配线基板、电光学装置及其制造方法 【技术领域】
本发明涉及配线基板、电光学装置及其制造方法
背景技术
在电致发光面板中，为了区划相邻的发光层形成凸起。在凸起的下面，形成配线。当为了尽可能离开地配置2条配线，将它们配置在不同高度上多少偏移的位置上时，在其上形成的凸起成为左右非对称的。结果，因为凸起的倾斜成为左右非对称的，所以各发光层的膜厚变得不均匀。这种情况，不限于电致发光面板，也存在于具有形成用于区划多个功能层的凸起，在凸起下面通过多条配线的构造的装置中。
【发明内容】
本发明的目的是减少凸起的左右非对称性。
(1)与本发明有关的配线基板具有
基板、
设置在基板上方，用于区划多个区域的凸起、和
在上述凸起与上述基板之间形成的导电层和第1及第2配线，
上述凸起包含上面和夹着上述上面地一对侧面，
上述一对侧面对于上述基板倾斜对称的角度。如果根据本发明，则因为凸起成为左右对称的，所以能够在由凸起区划的区域中形成均匀的膜。(2)在该配线基板上，
上述第1配线形成在比上述第2配线更接近上述基板的位置上，使上述第1配线和第2配线在宽度方向上偏移地进行配置，
上述导电层形成在比上述第2配线更接近上述基板的位置上，使上述导电层和上述第2配线在宽度方向上偏移地进行配置，
使上述导电层和上述第1配线分别具有在相反的宽度方向上从上述第2配线露出的部分地进行配置。如果根据本发明，则因为从第2配线的两侧露出导电层和第1配线，所以能够减少其上的凸起的左右非对称性。
(3)在该配线基板上，
上述导电层从上述第2配线露出的长度与上述第1配线从上述第2配线露出的长度也可以相等。
(4)在该配线基板上，
也可以使上述第2配线，在上述一对侧面间的方向上，通过上述凸起的中央地形成。
(5)在该配线基板上，
上述凸起包含由无机材料构成的第1凸起部分和由有机材料构成的在上述第1凸起部分上面形成的第2凸起部分，
也可以使上述第2配线，在上述一对侧面间的方向上，通过上述第1和第2凸起部分的各自的中央地形成。
(6)在该配线基板上，也可以
在上述基板上形成凹部，
使上述导电层和上述第1配线配置在上述凹部内不超过上述基板表面的高度上。
(7)在该配线基板上，
上述导电层也可以是电容的一个电极。
(8)在该配线基板上，
上述第1和第2配线也可以分别是信号线和电源线。
(9)在该配线基板上，也可以
上述第1配线构成第1驱动电路的一部分，
上述导电层和上述第2配线构成第2驱动电路的一部分。
(10)与本发明有关的电光学装置包含
上述配线基板上、
配置在由上述配线基板的上述凸起区划的上述多个区域的各个区域中的功能层。
(11)电子设备也可以备有上述电光学装置。
(12)与本发明有关的电光学装置的制造方法包含能够作成上述配线基板、和
通过在由上述配线基板的上述凸起区划的上述多个区域的各个区域中配置包含功能层材料的液体材料形成功能层的步骤。
如果根据本发明，则因为凸起成为左右对称的，所以即便使用液体材料也能够形成均匀的功能层。
【附图说明】
图1是说明与本发明的实施形态有关的电光学装置的图。
图2是图1的II-II线的截面图。
图3是凸起的平面图。
图4是表示半导体膜的图。
图5是说明位于由多层构成的配线层的1个层中的配线图案的图。
图6是说明位于由多层构成的配线层的其它层中的配线图案的图。
图7是说明与本发明的实施形态有关的电光学装置的工作的电路图。
图8是说明与本发明的实施形态有关的电光学装置的变形例的图。
图9是表示与本发明的实施形态有关的电子设备的图。
图10是表示与本发明的实施形态有关的电子设备的图。
【具体实施方式】
下面，我们参照附图说明本发明的实施形态。
图1是说明与本发明的实施形态有关的电光学装置的图。图2是图1的II-II线的截面图。电光学装置1也可以是显示装置(例如显示面板)等的电光学装置和存储装置。图1所示的电光学装置1是有机EL(Electroluminescence(电致发光))装置(例如有机EL面板)。将配线基板(例如挠性面板))2安装在电光学装置1中，与电光学装置1电连接。在这种安装和电连接中，也可以使用各向异性导电膜和各向异性导电涂胶等的各向异性导电材料。所谓电连接也包含电接触。在下面的说明中也将这两者看作是相同的。在配线基板2上形成图中未画出的配线图案和端子。将集成电路芯片(或者半导体芯片)3安装在配线基板2上。集成电路芯片3也可以具有电源电路和控制电路等。在该安装中也可以应用TAB(TapeAutomated Bonding(带自动焊接))或COP(Chip On Film(在软片上的芯片))，这种包装形态也可以是TCP(Tape Carrier Package(带载体包装)。可以将具有安装了集成电路芯片3的配线基板2的电光学装置1称为电子模块(例如液晶模块和EL模块等的显示模块)。
电光学装置1具有基板10。基板10既可以是钢性基板(例如玻璃基板、硅基板)，也可以是挠性基板(例如软片基板)。基板10既可以具有光透过性，也可以具有遮光性。例如，也可以在底面发射(或背面发射)型的显示装置(例如有机EL面板)中，使用光透过性的基板10，从基板10一侧取出光。也可以在顶面发射型的有机EL面板中，使用遮光性基板10。此外，基板10不限定于平板形状，也可以是平板以外的形状，包含能够支持其它部件的元件。
基板10包含工作区域(例如显示区域)12。也可以在工作区域12中，形成多个(例如m行n列(例如矩阵状))的象素。在彩色显示装置上，1个彩色显示用象素也可以由多个子象素(R、G、B)构成。
也可以在基板10上设置1个或多个驱动电路(例如扫描驱动电路)14。驱动电路14驱动工作区域12中的工作(例如显示工作)。也可以将一对驱动电路14配置在邻接工作区域12的两个地方。也可以在基板10上设置辅助电路16。辅助电路16既可以是用于检查工作区域12中的工作(例如显示工作)是否正常的检查电路，也可以是用于增加工作区域12中的工作速度(显示速度)的预充电电路。驱动电路14和辅助电路16的至少一方，既可以是在基板10上使用多晶硅膜等形成的，也可以是安装在基板10上的集成电路芯片。此外，在基板10外部的集成电路芯片3也可以控制在工作区域12中的工作驱动。
在基板10上设置多个工作元件20。设置了多个工作元件20的区域是工作区域12。在1个象素(例如子象素)上设置1个工作元件20。如图2所示，多个工作元件20具有多个功能层22。多个功能层22也可以是多个发光色(例如红、绿、蓝)的多个发光层。这时，各个功能层22是任何一个发光色的发光层。构成作为功能层22的发光层的材料也可以是聚合体系材料或低分子系材料或复合地使用两者的材料中的任何一种。作为功能层22的发光层由于流过电流而发光。作为功能层22的发光层也可以与发光色相应，发光效率不同。此外，功能层22也可以通过配置包含功能层材料的液体材料(例如喷墨法等的液滴喷出法)形成。因为突起30左右对称，所以即便使用液体材料，也能够形成均匀厚度的多个功能层22。
工作元件20也可以具有第1和第2缓冲层24、26中的至少一方。第1缓冲层24既可以是使到功能层22的空穴注入稳定化的空穴注入层，也可以具有空穴注入层。第1缓冲层24也可以具有空穴输送层。也可以将空穴输送层设置在功能层22与空穴注入层之间。第2缓冲层26既可以是使到功能层22的电子注入稳定化的电子注入层，也可以具有电子注入层。第2缓冲层26也可以具有电子输送层。也可以将电子输送层设置在功能层22与电子注入层之间。
相邻的功能层22由突起30进行区划(电绝缘)。图3是凸起的平面图。凸起30区划多个功能层22。凸起30也可以形成格子状。使形成各个功能层22的区域下凹地形成凸起30。凸起30也可以由树脂形成。
凸起30包含上面31和夹着上面31的一对侧面33、35。如图2所示，一对侧面33、35对于基板10(例如它的表面)倾斜对称的角度。即，对于基板10(例如它的表面)，一对侧面33、35在上面31的一侧(凸起30的内部一侧)形成的角度α、β相等。
凸起30也可以包含第1凸起部分36。第1凸起部分36也可以由无机材料(例如，SIO2、SiNX)形成。第1凸起部分36也可以由多层(例如，为了连续地覆盖全部第2配线62而形成的层的一部分和设置在各个第2配线62上的层)形成。凸起30也可以包含在第1凸起部分36的上面形成的第2凸起部分38。第2凸起部分38也可以由有机材料(例如丙烯等的有机树脂)形成。
电光学装置1具有多个第1电极32。各个第1电极32是用于向任何一个工作元件20供给电能量的电极。第1电极32也可以与工作元件20(例如第1缓冲层24(例如空穴注入层))接触。
电光学装置1具有多个或1个第2电极34。第2电极34是用于向工作元件20供给电能量的电极。第2电极34也可以与工作元件20(例如第2缓冲层26(例如电子注入层))接触。第2电极34具有与第1电极32对置的部分。由多个第1电极32、多个或1个第2电极34构成的一对电极至少夹着多个功能层22中的各个功能层。也可以将第2电极34配置在第1电极32的上方。
也可以在基板10上形成半导体膜40。图4是半导体膜的平面图。半导体膜40也可以由半导体材料(例如硅)形成。半导体膜40也可以具有单晶、多晶或非晶质中的任何一种构造。半导体膜40也可以是用众所周知的低温(例如600℃以下)的工艺形成的，所谓的低温多晶硅膜或非晶硅膜。半导体膜40具有基极膜42。也可以使N型或P型的杂质扩散在基极膜42中。半导体膜40具有杂质扩散膜44。也可以将浓度比基极膜42高的杂质注入杂质扩散膜44。杂质扩散膜44形成在基极膜42的区域内。也可以通过将杂质注入包含成为基极膜42的部分和成为杂质扩散膜44的部分的前驱膜中形成杂质扩散膜44。杂质扩散膜44的至少一部分既可以成为MOS FET的源极或漏极，也可以成为电容88(请参照图7)等的电子部件的电极。
电光学装置1具有由多层构成的配线层。图5是说明位于由多层构成的配线层的1个层中的配线图案的图。配线图案50也可以通过绝缘层(例如，SIO2等的氧化膜)46(请参照图2)，形成在半导体膜40上。配线图案50包含导电层52。也可以使导电层52通过绝缘层46，与半导体膜(例如它的杂质扩散膜44)对置地形成。导电层52既可以是电连接多个地方的配线，也可以是电极(或端子)，也可以一部分是配线另一部分是电极。导电层52也可以是电容88(请参照图7)的一个电极。导电层52，如图2和图3所示，形成在凸起30的下面。导电层52形成在一对功能层22之间。在显示装置中导电层52形成在象素之间。
配线图案50包含第1配线54。第1配线54也可以与导电层52并列地延伸。第1配线54，如图2和图3所示，形成在凸起30的下面。使第1配线54通过一对功能层22之间地形成。在显示装置中，第1配线54通过象素之间。也可以使第1配线54与在它的长度方向相邻的第1配线54电连接，例如，构成用于驱动功能层22的信号线。又，在图7中第1配线54作为信号线表示出来，但是第1配线54也可以是用于驱动功能层22的扫描线或电源线。
图6是说明位于由多层构成的配线层的其它层中的配线图案的图。也可以在上述配线图案50上，通过绝缘层56(请参照图2)，形成配线图案60。配线图案60包含第2配线62。第2配线62，如图2和图3所示，形成在凸起30的下面。也可以使第2配线62在凸起30的一对侧面33、35之间的方向上通过凸起30的中央地形成。这时，凸起30从第2配线62到侧面33的方向上露出的长度(平面长度)与从第2配线62到侧面35的方向上露出的长度(平面长度)相等。进一步，既可以使第2配线62在凸起30的一对侧面33、35之间的方向上通过第1凸起部分36的中央地形成，也可以通过第2凸起部分38的中央地形成。这时，第1凸起部分36(或第2凸起部分38)从第2配线62到侧面33的方向上露出的长度(平面长度)与从第2配线62到侧面35的方向上露出的长度(平面长度)相等。
使第2配线62通过一对功能层22之间地形成。在显示装置中，第2配线62通过象素之间。第2配线62也可以是用于驱动功能层22的电源线。又，在图7中第2配线62作为电源线表示出来，但是第2配线62也可以是用于驱动功能层22的扫描线或电源线。配线图案60也可以具有在它的长度方向连接相邻的第1配线54的配线64。
如图2所示，导电层52和第1及第2配线54、62并列地形成在凸起30的下面。第1配线54构成相邻(夹着并列的导电层52和第1及第2配线54、62地相邻，以下相同)的功能层22、22的一方(例如第1功能层)的驱动电路的一部分，导电层52构成相邻的功能层22、22的另一方(例如第2功能层)的驱动电路的一部分。这时，第2配线62构成相邻的功能层22、22的另一方(例如第2功能层)的驱动电路的一部分。并列的导电层52和第2配线62构成同一功能层22的驱动电路的一部分。
导电层52形成在比第2配线62低(接近基板10)的位置上。第1配线54形成在比第2配线62低(接近基板10)的位置上。如图2和图3所示，使第1和第2配线54、62在宽度方向上偏移地进行配置。使导电层52和第2配线62在宽度方向上偏移地进行配置。使导电层52和第1配线54分别具有在相反的宽度方向上从第2配线62露出的部分地进行配置。导电层52从第2配线62露出的长度L1也可以与第1配线54从第2配线62露出的长度L2相等。
例如，当将第1和第2配线54、62都配置在图2中的右边时，第2配线62的右端高度与位于它的右邻的绝缘层56的高度之差变大，形成比第2配线62和绝缘层56上的绝缘膜大的凹凸。如果根据本实施形态，则通过使第1和第2配线54、62在宽度方向上偏移，使导电层52和第2配线62在宽度方向上偏移，能够使第1和第2配线54、62和导电层52上的绝缘膜的凹凸变小，结果，能够减少凸起30的左右非对称性。
又，如果根据本实施形态，则因为从第2配线62的两侧，露出导电层52和第1配线54，所以能够减少其上的凸起30的左右非对称性。结果，能够减少功能层22的膜厚的不均匀性。又，因为在导电层52的上方形成第2配线62，所以能够使第2配线62离开第1配线54。而且，能够使在第1和第2配线54、62之间形成的电容很小或者没有该电容。
如图1和图2所示，电光学装置1具有工作元件20的密封部件66。当工作元件20的至少一部分由于水分和氧气等容易恶化时，密封部件66能够保护工作元件20。
图7是说明与本发明的实施形态有关的电光学装置的工作的电路图。电光学装置1具有与图7所示的电路对应的元件。将该元件设置在每个工作元件20上。电路构成(元件的连接状态)如图7所示，我们省略对它的说明。在本实施形态中，向第1配线54供给信号电压Vdata。信号电压Vdata是与供给工作元件20的电流相应的信号。向第2配线62供给电源电压Vdd。将相互相反的选择信号输入到配线(扫描线)71、72。选择信号是高电位的H信号或低电位的L信号。
在编程期间，将H信号输入配线71，将L信号输入配线72。而且，使开关元件80处于ON(接通)，与第1和第2配线54、62之间的电位差相应，电流流过开关元件80、86。将与该电流相应的开关元件86的控制电压(开关元件86为MOS晶体管时的栅极电压)存储在电容88中。此外，电容88，如图5所示，包含导电层52、杂质扩散膜44和两者间的绝缘层46。
在工作期间(例如发光期间)，将L信号输入配线71，将H信号输入配线72。而且，使开关元件80、84处于OFF(断开)，开关元件82处于ON，结果，在编程期间，由与存储在电容88中的电荷相应的控制电压(开关元件86为MOS晶体管时的栅极电压)控制开关元件86(例如使它处于ON)，与控制电压相应的电流从第2配线62通过开关元件86、82，流过工作元件20(或功能层22)。
图8是说明与本发明的实施形态有关的电光学装置的变形例的图。在该变形例中，在基板10上形成凹部(或刻入部分)112。凹部112能够通过刻蚀形成。在凹部112内形成导电层52和第1配线54。也可以在不超过基板110的表面的高度上(例如比凹部112的深度薄)形成导电层52和第1配线54。又，也在凹部112内形成半导体膜40。也在凹部112的内面上形成绝缘膜46。
也可以用绝缘膜156覆盖导电层52和第1配线54。为了在凹部112中埋住导电层52和第1配线54周围的空间地形成绝缘膜156。绝缘膜156也可以覆盖导电层52和第1配线54。这时，绝缘膜156的上面也可以是与基板110或其上的绝缘膜46的表面的同一个面。通过这样做，与导电层52和第1配线54的形状(对于凸起30左右非对称的形状)无关，能够使凸起30形成左右对称的形状。
其它的内容与上述实施形态中说明的内容相当。如果根据图8的变形例，则因为在凹部112内形成导电层52和第1配线54，所以可以使装置薄型化。作为别的变形例，如果绝缘膜156的上面是与基板110或其上的绝缘膜46的表面的同一个面，则能够使工作元件20与导电层52和第1配线54的至少一部分重合。因为能够使工作元件20的占有面积比图2情形大，所以能够实现高亮度的电光学装置。
作为具有与本发明的实施形态有关的电光学装置的电子设备，在图9中表示了节点型个人计算机1000，在图10中表示了便携式电话2000。
本发明不限定于上述实施形态，可以进行种种变形。例如，本发明包含与实施形态中说明的构成实质上相同的构成(例如，功能、方法和结果相同的构成，或目的和结果相同的构成)。又，本发明包含置换实施形态中说明的构成的非本质的部分的构成。又，本发明包含起着与实施形态中说明的构成相同的作用效果的构成或能够达到相同目的的构成。又本发明包含在实施形态中说明的构成中附加众所周知的技术的构成。