蒸发淀积容器和蒸发淀积装置.pdf

本发明的目的是提供一种蒸发淀积装置。该装置使用由价格低廉且加工容易的材料制成的用于蒸发淀积的容器，来蒸发淀积蒸发材料而不产生堵塞，因此能够稳定地执行蒸发淀积。在用于蒸发淀积的容器的侧面提供折叠式的结构。另外，使用于蒸发淀积的容器的盖子比蒸发源的开口部分还要大，并和加热部分直接连接。根据该结构，盖子的开口部分附近不容易被冷却，且不容易产生容器的胴体部分和盖子之间的温度差。所以，蒸发了的材料不会在开口部分堵塞，从而可以在长时间执行稳定的蒸发淀积，进一步实现蒸发淀积率的稳定化并提高生产性。

1.  一种蒸发淀积容器，包括：
填充蒸发材料的有底筒状的躯干部分；以及
有开口部分的盖子，
其中，所述盖子的外周边缘比所述躯干部分还要向外侧突出。

2.  根据权利要求1的蒸发淀积容器，其中所述盖子是可脱附(拆卸)的。

3.  根据权利要求1的蒸发淀积容器，其中所述盖子涂渡有热传导率比构成该盖子的材料更高的物质。

4.  根据权利要求1的蒸发淀积容器，其中所述盖子被涂渡有选自金、银、白金、铜、铝、镍、铍、碳化硅、氮化碳、氮化硅、氮化硼、氧化硅、氧化铍、氮化铝中的一种或多种。

5.  根据权利要求1的蒸发淀积容器，其中所述蒸发淀积容器的材料选自钽、钼、钨、钛、氮化硼、金、银、白金、铜、铝、镍、铍、碳化硅、氮化硅、氮化硼、氧化硅、氧化铍、氮化铝形成。

6.  一种蒸发淀积容器，包括：
填充蒸发材料的有空洞的躯干部分；以及
有开口部分的盖子，
其中，所述盖子的侧面上部分是折叠式的结构。

7.  根据权利要求6的蒸发淀积容器，其中所述盖子的折叠式部分的凸起部分从所述容器的侧面延伸出来。

8.  根据权利要求6的蒸发淀积容器，其中所述盖子是可脱附(拆卸)的。

9.  根据权利要求6的蒸发淀积容器，其中所述盖子涂渡有热传导率比构成该盖子的材料更高的物质。

10.  根据权利要求6的蒸发淀积容器，其中所述盖子被涂渡有选自金、银、白金、铜、铝、镍、铍、碳化硅、氮化碳、氮化硅、氮化硼、氧化硅、氧化铍、氮化铝中的一种或多种。

11.  根据权利要求6的蒸发淀积容器，其中，所述蒸发淀积容器的材料选自钽、钼、钨、钛、氮化硼、金、银、白金、铜、铝、镍、铍、碳化硅、氮化硅、氮化硼、氧化硅、氧化铍、氮化铝。

12.  一种蒸发淀积装置，包括：
蒸发淀积容器，该容器由填充蒸发材料的有底筒状的躯干部分、以及包括开口部分和比所述躯干部分还要向外侧突出的外周边缘部分的盖子构成；以及
具有用于加热所述蒸发淀积容器的加热部分的蒸发源，
其中，所述盖子的外周边部分和所述加热部分连接。

13.  根据权利要求12的蒸发淀积装置，其中所述盖子的外周边部分的直径比所述蒸发源的开口部分的直径更大，并且所述盖子的外周边部分的下表面和所述加热部分的上表面连接。

14.  根据权利要求12的蒸发淀积装置，其中所述盖子是可脱附(拆卸)的。

15.  根据权利要求12的蒸发淀积装置，其中所述盖子涂渡有热传导率比构成该盖子的材料更高的物质。

16.  根据权利要求15的蒸发淀积装置，其中所述热传导率高的材料是选自金、银、白金、铜、铝、镍、铍、碳化硅、氮化碳、氮化硅、氮化硼、氧化硅、氧化铍、氮化铝中的一种或多种。

17.  一种蒸发淀积装置，包括：
由填充蒸发材料的有底筒状的躯干部分、以及包括开口部分的盖子构成的蒸发淀积容器；以及
具有用于加热所述蒸发淀积容器的加热部分的蒸发源，
其中，所述盖子的侧面上部分具有折叠式的结构。

18.  根据权利要求17的蒸发淀积装置，其中所述盖子的折叠式部分的凸起部分从所述容器的侧面延伸出来。

19.  根据权利要求17的蒸发淀积装置，其中所述盖子是可脱附(拆卸)的。

20.  根据权利要求17的蒸发淀积装置，其中所述盖子涂渡有热传导率比构成该盖子的材料更高的物质。

21.  根据权利要求20的蒸发淀积装置，其中所述热传导率高的材料是选自金、银、白金、铜、铝、镍、铍、碳化硅、氮化碳、氮化硅、氮化硼、氧化硅、氧化铍、氮化铝中的一种或多种。

蒸发淀积容器和蒸发淀积装置
技术领域
本发明涉及一种制造设备，该设备使用通过蒸发淀积将能够形成膜的材料(下文中称作蒸发材料)淀积而形成膜的淀积装置。
背景技术
近几年，对于具有自发光型发光元件的场致发光元件(Electro-Luminescence element，下文中称作EL元件)的发光器件的研究非常活跃。该发光器件又被称作为有机EL显示器或有机发光二极管。这些发光器件由于有适用于动感画面显示的诸如快速响应速度、低电压、低功耗驱动等特征，因此它们作为用于包括新一代移动电话和便携式信息终端(PDA)的下一代显示器备受关注。
用含有有机化合物的层作为发光层的EL元件具有这样一个结构：含有有机化合物的层(下文中，称作EL层)夹在阳极和阴极之间，向阳极和阴极施加电场，这样，在EL层中，空穴和电子重新结合从而产生激发子，当激发子返回基态时的能源差作为光被释放出来。从EL元件得到的发光包括从单重激发态回到基态的光发射(荧光)和从三重激发态回到基态的光发射(磷光)。
上述EL层具有以“空穴输运层/发光层/电子输运层”为典型的叠层结构。而用于形成EL层的EL材料大致分类为低分子(单体)材料和高分子(聚合物)材料。通常低分子材料用蒸发淀积装置淀积来形成膜。
常规的蒸发淀积装置是在衬底支架上安装衬底，并具有填充了EL材料即蒸发材料的容器(或是蒸发淀积板)、用于防止升华的EL材料上升的闸门、和用于加热容器中的EL材料的加热器。被加热器加热的EL材料升华并淀积在转动的衬底上从而形成膜。这时，为了达到均匀淀积的目的，衬底和填充了蒸发材料的容器之间需要间隔1m或更大的距离。
根据常规的蒸发淀积装置和蒸发淀积方法，当EL层通过蒸发淀积而形成时，升华的EL材料的大部分附着到淀积装置的淀积室的内壁、闸门或附着防护屏(用于防止蒸发材料附着到淀积室内壁上的保护板)上。因而，在形成EL层时，昂贵的EL材料的利用效率极低，只有大约1％或更低，这就使发光器件的制造成本变得非常昂贵。
另外，常规技术的蒸发淀积装置，为了获取均匀的膜，需要将衬底以等于或大于1m的距离的间隔从蒸发源隔开。因而，蒸发淀积装置本身变得庞大，又因蒸发淀积装置的每个淀积室的抽气所需时间周期延长，导致出现膜形成速率减缓，产量降低的问题。而且，如果是大尺寸的衬底，衬底的中心部和周边部分容易产生膜的厚度不均匀的问题。并且，由于蒸发淀积装置是旋转衬底的结构，所以当为大尺寸衬底时，蒸发淀积装置就有了局限性。
因此，本申请人提出一种蒸发淀积装置(专利文件1、专利文件2)以作为解决上述问题的方法。
专利文件1
专利公报2001-247959
专利文件2
专利公报2002-60926
随着衬底尺寸变大，所需的蒸发淀积的材料也变多，当在如单边超过1米那样的大尺寸衬底上形成膜时，如果是小容器(储存蒸发材料的容器)，则很快会变空。所以，需要增加容器的数目并需要频繁更换，而当为大尺寸衬底时，淀积时间长，在淀积当中蒸发材料用完的可能性变高。而且，由于需要多余的加热时间，生产量也降低。因此，为了长时间执行蒸发淀积，有必要加大容器。
要更换安装在蒸发源的容器，从容易取的角度看，需要在蒸发源的上部分开口。另外，由于必须在容器和安装容器的蒸发源之间提供间隙以取出容器，为了不使加热部分和容器接触，借助辐射热的加热是加热方法的主流。但是，有一个问题是由于蒸发源的上部分被开口，辐射热容易散逃，所以容器上部很难被加热。其结果是导致容器的上部分和下部分产生温度差，蒸发材料在容器的上部分被冷却，发生在开口部分堵塞的问题。尤其是蒸发温度高的蒸发材料，更容易产生温度差，所以蒸发淀积变得困难。
发明内容
因此，本发明的目的是提供一种执行蒸发淀积的制造设备，该设备能够有效地利用蒸发源的加热，具有蒸发淀积稳定性、且该制造设备生产量优越。
公开在本说明书中的本发明的结构为：一种加热蒸发源以使蒸发的材料淀积在衬底上的淀积装置，其中所述蒸发源由加热部分和具有填充所述蒸发材料地空洞的容器构成，且所述容器的上部分的侧面是折叠式的结构。
根据本发明，由于容器上部分是折叠式的结构，与没有提供该折叠式的结构的容器相比，容器上部分的侧面面积增加了。因此，容器上部分对辐射热的吸收更高，所以，不容易被冷却，其结果，开口部分就成为不容易堵塞材料的结构。
公开在本说明书中的本发明的其他结构为：一种加热蒸发源以使蒸发的材料淀积在衬底上的淀积装置，其中所述蒸发源由加热部分和具有填充所述蒸发材料的空洞的容器构成，且所述容器的侧面上部分涂渡有辐射热吸收率比构成所述容器的材料更高的物质。
根据本发明，由于所述容器的侧面上部分涂渡有辐射热吸收率比构成所述容器的材料更高的物质，所以容器上部分对辐射热的吸收率变得更高。而且，由于容器和涂渡的膜有接触，跟用辐射热加热的情况相比，热传导性更好。因此，能够高效率地加热上部分，使得容器的上部分和下部分不存在温度差，从而防止在开口部分产生材料的堵塞。
公开在本说明书中的本发明的其他结构为：一种加热蒸发源以使蒸发的材料淀积在衬底上的淀积装置，其中所述蒸发源由加热部分和具有填充所述蒸发材料的空洞的容器构成，且所述容器的侧面上部分涂渡有辐射热反射率比构成所述容器的材料更高的物质。
根据本发明，由于涂渡有辐射热反射率高的物质，所以容器可以反射来自加热部分的辐射热，从而防止加热部分主体的温度降低。因此，可以在稳定的温度下执行蒸发淀积。
公开在本说明书中的本发明的其他结构为：一种加热蒸发源以使蒸发的材料淀积在衬底上的淀积装置，其中所述蒸发源由加热部分和具有填充所述蒸发材料的空洞的容器构成，且所述容器的上部分的侧面是折叠式的结构，而且，所述容器的侧面上部分涂渡有辐射热吸收率或辐射热反射率比构成所述容器的材料更高的物质。
根据本发明，由于容器上部分是折叠式的结构且有涂渡膜，所以可以高效率地加热容器上部分，而且，可以防止加热部分主体的温度降低，因此，可以执行在温度控制上优越且稳定的蒸发淀积。
公开在本说明书中的本发明的其他结构为：一种加热蒸发源以使蒸发的材料淀积在衬底上的淀积装置，其中所述蒸发源中具备更换第一容器和另外的第二容器的机构，该淀积装置通过加热蒸发源来形成膜。
根据本发明，即使蒸发源的上部分开口，也可以在材料不堵塞于容器上部分的开口部分的情况下加热容器。所以，可以交换材料被加热用完的第一容器和填充有材料的第二容器。因此，在不开放大气的情况下能够交换材料可以实现在长时间稳定蒸发淀积的高产量的装置。
此外，本发明的特征是具有以下结构。
使用容器上部分(以下称为盖子)的外周边部分比蒸发源的开口部分还要大大突出结构的容器，从而使盖子和蒸发源的加热部分接触。如果使用这样的结构，则容器的盖子成为接触热传导，盖子更容易保持高温。另外，容器的盖子的材料优选热传导性高的材料。这是为了从加热器高效率地传热。使用这样的坩埚的蒸发淀积装置可以将坩埚的温度差抑制到很小，所以可以执行长时间的稳定的蒸发淀积。
公开在本说明书中的本发明的结构是，一种加热蒸发源以使蒸发的材料淀积在衬底上的淀积装置，所述蒸发源包括加热部分、填充所述蒸发材料的容器、以及插入容器的空洞部分。加热部分布置在空洞部分的周围。在此，容器的盖子的外周边缘部分比胴体部分向外侧突出，比蒸发源的开口部分宽，宽出来的部分和加热部分连接。
根据本发明，容器的盖子是有檐结构，该部分直接和加热部分连接，不仅仅由辐射热，而且由加热部分直接加热容器的上部分。另外，从容器的盖子以直接热传导加热胴体。根据该结构，容器的盖子和胴体的温度差变小，这样就可以防止在盖子的开口附近堵塞材料。
注意，本发明的其他的结构为，一种加热蒸发源以使蒸发的材料淀积在衬底上的淀积装置，所述蒸发源包括加热部分、填充所述蒸发材料的容器、以及插入容器的空洞部分。在此，容器的盖子的外周边缘部分比胴体部分更向外侧突出，且比蒸发源的开口部分更宽，该宽出来的部分和加热部分连接。而且，容器的盖子涂渡有热导率比构成该盖子的材料更好的材料。
根据本发明，容器的盖子涂渡有比构成该盖子的材料热导率好的材料，所以容器的盖子能够将加热部分的热良好地传导。而且，因为容器的胴体和盖子的涂渡膜有接触，所以可以高效率地加热胴体。根据该结构，容器的盖子和胴体之间的温度差变小，并可以防止开口部分的材料堵塞。
根据上述结构，可以抑制因容器的盖子、尤其是盖子的开口附近的温度低而引起的蒸发材料在开口部分的堵塞，即使是蒸发源可以从加热部分脱附的蒸发淀积装置，也可以实现蒸发比率的稳定化和蒸发淀积用容器的大容积化。其结果，可以保持产品品质的稳定，提高生产量，并实现低价格化。
上述结构中，容器的盖子和容器的胴体可以用热传导率高的材料来制作。优选使用的热传导性高的物质包括金、银、白金、铜、铝、镍、铍、碳化硅以及氮化碳、氮化硼、碳化硅、氧化铍、氮化铝中的一种或多种，考虑使用温度、其和蒸发材料的反应、加共性等适当地使用上述物质。
另外，上述的结构也可以是容器的盖子用和常规的蒸发淀积用容器相同的材料来制作，而涂渡的部分优选使用热传导性高的物质，包括金、银、白金、铜、铝、镍、铍、碳化硅以及氮化碳、氮化硼、碳化硅、氧化铍、氮化铝中的一种或多种，理想的是考虑使用温度、其和蒸发材料的反应、加工性、热膨胀率等适当地使用上述物质于涂渡的部分。
附图说明
附图中：
图1是显示本发明的容器结构的例子的图；
图2是显示本发明的容器结构的例子的图；
图3是显示使用本发明的容器的蒸发淀积装置的图；
图4A和4B是显示本发明的容器和其加热方法的图；
图5A和5B是显示本发明的容器结构的例子的图；
图6A和6B是显示本发明的容器结构的例子的图；
图7A和7B是显示使用本发明的容器的蒸发淀积装置的图；图8是显示使用本发明的容器的蒸发淀积装置的图；
图9表示使用本发明的容器和蒸发淀积装置的发光器件的例子的图；
图10表示使用本发明的容器和蒸发淀积装置的发光器件的例子的图；
图11A到11E表示应用了本发明的电子器件的例子。
具体实施方式
下面，关于本发明的实施方案模式将参照附图给于说明。但是，本发明可能通过多种不同的方式来实施，本领域人员可以很容易地理解一个事实就是其方式和详细内容可以被变换为各种各样的形式，而不脱离本发明的宗旨及其范围。因此，本发明不应该被解释为仅限定在实施方案模式所记载的内容中。
实施方案模式1
图1是本发明的制造设备中的容器100的斜视图。容器100的内部为空洞，填充有有机EL元件所需的蒸发材料如铜酞箐(CuPc)、4，4’-二[N-(萘基)-N-苯基-氨基]-联苯(α-NPD)、Alq₃(三-8-羟基喹啉铝复合体)、氟化锂(LiF)等。容器100的侧面上部分为折叠部分110，该部分为折叠式结构，上表面部分提供令蒸发颗粒飞散出的开口部分120。
容器的材料由选自钽、钼、钨、钛、氮化硼，优选由金、银、白金、铜、铝、镍、铍、碳化硅、氮化碳、氮化硅、氮化硼、氧化硅、氧化铍、氮化铝等中的任意的材料形成，容器的厚度可根据蒸发材料的内容量、形状、或材料的热传导率等适当来决定。
开口部分120中的开口面积可以只是上表面部分的一部分，当然也可以在整个上表面开口。
而且，容器100的上部件和下部件可以分开。图2表示容器100的上部件111和下部件121分开的形状，该形式的上部件111为下部件121的盖子。图2中，上部件111的侧面提供有折叠式的结构，上部件和下部件在螺旋部分122呈旋入形状。另外，也可以是盖住盖子的嵌入的形式而不利用螺旋。此外，虽然没有图示出，为了防止崩沸，也可以在上部件和下部件之间提供内盖。
另外，折叠式部分的凸起部分可以和容器侧面的高度一致，但超出侧面而突出也无妨。
图3表示容器100安装在蒸发源200上的状态。蒸发源200示出了提供有加热部分210，且内部可以用加热器220加热的结构，但是蒸发源200并不限于该结构。也可以在蒸发淀积时加热加热部分210，并依靠其辐射热加热容器。
在此，折叠部分110的表面优选涂渡容易吸收辐射热的碳黑或陶瓷等黑色材料。这种情况下，由于容器上部分的辐射热吸收率比容器下部分的更高，所以容器上部分能够高效地吸收辐射热，并向容器传导热，这样，容器上部分和下部分就不容易产生温度差，从而在开口部分可以防止堵塞。
另外，优选的是，在折叠部分110的表面上涂渡辐射热反射率比容器材料性质更高的材料，例如，如容器为钛时，优选涂渡银、金、白金、铝、铜、镍、铍、碳化硅、氮化碳、氮化硼、氧化硅、氧化铍、氮化铝等金属膜。这种情况下，金属膜是辐射热反射膜，但同时也吸收辐射热。因此，反射来自加热器的辐射热，从而重新加热加热器，其结果是在防止加热器的温度降低的同时吸收金属膜自身的热，且吸收的热传导给接触的容器。所以，可以比辐射热更高效率地加热容器上部，蒸发源的温度稳定性提高，并且容器上部和下部的温度差别变小，从而可以防止在开口部分的堵塞。
注意，也可以不在容器上部提供折叠结构，仅依靠涂渡辐射热吸收膜或辐射热反射膜来防止堵塞。因此，作为容器的上部结构，可以任意组合折叠式结构、辐射热吸收膜、辐射热反射膜来作为蒸发源的容器。
使用这样的容器的制造设备即使在填充蒸发温度高的蒸发材料的情形中，也可以使容器的上部和下部之间的温度差小，在容器的开口部分不产生堵塞的情况下执行蒸发淀积，是可以在长时间执行蒸发淀积的生产性高的制造设备。
实施方案模式2
图4A表示本发明的制造设备所使用的蒸发淀积用容器400的整体图。蒸发淀积用容器400分为有底筒状胴体部分401(蒸发材料的填充部分)和具有开口部分402的盖子403。容器400的内部是空洞，填充有场致发光元件所需的蒸发材料如铜酞箐(CuPc)、4，4’-二[N-(萘基)-N-苯基-氨基]-联苯(α-NPD)、Alq₃(三-8-羟基喹啉铝复合体)、氟化锂(LiF)、氧化钼(MoO_X)等。根据要蒸发淀积的层使用填充有所希望的材料的蒸发源以执行蒸发淀积。
图4B表示容器400安装在蒸发源404的状态。蒸发源404提供有加热部分。在图4B中示出了可以用加热器405加热的机构，但是本发明不局限于该结构。
盖子403，如图4B所示，被制造成比蒸发源404的开口部分的长度还要大的形状，在实际使用时，和蒸发源的加热部分直接接触。根据这样的结构，盖子403通过接触热传导而被加热。因此，可以来自加热器的热可以高效率地传导给盖子403，跟使用辐射热的情形相比，更容易保持高温。同时，胴体401根据加热器405的辐射热而被保温。
根据上述，盖子403被高效率地加热，而且向胴体部分401传导热。由于不容易产生胴体部分401和盖子403之间的温度差，所以可以防止在开口部分的堵塞。另外，由于可以很好地温暖盖子403，开口部分402可以做得比常规使用的盖子还要大。这样就可以进一步地防止在开口部分的堵塞。
另外，容器400的材料可以使用钽、钼、钨、钛、氮化硼，更优选使用热传导性高的物质如金、银、白金、铜、铝、镍、铍、碳化硅及氮化碳、氮化硼、氧化硅、氧化铍、氮化铝。容器400的厚度可以根据蒸发材料的内容量、形状或材料的热传导率等来适当决定。
注意，盖子403虽然可以使用热传导性好的材料来制作，但也可以用常规材料的钛或陶瓷等来制作，之后涂渡金、银、白金、铜、铝、镍、铍、碳化硅、氮化碳、氮化硅、氮化硼、氧化硅、氧化铍、氮化铝等热传导性好的金属膜。注意，这种情况下的被涂渡的材料和被执行涂渡的材料优选根据胴体部分401的热膨胀率适当地选择材料。
此外，胴体部分401的表面可以涂渡容易吸收辐射热的碳黑或陶瓷等黑色材料。据此，胴体部分401可以更高效率地吸收辐射热，从而可以缩小胴体部分401和盖子403之间的温度差。
图5A表示容器400的剖面图。在该图中，蒸发淀积用容器的胴体部分401和盖子403借助螺旋部分404呈旋入形状。另外，也可以是盖住盖子403的嵌入的形式而不利用螺旋。此外，可以如图5B所示，为了防止崩沸，在盖子和胴体部分之间提供内盖405。
作为其他结构，如图6A、6B那样，在中心部分插入棒状的金属601且使其和胴体部分的底部连接，采用有该结构的胴体部分602，无论胴体部分602的中心部分还是周边部分，对蒸发材料的加热都会更加均匀。尤其是，蒸发材料的升华温度较高或放在容器的蒸发材料的量较多的情况时，更加有效。
使用这样的容器的制造设备即使在填充蒸发温度高的蒸发材料的情形中，也可以使容器的上部和下部之间的温度差小，并在容器的开口部分不产生堵塞的情况下执行蒸发淀积，是可以在长时间执行蒸发淀积的生产性高的制造设备。
实施方案模式3
图7是使用本发明的制造设备的俯视图。
图7A中，700表示衬底；701表示淀积室；702、703表示搬运室；704表示容器安装室；705表示蒸发源驱动用自动机(robot)；706表示容器搬运自动机；707表示容器安装用旋转台；708、709、710表示分隔各个小室的闸门；711表示门。
衬底700从搬运室被搬运到淀积室701。在选择性地执行蒸发淀积时，在将淀积掩膜和衬底的位置对准后执行蒸发淀积。
在蒸发源712上安装了两个填充有EL材料的容器713。虽然没有图示出，但在各个容器的上部提供滑门(slide shutter)。图7中虽然示出了配备两个容器的蒸发源，但也可以配备3个或3个以上的容器，本发明不受图7所示结构的限制。两个容器里可以填充相同的材料，也可以填充如主体材料和杂质材料那样不同的材料。
安装在蒸发源712上的容器713被加热，如加热至蒸发温度以上，则蒸发颗粒从容器上部的开口部分飞散出来。在此，待机直到预定的淀积率。根据本发明，由于容器上部是不容易冷却的结构，所以即使蒸发源712开口，材料也不容易在开口部分堵塞，因此可以获取稳定的淀积率。在预定的淀积率稳定后，打开衬底闸门(没有图示出)，驱动移动蒸发源712的蒸发源驱动用自动机705，从而在衬底上执行蒸发淀积。反复重复蒸发源的来回，以在衬底700上形成均匀的膜。完成蒸发淀积后，关闭衬底闸门，将衬底700搬运到搬运室703。反复重复该蒸发淀积，可以在大量的衬底上淀积形成EL材料的膜。
另外，图7的制造设备中提供有更换安装在蒸发源712上的容器的机构。下文中，将用图7B说明其步骤。
给容器安装室704开孔通风，使其为大气压。这时，由于有闸门710，所以搬运室701的真空度保持原状。打开门711，在容器安装用旋转台707上安装好填充了EL材料的容器713后，关闭门，降低到和搬运室同样的真空度，或比搬运室还要低的真空度。容器安装室704由于比淀积室701的室内容积小，所以可以在短时间内降压至预定的压力。达到预定的真空度后，打开闸门710，驱动容器搬运自动机706，将安装在蒸发源712上的第一容器取出，并安装到容器安装用旋转台707。旋转安装容器用旋转台707，取出填充了材料的第二容器，并安装到蒸发源712上。
注意，本发明中的搬运机构不限于如图7B所示那样的结构，即从容器713的上方，容器搬运自动机706的把手挂上容器713的内侧从而执行搬运的结构。也可以是抓住容器713的侧面来执行搬运的结构。
此外，也可以在执行真空抽气期间，用内藏的加热器以不使材料飞散程度的温度加热安装在容器安装用旋转台707上的容器713以备用，这样可以缩短交换后的加热时间，成为生产性高的设备。
在下面所示的实例中，将对具有上述结构的本发明进行更详细的描述。注意，本发明不受以下实施例的限制。
实施例1
图8表示多室系统的制造设备的俯视图。图8示出的制造设备配备有生产性被提高的小室。
图8示出一个有多室的制造设备，其包括：闸门800a-800n；衬底投入室801；密封/取出室802；搬运室803、804；淀积室805、806、807；容器安装室808a-808d；预处理室809；密封板贮存室810；以及密封室811。
以下，搬入其上预先提供有阳极(第一电极)和用于覆盖该阳极边缘部分的绝缘体(隔离物)的衬底到图8所示的制造设备中，下文将示出制造发光器件的步骤。另外，在制造有源矩阵型发光器件的情形中，预先在衬底上提供多个与阳极连接的薄膜晶体管(用于控制电流的TFT)和其他薄膜晶体管(开关用TFT等)，还提供有由薄膜晶体管制成的驱动电路。另外，图8所示的制造设备也可用于制作单纯矩阵型发光器件。
首先，在衬底投入室801中安装所述衬底。衬底即使为例如320mm×400mm、370mm×470mm、550mm×650mm、600mm×720mm、680mm×880mm、1000mm×1200mm、1100mm×1250mm或1150mm×1300mm这样的大尺寸衬底，也可以对付。
将在衬底投入室801安装的衬底(提供有阳极(第一电极)和用于覆盖该阳极边缘部分的绝缘体(隔离物)的衬底)搬运到搬运室803。注意，搬运室803中提供有搬运衬底或旋转衬底的搬运机构(搬运自动机等)和真空抽气装置，其他的搬运室804也同样提供有搬运机构和真空抽气装置。提供在搬运室803中的自动机可以旋转衬底的正反面，而且可以旋转搬运衬底到淀积室805。另外，搬运室803可以维持为大气压或真空。搬运室803和真空抽气处理室连接，可以真空抽气为真空，也可以在真空抽气后导入惰性气体变为大气压。
另外，上述真空抽气室提供有磁悬浮型涡轮分子泵、低温泵或干燥泵。由此，连接到各个小的搬运室的最终真空度可以做到10^-5_10^-6Pa的范围，而且，可以控制杂质从泵侧和抽气系统的反向扩散。为了防止杂质混入到设备内部，使用氮气或稀有气体等惰性气体作为要引入的气体。将要引入到设备中的这些气体，在其被引入到设备之前用气体精制器高度提纯，然后被使用。因而，有必要提供气体精制器，使得气体在被高度提纯之后引入到蒸发淀积装置中。由此，包括在气体中的氧、水和其他杂质可以预先被除去，因而，可以防止杂质混入到设备内部中。
另外，在将衬底安装到衬底投入室801之前，为了减少表面的点缺陷，优选的是，将界面活性剂(弱碱)包含于多孔海绵(典型地，由PVA(聚乙烯醇)或尼龙制成)中，用其擦拭和清洗第一电极(阳极)表面以便去除表面的微粒。作为清洗装置，可使用具有滚刷(用PVA制作)的清洗装置，滚刷与衬底表面接触，同时绕平行于衬底表面的轴线旋转，或也可使用具有圆盘状刷子(用PVA(聚乙烯醇)制作)的清洗装置，圆盘状刷子与衬底表面接触，同时绕垂直于衬底表面的轴线旋转。
此外，为了防止从衬底侧的成膜面侵入水分，优选在蒸发淀积含有有机化合物的膜之前进行真空加热。将衬底从搬运室803搬运到能够进行真空加热的预处理室809，并在真空(等于或低于5×10^-3乇(0.665Pa)的压力，优选从10^-4到10^-6Pa)中进行用于除气的退火，以便完全除去含在衬底中的湿气和其它气体。特别是，如果有机树脂膜用作层间绝缘膜材料或隔离物的材料，有机树脂材料有容易吸收湿气的倾向，此外，还有产生除气的危险。因此在形成含有有机化合物的层之前，进行真空加热相当有效，具体是在100-250℃、优选为150℃-200℃的温度下在例如30分钟或更长时间的周期内加热之后，进行30分钟的自然冷却，以便除去吸收的湿气。
另外，如果有必要可以在淀积室807内通过大气压下或减压下的喷墨法、旋涂法、或喷雾法等形成由高分子(聚合)材料制成的空穴注入层。另外，在用喷墨法涂敷后，可以用旋涂器谋求膜的均匀化。同样，在用喷雾器涂敷后，可以用旋涂器谋求膜的均匀化。另外，还可以在竖着放置衬底上在真空中通过喷墨法形成膜。
例如，在淀积室807中，将聚(乙烯二氧噻吩)/聚(苯乙烯磺酸)(PEDOT/PSS)的水溶液、聚苯胺/樟脑磺酸(PANI/CSA)的水溶液、PTPDES、Et-PTPDEK、PPBA等作为空穴注入层(阳极缓冲层)发挥作用的材料涂敷在第一电极(阳极)的整个表面上并焙烧。优选在预处理室809中进行焙烧。
通过采用旋涂器等涂覆法形成由聚合材料构成的空穴注入层的情况还可以提高平坦性，对于在其上形成的膜，可以得到满意的膜的覆盖率和均匀性。特别是，由于发光层的膜的厚度很均匀，因此可以获得均匀的发光。在这种情况下，优选在用涂覆法形成空穴注入层之后和用蒸发淀积法淀积形成膜之前进行真空加热(在100℃-200℃)。
例如，用海绵清洗第一电极(阳极)的表面，将衬底搬运到衬底投入室801，搬运到淀积室807，用旋涂法在在整个表面上形成60nm厚的聚(乙烯二氧噻吩)/聚(苯乙烯磺酸)(PEDOT/PSS)的水溶液的膜，然后搬运到预处理室809，在80℃的温度下进行预备焙烧10分钟，然后在200℃下进行1小时的正式焙烧，而且一直到淀积即将开始之前，实施真空加热(在170℃下加热30分钟，然后冷却30分钟)，然后搬运衬底到淀积室805，在不暴露于大气的情况下，用蒸发淀积法形成发光层。尤其是，在用ITO膜作为阳极的材料，在表面上存在凸凹和微小颗粒的情形中，通过将PEDOT/PSS的膜的厚度设定为30nm或更多，可以减少这些影响。
此外，如果通过旋涂用PEDOT/PSS形成膜时，可以在整个表面上形成膜，因此优选从衬底的边缘表面，以及周边部分、终端部分、阴极和下部线路连接的区域选择地除去PEDOT/PSS。优选使用掩膜通过采用O₂灰化等有选择地在预处理室809中进行除去步骤。预处理室809具备产生等离子体的装置，激发选自Ar、H、F、O中的一种或多种气体以产生等离子体，从而执行干蚀刻。也可以利用掩膜选择性地清除不要的部分。另外，可以在预处理室809中配备照射UV的机构以执行作为阳极表面处理的紫外线照射。
接着，用搬运机构812将衬底搬运到和搬运室803连接的淀积室805，从而适当地形成由低分子构成的成为空穴注入层、空穴输运层、发光层、电子输运层、或电子注入层的有机化合物层。通过适当地选择EL材料，可以形成作为发光元件整体的显示单色(具体为白色、红色、绿色或蓝色)发光的发光元件。
膜的形成通过移动配备蒸发源712的自动机而被执行，可以在蒸发源中安装填充了EL材料的容器。容器可以使用根据本发明的实施方案模式1和2所示的容器。
另外，淀积室805中提供有根据实施方案模式3所示的容器安装室808a-808d，并配备有多个填充了EL材料的容器。将填充有需要的材料的容器搬运到淀积室，按顺序执行蒸发淀积。此外，可以以面朝下(face-down)方式安装衬底，利用CCD等对准蒸发淀积掩膜的位置，并利用电阻加热法有选择地执行蒸发淀积以形成膜。蒸发淀积完成以后将衬底搬运到下一个搬运室一侧。
接下来，通过安装在搬运室804内部的搬运机构，衬底从淀积室805中被取出，在不暴露于大气的情况下，又被搬运到淀积室806中以形成阴极(或保护膜)。阴极可以采用使用电阻加热的蒸发淀积法形成的无机膜(由MgAg、MgIn、CaF₂、LiF、CaN等的合金形成的膜，或者用属于周期表中I族或II族的元素和铝通过共同蒸发淀积方法形成的膜，或这些膜层叠而形成的叠层膜)。另外，阴极也可以用溅射法形成。
另外，在制造顶面发射型或双面发射型发光器件的情形中，阴极为透明或半透明比较理想。优选的是，用上述金属膜的薄膜(1nm-10nm)或上述金属膜的薄膜(1nm-10nm)和透明导电膜的叠层形成阴极。这种情形中，可以在淀积室806中用溅射法形成由透明导电膜(ITO(氧化铟氧化锡合金)、氧化铟氧化锌合金(In₂O₃-ZnO)、氧化锌(ZnO)等)构成的膜。
通过上述步骤，形成具有叠层结构的发光元件。
另外，也可以在和搬运室804连接的淀积室806形成由氮化硅膜或氮氧化硅膜构成的保护膜用来密封。在该情形中，淀积室806的内部提供有硅制成的靶、或者氧化硅制成的靶，或者氮化硅制成的靶。例如，可以在固定的衬底上移动棒状的靶以形成保护膜。另外，也可以是相对于固定的棒状的靶，移动衬底以形成保护膜。
例如，使用由硅制成的圆盘状的靶，在由氮气氛或包括氮和氩的气氛构成淀积室的气氛中在阴极上形成氮化硅膜。另外，也可以形成以碳为主要成分的薄膜(DLC(类金刚石碳)膜，CN膜，或非晶质碳膜)作为保护膜。或者，另外提供使用CVD法的淀积室。类金刚石碳膜(也被称为DLC膜)可以用等离子体CVD法(典型地，RF等离子体CVD法，微波CVD法，电子回旋共振(ECR)CVD法)，热灯丝CVD法等)，燃烧炎法，溅射法，离子束蒸发淀积法，激光蒸发淀积法等形成。作为用于膜形成的反应气体，使用氢气和碳氢型气体(例如，CH₄，C₂H₂，C₆H₆等)。反应气体然后通过辉光放电被离子化。所得到的离子被加速以碰撞负子偏压的阴极以便形成DLC膜。CN膜可以用C₂H₄，N₂作为反应气体而形成。所得到的DLC膜和CN膜是对可见光透明或半透明的绝缘膜。贯穿本说明书中，句子“对可见光透明”意思是可见光的透射率是80-100％，句子“对可见光半透明”意思是可见光的透射率是50-80％。
接下来，从搬运室804搬运其上形成有发光元件的衬底到密封/取出室802。
从外部安装密封板到密封板装载室810中以备用。注意优选预先进行真空退火，以便除去杂质如湿气。当在密封板上形成密封材料以将密封板和其上形成有发光元件的衬底键合(bonding)时，在密封室811内形成密封材料，然后，将其上形成有密封材料的密封板搬运到密封板储存室813。注意可以在密封室811中给密封板提供干燥剂。此外，还可以在密封板储存室813存储在蒸发淀积时使用的蒸发淀积掩膜。注意，虽然这里示出了在密封板上形成密封材料的例子，但是本发明不限于这种结构。还可以在其上形成有发光元件的衬底上形成密封材料。
接下来，在密封/取出室802将衬底和密封板键合在一起。用提供在密封/取出室802中的紫外线向该键合在一起的衬底照射机构照射UV光以固化密封材料。这里虽用紫外线固化树脂作为密封材料，本发明的密封材料并不特别的限制于紫外线固化树脂，只要它们是粘接材料，密封材料就没有特殊的限制。
接下来，从密封/取出室802取出被键合在一起的一对的衬底。
如上所述，通过使用图8所示的制造设备，直到发光元件被密封在密闭的密封空间，发光元件都不暴露于大气中，因而，可以制造高可靠性的发光器件。另外，由于移动蒸发源，衬底在淀积室805内移动以完成蒸发淀积，所以可以在短时间内完成蒸发淀积，高生产率地制作发光器件。
此外，这里虽没有示出，根据本发明的制作设备中提供有：控制各个处理室操作的控制装置；控制在各个处理室间搬运的控制装置；以及控制移动衬底到各个处理室路径的实现了自动化的控制装置。
此外，在图8所示的制造设备中，将具有作为阳极的透明导电膜(或金属膜(TiN))的衬底搬运进来，在其上形成含有有机化合物的层，然后形成透明或半透明阴极(例如，薄金属膜(Al、Ag)和透明导电膜层叠而成的叠层)，这样就可以形成顶面发射型(或者双面发射型)发光元件。注意，顶面发射型的发光元件是指一种元件，该元件透射阴极取出在含有有机化合物的层中产生的光。
此外，在图8所示的制造设备中，将其上提供有作为阳极的透明导电膜的衬底搬运进来，在其上形成含有有机化合物的层之后，形成由金属膜(Al、Ag)制成的阴极，这样就可以形成底面发射型发光元件。注意，底面发射型的发光元件是指一种元件，该元件将在含有有机化合物的层中产生的光从透明电极的阳极取出到TFT一侧，然后透射衬底。
根据以上步骤，本实施例的制造设备可以对应所有有机EL元件的制造，而且，可以在长时间执行蒸发淀积，所以可以大幅度地提高生产性。
实施例2
本实施例用图9和图10示出制作发光器件(具有顶面发光结构)的一个实例，其中，发光器件在有绝缘表面的衬底上具备本发明的发射白色光的发光元件。注意，术语“顶面发光结构”是指从相反于衬底的有绝缘表面的那一侧获取光的结构。
图9表示发光器件的俯视图，图10是沿图9中的线A-A’切割构成的剖面图。图9中，用虚线表示的901是源信号线驱动电路、902是像素部分、903是栅信号线驱动电路。904是透明的密封板、905是第一密封材料，第一密封材料905围成的内侧填充有透明的第二密封材料907。第一密封材料905中含有保持衬底间距的间隙材料。
另外，用于传输输入到源信号线驱动电路901和栅信号线驱动电路903的信号的线路908从构成外部输入终端的FPC(柔性印刷电路)909接收视频信号或时钟信号。尽管这里只说明了FPC，但此FPC可以附连有印刷线路板(PWB)。
其次，将参考图10说明剖面结构。驱动电路和像素部分形成于衬底910之上，这里，示出作为驱动电路的源信号线驱动电路901和像素部分902。
另外，源信号线驱动电路901由n沟道型TFT 923和p沟道型TFT924组合的CMOS电路形成。另外，形成驱动电路的TFT可以由众所周知的CMOS电路、PMOS电路或NMOS电路形成。另外，尽管在本实例示出在衬底之上形成驱动电路的驱动器集成型，然而驱动器集成型不是必须需要的，驱动电路可以不形成在衬底之上，而是形成在其外。另外，以多晶硅膜作为活性层的TFT的结构不受特别限制，其可以是顶栅型TFT，也可以是底栅型TFT。
另外，像素部分902由多个像素形成，每个像素包括开关TFT 911、电流控制TFT 912、和第一电极(阳极)913，其中第一电极913电连接到电流控制TFT 912的漏区。作为电流控制TFT 912，其可以是n沟道型TFT也可以是p沟道型TFT。在其与阳极连接的情形中，优选p沟道型TFT。另外，优选适当提供存储电容器(没有图示出)。另外，无数个被排列的像素当中，只有一个像素的剖面被示出，这里虽示出2个TFT用于此一个像素的实例，3个TFT或更多，也可以被适当地用于一个像素。
由于第一电极(阳极)913直接接触到TFT的漏区，故第一电极(阳极)913的底层由能够与由硅构成的漏区形成欧姆接触的材料形成。与含有有机化合物层接触的第一电极913的表面，最好由功函数大的材料组成。当第一电极(阳极)优选使用功函数4.0eV或更大的材料。例如，第一电极由三层叠层，即氮化钛膜、以铝为主要成分的膜、以及氮化钛膜组成时，第一电极能够减小引线电阻，形成对漏区的良好欧姆接触，并可以被用作阳极。此外，第一电极(阳极)913可以由ITO(氧化铟锡)、在氧化铟中掺杂2％-20％的氧化硅(SiO₂)的ITSO、金(Au)、白金(Pt)、镍(Ni)、钨(W)、铬(Cr)、钼(Mo)、铁(Fe)、钴(Co)、铜(Cu)、钯(Pd)、锌(Zn)或金属材料的氮化物(氮化钛等)的单层或者三层或更多层的叠层结构组成。
而且，在第一电极(阳极)913的两边端形成绝缘体(称为势垒、隔离物、障碍物、堤坝等)914。绝缘体914可以由有机树脂膜或含有硅的绝缘膜组成。此处，正性光敏丙烯酸树脂膜被用来形成如图10所示形状的绝缘体914。
为了获得良好的覆盖，最好使绝缘体914的上边缘部分或下边缘部分成为具有曲率半径的弯曲形状。例如，若正性光敏丙烯酸被用作绝缘体914的材料，则最好仅仅弯曲绝缘体914的上边缘部分使其具有曲率半径(优选为0.2μm-3μm)。另外，在光敏性的光照下变成不溶于腐蚀剂的负性光敏材料以及在光敏性的光照下变成溶于腐蚀剂的正性光敏材料，都能够被用于绝缘体914。
另外还可以形成覆盖绝缘体914的保护膜，该保护膜由氮化铝膜、氮化氧化铝膜、以碳元素为主要成分的膜、或氮化硅膜构成。
接着形成场致发光层915。形成场致发光层915的材料为低分子、高分子、具有低分子和高分子之间的性质的中分子。在本实施例中，由于用蒸发淀积法形成场致发光层915，所以采用低分子材料。无论是低分子材料还是高分子材料，都可以溶化在溶剂中，并用旋涂法或喷墨法进行涂敷。另外，不仅可以使用有机材料，也可以使用有机材料和无机材料的复合材料。
另外，在第一电极(阳极)913上根据本发明的使用蒸发淀积用容器的蒸发淀积法选择性地形成场致发光层915。例如，在抽真空到等于或低于5×10^-3Torr(0.665Pa)的真空度，优选10^-4～10^-6Torr的在实施例1所示的淀积室内执行蒸发淀积。蒸发淀积时，根据电阻加热，预先气化有机化合物，在蒸发淀积时打开闸门使有机化合物向衬底的方向飞散。被气化的有机化合物向上方飞散，经过提供有金属掩膜的开口部分淀积在衬底上，从而形成场致发光层915(从第一电极侧为空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层)。注意，场致发光层915的结构也可以不是上述的结构，而由单层、混合层形成。而且，在场致发光层915上形成第二电极(阴极)916。
如使用本发明的蒸发淀积用容器以及蒸发淀积装置，即使是蒸发源可以从加热部分脱附的蒸发淀积装置，也可以在蒸发淀积时使容器的开口部分和加热器之间的温度差变小，从而防止蒸发材料附着在开口部分。所以，可以减少引起堵塞的更换蒸发源或维修的次数，从而提高生产量。此外，还可以抑制因开口部分的堵塞引起的蒸发淀积率的变化，从而可以提供质量不均匀少的高品质的发光器件。
作为第二电极(阴极)，优选使用功函数小(功函数为3.8eV或更小)的金属、合金、电传导性化合物、以及这些的混合物。具体可以使用归属于周期表中I族或II族的元素，也就是Li或Cs等的碱金属；Mg、Ca、Sr等的碱土金属；包含上述的合金(Mg:Ag、Al:Li)或化合物(LiF、CsF、CaF₂)；以及包含稀土类金属的过渡金属的材料来形成第二电极。但是，本实施例中的第二电极(阴极)由于有透光性，所以第二电极可以将这些金属或包含这些金属的合金形成得相当薄，然后和ITO、IZO、ITSO或其他的金属(包含合金)组成叠层而形成。
这里，为使光能透射过去，第二电极(阴极)916使用由厚度薄的功函数小的金属薄膜和透明导电膜(氧化铟锡(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、氧化锌(ZnO)等)制成的叠层。通过以上步骤形成了由第一电极913(阳极)、场致发光层915及第二电极916(阴极)制成的场致发光元件918。
本实施例中，场致发光层915使用按顺序层叠空穴注入层的Cu-Pc(20nm)、有空穴输运性的第一发光层α-NPD(30nm)、第二发光层的CBP+Pt(ppy)acac：15wt％(20nm)、电子输运层的BCP(30nm)的叠层。此外，因为第二电极(阴极)使用功函数小的金属薄膜，所以在此就不需要使用电子注入层(CaF₂)
根据以上步骤形成的场致发光元件918发射白色光，在此，为了实现全色显示，提供由上色层931和光遮挡层932制成的滤色器(为简单起见，外涂层在这里没有图示出)。
为了密封场致发光元件918，形成透明保护叠层917。透明保护叠层917由层叠第一无机绝缘膜、应力缓和膜、第二无机绝缘膜形成的叠层构成。作为第一无机绝缘膜以及第二无机绝缘膜，可以使用通过溅射或CVD得到的氮化硅膜，氧化硅膜，氮化氧化硅膜(SiNO膜(成分比N＞0)或SiON膜(成分比N＜0))和以碳作为主要成分的薄膜(诸如DLC膜，CN膜)。这些无机绝缘膜虽对水分有很高的封闭效应，但随着膜的厚度的增大膜应力也增大，这样就容易产生剥皮和膜的剥落。
但是，如在第一无机绝缘膜和第二无机绝缘膜之间夹上应力缓和膜，即可以缓和应力又可以吸收湿气。而且，即使在膜的形成时，出于某种原因在第一无机绝缘膜上形成微小的气孔(针尖状气孔)，应力缓和膜可以填塞这些气孔。而且，进一步在应力缓和膜之上提供第二无机绝缘膜使保护膜对湿气或氧有极高的封闭效应。
作为应力缓和膜，优选的是，使用比无机绝缘膜的应力小而且有吸湿性的材料。更优选的是，同时具有透光性的材料。作为应力缓和膜还可以使用诸如α-NPD、BCP、MTDATA、Alq₃等含有有机化合物的材料膜。这些材料膜有吸湿性，如果膜的厚度薄，则几乎是透明的。另外，由于MgO、SrO₂、SrO有吸湿性和透光性，且可以通过蒸发淀积形成薄膜，所以该薄膜也可以作为应力缓和膜。
在本实施例中，将用硅制成的靶在包括氮和氩构成的气氛中形成的膜，也就是说，对湿气和碱性金属等杂质有极高封闭效果的氮化硅膜用于第一无机绝缘膜或第二无机绝缘膜，而通过蒸发淀积的Alq₃薄膜用于应力缓和膜。为使光能透射过透明保护叠层，优选的是，使透明保护叠层的膜的总厚度尽可能地薄。
另外，为了密封场致发光元件918，在惰性气体气氛中，用第一密封材料905，第二密封材料907将衬底和密封板904键合在一起。另外，第一密封材料905和第二密封材料907优选使用环氧类树脂。此外，理想的是，第一密封材料905和第二密封材料907采用尽可能少渗透湿气或氧的材料。
另外，本实施例中作为构成密封板904的材料，除了玻璃衬底或石英衬底之外，还可以使用FRP(玻璃纤维增强塑料)、PVF(聚氟乙烯)、聚酯、或丙烯酸等构成的塑料衬底。另外，在用第一密封材料905和第二密封材料907附连密封板904之后，用第三密封材料密封以便覆盖侧面(暴露的面)也是可以的。
根据以上步骤用第一密封材料905和第二密封材料907密封场致发光元件918，场致发光元件918可以完全地与外界阻断，所以可以防止诸如湿气或氧这样加速场致发光层915退化的物质从外界入侵。因而，可以获得高度可靠的发光器件。
并且，如使用透明导电膜作为第一电极913(阳极)，则可以制作双面发光型的发光器件。
实施例3
使用具备本发明的发光元件的发光器件而完成的电子器件可举出摄像机、数码照相机、护目镜式显示器(头盔式显示器)、导航系统、音频播放装置(例如，汽车放音设备或放音组件)、笔记本计算机、游戏机、便携式信息终端(例如，移动计算机、手提式电话、便携式游戏机和电子图书)、以及配备记录介质的图像播放装置(特别是，配备可再现如数字通用盘(DVD)等的记录介质并显示其图像的显示器的装置)的例子。这些电子器件的具体例子示于图11A至11E。
图11A表示一种显示器，包括机壳1801、显示单元1802、扬声器单元1803等。本发明适用于显示单元1802。通过使用本发明，即使是大尺寸的显示器件，也可以获取没有显示不均匀的高品质的显示。注意，该显示器指的是用于显示信息的所有显示器件，包括用于个人计算机、用于电视广播接收和用于显示广告的显示器件。
图11B表示一种数码相机，包括主体1811、显示部分1812、图像接受部分1813、操作按钮1814、外部连接接口1815、闸门1816等。本发明可以适用于显示部分1812的制造过程。通过将本发明适用于显示部分1812的制造过程，可以更正确地显示图像。
图11C表示一种计算机，包括主体1821、机壳1822、显示单元1823、键盘1824、外部接线口1825、指向鼠标1826等。本发明适用于显示单元1823的制造过程。通过使用本发明，可以更正确地显示图像。
图11D表示便携式计算机，包括主体1831、显示单元1832、开关1833、操作键1834、红外线接口1835等。本发明适用于显示单元1832的制造过程。通过使用本发明，可以更正确地显示图像。
图11E表示一种便携式游戏机，包括机壳1841、显示单元1842、扬声器单元1843、操作键1844、记录介质插入部分1845等。本发明可以适用于显示部分1842的制造过程。通过将本发明适用于显示部分1842的制造过程，可以更正确地显示图像。
如上所述，本发明的应用范围极为广泛，可应用到任何领域的电子器件上。另外，即使在单边超过1米的大尺寸衬底上也可以良好地蒸发淀积蒸发材料，所以可以提高产品的成品率，最终可以减少产品的成本。同时，有于可以提高产品的显示质量，所以能够作为执行高品质显示的电子器件，提高产品的竞争力。
根据本发明的制造设备，加热放置蒸发材料的容器的上部，也就是盖子，可以在执行蒸发淀积的工艺中防止填充蒸发材料的容器的堵塞，同时，可以在长时间稳定地执行蒸发淀积，所以，本发明的制造设备是生产性高的优良制造设备。
虽然上文所述的实施方案模式和实施例参考附图给出了本发明的全部说明，但只要是本领域的人员就很容易明白本发明的形式、实施模式的详情等可以被更改或修改。所以，除非上述更改或修改脱离了以下的本发明的权利要求范围，否则所有的更改和修改都将被认为在本发明的权利要求范围内。