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1、(10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 201310389762.0(22)申请日 2013.08.30C09K 3/14(2006.01)(71)申请人周俊地址 213200 江苏省常州市金坛市金城镇城北小区35幢102室(72)发明人周俊(54) 发明名称一种半导体硅晶片研磨液(57) 摘要本发明涉及研磨液的技术领域，具体地说是一种半导体硅晶片研磨液。该研磨液所述材料按重量百分比组成：分子量200-10000聚乙二醇20-40%，氢氧化钠5-10%，氢氧化钾5-10%，甘油1-5%，聚氧乙烯醚5-7%，脂肪醇聚氧乙稀醚0.1-1%，多羟多胺类有机碱10-20%，余量为去离子。
2、水。本发明的目的是在于提供一种易于清洗，研磨性能好的半导体硅晶片研磨液。(51)Int.Cl.(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请权利要求书1页 说明书2页(10)申请公布号 CN 104419377 A(43)申请公布日 2015.03.18CN 104419377 A1/1页21.一种半导体硅晶片研磨液，其特征在于，所述材料按重量百分比组成：分子量200-10000聚乙二醇20-40%，氢氧化钠5-10%，氢氧化钾5-10%，甘油1-5%，聚氧乙烯醚5-7%，脂肪醇聚氧乙稀醚0.1-1%，多羟多胺类有机碱10-20%，余量为去离子水。权 利 要 求 书CN 104419。
3、377 A1/2页3一种半导体硅晶片研磨液技术领域0001 本发明涉及研磨液的技术领域，具体地说是一种半导体硅晶片研磨液。背景技术0002 研磨是在硅晶体切片后，对硅晶片表面的第一次机械加工。研磨硅晶片的目的是去除硅晶片表面的切片刀痕和凹凸不平，使表面加工损伤平整均匀，在化学腐蚀过程中，其表面腐蚀速率即可均匀一致。使用研磨机研磨被加工的单晶硅、多晶硅和其它化合物半导体材料的晶片时，一般采用中性或弱酸性的研磨液，研磨液的组分一般包括润滑剂、分散剂等。目前用于硅晶片的研磨液，大多采用美国生产的多氨19-C磨削液。多氨19-C磨削液是一种白色微有刺激性气味的悬浮状液体，呈弱碱性，其优点是：有非常高的。
4、稀释能力、很强的悬浮特性且具有生物降解能力；其缺点是：粘度大、表面吸附比严重、不容易清洗，常导致磨片清洗后表面出现花斑，不仅对下道工序加工带来困难，而且会直接影响磨片的成品率；此外多氨19-C磨削液价格昂贵，使加工成本大大提高。因此，如何既要提高研磨液性能，又能减少硅粉、磨料等粒子和金属离子在晶片表面的吸附使其易于清洗，是当前研磨中急需解决的问题之一。发明内容0003 本发明的目的是在于提供一种易于清洗，研磨性能好的半导体硅晶片研磨液。0004 本发明采用的技术方案是，一种半导体硅晶片研磨液，所述材料按重量百分比组成：分子量200-10000聚乙二醇20-40%，氢氧化钠5-10%，氢氧化钾5。
5、-10%，甘油1-5%，聚氧乙烯醚5-7%，脂肪醇聚氧乙稀醚0.1-1%，多羟多胺类有机碱10-20%，余量为去离子水。0005 本发明的优点是具有良好的研磨性能，研磨后便于清洗。具体实施方式0006 本发明结合以下实施例作进一步描述。0007 实施例1，一种半导体硅晶片研磨液，所述材料按重量百分比组成：分子量200-10000聚乙二醇20%，氢氧化钠10%，氢氧化钾5%，甘油5%，聚氧乙烯醚5%，脂肪醇聚氧乙稀醚1%，多羟多胺类有机碱10%，余量为去离子水。0008 实施例2，一种半导体硅晶片研磨液，所述材料按重量百分比组成：分子量200-10000聚乙二醇40%，氢氧化钠5%，氢氧化钾10。
6、%，甘油1%，聚氧乙烯醚7%，脂肪醇聚氧乙稀醚0.1%，多羟多胺类有机碱20%，余量为去离子水。0009 实施例3，一种半导体硅晶片研磨液，所述材料按重量百分比组成：分子量200-10000聚乙二醇30%，氢氧化钠7%，氢氧化钾8%，甘油3%，聚氧乙烯醚6%，脂肪醇聚氧乙稀醚0.6%，多羟多胺类有机碱15%，余量为去离子水。0010 应理解，该实施例仅用于说明本发明而不用于限制本发明的范围。此外，应理解，在阅读了本发明讲授的内容之后，本领域技术人员可以对本发明作各种改动或修改，这些说 明 书CN 104419377 A2/2页4等价形式同样落于本申请所附权利要求书所限定的保护范围之内。说 明 书CN 104419377 A。