3/60

主分类号:

C11D1/831

申请人:

镇江市港南电子有限公司

发明人:

聂金根

地址:

212132江苏省镇江市新区大港机电工业园东方路

优先权:

专利代理机构:

上海海颂知识产权代理事务所(普通合伙)31258

代理人:

季萍

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内容摘要

本发明提供的一种新型特效硅片清洗液制备方法制备的清洗剂,配方简单易于操作,在清洗后,会在硅片表面生成一层保护膜,可提高硅片的抗污能力,同时去污力强,硅片的清洗速度快,提高了硅片清洗的清洁率,并且对环境无污染。

权利要求书

权利要求书
1.  一种新型特效硅片清洗液制备方法制备方法,其特征在于,所述制备方法如下:

1.  按重量分数称取原材料如下:
氟化铵7-10份、三羟乙基胺7-12份、阴离子活性剂5-8份、非离子表面活性剂3-5份、盐酸3-4份、葡萄糖酸钠10—15份和助洗剂15—17份;

2.  将三羟乙基胺加入到重量分数为80%的温度为33℃的水中,得到基础液;

3.  用搅拌机搅拌基础液,同时依次缓慢加入氟化铵、阴离子活性剂和非离子表面活性剂,随后再搅拌20分钟,并过滤,得混合液A;

4.  继续搅拌混合液A,同时依次缓慢加入盐酸、葡萄糖酸钠和助洗剂,随后再搅拌25分钟,并过滤,得混合液B;

5.  将混合液B放入蒸发器中,回转蒸馏20分钟,提取上清液B;

6.  将上清液B放入过滤离心机中在1750r/s下进行离心,时间为15分钟,最终得到清洗液。

2.  如权利要求1所述的一种新型特效硅片清洗液制备方法,其特征在于,所述阴离子活性剂为十二烷基磺酸钠和十二烷基硫酸钠按1-1.2:1.4-1.5比例混合而成。

3.  如权利要求1所述的一种新型特效硅片清洗液制备方法,其特征在于,所述非离子活性剂为烷基酚聚氧乙烯醚和脂肪醇聚氧乙烯醚按1-1.7:1.3-1.5比例混合而成。

4.  如权利要求1所述的一种新型特效硅片清洗液制备方法,其特征在于,所述助洗剂为氢氧化钠。

5.  如权利要求1所述的一种新型特效硅片清洗液制备方法,其特征在于,所述的盐酸为工业盐酸。

6.  如权利要求1所述的一种新型特效硅片清洗液制备方法,其特征在于,所述搅拌机为KD-20搅拌机。

说明书

说明书一种新型特效硅片清洗液制备方法
技术领域
本发明涉及一种清洗液,特别涉及一种新型特效硅片清洗液制备方法。
背景技术
清洗最为硅片的一个生产工序之一,清洗的好坏程度对硅片的使用性能有着很大的影响。清洗的主要目的是为了清洗掉切割过程中产生的沙粒,残留的切削磨料、金属离子及指纹等,使硅片表面达到无腐蚀、无氧化、无残留等技术指标。传统的硅片清洗,由于各个方法不一样,采用的清洗液也不一样。现有技术中的清洗液清洗效果较差,对于硅片表面的污渍难以做到更好的去除,降低了硅片的使用效果。
发明内容
      针对上述问题,本发明提出了一种新型特效硅片清洗液制备方法。
为解决以上技术问题,本发明提供的技术方案是:
一种新型特效硅片清洗液制备方法,其特征在于,所述制备方法如下:
1.按重量分数称取原材料如下:
氟化铵7-10份、三羟乙基胺7-12份、阴离子活性剂5-8份、非离子表面活性剂3-5份、盐酸3-4份、葡萄糖酸钠10—15份和助洗剂15—17份;
2.将三羟乙基胺加入到重量分数为80%的温度为33℃的水中,得到基础液;
3.用搅拌机搅拌基础液,同时依次缓慢加入氟化铵、阴离子活性剂和非离子表面活性剂,随后再搅拌20分钟,并过滤,得混合液A;
4.继续搅拌混合液A,同时依次缓慢加入盐酸、葡萄糖酸钠和助洗剂,随后再搅拌25分钟,并过滤,得混合液B;
5.将混合液B放入蒸发器中,回转蒸馏20分钟,提取上清液B;
6.将上清液B放入过滤离心机中在1750r/s下进行离心,时间为15分钟,最终得到清洗液。
上述的一种新型特效硅片清洗液制备方法,其中,所述阴离子活性剂为十二烷基磺酸钠和十二烷基硫酸钠按1-1.2:1.4-1.5比例混合而成。
上述的一种新型特效硅片清洗液制备方法,其中,所述非离子活性剂为烷基酚聚氧乙烯醚和脂肪醇聚氧乙烯醚按1-1.7:1.3-1.5比例混合而成。
上述的一种新型特效硅片清洗液制备方法,其中,所述助洗剂为氢氧化钠。
上述的一种新型特效硅片清洗液制备方法,其中,所述的盐酸为工业盐酸。
上述的一种新型特效硅片清洗液制备方法,其中,所述搅拌机为KD-20搅拌机。
本发明的有益效果为:
本发明提供的一种新型特效硅片清洗液制备方法制备的清洗剂,配方简单易于操作,在清洗后,会在硅片表面生成一层保护膜,可提高硅片的抗污能力,同时去污力强,硅片的清洗速度快,提高了硅片清洗的清洁率,并且对环境无污染。
具体实施方式
实施例一
一种新型特效硅片清洗液制备方法,其特征在于,所述制备方法如下:
1.按重量分数称取原材料如下:
氟化铵9份、三羟乙基胺   10份、阴离子活性剂6份、非离子表面活性剂4份、盐酸3份、葡萄糖酸钠12份和助洗剂15份;
2.将三羟乙基胺加入到重量分数为80%的温度为33℃的水中,得到基础液;
3.用搅拌机搅拌基础液,同时依次缓慢加入氟化铵、阴离子活性剂和非离子表面活性剂,随后再搅拌20分钟,并过滤,得混合液A;
4.继续搅拌混合液A,同时依次缓慢加入盐酸、葡萄糖酸钠和助洗剂,随后再搅拌25分钟,并过滤,得混合液B;
5.将混合液B放入蒸发器中,回转蒸馏20分钟,提取上清液B;
6.将上清液B放入过滤离心机中在1750r/s下进行离心,时间为15分钟,最终得到清洗液。
其中,所述阴离子活性剂为十二烷基磺酸钠和十二烷基硫酸钠按1.2:1.45比例混合而成,所述非离子活性剂为烷基酚聚氧乙烯醚和脂肪醇聚氧乙烯醚按1.5:1.4比例混合而成,所述助洗剂为氢氧化钠,所述的盐酸为工业盐酸。
实施例二
一种新型特效硅片清洗液制备方法,其特征在于,所述制备方法如下:
1.按重量分数称取原材料如下:
氟化铵7份、三羟乙基胺8份、阴离子活性剂6份、非离子表面活性剂3份、盐酸4份、葡萄糖酸钠15份和助洗剂16份;
2.将三羟乙基胺加入到重量分数为80%的温度为33℃的水中,得到基础液;
3.用搅拌机搅拌基础液,同时依次缓慢加入氟化铵、阴离子活性剂和非离子表面活性剂,随后再搅拌20分钟,并过滤,得混合液A;
4.继续搅拌混合液A,同时依次缓慢加入盐酸、葡萄糖酸钠和助洗剂,随后再搅拌25分钟,并过滤,得混合液B;
5.将混合液B放入蒸发器中,回转蒸馏20分钟,提取上清液B;
6.将上清液B放入过滤离心机中在1750r/s下进行离心,时间为15分钟,最终得到清洗液。
其中,所述阴离子活性剂为十二烷基磺酸钠和十二烷基硫酸钠按1.1:1.4比例混合而成,所述非离子活性剂为烷基酚聚氧乙烯醚和脂肪醇聚氧乙烯醚按1.7:1.3比例混合而成,所述助洗剂为氢氧化钠,所述的盐酸为工业盐酸。
实施例三
一种新型特效硅片清洗液制备方法,其特征在于,所述制备方法如下:
1.按重量分数称取原材料如下:
氟化铵9份、三羟乙基胺11份、阴离子活性剂7份、非离子表面活性剂5份、盐酸3份、葡萄糖酸钠11份和助洗剂17份;
2.将三羟乙基胺加入到重量分数为80%的温度为33℃的水中,得到基础液;
3.用搅拌机搅拌基础液,同时依次缓慢加入氟化铵、阴离子活性剂和非离子表面活性剂,随后再搅拌20分钟,并过滤,得混合液A;
4.继续搅拌混合液A,同时依次缓慢加入盐酸、葡萄糖酸钠和助洗剂,随后再搅拌25分钟,并过滤,得混合液B;
5.将混合液B放入蒸发器中,回转蒸馏20分钟,提取上清液B;
6.将上清液B放入过滤离心机中在1750r/s下进行离心,时间为15分钟,最终得到清洗液。
其中,所述阴离子活性剂为十二烷基磺酸钠和十二烷基硫酸钠按1.2:1.比例混合而成,所述非离子活性剂为烷基酚聚氧乙烯醚和脂肪醇聚氧乙烯醚按1.4-1.5比例混合而成,所述助洗剂为氢氧化钠, 所述的盐酸为工业盐酸。
一种新型特效硅片清洗液制备方法制备的清洗剂,配方简单易于操作,在清洗后,会在硅片表面生成一层保护膜,可提高硅片的抗污能力,同时去污力强,硅片的清洗速度快,提高了硅片清洗的清洁率,并且对环境无污染。
一种新型特效硅片清洗液制备方法,可以极大降低了切削液的表面张力,大大提高了切削液的流动性和渗透性,同时在保证了切削液对磨料的润湿性的同时,大幅度提高了磨料的分散性,避免磨料团聚结成块对硅片造成损坏,不仅有利于提高硅片切割的成品率,同时使硅片切割成品率达到 99%,而且可在硅片表面形成保护膜,使硅片更容易被清洗,总体上大大提高了切削液的润滑效果、耐磨特性及冷却特性。
以上所述,仅为本发明较佳的具体实施方式,但本发明的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内,可轻易想到的变化或替换,都应涵盖在本发明的保护范围内。因此,本发明的保护范围应该以权利要求书的保护范围为准。

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1、(10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 201410846601.4(22)申请日 2014.12.31C11D 1/831(2006.01)C11D 3/60(2006.01)(71)申请人 镇江市港南电子有限公司地址 212132 江苏省镇江市新区大港机电工业园东方路(72)发明人 聂金根(74)专利代理机构 上海海颂知识产权代理事务所 ( 普通合伙 ) 31258代理人 季萍(54) 发明名称一种新型特效硅片清洗液制备方法(57) 摘要本发明提供的一种新型特效硅片清洗液制备方法制备的清洗剂,配方简单易于操作在清洗后,会在硅片表面生成一层保护膜,可提高硅片的抗污能力,同时去。

2、污力强,硅片的清洗速度快,提高了硅片清洗的清洁率,并且对环境无污染。(51)Int.Cl.(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请权利要求书1页 说明书3页(10)申请公布号 CN 104498208 A(43)申请公布日 2015.04.08CN 104498208 A1/1 页21.一种新型特效硅片清洗液制备方法制备方法,其特征在于,所述制备方法如下 :1. 按重量分数称取原材料如下 :氟化铵 7-10 份、三羟乙基胺 7-12 份、阴离子活性剂 5-8 份、非离子表面活性剂 3-5 份、盐酸 3-4 份、葡萄糖酸钠 1015 份和助洗剂 1517 份 ;2. 将三羟乙基胺。

3、加入到重量分数为 80% 的温度为 33的水中,得到基础液 ;3. 用搅拌机搅拌基础液,同时依次缓慢加入氟化铵、阴离子活性剂和非离子表面活性剂,随后再搅拌 20 分钟,并过滤,得混合液 A ;4.继续搅拌混合液A,同时依次缓慢加入盐酸、葡萄糖酸钠和助洗剂,随后再搅拌25分钟,并过滤,得混合液 B ;5. 将混合液 B 放入蒸发器中,回转蒸馏 20 分钟,提取上清液 B ;6. 将上清液 B 放入过滤离心机中在 1750r/s 下进行离心,时间为 15 分钟,最终得到清洗液。2.如权利要求 1 所述的一种新型特效硅片清洗液制备方法,其特征在于,所述阴离子活性剂为十二烷基磺酸钠和十二烷基硫酸钠按 。

4、1-1.2:1.4-1.5 比例混合而成。3.如权利要求 1 所述的一种新型特效硅片清洗液制备方法,其特征在于,所述非离子活性剂为烷基酚聚氧乙烯醚和脂肪醇聚氧乙烯醚按 1-1.7:1.3-1.5 比例混合而成。4.如权利要求 1 所述的一种新型特效硅片清洗液制备方法,其特征在于,所述助洗剂为氢氧化钠。5.如权利要求 1 所述的一种新型特效硅片清洗液制备方法,其特征在于,所述的盐酸为工业盐酸。6.如权利要求 1 所述的一种新型特效硅片清洗液制备方法,其特征在于,所述搅拌机为 KD-20 搅拌机。权 利 要 求 书CN 104498208 A1/3 页3一种新型特效硅片清洗液制备方法技术领域000。

5、1 本发明涉及一种清洗液,特别涉及一种新型特效硅片清洗液制备方法。背景技术0002 清洗最为硅片的一个生产工序之一,清洗的好坏程度对硅片的使用性能有着很大的影响。清洗的主要目的是为了清洗掉切割过程中产生的沙粒,残留的切削磨料、金属离子及指纹等,使硅片表面达到无腐蚀、无氧化、无残留等技术指标。传统的硅片清洗,由于各个方法不一样,采用的清洗液也不一样。现有技术中的清洗液清洗效果较差,对于硅片表面的污渍难以做到更好的去除,降低了硅片的使用效果。发明内容0003 针对上述问题,本发明提出了一种新型特效硅片清洗液制备方法。0004 为解决以上技术问题,本发明提供的技术方案是 :一种新型特效硅片清洗液制备。

6、方法,其特征在于,所述制备方法如下 :1. 按重量分数称取原材料如下 :氟化铵 7-10 份、三羟乙基胺 7-12 份、阴离子活性剂 5-8 份、非离子表面活性剂 3-5 份、盐酸 3-4 份、葡萄糖酸钠 1015 份和助洗剂 1517 份 ;2. 将三羟乙基胺加入到重量分数为 80% 的温度为 33的水中,得到基础液 ;3. 用搅拌机搅拌基础液,同时依次缓慢加入氟化铵、阴离子活性剂和非离子表面活性剂,随后再搅拌 20 分钟,并过滤,得混合液 A ;4.继续搅拌混合液A,同时依次缓慢加入盐酸、葡萄糖酸钠和助洗剂,随后再搅拌25分钟,并过滤,得混合液 B ;5. 将混合液 B 放入蒸发器中,回转。

7、蒸馏 20 分钟,提取上清液 B ;6. 将上清液 B 放入过滤离心机中在 1750r/s 下进行离心,时间为 15 分钟,最终得到清洗液。0005 上述的一种新型特效硅片清洗液制备方法,其中,所述阴离子活性剂为十二烷基磺酸钠和十二烷基硫酸钠按 1-1.2:1.4-1.5 比例混合而成。0006 上述的一种新型特效硅片清洗液制备方法,其中,所述非离子活性剂为烷基酚聚氧乙烯醚和脂肪醇聚氧乙烯醚按 1-1.7:1.3-1.5 比例混合而成。0007 上述的一种新型特效硅片清洗液制备方法,其中,所述助洗剂为氢氧化钠。0008 上述的一种新型特效硅片清洗液制备方法,其中,所述的盐酸为工业盐酸。0009。

8、 上述的一种新型特效硅片清洗液制备方法,其中,所述搅拌机为 KD-20 搅拌机。0010 本发明的有益效果为 :本发明提供的一种新型特效硅片清洗液制备方法制备的清洗剂,配方简单易于操作,在清洗后,会在硅片表面生成一层保护膜,可提高硅片的抗污能力,同时去污力强,硅片的清洗速度快,提高了硅片清洗的清洁率,并且对环境无污染。说 明 书CN 104498208 A2/3 页4具体实施方式0011 实施例一一种新型特效硅片清洗液制备方法,其特征在于,所述制备方法如下 :1. 按重量分数称取原材料如下 :氟化铵 9 份、三羟乙基胺 10 份、阴离子活性剂 6 份、非离子表面活性剂 4 份、盐酸 3 份、葡。

9、萄糖酸钠 12 份和助洗剂 15 份 ;2. 将三羟乙基胺加入到重量分数为 80% 的温度为 33的水中,得到基础液 ;3. 用搅拌机搅拌基础液,同时依次缓慢加入氟化铵、阴离子活性剂和非离子表面活性剂,随后再搅拌 20 分钟,并过滤,得混合液 A ;4.继续搅拌混合液A,同时依次缓慢加入盐酸、葡萄糖酸钠和助洗剂,随后再搅拌25分钟,并过滤,得混合液 B ;5. 将混合液 B 放入蒸发器中,回转蒸馏 20 分钟,提取上清液 B ;6. 将上清液 B 放入过滤离心机中在 1750r/s 下进行离心,时间为 15 分钟,最终得到清洗液。0012 其中,所述阴离子活性剂为十二烷基磺酸钠和十二烷基硫酸钠。

10、按 1.2:1.45 比例混合而成,所述非离子活性剂为烷基酚聚氧乙烯醚和脂肪醇聚氧乙烯醚按 1.5:1.4 比例混合而成,所述助洗剂为氢氧化钠,所述的盐酸为工业盐酸。0013 实施例二一种新型特效硅片清洗液制备方法,其特征在于,所述制备方法如下 :1. 按重量分数称取原材料如下 :氟化铵 7 份、三羟乙基胺 8 份、阴离子活性剂 6 份、非离子表面活性剂 3 份、盐酸 4 份、葡萄糖酸钠 15 份和助洗剂 16 份 ;2. 将三羟乙基胺加入到重量分数为 80% 的温度为 33的水中,得到基础液 ;3. 用搅拌机搅拌基础液,同时依次缓慢加入氟化铵、阴离子活性剂和非离子表面活性剂,随后再搅拌 20。

11、 分钟,并过滤,得混合液 A ;4.继续搅拌混合液A,同时依次缓慢加入盐酸、葡萄糖酸钠和助洗剂,随后再搅拌25分钟,并过滤,得混合液 B ;5. 将混合液 B 放入蒸发器中,回转蒸馏 20 分钟,提取上清液 B ;6. 将上清液 B 放入过滤离心机中在 1750r/s 下进行离心,时间为 15 分钟,最终得到清洗液。0014 其中,所述阴离子活性剂为十二烷基磺酸钠和十二烷基硫酸钠按 1.1:1.4 比例混合而成,所述非离子活性剂为烷基酚聚氧乙烯醚和脂肪醇聚氧乙烯醚按 1.7:1.3 比例混合而成,所述助洗剂为氢氧化钠,所述的盐酸为工业盐酸。0015 实施例三一种新型特效硅片清洗液制备方法,其特。

12、征在于,所述制备方法如下 :1. 按重量分数称取原材料如下 :氟化铵 9 份、三羟乙基胺 11 份、阴离子活性剂 7 份、非离子表面活性剂 5 份、盐酸 3 份、葡萄糖酸钠 11 份和助洗剂 17 份 ;说 明 书CN 104498208 A3/3 页52. 将三羟乙基胺加入到重量分数为 80% 的温度为 33的水中,得到基础液 ;3. 用搅拌机搅拌基础液,同时依次缓慢加入氟化铵、阴离子活性剂和非离子表面活性剂,随后再搅拌 20 分钟,并过滤,得混合液 A ;4.继续搅拌混合液A,同时依次缓慢加入盐酸、葡萄糖酸钠和助洗剂,随后再搅拌25分钟,并过滤,得混合液 B ;5. 将混合液 B 放入蒸发。

13、器中,回转蒸馏 20 分钟,提取上清液 B ;6. 将上清液 B 放入过滤离心机中在 1750r/s 下进行离心,时间为 15 分钟,最终得到清洗液。0016 其中,所述阴离子活性剂为十二烷基磺酸钠和十二烷基硫酸钠按 1.2:1. 比例混合而成,所述非离子活性剂为烷基酚聚氧乙烯醚和脂肪醇聚氧乙烯醚按 1.4-1.5 比例混合而成,所述助洗剂为氢氧化钠 , 所述的盐酸为工业盐酸。0017 一种新型特效硅片清洗液制备方法制备的清洗剂,配方简单易于操作,在清洗后,会在硅片表面生成一层保护膜,可提高硅片的抗污能力,同时去污力强,硅片的清洗速度快,提高了硅片清洗的清洁率,并且对环境无污染。0018 一种。

14、新型特效硅片清洗液制备方法,可以极大降低了切削液的表面张力,大大提高了切削液的流动性和渗透性,同时在保证了切削液对磨料的润湿性的同时,大幅度提高了磨料的分散性,避免磨料团聚结成块对硅片造成损坏,不仅有利于提高硅片切割的成品率,同时使硅片切割成品率达到 99,而且可在硅片表面形成保护膜,使硅片更容易被清洗,总体上大大提高了切削液的润滑效果、耐磨特性及冷却特性。0019 以上所述,仅为本发明较佳的具体实施方式,但本发明的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内,可轻易想到的变化或替换,都应涵盖在本发明的保护范围内。因此,本发明的保护范围应该以权利要求书的保护范围为准。说 明 书CN 104498208 A。

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