切割胶带.pdf

本发明提供一种切割胶带，其在切割工序后的拾取工序中，不会使薄型的半导体芯片产生芯片破裂，且可在短时间内效率良好地拾取。本发明的切割胶带(1)的粘合剂层，相对于选自丙烯酸聚合物、乙酸乙烯酯聚合物及具有碳-碳双键的丙烯酸系聚合物中的1种或2种以上的聚合物100质量份，含0.5～30质量份的邻苯二甲酸酯类，且剥离力在放射线固化前为0.5N/25mm以上，放射线固化后为0.05～0.4N/25mm，在将放射线固化后的在剥离速度50mm/min下的剥离力设为(i)、且将1000mm/min下的剥离力设为(ii)时，(ii)/(i)为1以下。

1.  一种切割胶带，其特征在于，其是在基材树脂膜的至少单侧具有放射线固化性的粘合剂层、且将晶圆贴合在所述粘合剂层并切割所述晶圆的切割胶带，
所述粘合剂层，相对于选自丙烯酸聚合物、乙酸乙烯酯聚合物及具有碳-碳双键的丙烯酸系聚合物中的1种或2种以上的聚合物100质量份，含0.5～30质量份的邻苯二甲酸酯类，
在23℃、50％RH的条件下且剥离角度90度、剥离速度50mm/min时的、与以#2000研磨的硅镜面晶圆的剥离力在使所述粘合剂层放射线固化前为0.5N/25mm以上，在使所述粘合剂层放射线固化后为0.05～0.4N/25mm，
并且，关于使所述粘合剂层放射线固化后的、在23℃、50％RH的条件下且剥离角度90度时的、与以#2000研磨的硅镜面晶圆的剥离力，在将剥离速度50mm/min下的剥离力设为(i)、且将1000mm/min下的剥离力设为(ii)时，(ii)/(i)为1以下。

2.  如权利要求1所述的切割胶带，其特征在于，所述邻苯二甲酸酯类对水的溶解度为0.1mg/L以下。

切割胶带
技术领域
本发明涉及一种切割胶带。本发明特别是涉及在将半导体晶圆等切断分离(切割)成元件的小片时用于固定该半导体晶圆等被切断体的切割胶带。
背景技术
以往，以硅、镓、砷等作为材料的半导体晶圆在以大直径状态制造后，切断分离(切割)成元件小片，进而移送到安装工序。此时，半导体晶圆在贴附并保持于切割胶带的状态下实施切割工序、洗涤工序、扩张(expand)工序、拾取(pickup)工序、安装工序的各工序。作为所述切割胶带，使用将丙烯酸系粘合剂等的粘合剂层涂布、形成于包含塑料膜的基材上而成的切割胶带(例如，参照专利文献1)。
所述拾取工序，如图5所示，主流是：通过上推针(pick up pin)12将拾取的半导体芯片10的下部的切割胶带1以点状或线状提起或者进行互相磨擦，并在促进该半导体芯片10与切割胶带1剥离的状态下，通过用吸附夹头13等从上部进行真空吸附，拾取半导体芯片10的方式。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：2010-225753号公报
发明内容
发明要解决的课题
然而，半导体元件的薄型化已取得进展，尤其在半导体晶圆的厚度成为100μm以下时，对于以往的切割胶带，若如以往那样将上推针快速上推而拾取半导体芯片，则会有产生因将上推针上推所引起的冲击而使半导体芯片非常容易破裂的问题。因此，若想要为了抑制对半导体芯片的冲击 而将上推针慢慢地举起，则会有拾取时间变长的问题。并且，以往的切割胶带中，切割胶带与半导体芯片的剥离力在剥离速度越快时越大。因此，即使能够一边抑制对半导体芯片的冲击一边将上推针快速地上推，在通过上推针促进切割胶带与半导体芯片的剥离时，若剥离的进行速度快，则剥离力也会变大，故薄型且刚性低的半导体芯片存在其端部变形而容易引起芯片破裂的问题。因此，在切割胶带与半导体芯片的剥离进行之前进行待机并在确保充分的剥离面积后，通过吸附夹头的真空吸附拾取半导体芯片，仍然存在拾取时间变长的问题。
因此，本发明的目的在于提供一种在切割工序后的拾取工序中，不会使薄型半导体芯片产生芯片破裂，可在短时间效率良好地拾取的切割胶带。
解决课题的手段
本发明人等为达成上述目的而反复潜心研究，结果发现，在基材树脂膜的至少单侧具有粘合剂层而成的切割胶带，通过使与以#2000研磨的硅镜面晶圆的各种剥离力为规定的值，可一边抑制半导体晶圆切割时的芯片飞散，一边在拾取工序时即使快速用上推针等进行上推也不会对芯片施加应力，可无芯片破裂等不良情况而进行拾取，同时可缩短拾取工序时间。本发明基于该见解而完成。
即，本申请发明的切割胶带，其特征在于，其是在基材树脂膜的至少单侧具有放射线固化性的粘合剂层、且将晶圆贴合在所述粘合剂层并切割所述晶圆的切割胶带，所述粘合剂层，相对于选自丙烯酸聚合物、乙酸乙烯酯聚合物及具有碳-碳双键的丙烯酸系聚合物中的1种或2种以上的聚合物100质量份，含0.5～30质量份的邻苯二甲酸酯类，在23℃、50％RH的条件下且剥离角度90度、剥离速度50mm/min时的、与以#2000研磨的硅镜面晶圆的剥离力在使所述粘合剂层放射线固化前为0.5N/25mm以上，在使所述粘合剂层放射线固化后为0.05～0.4N/25mm，并且，关于使所述粘合剂层放射线固化后的、在23℃、50％RH的条件下且剥离角度90度时的、与以#2000研磨的硅镜面晶圆的剥离力，在将剥离速度50mm/min下的剥离力设为(i)、且将1000mm/min下的剥离力设为(ii)时，(ii)/(i)为1以下。
另外，就上述切割胶带而言，优选所述邻苯二甲酸酯类对水的溶解度为0.1mg/L以下。
发明效果
根据本发明，在切割工序后的拾取工序中，不使薄型半导体芯片产生芯片破裂，可在短时间效率良好地进行拾取。
附图说明
图1是示意性显示本发明的实施方式的切割胶带的结构的剖视图。
图2是示意性显示使用本发明的实施例的切割胶带的切割工序的剖视图。
图3是示意性显示使用本发明的实施例的切割胶带的切割工序的剖视图。
图4是示意性显示使用本发明的实施例的切割胶带的扩展工序的剖视图。
图5是示意性显示使用本发明的实施例的切割胶带的拾取工序的剖视图。
具体方式
以下，对本发明的实施方式加以详细说明。
本发明的实施方式的切割胶带1在基材树脂膜2的至少单侧形成有至少1层的粘合剂层3。图1是显示本发明的放射线固化型的切割胶带1的优选的实施方式的概略剖视图，切割胶带1具有基材树脂膜2，且在基材树脂膜2上形成有粘合剂层3。另外，在粘合剂层3上形成有根据需要设置的隔片4。图1中虽然显示了在基材树脂膜2的一个面上设置有粘合剂层3的切割胶带1，但在基材树脂膜2中也可以在设置有粘合剂层3的另一个面上设置粘合剂层(未图示)。
以下，对本实施方式的切割胶带1的各构成要素加以详细说明。
(基材树脂膜2)
作为基材树脂膜2，并无特别限制，可从以往的基材树脂膜2中适当选择使用。由于使用放射线固化性树脂作为粘合剂层3中所用的粘合剂， 故基材树脂膜2需要透射放射线以便能够降低粘合剂层3的粘合力至可拾取切割后被切断而得到的半导体芯片10(参照图3)的程度。作为所使用的基材树脂膜2，优选为像聚乙烯、聚丙烯、乙烯-丙烯共聚物及聚丁烯那样的聚烯烃，像苯乙烯-氢化异戊二烯-苯乙烯嵌段共聚物、苯乙烯-异戊二烯-苯乙烯共聚物、苯乙烯-氢化丁二烯-苯乙烯共聚物及苯乙烯-氢化异戊二烯/丁二烯-苯乙烯共聚物那样的热塑性弹性体，像乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物、及乙烯-(甲基)丙烯酸金属盐系离聚物那样的乙烯共聚物，聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯、聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯等工程塑料、软质聚氯乙烯、半硬质聚氯乙烯、聚酯、聚氨酯、聚酰胺、聚酰亚胺、天然橡胶以及合成橡胶等高分子材料。另外，也可为选自这些组的2种以上混合而成的材料或多层化而成的材料，可根据与粘合剂层3的粘接性任意选择。
基材树脂膜2的厚度并无特别限制，但优选为10～500μm，更优选为40～400μm，特别优选为70～250μm。
为了提高密合性，可以对基材树脂膜2的与粘合剂层3接触的面实施电晕处理，也可实施底涂等处理。
(粘合剂层3)
若粘合剂层3为放射线固化型的粘合剂层3且具有规定的剥离力，则构成粘合剂层3的树脂组合物无特别限制，但优选为包含在聚合物侧链或主链中或主链末端具有碳-碳双键的聚合物的树脂组合物，或优选为在通常的粘合剂中配合紫外线固化性的单体成分、低聚物成分等紫外线固化树脂而成的树脂组合物。另外，上述树脂组合物优选具有选自氨基甲酸酯丙烯酸酯、环氧丙烯酸酯、聚酯丙烯酸酯、聚醚丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸低聚物、衣康酸低聚物及乙酸乙烯酯中的至少1种粘合剂作为主成分。
作为包含聚合物侧链或主链中或主链末端具有碳-碳双键的聚合物的树脂组合物，使用含有丙烯酸聚合物(A)和/或乙酸乙烯酯聚合物(B)、与交联剂(C)、及根据需要的光聚合引发剂(D)的粘合剂组合物。进一步，本实施方式中含有邻苯二甲酸酯类(E)。
(A)丙烯酸聚合物
作为丙烯酸聚合物(A)，可列举以(甲基)丙烯酸酯成分为单体主成分(聚合物中的质量％超过50％)、且共聚有能与该(甲基)丙烯酸酯成分共聚且在分子内具有羟基的单体(含羟基的单体)成分的丙烯酸聚合物等。本说明书中，所谓(甲基)丙烯酸酯，包括丙烯酸酯和甲基丙烯酸酯两者。
作为丙烯酸聚合物(A)中的、作为单体主成分的(甲基)丙烯酸酯成分，可列举例如(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸异丙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸异丁酯、(甲基)丙烯酸仲丁酯、(甲基)丙烯酸叔丁酯、(甲基)丙烯酸戊酯、(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸庚酯、(甲基)丙烯酸辛酯、(甲基)丙烯酸异辛酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸壬酯、(甲基)丙烯酸异壬酯、(甲基)丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸异癸酯、(甲基)丙烯酸十一烷酯、(甲基)丙烯酸十二烷酯、(甲基)丙烯酸十三烷酯、(甲基)丙烯酸十四烷酯、(甲基)丙烯酸十五烷酯、(甲基)丙烯酸十六烷酯、(甲基)丙烯酸十七烷酯、(甲基)丙烯酸十八烷酯等(甲基)丙烯酸烷基酯；(甲基)丙烯酸环己酯等(甲基)丙烯酸环烷基酯；(甲基)丙烯酸苯酯等(甲基)丙烯酸芳基酯等。(甲基)丙烯酸酯可单独使用或组合2种以上使用。
丙烯酸聚合物(A)优选经由交联剂(C)的多异氰酸酯和氨基甲酸酯键与聚醚多元醇反应，同时用交联剂使其交联来提高质均分子量(Mw)。该情况下，丙烯酸聚合物(A)需要对主链键合有羟基。对主链键合有羟基的丙烯酸聚合物(A)能与所述(甲基)丙烯酸酯进行共聚，且可通过将具有羟基的单体共聚而得。作为能与(甲基)丙烯酸酯共聚且具有羟基的单体，可列举(甲基)丙烯酸2-羟基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羟基丙酯、(甲基)丙烯酸4-羟基丁酯、(甲基)丙烯酸6-羟基己酯、聚乙二醇单(甲基)丙烯酸酯、聚丙二醇单(甲基)丙烯酸酯、丙三醇单(甲基)丙烯酸酯等。
丙烯酸聚合物(A)中，除了对主链键合羟基(侧链化)以外，也可将羧基、缩水甘油基之类的官能团侧链化。具有羟基以外的官能团的丙烯酸聚合物(A)可通过将可与(甲基)丙烯酸酯共聚且具有羟基以外的官 能团的单体共聚而得。作为可与(甲基)丙烯酸酯共聚且具有羧基的单体，可列举(甲基)丙烯酸(丙烯酸、甲基丙烯酸)、衣康酸、马来酸、富马酸、巴豆酸、异巴豆酸等。作为可与(甲基)丙烯酸酯共聚且具有缩水甘油基的单体，可列举(甲基)丙烯酸缩水甘油酯等。
(B)乙酸乙烯酯聚合物
作为乙酸乙烯酯聚合物(B)，乙酸乙烯酯聚合物也可使用仅使乙酸乙烯酯单体聚合而得的均聚物。乙酸乙烯酯聚合物中的与乙酸乙烯酯单体共聚的单体成分只要不妨碍上述效果则无特别限制。可列举例如上述记载的丙烯酸酯类或月桂基乙烯基醚、十八烷基乙烯基醚、全氟丙基乙烯基醚、2-氯乙基乙烯基醚、环己基乙烯基醚、甲基乙烯基醚等乙烯基醚类，叔碳酸乙烯酯(vinyl versatate)、硬脂酸乙烯酯、丙烯酰胺、甲基丙烯酰胺、N，N-二甲基丙烯酰胺、丙烯酸、巴豆酸、马来酸、富马酸、衣康酸、乙烯基磺酸、丙烯酰磺酸、甲基丙烯酸二甲氨基乙酯、乙烯基咪唑、乙烯基吡啶、乙烯基琥珀酰亚胺、碳酸亚乙烯酯、烯丙醇、乙酸烯丙酯等。
上述丙烯酸聚合物(A)及乙酸乙烯酯聚合物(B)的合成中，作为通过溶液聚合进行共聚时的有机溶剂，可列举酮系、酯系、醇系、芳香族系的有机溶剂，其中优选甲苯、乙酸乙酯、异丙醇、苯甲基溶纤剂、乙基溶纤剂、丙酮、甲基乙基酮等通常丙烯酸系聚合物的良溶剂且沸点60～120℃的溶剂，作为聚合引发剂，通常使用α，α’-偶氮双异丁腈等偶氮双腈系、苯甲酰(ベンゾベル)过氧化物等有机过氧化物系等的自由基产生剂。此时，可根据需要并用催化剂、阻聚剂，通过调节聚合温度及聚合时间，且随后进行官能团的加成反应，可获得所需分子量的丙烯酸聚合物(A)、乙酸乙烯酯聚合物(B)。另外，关于调节分子量，优选使用硫醇、四氯化碳系的溶剂。需要说明的是，该共聚并不限于溶液聚合，也可为本体聚合、悬浮聚合等其他方法。
从防止半导体晶圆6等被加工物的污染等的观点考虑，丙烯酸聚合物(A)及乙酸乙烯酯聚合物(B)优选低分子量物的含量少的丙烯酸聚合物(A)及乙酸乙烯酯聚合物(B)。从该观点考虑，丙烯酸聚合物(A)及乙酸乙烯酯聚合物(B)的质均分子量(Mw)优选为10万以上，更优选为20万～200万。另外，丙烯酸聚合物(A)及乙酸乙烯酯聚合物(B) 的质均分子量(Mw)过小时，对半导体晶圆6等被加工物的污染防止性降低，质均分子量(Mw)过大时，用于形成放射线固化性粘合剂层3的粘合剂组合物的粘度变得极高，切割胶带1的制造变困难。
从表现出粘合性的观点考虑，丙烯酸聚合物(A)及乙酸乙烯酯聚合物(B)的玻璃化转变点优选为-70℃～0℃，更优选为-65℃～20℃。玻璃化转变点过小时，丙烯酸聚合物(A)及乙酸乙烯酯聚合物(B)的粘度变得过低，难以进行稳定的涂膜形成，玻璃化转变点过高时，粘合剂变得过硬，对被粘体的润湿性恶化。
(C)交联剂
作为交联剂(C)，优选至少使用多异氰酸酯作为交联剂、并使其在放射线固化前交联。作为多异氰酸酯交联剂，若为具有异氰酰基的交联剂则无特别限制。可列举出例如甲苯二异氰酸酯、二苯基甲烷二异氰酸酯、六亚甲基二异氰酸酯、异佛尔酮二异氰酸酯等或它们的双缩脲型、异氰脲酸酯型、加合型、封端型等各种多聚物等。通过使用对羟基具有反应性的多异氰酸酯作为交联剂，变得能将聚醚多元醇引入交联结构中，可防止聚醚多元醇移行到半导体晶圆6表面而污染晶圆6表面。此外，可并用多异氰酸酯以外的交联剂作为交联剂。但是，丙烯酸聚合物(A)或乙酸乙烯酯聚合物(B)中，需要具有对交联剂具有反应性的官能团。作为此种交联剂，可从例如环氧系交联剂、氮丙啶系交联剂、三聚氰胺树脂系交联剂、脲树脂系交联剂、酸酐系交联剂、多元胺系交联剂、含羧基的聚合物系交联剂等中适当选择使用。
(D)光聚合引发剂
放射线固化性粘合剂层3中，为了在照射放射线时有效率地进行分子内具有碳-碳双键的丙烯酸系聚合物(或放射线固化性成分)的聚合、固化，可含光聚合引发剂。作为光聚合引发剂，可列举例如苯偶姻甲醚、苯偶姻乙醚、苯偶姻丙醚、苯偶姻异丙醚、苯偶姻异丁醚等苯偶姻烷基醚系引发剂；二苯甲酮、苯甲酰基苯甲酸、3，3’-二甲基-4-甲氧基二苯甲酮、聚乙烯基二苯甲酮等二苯甲酮系引发剂；α-羟基环己基苯基酮、4-(2-羟基乙氧基)苯基(2-羟基-2-丙基)酮、α-羟基-α，α’-二甲基苯乙酮、甲氧基苯乙酮、2，2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮、2，2-二乙氧基苯乙酮、2-甲基-1-[4- (甲硫基)-苯基]-2-吗啉基丙酮-1等芳香族酮系引发剂；苯偶酰二甲基缩酮等芳香族缩酮系引发剂；噻吨酮、2-氯噻吨酮、2-甲基噻吨酮、2-乙基噻吨酮、2-异丙基噻吨酮、2-十二烷基噻吨酮、2，4-二氯噻吨酮、2，4-二甲基噻吨酮、2，4-二乙基噻吨酮、2，4-二异丙基噻吨酮等噻吨酮系引发剂；苯偶酰等苯偶酰系引发剂；苯偶姻等苯偶姻系引发剂，以及α-缩酮系化合物(2-甲基-2-羟基苯丙酮等)、芳香族磺酰氯系化合物(2-萘磺酰氯等)、光活性肟系化合物(1-苯酮-1，1-丙二酮-2-(邻乙氧基羰基)肟等)、樟脑醌、卤代酮、酰基氧化膦、酰基膦酸酯等。光聚合引发剂可单独使用或组合2种以上使用。
作为光聚合引发剂的配合量，相对于丙烯酸聚合物(A)或乙酸乙烯酯聚合物(B)100质量份，可从0.5～30质量份、优选1～20质量份的范围适当选择。
(E)邻苯二甲酸酯类
作为邻苯二甲酸酯类(E)，可列举例如邻苯二甲酸二甲酯、邻苯二甲酸二乙酯、邻苯二甲酸二烯丙酯、邻苯二甲酸二丁酯、邻苯二甲酸二正己酯、邻苯二甲酸二辛酯、邻苯二甲酸二正辛酯、邻苯二甲酸二异壬酯、邻苯二甲酸二壬酯、邻苯二甲酸二异癸酯、邻苯二甲酸丁酯苄酯等，但优选为与粘合剂的相容性良好，且对水的溶解性低的邻苯二甲酸二辛酯、邻苯二甲酸二正辛酯、邻苯二甲酸二异壬酯、邻苯二甲酸二壬酯。这是因为，若与粘合剂的相容性差，则有变得容易因渗出而析出于表面，成为污染源因的可能，并且无法稳定地制造。另外，也是因为，若对水的溶解性高，则会溶解于切割时的切削水中，有成为晶圆6表面污染原因的可能。作为对水的溶解性的范围，为0mg/L以上且0.1mg/L以下，优选为0mg/L以上且0.05mg/L以下。
本实施方式中，由于粘合剂层3含有邻苯二甲酸酯类(E)，故柔软性优异，可抑制切割时芯片飞散，照射放射线使粘合剂层3固化后，剥离力达到一定以下而不受限于剥离速度，故可良好地抑制芯片破裂且可容易地拾取半导体芯片10。其效果在晶圆6刚研磨后例如研磨结束后1小时以内的、未整面地形成自然氧化膜状态的不稳定晶圆6磨削面上贴合切割胶带1时显著出现。
作为邻苯二甲酸酯类的配合量，相对于丙烯酸聚合物(A)或乙酸乙烯酯聚合物(B)100质量份，可从0.5～30质量份、优选1～20质量份、更优选5～10质量份的范围适当选择。添加量少时，无法表现出效果，过多时，因与粘合剂的相容性恶化而渗出并成为污染的原因。
(F)其他配合剂
用于形成粘合剂层3的粘合剂组合物中，可根据需要含有例如增粘剂、抗老化剂、填充剂、着色剂、阻燃剂、抗静电剂、软化剂、紫外线吸收剂、抗氧化剂、增塑剂、表面活性剂等公知添加剂等。
另外，上述粘合剂组合物中，可以代替丙烯酸聚合物(A)和/或乙酸乙烯酯聚合物(B)而使用在分子内具有碳-碳双键的丙烯酸系聚合物(A2)，所述在分子内具有碳-碳双键的丙烯酸系聚合物(A2)通过在制备含有官能团的丙烯酸系聚合物后，使含有可与含有官能团的丙烯酸系聚合物中的官能团反应的官能团和碳-碳双键的化合物在维持碳-碳双键的放射线固化性(放射线聚合性)的状态下，与含有官能团的丙烯酸系聚合物进行缩合反应或加成反应而得到。作为含有官能团的丙烯酸系聚合物，可使用上述丙烯酸聚合物(A)。另外，也可并用丙烯酸聚合物(A)和/或乙酸乙烯酯聚合物(B)和在分子内具有碳-碳双键的丙烯酸系聚合物(A2)。
作为具有可与含有官能团的丙烯酸系聚合物中的官能团反应的官能团和碳-碳双键的化合物，在成为反应对象的侧链为羧基或酸酐的情况下，可列举(甲基)丙烯酸缩水甘油酯等，在成为反应对象的侧链为环氧基的情况下，可列举(甲基)丙烯酸等，在成为反应对象的侧链为羟基的情况下，可列举(甲基)丙烯酸2-异氰酰基烷基酯等。
另外，在使具有官能团及碳-碳双键的化合物与含有官能团的丙烯酸系聚合物进行缩合反应或加成反应时，通过使用催化剂，可有效地进行所述反应。此种催化剂并无特别限制，但优选锡系催化剂(尤其是二月桂酸二丁基锡)。作为催化剂的使用量，并无特别限制，例如相对于含有官能团的丙烯酸系聚合物100质量份优选为0.05～1质量份左右。
粘合剂层3可利用以往的粘合剂层3的形成方法形成。例如，可通过将上述粘合剂组合物涂布在基材树脂膜2的规定面上而形成的方法，或将 上述粘合剂组合物涂布于隔片(例如，已涂布脱模剂的塑料制膜或片等)上形成粘合剂层3后，将该粘合剂层3转印在基材的规定面上的方法，由此在基材树脂膜2上形成粘合剂层3。需要说明的是，粘合剂层3可具有单层的形态，也可具有层叠的形态。
作为粘合剂层3的厚度，并无特别限制，但优选为3～20μm。若粘合剂层3的厚度太薄，则会在切割时使被加工物容易剥离，故无法保持切断加工后的半导体芯片10，存在发生芯片飞散的情况。若粘合剂层3太厚，则切割半导体晶圆6时产生的振动的振动幅度变大，产生被称为切屑的缺陷，或者切割时卷起的粘合剂层附着于芯片的侧面或表面，存在污染芯片的情况。
(隔片4)
出于保护粘合剂层3的目的、出于容易进行将切割胶带1切断成规定形状的标签加工的目的、或出于使粘合剂平滑的目的，而根据需要设置隔片4。作为隔片4的构成材料，可列举纸、聚乙烯、聚丙烯、聚对苯二甲酸乙二醇酯等合成树脂膜等。为提高从粘合剂层3的剥离性，也可根据需要对隔片4的表面实施硅酮处理、长链烷基处理、氟处理等剥离处理。另外，也可根据需要实施防紫外线处理，以免粘合片因环境紫外线而产生反应。隔片4的厚度通常为10～100μm，优选为25～50μm左右。
本发明的实施方式的切割胶带1在23℃、50％RH的条件下，将以#2000研磨的硅镜面贴合在粘合剂层3后，在23℃、50％RH的条件下经过1小时后，使粘合剂层3放射线固化前的剥离力(对硅镜面，剥离角度：90°，剥离速度：50mm/min，在23℃、50％RH的条件下)为0.5N/25mm以上，优选为10N/25mm以下，更优选为2N/25mm以下。具有该范围的粘合力的切割胶带1在切割时可有效地保持切断加工后的半导体芯片10，可发挥防止芯片飞散、切削粉尘侵入到半导体芯片10背面的效果。
另外，与上述同样地测定得到的、使粘合剂层3放射线固化后的剥离力(对硅镜面，剥离角度：90°，剥离速度：50mm/min，在23℃、50％RH的条件下)为0.05～0.4N/25mm，优选为0.1～0.3N/25mm，更优选为0.1～0.2N/25mm。该剥离力超过0.4N/25mm时，拾取时在粘合剂层3与半导体晶圆6(参照图2)的界面的剥离变得困难，无法拾取，或者即使假定可拾 取也会有半导体晶圆6破裂的可能。另外，相反地，若剥离力过低至0.05N/25mm以下，则拾取时会有邻接的半导体芯片10(参照图4)飞散的可能。
进一步，设为剥离速度1000mm/min，与上述同样地测定得到的、使粘合剂层3放射线固化后的剥离力(对硅镜面，剥离角度：90°，在23℃、50％RH的条件下)为0.4N/25mm以下。另外，关于使上述粘合剂层3放射线固化后的剥离力，在将剥离速度50mm/min下的剥离力设为(i)、且将1000mm/min下的剥离力设为(ii)时，(ii)/(i)为1以下，优选为0.9以下，更优选为0.8以下。该比超过1时，在拾取时的上推针12(参照图5)的上推速度慢的情况下，由于剥离力低，故不会妨碍拾取，但在上推速度快时，由于剥离力变高，因此存在特别是在薄膜的半导体晶圆6中发生芯片破裂等缺陷的可能。另外，(ii)/(i)的值优选为0.2以上。
<使用方法>
接着，对本发明的切割胶带1的使用方法加以说明。
本发明的切割胶带1在向作为被切断物的半导体部件贴附的安装工序后，根据常法供于切割工序，进而移至放射线照射工序、拾取工序。作为半导体部件，可列举硅半导体、化合物半导体、半导体封装件、玻璃、陶瓷等。
通常可紧接半导体晶圆6的背面磨削工序、或半导体晶圆6的背面磨削工序进行的破碎层除去工序等之后，连续(刚进行半导体晶圆6的背面磨削工序、破碎层除去工序之后)或者短时间内(半导体晶圆6的背面磨削工序、破碎层除去工序结束后数小时以内)实施安装工序。
如图2所示，在安装工序中，通常使半导体晶圆6等被加工物与切割胶带1以被加工物的磨削面与粘合剂层3接触的形态重合，边通过使用了未图示的压接辊的按压机构等以往的按压机构按压，边进行被加工物与切割胶带1的贴附。另外，将各工序中用于保持切割胶带1的环框7贴附在粘合剂层3的与被加工物(半导体晶圆6)的贴合位置更外侧。
如图3所示，切割工序，将贴附有被切断体的切割胶带1载置于吸附台8上，使刀片9高速旋转，将被切断体切断成规定尺寸。切割可采用进行切入到切割胶带1的一部分的称为全切割的切断方式等。切割后，利用 放射线特别优选紫外线的照射使粘合剂层3固化，使粘合性降低，可容易地进行从切割胶带1切割掉半导体芯片10等的切断片。
在放射线、特别优选紫外线的照射后，供于拾取工序。如图4所示，在拾取工序中可设置扩展工序。扩展工序中，通过使圆筒状的上推构件11从切割胶带1的下方，以突抵于环框7与切断片间的方式上升，而使切割胶带1向圆周方向及直径方向拉伸。作为拾取方法，并无特别限制，可采用以往各种拾取方法。可列举例如，如图5所示，通过上推针12使各切断片(半导体芯片10)从切割胶带1的下方上推，用吸附夹头13等拾取装置拾取被上推的切断片(半导体芯片10)的方法等。
接着，基于实施例更详细地说明本发明。以下通过实施例说明本发明，但本发明并不受这些实施例限定。
(实施例1)
使丙烯酸乙酯及丙烯酸丁酯、丙烯酸2-羟基乙酯以质量比7∶2∶1的比例在乙酸乙酯中通过常法共聚，获得含有对主链键合有羟基的丙烯酸聚合物(A)的溶液(含丙烯酸共聚物的溶液Aa)。接着，相对于该丙烯酸聚合物(A)100质量份，添加5质量份的邻苯二甲酸二辛酯、30质量份的作为放射线固化剂的商品名“UV3000”(日本合成化学工业股份有限公司制)、2.5质量份的作为光聚合引发剂的商品名“Irgacure 651”(BASF公司制)、1质量份的作为交联剂的多异氰酸酯系化合物(商品名“Coronate L”，日本聚氨酯工业股份有限公司制)，获得紫外线固化型丙烯酸系粘合剂溶液X1。
使用在单面实施了电晕放电处理的低密度聚乙烯制膜(厚度：100μm)作为基材树脂膜，将所述紫外线固化型丙烯酸系粘合剂溶液X1涂布于电晕放电处理面上，在80℃加热10分钟，进行加热交联。由此，在基材树脂膜上形成作为放射线固化型的粘合剂层的紫外线固化型粘合剂层(厚度：10μm)。接着，将隔片贴合于该紫外线固化型粘合剂层表面，制作实施例1的紫外线固化型的切割胶带。
(实施例2)
除了将邻苯二甲酸二辛酯设为0.5质量份以外，与实施例1同样地，制作实施例2的紫外线固化型切割胶带。
(实施例3)
除了将邻苯二甲酸二辛酯设为30质量份以外，与实施例1同样地，制作实施例3的紫外线固化型的切割胶带。
(实施例4)
除了添加5质量份的邻苯二甲酸二异壬酯替代邻苯二甲酸二辛酯以外，与实施例1同样地，制作实施例4的紫外线固化型的切割胶带。
(实施例5)
除了添加5质量份的邻苯二甲酸二丁酯替代邻苯二甲酸二辛酯以外，与实施例1同样地，制作实施例5的紫外线固化型的切割胶带。
(实施例6)
在乙酸乙酯中以常法使乙酸乙烯酯聚合，获得含乙酸乙烯酯聚合物(B)的溶液(含乙酸乙烯酯聚合物的溶液Ba)。接着，相对于该乙酸乙烯酯聚合物(B)(聚乙酸乙烯酯)100质量份，添加5质量份的邻苯二甲酸二辛酯、30质量份的作为放射线固化剂的商品名“UV3000”(日本合成化学工业股份有限公司制)、2.5质量份的作为光聚合引发剂的商品名“Irgacure 651”(BASF公司制)、1质量份的作为交联剂的多异氰酸酯系化合物(商品名“Coronate L”，日本聚氨酯工业股份有限公司制)，获得紫外线固化型乙酸乙烯酯系粘合剂溶液X2。
随后，与实施例1同样，在基材树脂膜上形成紫外线固化型粘合剂，且将隔片贴合于紫外线固化型粘合剂层的表面，制作实施例6的紫外线固化型的切割胶带。
(实施例7)
以质量比8∶2的比例，使作为单体成分的丙烯酸2-乙基己酯与丙烯酸2-羟基乙酯在乙酸乙酯中共聚，获得含有对主链键合有羟基的丙烯酸聚合物(A)的溶液(含丙烯酸共聚物的溶液Ab)。接着，在所述含丙烯酸共聚物的溶液Ab中添加作为具有光聚合性碳-碳双键及官能团的化合物的异氰酸2-甲基丙烯酰氧基乙酯，且添加作为催化剂的二月桂酸二丁基锡，在50℃反应24小时，获得含有在侧链的末端具有碳-碳双键的丙烯酸系聚合物(A2)的溶液(含丙烯酸共聚物的溶液A2b)。在该侧链的末端具有碳-碳双键的丙烯酸系聚合物(A2)的羟值以JIS K 0070中记载 的利用吡啶-乙酸酐的乙炔化法进行测定，结果为9.8mgKOH/g。接着，相对于在上述侧链的末端具有碳-碳双键的丙烯酸系聚合物(A2)100质量份，添加5质量份的邻苯二甲酸二辛酯、2.5质量份的作为光聚合引发剂的商品名“Irgacure 651”(BASF公司制)、1质量份的多异氰酸酯系化合物(商品名“Coronate L”，日本聚氨酯工业股份有限公司制)，获得紫外线固化型丙烯酸系粘合剂溶液X3。
使用对单面实施电晕放电处理后的低密度聚乙烯制膜(厚度：100μm)作为基材树脂膜，将所述紫外线固化型丙烯酸系粘合剂溶液X3涂布于电晕放电处理面上，在80℃加热10分钟，进行加热交联。由此，在基材树脂膜上形成作为放射线固化型的粘合剂层的紫外线固化型粘合剂层(厚度：10μm)。接着，将隔片贴合于该紫外线固化型粘合剂层的表面，制作实施例7的紫外线固化型的切割胶带。
(比较例1)
除了未添加邻苯二甲酸二辛酯以外，与实施例1同样地，制作比较例1的紫外线固化型的切割胶带。
(比较例2)
除了将邻苯二甲酸二辛酯设为0.45质量份以外，与实施例1同样地，制作比较例2的紫外线固化型的切割胶带。
(比较例3)
除了将邻苯二甲酸二辛酯设为35质量份以外，与实施例1同样地，制作比较例3的紫外线固化型的切割胶带。
(比较例4)
除了未添加邻苯二甲酸二辛酯以外，与实施例6同样，制作比较例4的紫外线固化型的切割胶带。
(比较例5)
除了未添加邻苯二甲酸二辛酯以外，与实施例7同样，制作比较例5的紫外线固化型的切割胶带。
<相容性>
对实施例1～7及比较例2、3的制作时所配合的各紫外线固化型丙烯酸系粘合剂溶液，以目视评价邻苯二甲酸酯的相容性。将经过10小时后 仍维持透明状态的情况记为◎，将经过7小时后为不透明的情况记为○，将经过3小时后为不透明的情况记为△，将超过1小时后为不透明的情况记为×。结果示于表1及表2。
<剥离力>
(1)放射线固化前的剥离力
对于实施例1～7及比较例1～5所得的切割胶带，在23℃、50％RH的条件下，将其贴附于以#2000研磨的硅镜面晶圆的镜面上。在23℃、50％RH的条件下经过1小时后，测定使粘合剂层放射线固化前的剥离力(对硅镜面，剥离角度：90°，拉伸速度：50mm/min，23℃、50％RH)。结果示于表1及表2。另外，根据JIS Z 0237测定各种剥离力。
(2)放射线固化后的剥离力
对于实施例1～7及比较例1～5所得的切割胶带，在23℃、50％RH的条件下，将其贴附于以#2000研磨的硅镜面晶圆的镜面上。在23℃、50％RH的条件下经过1小时后，从切割胶带背面照射200mJ/cm²的紫外线，测定使粘合剂层放射线固化后的剥离力(对硅镜面，剥离角度：90°，拉伸速度：分别为50mm/min及1000mm/min，23℃、50％RH)。另外，分别算出上述拉伸速度1000mm/min下的剥离力(ii)相对于拉伸速度50mm/min下的剥离力(i)的比((ii)/(i))。它们的结果示于表1及表2。
<拾取性>
对实施例1～7及比较例1～5所得的切割胶带，根据以下顺序进行试验，对拾取性进行评价。
(1)用双轴将8英寸的硅晶圆的背面磨削30μm后，磨削至硅晶圆的最终厚度成为50μm或300μm。磨削条件如下述。
(研磨条件)
研磨机：DISCO股份有限公司制，商品名“DFG-840”
1轴：#600研磨石(转速：4800rpm，下降速度：P1：3.0μm/sec，P2：2.0μm/sec)
双轴：#2000研磨石(转速：5500rpm，下降速度：P1：0.8μm/sec，P2：0.6μm/sec)
(2)在(1)的磨削结束后5分钟以内，将各例的切割胶带贴合在所 述(1)所得的半导体晶圆的磨削面上，并且固定于环框。
(3)使用切割装置，以下述切割条件，将(2)中固定于环框的半导体晶圆沿着设定的分割预定线进行全切割。
(切割条件1：硅晶圆300μm厚)
切片机：DISCO股份有限公司制，商品名“DFD-340”
刀片：DISCO股份有限公司制，商品名“27 HEEE”
刀片转速：40000rpm
切割速度：100mm/sec
切割深度：25μm
切割模式：下切
切割尺寸：5.0×5.0mm
(切割条件2：硅晶圆50μm厚)
切片机：DISCO股份有限公司制，商品名“DFD-340”
刀片：DISCO股份有限公司制，商品名“27 HECC”
刀片转速：40000rpm
切割速度：100mm/sec
切割深度：25μm
切割模式：下切
切割尺寸：15.0×10.0mm
(4)从贴合切割胶带后经过7天后，从切割胶带的基材树脂膜侧照射200mJ/cm²的紫外线，使粘合剂层固化后，使用拾取装置拾取单片化后的半导体芯片。以下述拾取条件拾取50个任意的半导体芯片，计算在不产生芯片破裂、芯片飞散而成功拾取的半导体芯片数，评价拾取成功率。其结果示于表1及表2。需要说明的是，拾取成功率为90％以上可判定为合格。
(拾取条件1：硅晶圆300μm厚)
芯片焊接机：CANON Mechinery股份有限公司制“CAP-300II”
针数：4根
针的间隔：3.8×3.8mm
针尖端曲率：0.25mm
针上推量：0.40mm
针上推速度：50mm/min
针上推保持时间：1000ms
(拾取条件2：硅晶圆50μm厚)
芯片焊接机：CANON Mechinery股份有限公司制“CAP-300II”
上推针数：4根
上推针的间隔：7.8×7.8mm
上推针尖端曲率：0.25mm
上推针上推量：0.40mm
上推针上推速度：800mm/min
上推针上推保持时间：100ms
<晶圆表面污染性>
利用XPS(X-ray Photoelectron Spectroscopy，X射线光电子光谱分析)，以下述测定条件测定上述拾取后的芯片的与切割胶带贴合的面，将来自切割胶带的污染物的碳增加量与未与切割胶带贴合的晶圆比较，以mol％算出。其结果示于表1及表2。碳增加量低于5mol％为优良品，以◎表示，5～低于10mol％为良品，以○表示，10～低于30mol％为可接受品，以△表示，30mol％以上为不良品，以×表示
(测定条件)
X射线源：MgKα
X射线：出射角45°
测定面积：1.1mmφ
[表1]

[表2]

如表1所示，在23℃、50％RH的条件下且剥离角度90度、剥离速度50mm/min时的、与以#2000研磨的硅镜面晶圆的剥离力在使所述粘合剂层放射线固化前为0.5N/25mm以上，在使所述粘合剂层放射线固化后为0.05～0.4N/25mm，且关于使所述粘合剂层放射线固化后的、在23℃、50％RH的条件下且剥离角度90度时的、与以#2000研磨的硅镜面晶圆的剥离力，在将在剥离速度50mm/min下的剥离力设为(i)、且将在1000mm/min下的剥离力设为(ii)时，(ii)/(i)为1以下的实施例1～7的切割胶带的拾取性在拾取条件1、2均获得良好的结果。即，可以良好地抑制薄型半导体芯片的芯片破裂、芯片飞散，可在短时间内效率良好地拾取。
与此相对，如表2所示，上述(ii)/(i)超过1的比较例1、2、4、5的切割胶带在拾取条件1下的拾取性虽为良好结果，但在拾取条件2下则成为拾取性差的结果。即，以往的厚度的半导体晶圆虽可没问题地拾取，但薄型的半导体晶圆以快的上推速度将针上推进行拾取时，成为粘合剂层与半导体芯片间的剥离力变大而产生芯片破裂的结果。另外，上述(ii)/(i)为1以下，但上述剥离速度50mm/min时的使粘合层放射线固化前的剥离力低于0.5N/25mm，使粘合剂层放射线固化后的剥离力低于0.05N/25mm的比较例3在拾取条件1、2下进行拾取时虽均不产生芯片破裂，但发生很多芯片飞散，所述芯片飞散是在拾取时使邻接的芯片飞散，故为拾取性差的结果。
需要说明的是，相对于丙烯酸聚合物(A)100质量份含多于30质量份的邻苯二甲酸酯类的比较例3与粘合剂的相容性差，与添加量为0.5～30质量份的情况相比，成为晶圆污染性稍差的结果。另外，添加了邻苯二甲酸二壬酯的实施例4与添加了其他邻苯二甲酸酯类的情况相比，成为相容性较差的结果，但实际使用上并无问题。添加了对水的溶解性超过0.1mg/L的邻苯二甲酸二丁酯的实施例5在切割时的切削水会将邻苯二甲酸二丁酯溶解，晶圆表面污染性变差，但为容许范围。
符号说明
1：切割胶带
2：基材树脂膜
3：粘合剂层
4：隔片
6：半导体晶圆
10：半导体芯片