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本发明涉及将不饱和单体接枝到含氟聚合物上的方法,包括:a)将含氟聚合物与不饱和单体熔体共混;b)将得自步骤a)的共混物制成薄膜、片、颗粒或粉末形式;c)在没有空气下,将得自步骤b)的产物曝光于115Mrad剂量的光子()或电子()辐射;及d)任选处理得自步骤c)的产物,以除去全部或部分没有接枝到含氟聚合物上的不饱和单体。本发明还涉及包含至少一层这些共混物和至少一层其它材料的结构。本发明还涉及这些结。