有机电致发光显示器及其制造方法.pdf

本发明公开一种具有位于阴极触点和密封接合区域上的辅助层以便容易地去除结的聚合物有机层的有机电致发光显示器及其制造方法。该有机电致发光显示器具有形成在下部绝缘衬底上的第一电极；被形成用来使得第一电极的某些部分开口在下部绝缘衬底的整个表面上的像素定义层；形成在第一电极的开口上的有机发射层；形成在有机发射层上的第二电极；用于密封第一电极、有机发射层和第二电极的顶部衬底；以及形成在下部绝缘衬底的阴极触点和密封接合区域上的辅助层。

1.  一种有机电致发光显示器，包括：
第一电极，形成在下部绝缘衬底上；
辅助层，形成在远离该下部绝缘衬底的形成第一电极的部分的下部绝缘衬底的边缘部分上；
像素定义层，被设置成仅覆盖第一电极的部分顶表面；
有机层，设置在第一电极的顶表面的露出部分和像素定义层上，而未设置在所述辅助层上；
第二电极，形成在该有机层上；以及
顶部衬底，被设置成密封第一电极、有机层和第二电极。

2.  如权利要求1所述的显示器，其中所述辅助层用于辅助去除在显示器边缘部分中的辅助层上形成的有机层部分。

3.  如权利要求1所述的显示器，其中所述辅助层包括选自由铟锡氧化物、铟锌氧化物和铟铯氧化物组成的组中的一种材料。

4.  如权利要求1所述的显示器，所述辅助层由选自由丙烯酸光致抗蚀剂和聚酰亚胺组成的组中的一种材料构成，所述像素定义层由与构成辅助层的材料相同的材料构成。

5.  如权利要求1所述的显示器，所述辅助层由对于用于从所述辅助层去除有机层的波长而言具有比有机层的吸收比高的吸收比的材料构成。

6.  如权利要求1所述的显示器，所述辅助层由与有机层相比要求更高的激光能量来去除的材料构成。

7.  一种制造有机电致发光显示器的方法，包括：
在下部绝缘衬底上形成第一电极；
仅在部分第一电极上形成像素定义层而露出部分第一电极；
在像素区域外的下部绝缘衬底的阴极触点和密封接合区域上的下部绝缘衬底上形成辅助层；
在像素定义层、第一电极的露出部分以及辅助层上形成有机层；
去除设置在辅助层上的有机层部分；
在残留的有机层部分上形成第二电极；以及
利用顶部衬底密封第一电极、有机层和第二电极。

8.  如权利要求7所述的方法，所述辅助层有助于辅助层顶上的有机层部分的去除。

9.  如权利要求7所述的方法，所述辅助层由选自于由铟锡氧化物、铟锌氧化物和铟铯氧化物组成的组中的一种材料组成，所述辅助层与第一电极同时形成。

10.  如权利要求7所述的方法，所述辅助层由选自于由丙烯酸光致抗蚀剂和聚酰亚胺组成的组中的一种材料构成，所述辅助层与像素定义层同时形成。

11.  如权利要求7所述的方法，所述辅助层由对于用于从所述辅助层去除有机层的波长而言具有比有机层的吸收比高的吸收比的材料构成。

12.  如权利要求7所述的方法，所述辅助层由与有机层相比要求更高的激光能量密度来去除的材料构成。

13.  如权利要求7所述的方法，其中去除有机层的步骤使用激光来去除设置在辅助层上的有机层。

14.  如权利要求13所述的方法，其中用于去除设置在辅助层上的有机层的激光的能量密度至少为50mJ/cm²。

15.  如权利要求14所述的方法，其中用于去除设置在辅助层上的有机层的激光的能量密度至少为125mJ/cm²。

16.  一种有机电致发光显示器，包括：
下部绝缘衬底，TFT和发光元件形成在其上；
顶部衬底，附着到下部绝缘衬底上；
密封接合区域，用于通过密封剂密封并附着顶部衬底到下部绝缘衬底上；以及
反射板，设置在顶部衬底和下部绝缘衬底的任意一侧的密封接合区域中。

17.  如权利要求16所述的显示器，反射板形成在顶部衬底和下部绝缘衬底之一的内侧上，反射板面对顶部衬底和下部绝缘衬底的另一侧。

18.  如权利要求16所述的显示器，反射板形成在顶部衬底和下部绝缘衬底之一的外侧上。

19.  如权利要求16所述的显示器，密封剂为光固化密封剂。

20.  如权利要求19所述的显示器，密封剂为通过暴露于可见范围或紫外线范围的光而固化的光固化密封剂。

21.  如权利要求16所述的显示器，反射板包括沉积在顶部衬底和下部绝缘衬底的任意一侧上的金属薄层。

22.  如权利要求16所述的显示器，反射板包括附着到顶部衬底和下部绝缘衬底之一的外侧上的镜子。

23.  如权利要求16所述的显示器，其中从反射板到与反射板相对的最近的衬底表面的距离被设计成使得从反射板反射的固化光与入射到反射板的固化光干涉。

24.  一种有机电致发光显示器，包括：
下部绝缘衬底，TFT和发光元件形成在其上；
顶部衬底，被粘结到下部绝缘衬底上；
密封接合区域，用于通过密封剂密封顶部衬底到下部绝缘衬底上；以及
波导，设置在顶部衬底和下部绝缘衬底之一或两者的内侧上的密封接合区域中。

25.  如权利要求24所述的显示器，其中波导为起伏。

26.  如权利要求24所述的显示器，其中波导为凸透镜。

27.  如权利要求24所述的显示器，其中波导形成在顶部衬底和下部绝缘衬底上。

28.  如权利要求24所述的显示器，其中密封接合区域与设置TFT和发光元件的区域分开。

29.  如权利要求24所述的显示器，其中波导由具有透明性质的材料组成。

30.  如权利要求29所述的显示器，其中波导由选自于由SiO₂和SiN_x组成的组中的一种材料构成。

31.  一种有机电致发光显示器，包括：
下部绝缘衬底，像素部分设置在其上；
顶部衬底，设置在下部绝缘衬底上；以及
密封材料，设置在顶部衬底和下部绝缘衬底之间并用于将顶部衬底密封到下部绝缘衬底上，其中金属层设置在下部绝缘衬底和密封材料之间。

32.  如权利要求31所述的显示器，其中密封材料沿所述两个衬底的周边形成，并且未形成在显示器的像素部分中。

33.  如权利要求32所述的显示器，其中金属层与密封材料共同延伸地形成并且为闭合多边形的形状。

34.  如权利要求32所述的显示器，其中金属层以分离的未连接的单个的形式不连续地形成在显示器的周边附近并沿着密封材料。

35.  如权利要求31所述的显示器，金属层包括选自由Al、Mo、Ti、Ag、Mg和包含Al、Mo、Ti、Ag、Mg中的至少一种的合金组成的组中的一种材料。

36.  如权利要求31所述的显示器，其中密封材料的总表面积的至少25％与所述金属层接触。

37.  一种有机电致发光显示器，包括：
下部绝缘衬底，像素部分设置在其上；
顶部衬底，设置在下部绝缘衬底上；
密封材料，设置在顶部衬底和下部绝缘衬底之间，该密封材料用于将顶部衬底附着到下部绝缘衬底上；以及
反射板，设置在下部绝缘衬底和密封材料之间。

38.  如权利要求37所述的显示器，密封材料沿衬底的周边设置在像素部分之外。

39.  如权利要求38所述的显示器，其中反射板被设置成与密封材料共同延伸并为闭合的多边形形状。

40.  如权利要求38所述的显示器，反射板为多个沿密封材料设置的分离的未连接的部分。

41.  如权利要求37所述的显示器，密封材料的外表面的至少25％与反射板接触。

42.  如权利要求37所述的显示器，反射板由金属组成。

43.  如权利要求42所述的显示器，所述金属选自由Al、Mo、Ti、Ag、Mg和包含Al、Mo、Ti、Ag、Mg中的至少一种的合金组成的组中。

44.  一种有机电致发光显示器，包括：
下部绝缘衬底，TFT和发光元件形成在其上；
顶部衬底，被粘结到下部绝缘衬底上；
密封接合区域，包围TFT和发光元件并位于TFT和发光元件之外，该密封接合区域用于通过密封剂附着项部衬底到下部绝缘衬底上；以及
辅助层，设置显示器的密封接合区域中。

45.  如权利要求44所述的显示器，其中辅助层设置在选自由顶部衬底和下部绝缘衬底组成的组中的一层上。

46.  如权利要求44所述的显示器，其中辅助层设置在顶部衬底和下部绝缘衬底之一的外侧上。

47.  如权利要求44所述的显示器，其中辅助层为反射板。

48.  如权利要求44所述的显示器，其中辅助层用于辅助通过激光去除沉积在辅助层上的有机层。

有机电致发光显示器及其制造方法
技术领域
本发明涉及有机电致发光显示器及其制造方法，更具体地涉及具有密封接合区域的辅助层的有机电致发光显示器及其制造方法。
背景技术
通常，有机电致发光显示器为能够通过电激发荧光或磷光有机化合物而发光的发射型显示器，而且磷光有机化合物可以通过低电压驱动并具有薄的成形系数(form-factor)、宽视角和快的响应速度，使得电致发光显示器可以解决已在液晶显示器中发现的问题。因此，电致发光显示器作为下一代显示器引起关注。
这种有机电致发光显示器具有如下一种结构：具有有机发光二极管(OLED)，包括至少具有发射层(EML)的有机层；阳极；以及阴极，其中具有预定图形的有机层形成在玻璃或其它透明绝缘衬底上，而阳极和阴极形成在有机层的顶部和下部用于施加驱动电压到有机层。有机层由有机化合物构成。
在具有上述基本结构的有机电致发光显示器中，作为阳极电极和阴极电极，电压被施加到这些电极上，从施加有阳极电极电压的电极注入的空穴通过空穴传输层(HTL)被传输到发射层(EML)，而从施加有阴极电极电压的电极注入的电子通过电子传输层(ETL)被传输到发射层(EML)。随后电子和空穴在发射层(EML)中被重新组合以产生激子，并且激子随后从激发态变化到基态，由此发射发射层(EML)的有机物质并显示所需的图像。
在上述有机电致发光显示器中，当使用聚合物材料作为有机层时，有机层通常利用旋涂形成在衬底上。然而，当利用旋涂形成有机层时，有机层也形成在除像素部分以外的区域中。因此，密封接合区域的有机层需要被去除以密封有机电致发光显示器的内部结构。
在现有技术中，进行使用有机溶剂的清洗工艺以去除密封接合区域的有机层，但是，该工艺具有非常低的精确度并且有机溶剂经常渗入像素部分，使得损坏像素部分的可能性大。
为了解决上述问题，已公开了一种使用激光的方法，以便从衬底去除掉包括有机发射材料的外来物质。根据韩国公开的专利申请第2000-0036020号，公开了一种使用激光去除外来物质的方法。该方法通过直接在衬底表面上辐照紫外激光来去除衬底上的有机或无机外来物质。
对于现有技术中的衬底，金属布线和钝化层通常沉积在密封接合区域中的玻璃衬底上。但是，钝化层的激光能量吸收比小，使得有机层不容易通过使用激光被去除掉。
发明内容
因此，本发明的一个目的在于提供一种用于电致发光显示器的改进设计。
本发明的另一目的在于提供一种制作电致发光显示器的新方法。
本发明的另一目的在于提供一种电致发光显示器的新结构，其允许更容易地使用激光选择性地去除有机发射层。
本发明的另一目的在于提供一种制作电致发光显示器的新方法，其更有效地使用激光选择性地去除不要的材料而没有破坏电致发光显示器的其它部分。
本发明的另一目的在于提供一种电致发光显示器的新结构，其允许密封剂通过紫外光被有效地固化，同时防止电致发光显示器的其它部件被固化紫外光损伤。
本发明的另一目的在于提供一种制作电致发光显示器的新方法，其允许衬底之间和电极之间的密封剂通过紫外光被有效地密封，而显示器的其它部分不会由于暴露于固化紫外光而被损坏。
这些和其它目的可以通过有机电致发光显示器实现，该有机电致发光显示器具有形成在下部绝缘衬底上的第一电极；像素定义层，被形成得使阳极电极的某些部分开口在下部绝缘衬底的整个表面上方；形成在阳极电极的开口上的有机层；形成在有机层上的第二电极；用于密封阳极电极、有机层和阴极电极的上部衬底；以及形成在阴极触点和下部绝缘衬底的密封接合区域上的辅助层。该有机层沉积在第一电极和辅助层上。利用激光该有机层被选择性地从辅助层上去除掉。精心地选择辅助层的材料使得有机层可以采用相对小的激光量从辅助层上去除。
本发明还包括用于制作具有辅助层并使用激光通过激光烧蚀从辅助层去除有机层的方法。
本发明单独地提供一种有机电致发光显示器的新结构。该新显示器由通过可紫外光固化的密封剂彼此粘接的顶部和下部衬底组成。该密封剂被置于密封区域中的像素区域周围。反射板邻近密封剂设置。该反射板用于反射紫外光使得需要较少的光来固化密封剂。较少的光或更有效地使用紫外光意味着电致发光显示器的其它部件不会由于暴露于过量的紫外光而恶化或损坏。所述密封剂和反射板可以用于有源或者无源矩阵像素结构中。如替代反射板，可以邻近密封剂使用波导。
本发明还涉及一种制作电致发光显示器的上述结构地方法，包括使用反射板和/或波导以及紫外固化步骤。
附图说明
通过参考以下的详细描述及附图，本发明的更全面的评价及其附带的许多优点将变得明显并可以更好地被理解，在附图中相似的附图标记表示相同或相似的部件，其中：
图1为经验性地示出未在有机层下方使用辅助层的情况下激光能量使用与有机层的去除之间的关系的曲线图；
图2为用于解释有机电致发光显示器的平面图；
图3为显示根据本发明前三个实施例的有机电致发光显示器的平面图；
图4A至4D为示出制作根据本发明第一实施例的图3中的显示器的工艺的剖视图；
图5为经验性地示出当根据本发明有机层形成在辅助层上方时激光能量使用与有机层的去除之间的关系的曲线图；
图6A为显示根据本发明第四实施例的有机电致发光显示器的放大透视图；
图6B为沿I-I’截取的图6A中的显示器的剖视图；
图7为示出根据本发明第四实施例的用于有源矩阵像素的像素区域和密封接合区域的视图；
图8为根据本发明第四实施例的密封接合区域的剖视图，其中反射板位于下部绝缘衬底的内侧上；
图9和10为用于解释根据本发明第四实施例的与密封剂和像素区域面对面的反射板的设置的平面图；
图11示出了根据本发明第五实施例的密封接合区域的剖视图，其中反射板位于顶部衬底的内侧上；
图12示出了根据本发明第六实施例的密封接合区域的剖视图，其中反射板位于下部绝缘衬底的外侧上；
图13示出了根据本发明第七实施例的密封接合区域的剖视图，其中反射板位于顶部衬底的外侧上；
图14A和14B示出了根据本发明第八实施例的密封接合区域的剖视图，其中波导位于下部绝缘衬底的内侧上；
图15A和15B示出了根据本发明第九实施例的密封接合区域的剖视图，其中波导位于顶部衬底的内侧上；以及
图16A和16B示出了根据本发明第十实施例的密封接合区域的剖视图，其中具有两个波导，一个位于顶部衬底的内表面上，另一个位于下部绝缘衬底的内表面上。
具体实施方式
现在参照图1，图1示出了根据所施加的激光脉冲数以及每个脉冲的能量的所去除的外来物质的厚度的经验结果。如图1所示，随着激光脉冲数增加，所去除的外来物质的厚度不是随着所施加的激光脉冲数线性地增加。例如，随着残留的有机层的厚度变薄，每一个额外的激光脉冲的去除速率下降，使得需要大的能量和大量的激光脉冲来彻底地去除残留的物质。由于需要高能量的大量激光脉冲来彻底地去除外来物质，在外来物质的去除工艺中激光可能造成对衬底的损伤。
除了利用激光去除外来物质，在现有技术的有机电致发光显示器中，密封剂被用来将多个衬底连接起来。通过该密封剂顶部衬底被粘接到下部绝缘衬底上。该密封剂也用于密封有机电致发光元件并且在决定有机电致发光元件的使用寿命、效率等方面起到作用。
有机电致发光元件主要分为实际上发射光的内部像素部分和用于连接驱动该像素部分的外部驱动集成电路的垫部分，其中驱动部分和垫部分利用由不透明的金属连接以使电阻最小。在这种情况下，进行使用密封剂的密封工艺以防止来自显示器外部的潮气和空气与有机电致发光元件接触并使其损坏。该密封剂通常通过暴露于光而固化，特别是暴露于紫外光。然而，当下部绝缘衬底被附着到顶部衬底并使用紫外线固化密封剂被顶部衬底密封时，需要更多的时间使用紫外光固化该密封剂。由于需要大量的紫外光来固化密封剂，所以紫外光可能由于使部件过热或者由于在显示器中造成不想要的化学反应而损坏显示器的其它部分。如果为了防止显示器的其它部件损坏而降低用于固化的紫外光的量，那么由于密封剂未能充分地暴露于用于完全固化的紫外光，密封剂将不会被完全固化。
现在参照图2，图2示出了现有技术的有机电致发光显示器(韩国公开专利申请第2000-0036020号的图5)。现在将描述用于形成图2中的显示器的工艺。多个由透光材料制成的第一电极3以任意图形形成在下部绝缘衬底1的一个表面上，例如条形。下部绝缘衬底1由电气绝缘并且透光的材料制成。绝缘层5形成在第一电极3上，多个第二电极7以条形图案沿垂直第一电极3的方向形成在绝缘层5上。
在这种情况下，有机电致发光显示器的像素部分位于第一电极3和第二电极7彼此交叉处。在第二电极7和第一电极3彼此交叉处，在这些交叉区域中不存在绝缘层5。相反，薄的有机层沉积在这些交叉区域中。有机发射材料(在图2中未示出)在所述交叉区域中还与第一电极3和第二电极7电连接。
在这种情况下，顶部衬底9(在图2中未示出)沉积在下部衬底1的上方，而下部衬底1和顶部衬底9利用图2中未示出的密封剂彼此粘接，使得形成图2中的有机电致发光显示器。
根据图2中的上述结构，第一电极3和第二电极7的某些部分露在衬底1和9外，使得电极3和7与例如FPC(柔性印刷电路11)的电路驱动元件电连接。电路11通过热压等方法将外部设备电连接到有机电致发光显示器。
然而，在具有上述结构的有机电致发光显示器中，当下部衬底1和顶部衬底9被密封在一起时不恰当地进行涂敷并固化密封剂的工艺，由此降低产品的使用寿命和可靠性。在典型的现有技术中，沿如上所述的下部衬底1的周边涂敷密封材料并且顶部衬底9被安装在其上，而且从下部衬底1的后表面辐照紫外线进而固化该密封材料，使得下部衬底1和顶部衬底9粘接起来。
当紫外线辐照位于显示器的暴露在衬底1和9上的第一和第二电极3和7外的部分中的密封材料时，由于紫外光未被电极层3和7阻挡或阻碍，所以密封材料在没有任何明显问题状况下被固化。然而，当紫外线辐照位于显示器的存在电极层3和7的条形图形的部分(图2中的左上方)中的密封材料时，电极层3和7的存在阻碍了紫外线有效地到达衬底1和9之间的密封剂，从而需要更多的脉冲和/或更高能量的脉冲来完全固化显示器的这些区域中的密封剂。如果通过充分地暴露于紫外光没有恰当地固化密封剂，空气和潮气随后将通过密封剂渗入反射层，造成显示器的损坏。
本发明具有10个实施例。前三个实施例集中在辅助层的结构及其制作方法。与不存在辅助层的情况相比，位于辅助层顶上的有机层更容易通过暴露于激光而被去除。
第一实施例
现在参照图3，图3为示出根据本发明第一实施例的有机电致发光显示器的平面图，而图4A至4D为示出制作根据本发明一实施例的图3中的有机电致发光显示器的工艺的剖视图。
参照图4A，第一电极(或者阳极电极)110沉积在衬底(或者下部衬底)100上。第一电极由透明并且导电的材料制成，例如ITO(铟锡氧化物)、IZO(铟锌氧化物)或ICO(铟铯氧化物)。这种透明的第一电极材料被沉积并图形化在下部绝缘衬底上，并且透明的阳极电极，换言之，第一电极110形成在像素区域中。下部衬底100可以是由例如玻璃的电气绝缘材料制成的透明衬底。
在第一实施例中，辅助层120和130由与第一电极110相同的材料制成。因此，在第一电极110被沉积并图形化在下部衬底100上的同时，辅助层120和130被沉积并图形化在下部衬底100上。辅助层120形成在阴极触点A处，而辅助层130形成在密封接合区域B处。
在密封接合区域B上形成辅助层130、在阴极触点A上形成辅助层120以及形成像素部分的阳极110之后，像素定义层140被沉积并图形化在第一电极110上，覆盖部分第一电极110并露出第一电极的顶表面的其它区域。像素定义层140最好为无机材料和例如丙烯酸光致抗蚀剂或聚酰亚胺的聚合物。
接着，有机层150被沉积以便覆盖像素定义层140、第一电极110的露出部分、辅助层120和130，并位于下部衬底100的露出部分上。有机层150最好采用旋涂来形成。有机发射层150最好至少包括发射层(EML)并具有至少由空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、发射层(EML)、电子传输层(ETL)以及电子注入层(EIL)组成的多层结构。
现在参照图4B，在形成有机层150之后，衬底的阴极触点A和密封接合区域B上方的辅助层120和130上的有机层被去除。选择性地从去除辅助层120和130上去除有机层150的工艺最好通过采用来自激光器的光脉冲曝光有机层150的这些部分来完成。这种使用激光去除有机层150的工艺称为激光烧蚀。此外，激光器的类型根据光源的材料可以选自于从UV激光器(准分子激光器、Nd：YAG激光器等)至IR激光器(Nd：YAG激光器、CO2激光器等)。
在从辅助层120和130的顶上去除有机层之后，随后导电材料被沉积并图形化在该结构上以形成第二电极或阴极电极160。阴极电极160通过使用具有低功函数的例如Al、Mg、Ag、Ca的金属电极起到将电子传输到有机层150的电子传输层的作用。
现在参照图4C和4D，在形成阴极电极160后，顶部衬底180使用密封粘结剂170被附着到电致发光显示器的顶部。密封粘结剂被形成在位于下部衬底100上的辅助层130上。因此，密封粘结剂170形成在电致发光显示器的周边附近并包围像素区域。
参照图5，图5为经验性地示出根据激光脉冲数和每个脉冲的能量强度而去除的有机层150的数量。图5为有机层150被辅助层120和130支撑的情况。将图5与图1比较，图1示出了当有机层150不是位于辅助层顶上时有机层的去除厚度。在通过使用辅助层120和130去除衬底100上的外来物质的方法中，其中外来物质为位于辅助层120/130顶上的有机层，由于当有机层被辅助层120和130支撑时需要较少的脉冲和较低的强度来去除有机层，所以有机层更容易被去除。可以理解的是，除了有机层，其它材料也可以利用激光加以去除。因此，在本说明书中，外来物质包括有机层，但不仅限于此。较少的脉冲和较低的脉冲强度意味着电致发光显示器的其它部分在使用辅助层120和130时(图5)比不使用它们时(图1)承受较少的损伤。
图5示出了如果有机层被辅助层120和130支撑时能量强度为75J/cm²的12个脉冲可以去除整个有机层。相比而言，当有机层未被辅助层支撑时需要能量强度为100J/cm²的25个脉冲。由于存在辅助层120和130允许使用具有较小的强度的较少的脉冲来去除有机层，所以当辅助层120和130被结合到设计中时，电致发光显示器的其它部分承受较少的损伤。
更优选地，通过辐照具有小于125J/cm²的能量强度的激光可以使去除深度最大化。也就是说，当通过使用辅助层和激光来去除有机层时，去除有机层所需的能量小。
第二实施例
根据第二实施例的有机电致发光显示器具有与第一实施例相似的结构，除了用于辅助层120和130的材料不同之外。在第二实施例中，用于辅助层120和130中的材料与像素定义层140中使用的材料相同。因此，可以同时形成像素定义层140和辅助层120和130。像素定义层和辅助层被同时沉积，而像素定义层140和辅助层120和130的图形化和蚀刻在单独的步骤中完成。如前所述，像素定义层140最好为无机材料和例如丙烯酸光致抗蚀剂或聚酰亚胺的聚合物。通过具有由与像素定义层140相同的材料制成的辅助层120和130，去除有机层所需的脉冲数和每个脉冲的能量强度比不存在辅助层的图1的情况减小。
第三实施例
根据第三实施例的有机电致发光显示器具有与第一实施例相似的结构，除了用于去除有机层150的辅助层120和130通过使用对于用于去除有机层的激光波长而言比有机层150具有更高的激光能量吸收比的材料来形成之外。
也就是说，在形成第一实施例中的像素定义层140之后，通过沉积和图形化对于用于去除工艺的激光波长而言具有更高激光能量吸收比的材料而在阴极触点A和密封接合区域B上形成辅助层120和130。
第三实施例并不必须与第一或第二实施例不同。例如，使用ITO、IZO或ICO可以造成具有比有机层高的激光吸收的辅助层，因而辅助层120和130仍然可以与第一电极110同时制成。此外，使用丙烯酸光致抗蚀剂或聚酰亚胺作为辅助层120和130可以具有比有机发射层150高的吸收，因而辅助层120和130可以与像素定义层140同时制成。
现在将讨论第四至第十实施例。在这些实施例中，焦点集中在用于将顶部衬底固定到底部衬底上的可紫外固化的密封剂。反射板和/或波导被邻近该密封剂设置，使得该密封剂可以采用比不使用反射板或波导的情况少的紫外光来固化。因此，通过使用较少的紫外光来固化，电致发光显示器的其余部分遭受较少的紫外辐照，因而导致较少的损伤。
第四实施例
现在参照图6A和6B，图6A为示出根据本发明第四实施例的有机电致发光显示器的放大透视图，而图6B为沿图6A的I-I’截取的剖视图。参照图6A和6B，本发明第四实施例的有机电致发光显示器具有以下一种结构：具有像素部分的下部绝缘衬底200在密封接合区域被粘结到顶部衬底320上，多个像素位于像素部分中。也就是说，在本发明的有机电致发光显示器中，像素部分形成在透明下部绝缘衬底200的顶侧面上，而且可以形成在有机电致发光显示器的典型结构中。第四实施例可以为使用薄膜晶体管或TFT的无源矩阵或者有源矩阵。
例如，当有机电致发光显示器L形成为无源矩阵(PM)类型时，像素部分由分别对应于阳极和阴极电极的电极层组成，并且具有发射层的有机层设置在对应于阳极层和阴极层彼此交叉的公共位置的位置处。当有机电致发光显示器形成为有源矩阵(AM)类型时，像素部分还可以包括薄膜晶体管TFT。但是，本发明的第四实施例可以用于具有像素部分的任何结构，例如现在将结合图7描述有源矩阵有机电致发光显示器。
现在参照图7，图7示出了根据本发明第四实施例的有源矩阵类型的像素和密封接合区域。图8为示出根据本发明第四实施例的有机电致发光显示器的密封接合区域的剖视图。本发明第四实施例的有机电致发光显示器具有一种包括邻近密封剂330的反射板267的结构。反射板267和密封剂330设置在电致发光显示器的密封部分区域中。密封剂330将顶部衬底320永久性地粘结到下部衬底200上。
参照图7和8，现在将描述用于制造在密封接合区域中具有反射板267的有机电致发光显示器的方法。参照图7，缓冲层210形成在下部绝缘衬底200上以防止从下部绝缘衬底200扩散的例如金属离子的杂质渗入到有源层。在形成缓冲层210后，在缓冲层210上沉积非晶硅并使之晶化，以便形成多晶硅层，随后其被图形化以形成有源层220。栅极绝缘层230沉积在包括有源层的下部绝缘衬底200的整个表面上，并且栅极金属被沉积并图形化在栅极绝缘层上以形成栅极电极240。
在形成栅极电极240后，通过使用栅极电极240作掩模在有源层中掺入具有预定导电类型的杂质以形成源区/漏区221和225。在源区221和漏区225之间的未掺入杂质的区域用作沟道区域223。在有源层220上形成源区/漏区221和225后，中间绝缘层250形成在下部绝缘衬底200的整个表面上，并且接触孔251和255被形成为在中间绝缘层250上露出源区/漏区221和225的某些部分。
在包括接触孔251和255的中间绝缘层250上沉积导电材料之后，该导电材料被图形化以形成通过接触孔连接源区/漏区221和225的源极/漏极电极261和265，由此形成由有源层220、栅极绝缘层240和源极/漏极电极261和265等构成的TFT(T)。
在这种情况下，当形成源极/漏极电极261和265时，由导电材料构成的金属薄层制成的反射板267也同时形成在下部绝缘衬底200的密封接合区域中。具有良好的反射能力的金属用作该导电材料，通常使用Al、Cr、Mo、W、Ti、Ta或它们的合金。在形成密封接合区域的反射板267以及源极/漏极电极261和265之后，钝化层270被沉积在下部绝缘衬底200上，并且通孔275被形成在钝化层270上以露出源极/漏极电极261和265之一的某些部分，例如，漏极265的某些部分。
在将下部电极材料沉积在包括通孔275的钝化层270上之后，下部电极被图形化以形成通过通孔275与漏极电极265电连接的下部电极280。在形成下部电极280后，像素定义层290沉积在下部绝缘衬底200的整个表面上并被图形化，以便形成露出下部电极280的某些部分的开口部分295。
随后有机层300形成在包括开口部分295的像素定义层290上。顶部电极310形成在下部绝缘衬底200整个表面上的有机层300上以便形成由下部电极280、有机层300和顶部电极310组成的发光元件(LE)。随后通过在密封接合区域中使用密封剂330将下部绝缘衬底200密封到顶部衬底320上。
密封剂330优选为光固化密封剂，更优选地为不但能够通过暴露于紫外范围的光而且能够通过暴露于可见光范围的光来固化的光固化密封剂。优选地，密封剂330采用30Y-296G(三键)、XNR5516(Nagase Ciba)、电解质或Kyoritsu作为密封剂330。
此外，密封剂330的图8中的厚度“L”为反射板267与顶部衬底320之间的距离。厚度L优选被固定以便在用于固化密封剂330的光中产生相长干涉。相长干涉发生在入射光与从反射板267反射的光之间。反射板与相对衬底之间的优化的距离L可以由以下公式确定：
L＝λ/4+(n-1)λ/2(n＝1，2，3，...)
随后紫外线或可见光线被辐照在顶部衬底320上以固化密封剂330。用于固化密封剂的优化的波长范围为从200nm至700nm。另一设计考虑是最好使密封剂330的总表面积的至少25％与反射板267接触。如上所述，在第四实施例中最好同时形成反射板267和源极/漏极电极261和265以减少工艺步骤数量并降低制造成本。或者，在形成栅极电极240的同时可以沉积并图形化反射板267。或者，反射板可以在缓冲层210形成在工艺开始时在下部绝缘衬底200上之前形成。在形成缓冲层210之前，具有良好反射能力的材料，例如Al、Mo、Ti、Ag和Mg中的任意一种金属或者至少包括这些金属中的一种的合金(即Mo/Al/Mo、Ti/Al/Ti)，可以被沉积并图形化在下部绝缘衬底200上以便在显示器的密封接合区域中形成反射板267。
在另一设计考虑中，图8中的反射板267的宽度被显示得大于密封剂330的接触面积，然而，反射板267的宽度可以被形成得小于密封剂330的接触面积。在这种情况下，密封剂330可以接触下部绝缘衬底200。
在电致发光显示器中包括附着到边缘或密封接合区域中的光固化密封剂330的反射板267由于以下原因而具有优势。用于固化密封剂330的光也使电致发光显示器的其它部分曝光。用于固化密封剂330的光可能损坏电致发光显示器的其它部件。通过在显示器的密封接合区域放置反射板，由于入射光和反射光都可以用于固化密封剂，所以需要较小的入射光能量来固化密封剂。因此，如果存在反射板的话，所需固化密封剂的入射光的强度较小。因此，由于需要较少的入射光来固化密封剂，所以在固化工艺中电致发光显示器承受较少的损伤。
现在参照图9和10，图9和10示出了根据本发明第四实施例的电致发光显示器的俯视图。如图9和10清楚地显示的，密封剂330的宽度大于反射板267的宽度。因此，在图9和10示出的设计中，密封剂330可以与下部绝缘衬底200接触。
在图9中，反射板267作为一个连续工件以闭合的矩形的形式形成。或者，在图10中，反射板267由四个彼此不连接的不连续部分形成。可以理解的是，反射板267不用于导电，因而图10中具有四个不连续部分也如图9中的连续闭合工件一样起到作用。
第五实施例
图11为显示根据本发明第五实施例的有机电致发光显示器的密封接合区域的剖视图。除了反射板267的位置，根据第五实施例的有机电致发光显示器具有与第四实施例相似的结构。在本发明第五实施例中的反射板267位于顶部衬底320的内表面处，而不是位于下部绝缘衬底200的内表面上。为了形成图11的结构，如图7所示在下部绝缘衬底200上形成TFT和发光元件LE之后，随后金属薄层被沉积并图形化在顶部衬底320的内侧上以便在密封接合区域中形成反射板267。如同第四实施例，通过在密封接合区域使用密封剂330顶部衬底320被粘接到下部绝缘衬底200。
第六实施例
图12为显示根据本发明第六实施例的有机电致发光显示器的密封接合区域的剖视图。除了反射板267的位置，根据本发明第六实施例的有机电致发光显示器具有与第四和第五实施例相似的结构。在本发明第六实施例中，反射板267位于下部绝缘板200的外侧。如同在第四和第五实施例中，在第六实施例中，反射板仅位于电致发光显示器边缘处的密封接合区域中。
为了制作图12的结构，如图7所示在下部绝缘衬底200上形成TFT和发光元件之后，通过在密封接合区域使用密封剂330顶部衬底320被粘接到下部绝缘衬底200。在将顶部衬底320密封到下部绝缘衬底200上之后，金属薄层被沉积并图形化在下部绝缘衬底200的外侧上以便在密封接合区域中形成反射板267。
第七实施例
图13为显示根据本发明第七实施例的有机电致发光显示器的密封接合区域的剖视图。根据本发明第七实施例的有机电致发光显示器具有与第四实施例相似的结构，但反射板267被形成在与下部绝缘衬底200的内侧相对的顶部绝缘衬底320的外侧。
为了形成图13的结构，如图7所示在下部绝缘衬底200上形成TFT和发光元件之后，随后金属薄层被沉积并图形化在顶部衬底320的外侧上以便在密封接合区域中形成反射板267。在顶部衬底320上的密封接合区域中形成反射板267之后，通过在密封接合区域使用密封剂330顶部衬底320被粘接到下部绝缘衬底200。
第八实施例
图14A和图14B为显示根据本发明第八实施例的有机电致发光显示器的密封接合区域的剖视图。除了波导217而不是反射板267形成在下部绝缘衬底的内侧上，根据本发明第八实施例的有机电致发光显示器具有与第四实施例相似的结构。优选地，波导为起伏或凸透镜。图14A示出了作为起伏的波导217。图14B示出了作为凸透镜的波导217。
参照图14A和14B，根据本发明第八实施例的有机电致发光显示器的波导217在于像素部分中形成具有图7所示的结构的TFT的过程中形成在下部绝缘衬底200的密封接合区域的内侧上。在沉积并图形化缓冲层210之后，波导217形成在对应于下部绝缘衬底200的密封接合区域的位置处。
或者，波导217可以在沉积栅极绝缘层230后与图形化栅极绝缘层230同时形成。或者，波导217可以与用于形成接触孔251和255的中间绝缘层250的蚀刻同时形成。或者，波导217可以与形成通孔275的钝化层270的蚀刻同时形成。
另一种选择是形成多层波导217，其与形成缓冲层210、栅极绝缘层230、中间绝缘层250和钝化层270的同时形成。或者，由绝缘光学透射性的材料制成的波导217可以在与形成图7中其它层的工艺不同的独立工艺步骤中形成。
波导217通过考虑入射光的折射指数来调整角度而形成，并且使得入射光通过折射聚焦在稍后形成的密封接合区域的密封剂330上。
第九实施例
图15A和15B为显示根据本发明第九实施例的有机电致发光显示器的密封接合区域的剖视图。除了波导217形成在顶部衬底的内表面上而不是形成在下部绝缘衬底的内表面上，根据本发明第九实施例的有机电致发光显示器具有与第八实施例相似的结构。图15A示出了作为起伏的波导217。图15B示出了作为凸透镜的波导217。
形成图15A和15B中的结构的方法如下。在下部绝缘衬底200上形成TFT和发光元件之后，具有光学透射性的材料被沉积在顶部衬底320的内侧上。随后具有光学透射性的材料被图形化以便在密封接合区域中的预部衬底320的内侧形成波导217。在密封接合区域中的顶部衬底320的内侧形成波导217之后，随后在顶部衬底320上形成下部电极280、有机层300和顶部电极310。
第十实施例
图16A和16B为显示根据本发明第十实施例的有机电致发光显示器的密封接合区域的剖视图。根据本发明第十实施例的有机电致发光显示器在像素部分中具有图7所示的TFT和发光元件，并且具有两个波导217，一个形成在顶部衬底320的内表面上，一个形成在下部绝缘衬底200的内表面上。图16A示出了作为起伏的波导217。图16B示出了作为凸透镜的波导217。
形成在下部绝缘衬底200的内表面上的波导217依照与图14A和14B的第八实施例中描述的相同的工艺来形成。形成在顶部衬底320上的波导217根据图15A和15B(第九实施例)讨论的形成波导217的工艺来制作。也就是说，在顶部衬底320的内表面中形成波导217后，在顶部衬底320的内表面上形成下部电极280、有机层300和顶部电极310。
此外，在本发明的上述实施例中，具有提高了的固化效率的有机电致发光显示器被公开，其使用分别或分别相反地形成在顶部衬底320或下部绝缘衬底200中的反射板和波导。或者，可以使用两个反射板，一个附着到顶部衬底320的表面，一个附着到下部绝缘衬底200的表面。形成在有机电致发光显示器两侧的反射板最好被形成具有附着在其上的镜子。
根据本发明，形成辅助层以去除密封接合区域上的有机层，使得本发明可以提供能够容易地去除在形成有机层的工艺过程中形成在密封接合区域上的有机层的有机电致发光显示器。此外，本发明可以提供一种制造有机电致发光显示器的方法，该有机电致发光显示器通过利用激光去除设置在辅助层上的有机层而不是去除直接形成在衬底上的有机层从而降低了像素部分的损伤。
此外，根据本发明，反射板设置在密封接合区域中，使得从光源发射的光被反射板反射用于固化密封剂，由此提高了密封剂的固化状态并使衬底的密封处于更好的状态下。此外，采用反射板，固化时间被缩短，导致显示器的像素部分中承受较少的损伤。
虽然本发明已通过参照具体实施例加以描述，可以理解的是本公开用于通过示例说明本发明的目的，而非限制本发明的范围。本领域技术人员在不脱离本发明的范围和精神的情况下可以对本发明做出修改和变化。