在光可写的信息层中包括轴向取代的钴酞菁的光学数据存储载体 本发明涉及轴向取代的钴酞菁在一次可写入的光学数据载体的光可写的信息层中作为吸光性化合物的应用，涉及光学数据载体和它们的生产方法。
一次可写入的光盘(CD-R)最近有了巨大的量的增长。这里信息层的吸光性化合物代表了光学数据载体的重要组分和必须满足许多高要求。此类化合物的制备总是相应地高成本地(参见WO-A-00/09522)。
因此本发明的目的是提供一种简单合成的酞菁染料，它满足了在一次可写入的光学数据载体(尤其CD-R)的信息层中用作吸光性化合物的高要求(例如光稳定性，良好的信号/噪声比，高度的写敏感性，无损害地施加于基材上等等)。
现已吃惊地发现，轴向取代的钴酞菁非常可用于这一目的。
本发明因此提供了包括优选透明的基材的光学数据载体，该基材任选地已涂敷了一个或多个反射涂层和在其表面上涂敷光可写型信息层、任选的一个或多个反射涂层和任选的保护层或附加基材或覆盖层，该载体能够利用红外光，优选激光，特别优选具有在750-800nm范围，尤其在770-790nm范围的波长的光进行写和读，其中信息层包括吸光性化合物和任选的粘结剂，特征在于至少一种钴(III)酞菁用作吸光性化合物，其中Co金属中心携带两个轴向取代基R1和R2，该两个取代基彼此独立地表示CN、SCN、烷氧基或烷硫基。
作为吸光性化合物，优选使用通式(I)的钴酞菁
其中
CoPc表示钴(III)酞菁，其中R1和R2是钴的轴向基团和基团R3到R6对应于酞菁的取代基，式中
R1和R2彼此独立地表示CN，SCN，烷氧基或烷硫基，
R3，R4，R5和R6彼此独立地表示卤素，氰基，烷基，芳基，烷基胺基，二烷基胺基，烷氧基，烷硫基，芳氧基，芳硫基，SO3H，SO2NR7R8，CO2R12，CONR7R8，NH-COR12或基团-(B)m-D，
B是选自直接键，CH2，CO，CH(烷基)，C(烷基)2，NH，S，O或-CH＝CH-中的桥单元，其中(B)m是桥单元B的化学上有意义的序列和m＝1-10，优选1，2，3或4，
D表示以下通式的氧化还原体系的单价基团
(还原)
或(氧化)
或表示金属茂基或金属茂羰基基团，其中金属中心能够是钛，锰，铁，钌或锇，
X1和X2彼此独立地表示NR′R″，OR″或SR″，
Y1表示NR′，O或S，Y2表示NR′，
n表示1到10和
R′和R″彼此独立地表示氢，烷基，环烷基，芳基或杂芳基或形成直接键或连接到或链的一个碳原子上的桥基，
w，x，y和z彼此独立地表示0到4和w+x+y+z≤12，
R7和R8彼此独立地表示烷基胺基，羟烷基胺基，二烷基胺基，双羟基烷基胺基或芳基胺基或R7和R8与它们所键接的N原子一起形成杂环族的5-，6-或7-元环，有或者没有其它杂原子(尤其选自O，N和S)的参与，其中NR7R8尤其表示吡咯烷基，哌啶基或吗啉基，
R12表示烷基，芳基，杂芳基或氢，
Kat+表示阳离子，尤其是碱金属阳离子，铵阳离子，三烷基铵阳离子，三烷基氧鎓(oxonium)阳离子，三苯基碳鎓阳离子，二苯基碘鎓阳离子，N-烷基-吡啶鎓阳离子或代表金属茂阳离子，其中金属中心可以是钛，锰，铁，钌或锇。
该烷基，烷氧基，芳基和杂环基可以任选地携带其它基团，如烷基，卤素，羟基，羟烷基，氨基，烷基胺基，二烷基胺基，硝基，氰基，CO-NH2，烷氧基，烷氧基羰基，吗啉基，哌啶基，吡咯烷基，pyrrolidono，三烷基甲硅烷基，三烷基硅氧基或苯基。该烷基和烷氧基基团可以是饱和的，不饱和的，直链或支化的，该烷基可以部分地卤化或全卤化，该烷基和烷氧基基团可以是乙氧基化或丙氧基化或甲硅烷基化的。在芳基或杂环基上的相邻烷基和/或烷氧基基团可以一起形成三-或四-元桥连基。
优选的是通式(I)的化合物，其中对于基团R1-R8和R，R′，R″和R12：
术语“烷基”取代基优选是C1-C16-烷基，尤其是C1-C6-烷基，它们是未被取代的或被卤素，如氨、溴、氟，羟基，氰基和/或C1-C6-烷氧基取代；
术语“烷氧基”取代基优选是C1-C16-烷氧基，尤其是C1-C6-烷氧基，它们是未被取代的或被卤素，如氯、溴、氟，羟基，氰基和/或C1-C6-烷基取代；
术语“环烷基”取代基优选是C4-C8-环烷基，尤其是C5-C6-环烷基，它们是未被取代的或被卤素，如氯，溴或氟，羟基，氰基和/或C1-C6-烷基取代；
术语“链烯基”取代基优选是C6-C8-链烯基，它是未被取代的或被卤素，如氯、溴或氟，羟基，氰基和/或C1-C6-烷基取代，其中链烯基特别是烯丙基；
术语“杂芳基”取代基优选是具有5-到7-元环的杂环基团，它优选含有选自N，S和/或O中的杂原子和是任选地稠合到芳族环上或是任选地携带其它取代基，例如卤素，羟基，氰基和/或烷基，特别优选的是：吡啶基，呋喃基，噻吩基，噁唑基，噻唑基，咪唑基，喹啉基，苯并噁唑基，苯并噻唑基和苯并咪唑基；
术语“芳基”取代基优选是C6-C10-芳基，尤其是苯基或萘基，它们是未被取代的或被卤素，如氟，氯，羟基，C1-C6-烷基，C1-C6-烷氧基，NO2和/或CN取代。
优选的是通式(I)的钴酞菁，其中
R3，R4，R5和R6彼此独立地表示氯，氟，溴，碘，氰基，甲基，乙基，丙基，异丙基，丁基，异丁基，叔丁基，戊基，叔戊基，羟乙基，3-二甲基胺基丙基，3-二乙基胺基丙基，苯基，对-叔-丁基苯基，对-甲氧基苯基，异丙基苯基，三氟甲基苯基，萘基，甲基胺基，乙基胺基，丙基胺基，异丙基胺基，丁基胺基，异丁基胺基，叔-丁基胺基，戊基胺基，叔-戊基胺基，苄基胺基，甲基苯基己基胺基，羟乙基胺基，胺基丙基胺基，氨基乙基胺基，3-二甲基胺基-丙基胺基，3-二乙基胺基丙基胺基，二乙基胺基乙基胺基，二丁基胺基丙基胺基，吗啉基丙基胺基，哌啶基(Piperidino)丙基胺基，吡咯烷基(Pyrrolidino)丙基胺基，吡咯烷酮基(Pyrrolidono)丙基胺基，3-(甲基-羟乙基-胺基)丙基胺基，甲氧基乙基胺基，乙氧基乙基胺基，甲氧基丙基胺基，乙氧基丙基胺基，甲氧基乙氧基丙基胺基，3-(2-乙基-己氧基)丙基胺基，异丙氧基丙基胺基，二甲基胺基，二乙基胺基，二乙醇胺基，二丙基胺基，二异丙基胺基，二丁基胺基，二异丁基胺基，二-叔-丁基胺基，二戊基胺基，二-叔-戊基胺基，双(2-乙基己基)胺基，双(胺基丙基)胺基，双(氨基乙基)胺基，双(3-二甲基胺基丙基)胺基，双(3-二乙基胺基丙基)胺基，双-(二乙基胺基乙基)胺基，双(二丁基胺基丙基)胺基，二(吗啉基-丙基)胺基，二(哌啶基丙基)胺基，二(吡咯烷基丙基)胺基，二-(吡咯烷酮基丙基)胺基，双(3-(甲基-羟乙基胺基)丙基)胺基，二甲氧基乙基胺基，二乙氧基乙基胺基，二甲氧基丙基胺基，二乙氧基丙基胺基，二(甲氧基乙氧基乙基)胺基，二(甲氧基乙氧基-丙基)胺基，双(3-(2-乙基己氧基)丙基)胺基，二(异丙氧基-异丙基)胺基，甲氧基，乙氧基，丙氧基，异丙氧基，丁氧基，异丁氧基，叔-丁氧基，戊氧基，叔-戊基氧基，甲氧基乙氧基，乙氧基乙氧基，甲氧基丙氧基，乙氧基丙氧基，甲氧基乙氧基-丙氧基，3-(2-乙基己氧基)丙氧基，甲硫基，乙硫基，丙硫基，异丙硫基，丁基硫基，异丁硫基，叔-丁基硫基，戊基硫基，叔-戊基硫基，苯基，甲氧基苯基，三氟甲基苯基，萘基，CO2R12，CONR7R8，NH-COR12，SO3H，SO2NR7R8，或以下通式的基团
或
其中
(B)m表示
或
其中该星号(*)表示连接到该5-元环上的连接点，
M表示Mn或Fe，
w，x，y和z彼此独立地表示0到4和w+x+y+z≤12，
Kat+表示锂阳离子，钠阳离子，钾阳离子，四丁铵阳离子，四丙基铵阳离子，四乙基铵阳离子，四甲基铵阳离子，三乙基氧鎓阳离子，三苯基碳鎓阳离子，二苯基碘鎓阳离子，N-乙基吡啶鎓阳离子或二茂铁阳离子，
NR7R8表示氨基，甲基胺基，乙基胺基，丙基胺基，异丙基胺基，丁基胺基，异丁基胺基，叔-丁基胺基，戊基胺基，叔-戊基胺基，苄基胺基，甲基苯基己基胺基，2-乙基-1-己基胺基，羟乙基-胺基，氨基丙基胺基，氨基乙基胺基，3-二甲基胺基丙基胺基，3-二乙基胺基丙基胺基，吗啉基丙基胺基，哌啶基丙基胺基，吡咯烷基丙基胺基，吡咯烷酮基丙基胺基，3-(甲基-羟乙基胺基)丙基胺基，甲氧基乙基胺基，乙氧基乙基胺基，甲氧基丙基胺基，乙氧基丙基胺基，甲氧基乙氧基丙基胺基，3-(2-乙基己氧基)丙基胺基，异丙氧基异丙基胺基，二甲基胺基，二乙基胺基，二丙基胺基，二异丙基胺基，二丁基胺基，二异丁基胺基，二-叔-丁基胺基，二戊基胺基，二-叔-戊基胺基，双(2-乙基己基)胺基，二羟基乙基胺基，双(氨基丙基)胺基，双(氨基乙基)胺基，双(3-二甲基胺基丙基)胺基，双(3-二乙基-胺基丙基)胺基，二(吗啉基丙基)胺基，二(哌啶基丙基)胺基，二(吡咯烷基丙基)胺基，二(吡咯烷酮基丙基)胺基，双(3-(甲基-羟乙基胺基)丙基)胺基，二甲氧基乙基胺基，二乙氧基-乙基胺基，二甲氧基丙基胺基，二乙氧基丙基胺基，二(甲氧基-乙氧基丙基)胺基，双(3-(2-乙基己氧基)丙基)胺基，二(异丙氧基-异丙基)胺基，苯胺基，对-甲苯基胺基，对-叔-丁基苯胺基，对-甲氧苯胺基，异丙基苯胺基或萘基胺基或NR7R8表示吡咯烷基，哌啶基，哌嗪基或吗啉基，
R12表示氢，甲基，乙基，丙基，异丙基，丁基，异丁基，叔丁基，戊基，叔戊基，苯基，对-叔-丁基苯基，对-甲氧基苯基，异丙基苯基，对-三氟甲基苯基，氰基苯基，萘基，4-吡啶基，2-吡啶基，2-喹啉基，2-吡咯基或2-吲哚基，
其中
该烷基，烷氧基，芳基和杂环基可以，如果需要，携带其它基团，如烷基，卤素，羟基，羟烷基，氨基，烷基胺基，二烷基胺基，硝基，氰基，CO-NH2，烷氧基，烷氧基羰基，吗啉基，哌啶基，吡咯烷基，吡咯烷酮基，三烷基甲硅烷基，三烷基硅氧基或苯基，该烷基和/或烷氧基基团可以是饱和的，不饱和的，直链的或支化的，该烷基可以部分地被卤代或全卤代，该烷基和/或烷氧基基团可以是乙氧基化或丙氧基化或甲硅烷基化的，在芳基或杂环基上的相邻烷基和/或烷氧基基团可以一起形成三-或四-元桥连基。
对于本申请的目的，氧化还原体系尤其是在Angew.Chem.1978，927页中，和在Topics of Current Chemistry，92卷，p.1(1980)中描述的氧化还原体系。
优选的是对-苯二胺，吩噻嗪，二氢吩嗪，双吡啶鎓盐(Viologene)，醌二甲烷(Chinodimethane)。
特别优选的是与通式(Ic)对应的通式(I)的钴酞菁。
另外，本发明提供钴(III)酞菁，它的Co金属中心携带两个轴向取代基R1和R2，两者彼此独立地表示CN，SCN，烷氧基或烷硫基和它的酞菁基团是取代的。
这些优选是通式(I)的钴酞菁，其中w，x，y和z的总和是大于零，优选1到12的数。
非常特别优选的是具有通式Ic的根据本发明的化合物
其中
Halogen表示氯，溴或氟，
Alkoxy表示C1-C8-烷氧基，它可以是取代的或是未被取代的和a表示0到4的数，b表示0到10的数，c表示0到8的数，其中a，b和c的总和是≤12，和
R1，R2，R7，R8，Kat+和CoPc是如以上所定义。
本发明同时提供了制备通式(Ic)的化合物的方法，其特征在于钴酞菁(它被通式SO2NR7R8的磺酰胺基团(其中R7和R8如以上所定义)和任选地被卤素和/或烷氧基基团取代)被氧化和与KatCN、KatSCN、Kat烷氧基或Kat烷硫氧反应。
该制备优选从未被取代的或被卤素-和/或烷氧基-取代的钴酞菁开始，通过如下来进行：使用氯磺酸和亚硫酰氯在50-130℃下的氯磺化，和在pH＝8-12下和在室温到100℃下在水中与合适的胺反应形成酰胺。轴向胺取代基的随后引入优选按照已知的方式在氧化性条件中，例如在氯或空气中，优选在空气中来进行，对于空气的情况在过量KatCN、KatSCN、Kat烷氧基或Kat烷硫基的存在下。
作为吸光性化合物，光可写的信息层特别优选地还包括除上述钴(III)酞菁化合物中的一种，尤其具有通式I的一种之外至少一种其它被取代的或未被取代的酞菁，以下称作组分b)，其有或者没有中心原子。这一组分的可能的中心原子是，例如，选自Si，Zn，Al，Cu，Pd，Pt，Au和Ag中的原子，尤其Cu和Pd。
本发明因此还提供混合物，它包括
a)钴(III)酞菁，它的Co金属中心携带两个轴向取代基R1和R2，该两个取代基彼此独立地表示CN，SCN，烷氧基或烷硫基和
b)不同于a)的酞菁，尤其无Co的酞菁。
对于该组分a)和b)，优选的是在各情况下以上所提及的优选实施方式。
特别优选的组分b)是，例如，从DE-A 19 925 712中已知的磺酰胺-取代的铜酞菁。特别优选的是具有通式II的那些
其中
CuPc是铜酞菁基团，
A表示取代的或未被取代的、直链或支化的C2-C6-亚烷基，如亚乙基，亚丙基，亚丁基，亚戊基，亚己基，
R9和R10彼此独立地表示氢或各种情况下取代的或未被取代的、直链或支化C1-C6-烷基，如甲基，乙基，丙基，丁基，戊基，己基，尤其代表取代的C1-C6-羟烷基或代表未被取代的C1-C6-烷基，
或R1和R2与它们所键接的N原子一起形成杂环族5-或6-元环，如果需要，这些环含有其它杂原子，例如S，N或O，
x表示2.0到4.0，
y表示0到1.5和
x和y的总和是2.0到4.0，优选2.5到4.0。
特别优选地在混合物中的组分b)是具有通式(II)的化合物，它对应于通式(IIa)
CuPc-[SO2NH-CH2CH2CH2N(CH2)3 (IIa)，
其中
CuPc是铜酞菁。
其它优选的附加吸光性化合物是从例如EP-A-519 395中已知的磺酰胺-或酰胺基-取代的酞菁。
对于各种吸光性化合物的混合物而言，通式(I)的化合物在混合物中的比例优选是10-90wt％。
特别优选的是通式(I)和(II)的两种化合物按照10∶90到90∶10，优选20∶80到80∶20，特别优选40∶60到60∶40的重量比的混合物。
信息层能够不仅包括吸光性化合物，而且包括粘结剂，润湿剂，稳定剂，稀释剂和增感剂以及其它成分。
该基材能够从光学透明的塑料生产，如果必要，它已经进行了表面处理。优选的塑料是聚碳酸酯和聚丙烯酸酯，以及聚环烯烃或聚烯烃。
该反射层能够从通常用于可写入的光学数据载体中的任何金属或金属合金来制造。合适的金属或金属合金可以是蒸气沉积和喷溅而成并包括，例如，金，银，铜，铝和它们彼此的合金或与其它金属的合金。
在反射层之上的可能的保护层可以由UV固化的丙烯酸酯类组成。
保护该反射层，例如避免氧化的可能的中间层同样地可以存在。
本发明还提供生产本发明的光学数据载体的方法，它的特征在于，光可写入的信息层通过涂敷至少一种具有通式I的钴酞菁配合物，如果需要的话与其它吸光性化合物(尤其组分b)的那些)、合适粘结剂、添加剂和溶剂相结合而施涂于透明基材上，然后如果需要，该涂敷过的基材被提供反射层，如果需要的话其它中间层和如果需要的话保护层。
该基材用通式I的吸光性化合物，如果需要的话，与其它染料、粘结剂和/或溶剂相结合的涂敷优选是通过旋涂或喷涂来进行。
为了进行该涂敷，通式I的吸光性化合物，优选有或者没有添加剂，溶于合适的溶剂或溶剂混合物中，使得通式I的化合物以100重量份或更低，例如以10-20重量份的量存在，以每100重量份的溶剂计。该可写入的信息层然后通过喷涂或汽相淀积方法，优选在减压下，来金属化(反射层)，和随后可能地提供防护涂层(保护层)或附加的基材或覆盖层。具有半透明的反射层的多层组合结构也是可能的。
为了将通式I的吸光性化合物或将该化合物与添加剂和/或粘结剂以及其它吸光性化合物的混合物形成涂料所需要的溶剂或溶剂混合物一方面根据所述溶剂对于通式I的吸光性化合物和其它添加剂的溶解能力和另一方面它们对于该基材有最低的影响来进行选择。对基材有很少影响的合适溶剂例如是醇，醚，烃类，卤代烃，烷氧基醇，酮。此类溶剂的例子是甲醇，乙醇，丙醇，2，2，3，3-四氟丙醇，丁醇，双丙酮醇，苄醇，四氯乙烷，二氯甲烷，乙醚，二丙醚，二丁醚，甲基叔丁基醚，甲氧基乙醇，乙氧基乙醇，1-甲基-2-丙醇，甲基乙基酮，4-羟基-4-甲基-2-戊酮，己烷，环己烷，乙基环己烷，辛烷，苯，甲苯，二甲苯。优选的溶剂是烃类和醇类，因为它们对基材有最低的影响。
可写入的信息层所用的合适添加剂是稳定剂，润湿剂，粘结剂，稀释剂和增感剂。
吸光性化合物应该优选能够以加热途径来改变。该热变化优选在＜600℃的温度下发生。该变化能够是，例如，吸光性化合物的发色中心的分解或化学变化。
除信息层外，其它的层如金属层，电介质层和保护层可以存在于该光学数据载体中。金属和电介质层，尤其，用于调节反射率和热吸收/保留(Wrmehaushalts)。取决于激光波长，金属能够金，银，铝等等。电介质层的例子是二氧化硅和氮化硅。保护层是，例如，可光致固化的涂层，(压敏)粘合层和保护膜。
压敏粘合剂层主要由丙烯酸粘合剂组成。在专利JP-A 11-273147中公开的Nitto Denko DA-8320或DA-8310能够例如用于这一目的。
该光学数据载体具有，例如，下列层状结构(参见图1)：透明基材(1)，如果需要的话保护层(2)，信息层(3)，如果需要的话保护层(4)，如果需要的话粘合剂层(5)，覆盖层(6)。
光学数据载体的结构优选：
-包括优选透明的基材(1)，它的表面涂敷了能够利用光(优选激光)进行写的至少一层光可写的信息层(3)，如果需要的话保护层(4)，如果需要的话粘合剂层(5)和透明覆盖层(6)。
-包括优选透明的基材(1)，它的表面涂敷了保护层(2)，能够利用光(优选激光)进行写的至少一层光可写的信息层(3)，如果需要的话保护层(5)和透明覆盖层(6)。
-包括优选透明的基材(1)，它的表面任选地涂敷了保护层(2)，可利用光(优选激光)进行写的至少一层光可写的信息层(3)，如果需要的话保护层(4)，如果需要的话粘合剂层(5)和透明覆盖层(6)。
-包括优选透明的基材(1)，它的表面涂敷了能够利用光(优选激光)进行写的至少一层光可写的信息层(3)，如果需要的话粘合剂层(5)和透明覆盖层(6)。
另外地，光学数据载体具有例如下列层状结构(参见图2)：优选透明的基材(11)，信息层(12)，如果需要的话反射层(13)，如果需要的话粘合剂层(14)，附加的优选透明的基材(15)。
另外地，光学数据载体具有例如下列层状结构(参见图3)：优选透明的基材(21)，信息层(22)，如果需要的话反射层(23)，保护层(24)。
本发明进一步提供了利用蓝光，红光或红外光，尤其激光，尤其红外激光进行写的根据本发明的光学数据载体。
下列实施例用于说明本发明的主题。
实施例：
下面的制备实施例说明了根据本发明所用的染料的制备方法。
实施例1
将11.5g的钴酞菁在室温下引入到700ml的干燥乙醇中。添加19.5g的KCN，混合物回流6小时。在冷却到RT之后，混合物进行抽滤和固体用水和乙醇洗涤。所获得的染料在减压下干燥。
这得到了12.5g的以下通式的染料
λmax 689nm(NMP)。
下面的化合物能够以相同的摩尔量使用其它钴酞菁来类似地制备。
实施 例 R1和 R2R3α-取代基 R4 R5 R6 λmax nm(NMP) 2 CN(叔丁基)4 H H H 704 3 CN(叔丁基)4 Br4 H H 708 4 CN(叔丁基)4 Br3 Cl H 707 5 CN(甲氧基乙氧基-乙氧基)4 H H H 699 6 CN(2，4-二甲基-3-戊氧基)4 H H H 708 7 CN(2，4-二甲基-3-戊氧基)4 Br2 H H 710 8 CN(叔丁基)4 Br3 Cl CH2OFe 715 9 CN(SO2NCH2CH2OCH2CH2OCH3)4 H H H 669 10 CN(丁氧基)4 H H (丁氧基)4 739 11 CN(2-丁硫基)4 H H H 711 12 CN(3-Metylbutyl)4 H H (3-Metylbutyl)4 706 13 CN(2，4-二甲基-3-戊氧基)3(丁氧基) H H 丁氧基 708 14 CN(3-甲基丁-2-基硫基)4 H H H 714 15 CN2，4-二甲基-3-戊氧基)25(丁氧基)1.5 H H (丁氧基)1.5 712 16 CN2，4-二甲基-3-戊氧基)2(丁氧基)2 H H (丁氧基)2 722
Fe＝二茂铁基
实施例17
将11.5g的钴酞菁在室温下引入到700ml的干燥乙醇中。添加29.5g的KSCN，混合物回流10小时。在冷却到RT之后，混合物进行抽滤和固体用水和乙醇洗涤。所获得的染料在减压下干燥。
这得到了10.5g的以下通式的染料
实施例18
将11.5g的钴酞菁在室温下引入到700ml的干燥乙醇中。添加31g的叔丁醇钾，混合物回流10小时。在冷却到RT之后，混合物进行抽滤和固体用水和乙醇洗涤。所获得的染料在减压下干燥。
这得到了8.5g的以下通式的染料
λmax685nm(NMP)。
实施例19
将5g的实施例6的染料在室温下引入到700ml的干燥乙醇中。添加0.5g的高氯酸锂，混合物在RT下搅拌12小时。在冷却到5℃之后，混合物进行抽滤。溶液在旋转蒸发器上蒸干。将残留物悬浮于水中，进行抽滤和用水洗涤。所获得的染料在减压下干燥。
这得到了4.1g的以下通式的染料
λmax709nm(NMP)。
实施例20
将11g的实施例6的染料在室温下引入到1升干燥乙醇中。添加3g的二茂铁四氟硼酸盐，混合物在RT下搅拌12小时。沉淀的染料进行抽滤。所获得的染料在减压下干燥。
这得到了4.1g的以下通式的染料
λmax711nm(NMP)。
实施例21
将10g的四-α-(2，4-二甲基-3-戊氧基)-Co-酞菁在室温下引入到500ml的干燥乙醇中。添加3.6g的四乙基铵氰化物，混合物回流8小时。在冷却之后，混合物被倾倒在水中，然后进行抽滤。该残留物用水洗涤。所获得的染料在减压下干燥。
这得到了11g的以下通式的染料
λmax707nm(NMP)。
实施例22
将10g的四-α-(2，4-二甲基-3-戊氧基)-Co-酞菁在室温下引入到500ml的干燥乙醇中。添加4.5g的四丁基铵氰化物，混合物回流8小时。在冷却之后，混合物被倾倒在水中，然后进行抽滤。该残留物用水洗涤。所获得的染料在减压下干燥。
这得到了11g的以下通式的染料
λmax706nm(NMP)。
实施例23
在室温下将10g的四-α-(2-丁基硫基)-Co-酞菁引入到500ml的干燥乙醇中。添加4.5g的四乙基铵氰化物，混合物回流8小时。在冷却之后，混合物被倾倒在水中，然后进行抽滤。该残留物用水洗涤。所获得的染料在减压下干燥。
这得到了12g的以下通式的染料
λmax711nm(NMP)。
实施例24
在室温下制备实施例6的染料在2，2，3，3-四氟丙醇中的3.8％浓度的溶液。这一溶液利用旋涂法被施涂于预先刻槽的(pregrooved)聚碳酸酯基材上。预先刻槽的聚碳酸酯基材已经利用注射模塑法作为盘片形式制得。盘片的尺寸和凹槽结构对应于通常用于CD-R的那些。有染料层作为信息载体的该盘片通过汽相淀积法涂敷了100nm的Ag。UV可固化的丙烯酸涂料随后通过旋涂法进行涂敷和利用UV灯来固化。在6mW的写功率和简单的写速率(1.4m/s)下在CD-R的商业试验写装置(PulstecOMT 2000×4)中进行写之后，读取该信息可得到对于11T信号来说的75％的调制高度(＞60％是CD-R的技术标准)。
实施例25
在室温下制备实施例19的染料在2，2，3，3-四氟丙醇中的3.8％浓度的溶液。这一溶液利用旋涂法被施涂于预先刻槽的(pregrooved)聚碳酸酯基材上。预先刻槽的聚碳酸酯基材已经利用注射模塑法作为盘片形式制得。盘片的尺寸和凹槽结构对应于通常用于CD-R的那些。有染料层作为信息载体的该盘片通过汽相淀积法涂敷了100nm的Ag。UV可固化的丙烯酸涂料随后通过旋涂法进行涂敷和利用UV灯来固化。在6mW的写功率和简单的写速率(1.4m/s)下在CD-R的商业试验写装置(PulstecOMT 2000×4)中进行写之后，读取该信息可得到对于11T信号来说的73％的调制高度(＞60％是CD-R的技术标准)。