波长可变滤波器及波长可变滤波器的制造方法 【技术领域】
本发明涉及波长可变滤波器及波长可变滤波器的制造方法。
背景技术
与本发明有关的波长可变滤波器(Optical Tunable Filter)的相关专利有如下的专利。
<表面微细加工的滤波器>
以往的波长可变滤波器的可变间隙的厚度仅由牺牲层的厚度控制。如果利用该方法，则会因牺牲层的制膜条件而在厚度上产生偏差，薄膜和驱动电极间地库仑力(静电力)不为定值，从而有无法获得稳定的驱动的问题。
另外，由于形成使可动部向基板上突出的构造，因此波长可变滤波器的厚度较大。(例如参照专利文献1)。
<使用SOI晶片的滤波器>
另一方面，在US6341039号中，将SOI(Silicon on Insulator)晶片的SiO2层作为牺牲层使用，形成可变间隙。这样就可以良好控制地形成可变间隙。
但是，由于在驱动电极和可动部之间未形成绝缘构造，因此在产生了较大的静电引力时，就会有引起可动部和驱动电极贴附在一起的问题(例如参照专利文献2)。
<两方式的共同的问题>
另外，虽然最终将牺牲层分离(release)而形成可变间隙，但是就需要用于将分离用的液体导入牺牲层的分离孔。所以，就会有库仑力所作用的面积减少，驱动电压增加的问题。
另外，如果可变间隙较小，则在分离牺牲层时在薄膜和驱动电极基板之间就会产生由水的表面张力造成的被称为粘连(sticking)的贴附现象。
另外，当为了减小驱动电压，使波长可变滤波器整体的厚度变薄时，就有可能在可动部发生形成于可动部上的防止反射膜、高反射膜的因应力而产生的翘曲。另外，还有波长可变滤波器的强度也降低的问题。
这样，就要求可以不减小可变间隙地用低电压实现可动部的稳定驱动的波长可变滤波器。
[专利文献1]特开2002-174721号公报
[专利文献2]美国专利第6341039号说明书
【发明内容】
本发明的目的在于，提供可以用低电压实现可动部的稳定的驱动，可以使构造、制造工序简单化并可以实现小型化的波长可变滤波器及波长可变滤波器的制造方法。
此种目的可以利用下述的本发明达成。
本发明的波长可变滤波器是具备：具有光透过性并且具有可动部和可以位移地支撑该可动部的支撑部的第1基板、
具有光透过性并且与所述第1基板相面对的第2基板、
设于所述可动部和所述第2基板之间的第1间隙及第2间隙、
在所述可动部和所述第2基板之间夹隔所述第2间隙而产生干涉的干涉部、
通过利用所述第1间隙使所述可动部相对于所述第2基板位移来改变所述第2间隙的间隔的驱动部，其特征是，所述支撑部的厚度比所述可动部的厚度薄。
这样，就可以用低电压驱动可动部，并可以使构造简单化，从而可以实现小型化。另外，可以不需要设置分离孔而容易地制造。
本发明的波长可变滤波器是具备：具有光透过性并且具有可动部和可以位移地支撑该可动部的支撑部的第1基板、
具有光透过性并且与所述第1基板相面对的第2基板、
设于所述第2基板上的第1间隙及第2间隙、
在所述可动部和所述第2基板之间夹隔所述第2间隙产生干涉的干涉部、
通过利用所述第1间隙使所述可动部相对于所述第2基板位移来改变所述第2间隙的间隔的驱动部的波长可变滤波器，其特征是，所述支撑部的厚度比所述可动部的厚度薄。
由于将可动部的移动用的间隙和干涉光的间隙设在同一基板上，因此就可以使构造、制造工序简单化，从而可以实现小型化。另外，可以用低电压驱动可动部。
本发明的波长可变滤波器中，所述第2基板最好在与所述可动部相面对的面上，具有与所述第1间隙对应的第1凹部、与所述第2间隙对应并且深度比所述第1凹部更深的第2凹部。
由于将可动部的移动用的间隙和干涉光的间隙设在同一基板上，因此就可以使构造、制造工序简单化，从而可以实现小型化。另外，可以用低电压驱动可动部。
本发明的波长可变滤波器中，所述第1凹部最好在所述第2凹部的外侧，被与该第2凹部连续地设置。
这样就可以使光效率良好地透过。另外，可以稳定地驱动可动部。
本发明的波长可变滤波器中，所述驱动部最好被按照利用库仑力使可动部位移的方式构成。
这样就可以稳定地驱动可动部。
本发明的波长可变滤波器中，在所述第2基板的与所述第1间隙对应的面上最好设有驱动电极。
这样就可以进一步稳定地驱动可动部。
本发明的波长可变滤波器中，所述第1间隙及所述第2间隙最好是分别利用蚀刻法设置的。
这样就可以设置精度高的第1间隙及第2间隙。
本发明的波长可变滤波器中，所述第1基板最好由硅构成。
这样就可以使构造、制造工序简单化。
本发明的波长可变滤波器中，所述可动部最好俯视形成近似圆形。
这样就可以效率优良地驱动可动部。
本发明的波长可变滤波器中，所述第2基板最好由玻璃构成。
这样就可以制造精度高的基板，从而可以实现使光有效透过的波长可变滤波器。
本发明的波长可变滤波器中，所述玻璃最好是含有碱金属的玻璃。
这样，就可以使制造更容易，并且可以将第1基板和第2基板牢固地并且具有高密接性地接合。
本发明的波长可变滤波器中，最好在所述可动部的与所述第2间隙对应的面上，具有第1反射膜，在所述第2基板的与所述可动部相面对的面上，具有第2反射膜。
这样就可以使光效率优良地反射。
本发明的波长可变滤波器中，所述第1反射膜及所述第2反射膜最好分别为多层膜。
这样就可以使膜厚容易变化，从而可以使反射膜的制造简单化。
本发明的波长可变滤波器中，所述第1反射膜最好为绝缘膜。
这样就可以在可动部和第2基板之间以简单的构成形成可靠地绝缘构造。
本发明的波长可变滤波器中，最好在所述可动部的与所述第2间隙相反一侧的面和所述第2基板的所述第2间隙的相反一侧的面的至少一方上，具有防止反射膜。
这样就可以抑制光的反射，使光有效地透过。
本发明的波长可变滤波器中，所述防止反射膜最好为多层膜。
这样就可以使膜厚容易变化，从而可以使防止反射膜的制造简单化。
本发明的波长可变滤波器中，所述第2基板最好在与所述第2间隙相反一侧上具有使光入射和/或出射的光透过部。
这样就可以使光有效地透过。
本发明的波长可变滤波器的制造方法，所述波长可变滤波器具备：
第1基板，具有光透过性并且具有可动部以及比该可动部薄并可以位移地支撑该可动部的支撑部；
第2基板，具有光透过性并且与所述第1基板相面对；
第1间隙及第2间隙，设于所述可动部和所述第2基板之间；
干涉部，在所述可动部和所述第2基板之间夹隔所述第2间隙而产生干涉；
驱动部，通过利用所述第1间隙使所述可动部相对于所述第2基板位移来改变所述第2间隙的间隔；其特征是，具有：
在第2基板用基材上形成第1凹部和第2凹部，形成所述第2基板的工序、
将所述第2基板和第1基板用基材接合的工序、
将所述第1基板用基材的、除去形成与所述第2基板相面对一面的相反面侧的所述可动部的部分并且包含形成所述支撑部的部分的部位，蚀刻至与所述支撑部对应的厚度，进而通过进行蚀刻形成特定图案的开口，来形成所述第1基板的工序。
这样就可以容易并且可靠地制造第1基板。
本发明的波长可变滤波器的制造方法，所述波长可变滤波器具备：
第1基板，具有光透过性并且具有可动部以及比该可动部薄并可以位移地支撑该可动部的支撑部；
第2基板，具有光透过性并且与所述第1基板相面对；
第1间隙及第2间隙，设于所述可动部和所述第2基板之间；
干涉部，在所述可动部和所述第2基板之间夹隔所述第2间隙而产生干涉；
驱动部，通过利用所述第1间隙使所述可动部相对于所述第2基板位移来改变所述第2间隙的间隔；其特征是，具有：
在第2基板用基材上形成第1凹部和第2凹部，形成所述第2基板的工序、
将所述第1基板用基材的、除去形成所述可动部的部分并且包含形成所述支撑部的部分的部位，蚀刻至与所述支撑部对应的厚度，形成具有与所述支撑部对应的厚度的底部的凹部的工序、
将所述第2基板和所述第1基板用基材的形成了所述凹部的面侧接合的工序、
在所述第1基板用基材上通过进行蚀刻形成特定图案的开口来形成所述第1基板的工序。
这样就可以容易并且可靠地制造第1基板。
本发明的波长可变滤波器的制造方法，所述波长可变滤波器具备：
第1基板，具有光透过性并且具有可动部以及比该可动部薄并可以位移地支撑该可动部的支撑部；
第2基板，具有光透过性并且与所述第1基板相面对；
第1间隙及第2间隙，设于所述可动部和所述第2基板之间；
干涉部，在所述可动部和所述第2基板之间夹隔所述第2间隙而产生干涉；
驱动部，通过利用所述第1间隙使所述可动部相对于所述第2基板位移来改变所述第2间隙的间隔；其特征是，具有：
在第2基板用基材上形成第1凹部和第2凹部，形成所述第2基板的工序、
将所述第1基板用基材的、除去形成所述可动部的部分并且包含形成所述支撑部的部分的部位，进行蚀刻而形成具有特定厚度的底部的凹部的工序、
将所述第2基板和所述第1基板用基材的形成了所述凹部的面侧接合的工序、
将所述第1基板用基材的、除去形成与所述第2基板相面对一面的相反面侧的所述可动部的部分并且包含形成所述支撑部的部分的部位，蚀刻至与所述支撑部对应的厚度，进而通过进行蚀刻形成特定图案的开口，来形成所述第1基板的工序。
这样就可以可靠地制造第1基板，并可以更有效地驱动可动部。
本发明的波长可变滤波器的制造方法中，最好将具有导电性的活性层、绝缘层及基底层被以该顺序层叠后的叠层基板的所述活性层作为所述第1基板用基材，在从所述活性层侧将所述叠层基板与所述第2基板接合后，将所述基底层及所述绝缘层依次除去，由所述活性层形成所述第1基板。
这样，就可以将第1基板用基材和第2基板容易地接合。另外，由于在基底层除去时，绝缘层发挥蚀刻阻断层的作用，因此可以高精度地维持成为第1基板的活性层的厚度。
本发明的波长可变滤波器的制造方法中，所述叠层基板最好是在主要由Si构成的所述活性层上，将主要由SiO2构成的所述绝缘层、主要由Si构成的所述基底层以该顺序层叠而成的SOI基板，或者是在主要由Si构成的所述活性层上，将主要由SiO2构成的绝缘层、主要由蓝宝石构成的所述基底层以该顺序层叠而成的SOS基板。
这样就可以容易地得到表面为镜面的第1基板，从而可以使第1基板的制造工序简单化。
【附图说明】
图1是表示本发明的波长可变滤波器的实施方式1的剖面图。
图2是表示本发明的波长可变滤波器的实施方式1的俯视图。
图3是用于说明本发明的波长可变滤波器的实施方式1的制造方法的图。
图4用于说明本发明的波长可变滤波器的实施方式1的制造方法的图。
图5用于说明本发明的波长可变滤波器的实施方式1的制造方法的图。
图6用于说明本发明的波长可变滤波器的实施方式1的制造方法的图。
图7是表示本发明的波长可变滤波器的实施方式2的剖面图。
图8用于说明本发明的波长可变滤波器的实施方式2的制造方法的图。
图9是表示本发明的波长可变滤波器的实施方式3的剖面图。
图10用于说明本发明的波长可变滤波器的实施方式3的制造方法的图。
图11是用于说明本发明的波长可变滤波器的动作的一个例子的图。
图12是表示本发明的波长可变滤波器的实施方式中的安装了电线的状态的图。
图中：1...波长可变滤波器，2...基底基板，8...开口部、20...第2基板，21...第1间隙，211...第1凹部，22...第2间隙，221...第2凹部，23...驱动电极，231...导电层，24...光入射部，3...第1基板，31...可动部，32...支撑部，33...通电部，35...凹部，5...透明基板，50...电线，6...掩模层，61...开口，62...开口，7...晶片，71...第1Si层，72...SiO2层，73...第2Si层，100...防止反射膜，200...第1反射膜，210...第2反射膜，300...光源，L...光，x...距离
【具体实施方式】
下面将参照附图所示的优选实施方式对本发明的波长可变滤波器进行详细说明。
图1表示本发明的波长可变滤波器的实施方式1，是图2的A-A线的剖面图，图2是图1的波长可变滤波器的俯视图。另外，以下的说明中，将图1中的上侧称为「上」，将下侧称为「下」。
如图1所示，波长可变滤波器1具有由硅构成的第1基板3、与第1基板3相面对的基底基板2、设于这些第1基板3和基底基板2之间的第1间隙21及第2间隙22。
第1基板3具有导电性及光透过性，具有配置于中央部的可动部31、可以位移(移动)地支撑可动部31的支撑部32、对可动部31进行通电的通电部33。
另外，可动部31、支撑部32、通电部33被一体化形成，通电部33夹隔支撑部32与可动部31连接。
第1基板3在通电部33中被与基底基板2接合。
基底基板2具备具有第1凹部211及第2凹部221的基底主体(第2基板)20、驱动电极23、导电层231、光入射部(光透过部)24、防止反射膜100、第2反射膜210。
基底主体20具有光透过性。作为基底主体20的构成材料，例如可以举出钠玻璃、晶体玻璃、石英玻璃、铅玻璃、钾玻璃、硼硅酸玻璃、硼硅酸钠玻璃、无碱玻璃等各种玻璃、硅等，但是优选例如含有钠(Na)之类的碱金属的玻璃。
从此种观点出发，可以使用钠玻璃、钾玻璃、硼硅酸钠玻璃等，例如，可以恰当地使用Corning公司制的Pyrex glass(注册商标)。
此种基底主体20的厚度(平均)分别要根据构成材料、用途等适当选择，没有特别限定，但是优选10～2000μm左右，更优选100～1000μm左右。
基底主体20的与可动部31相面对的面上，设有第1凹部211、比第1凹部211深度更深的第2凹部221。
另外，第1凹部211在第2凹部221的外侧被与第2凹部221连续地设置。
该第1凹部211的外形形状与后述的可动部31的外形形状对应，第1凹部211的尺寸(外形尺寸)被设定为略大于可动部31。
另外，该第2凹部221的外形形状与可动部31的外形形状对应，第2凹部221的尺寸被设定为略小于可动部31。
这样，第1凹部211和可动部31的外周部(外侧部)就相互面对。
该第1凹部211及第2凹部221最好通过从后述的基底主体20的表面进行蚀刻处理而形成。该第1凹部211内的空间成为第1间隙21。即，可动部31、第1凹部211划分出第1间隙21。
同样，该第2凹部221内的空间成为第2间隙22。即，可动部31、第2凹部221划分出第2间隙22。
该第1间隙21的厚度(平均)根据用途等适当选择，没有特别限定，但是优选0.5～20μm左右。
另外，第2间隙22的厚度(平均)根据用途等适当选择，没有特别限定，但是优选1～100μm左右。
可动部31在本实施方式中形成俯视近似圆形的形状。这样就可以有效地驱动可动部31。另外，可动部31可以沿图1中上下方向自由地位移。
可动部31的厚度(平均)分别根据构成材料、用途等适当选择，没有特别限定，但是优选1～500μm左右，更优选10～100μm左右。
另外，在可动部31上，在与第2凹部221相面对的面(可动部31的下面)上，设有使光有效地反射的第1反射膜(HR涂层)200，在与第2凹部221相面对的面的相反面(可动部31的上面)上设有抑制光的反射的防止反射膜(AR涂层)100。
而且，可动部31的形状当然也不特别限定于图示的形状。
在图2中的中央附近，具有弹性(柔性)的4个支撑部32分别被与可动部31和通电部33一体化地形成。
该支撑部32在可动部31的外周侧面上被开口部8分隔而以等角度间隔(间隔90°)设置。
本实施方式中，4个支撑部32的厚度比可动部31的厚度更薄。
这样，即使降低由支撑部32所具有的弹性决定的弹簧常数，比以往的库仑力更小，可动部31也可以获得在将支撑部32设为与可动部31相同厚度时相同程度的位移。
所以，就可以降低为了产生库仑力而施加的电压，从而实现消耗电能的降低。另外，对于库仑力将在后面详细叙述。
另外，在库仑力未发挥作用的情况下，作为支撑体需要有效地支撑可动部31的重量。根据可动部31的重量、大小、支撑部32的数目、第1基板3的厚度等诸条件，支撑部32的厚度的下限不同。
按照使该支撑部32的厚度比可动部31更薄，而且在库仑力未发挥作用的情况下，能够有效地支撑可动部31的重量的方式，例如根据可动部31的重量、大小、支撑部32的数目、第1基板3的厚度等诸条件来适当设定。
而且，在将支撑部32的厚度设为A，将可动部的厚度设为B时，A/B优选0.1～0.9，更优选0.3～0.7。
而且，本实施方式中，可动部31及导电部33的各自下侧(基底基板2侧)与支撑部32连接。
而且，支撑部32的数目并不一定限定为4个，例如也可以是2个、3个或5个以上。另外，支撑部32的形状并不限定为图示的形状。
光入射部24被设于基底主体20的下面，光可以从该光透过部24向波长可变滤波器1入射。另外，在光入射部24的表面设有防止反射膜100。
另外，在第2凹部221的表面，设有第2反射膜210。
另外，在第1凹部211的上面，设有驱动电极23，从驱动电极23跨越至基底主体20的端面，设有形成层状(膜状)的导电层231。
另外，在驱动电极23及导电层231的上面，设有第2反射膜210。
驱动电极23及导电层231各自具有导电性，例如由Cr、Al、Al合金、Ni、Zn、Ti、Au等金属、分散了碳或钛等的树脂、多晶硅(聚硅)、无定形硅等硅、氮化硅、ITO之类的透明导电材料等构成。
此种驱动电极23及导电层231的厚度(平均)分别根据构成材料、用途等适当选择，没有特别限定，但是优选0.1～5μm左右。
另外，如图12所示，从该波长可变滤波器1的通电部33、导电层231分别将电线50用例如焊锡等焊料连接在未图示的电路基板上。
这样，通电部33、导电层231就分别借助电线50及电路基板与未图示的电源连接，从而可以在可动部31、驱动电极23之间施加电压。
当在这些驱动电极23、可动部31之间施加电压时，在驱动电极23、可动部31上即产生电位差，在两者之间发生库仑力，利用该库仑力，可动部31向下方移动、静止。
此时，例如通过使施加电压连续地、阶段性地变化，就可以使可动部31相对于基底基板2向上下方向的特定的位置移动。
这样，就可以将第2间隙22和可动部31的距离x调节(变更)为特定的距离，从而可以如后述所示使特定波长的光射出。
由驱动电极23、第1间隙21、可动部31的外周部构成利用库仑力驱动的方式的驱动部(促动器)的主要部分。
本实施方式的第1反射膜200及第2反射膜210具有绝缘性。
即，第1反射膜200及第2反射膜210兼作绝缘膜。这样，第1反射膜200就可以防止驱动电极23和可动部31的短路。
另外，第2反射膜210可以防止导电层231、第1基板3的短路。
本实施方式中，防止反射膜100、第1反射膜200、第2反射膜210由多层膜形成。通过设定(调整)多层膜的各层的厚度、层数、材质，就可以形成能够使特定的波长的光透过、反射的多层膜(可以使特性改变)。
这样就可以容易地形成防止反射膜100、第1反射膜200、第2反射膜210。
下面，使用图11对本发明的波长可变滤波器的动作(作用)进行说明。
如图11所示，从光源300射出的光L从设于基底基板2的下面的光入射部24入射。即，光L透过防止反射膜100、基底基板20及第2反射膜210，向第2间隙22入射。
入射的光在第1反射膜200和第2反射膜210之间，反复反射(产生干涉)。此时利用第1反射膜200及第2反射膜210可以减少光L的损失。
所述光L的干涉的结果为，与距离x对应的特定的波长的光(干涉光)透过第1反射膜200、可动部31、防止反射膜100，从可动部31的上面射出。
该波长可变滤波器1可以用于各种目的，例如，当在用于测定与特定的频率对应的光的强度的装置中使用时，可以容易地对其进行测定。
而且，本实施方式中，虽然从光入射部24入射光，但是并不限定于此，例如也可以从可动部31的上面入射光。此时，既可以从光入射部24射出，也可以从可动部31的上面射出。
另外，本实施方式中，虽然将从光入射部24入射的光从可动部31的上面射出，但是并不限定于此，例如也可以将从光入射部24入射的光从光入射部24射出。
另外，本实施方式中，虽然将防止反射膜100、第1反射膜200及第2反射膜210用多层膜形成，但是并不限定于此，例如也可以将防止反射膜及反射膜分别用单层膜形成。
另外，本实施方式中，虽然将第2反射膜设于导电层231上，作为绝缘膜，但是并不限定于此，例如也可以使用其他的具有绝缘性的构件。
另外，本实施方式中，虽然驱动部的构成采用了使用库仑力的构成，但是本发明并不限定于此。
<制造方法>
下面对于实施方式1的波长可变滤波器1的制造方法，将以图3～图6所示的工序图中所示的波长可变滤波器制造的情况为例进行说明。而且，以下的说明中，将图1中的上侧称为「上」，将下侧称为「下」。
本制造方法的特征在于，对支撑部从上侧(后述的第2Si层73的与基底主体20相面对的面的相反面侧)加工而使之变薄。该制造方法具有[1]基底基板20的制作工序、[2]晶片7的加工工序、[3]基底基板20和晶片7的接合工序、[4]第1基板3的制作工序。下面对于这些工序将依次进行说明。
[1]基底基板20的制作工序
<1>首先，在波长可变滤波器1的制造之前，准备作为具有光透过性的基板的透明基板(第2基板用基材)5。对于透明基板5，优选使用厚度均一的没有弯曲或损伤的基板。作为透明基板5的材料，如所述基底主体20的说明中所述。特别是，由于在阳极接合时加热透明基板5，因此优选与后述的第2Si层73的热膨胀系数大致相等的基板。
<2>然后，如图3(a)所示，在透明基板5上面及下面形成掩模层6(掩蔽处理)。
作为构成掩模层6的材料，例如可以举出Au/Cr、Au/Ti、Pt/Cr、Pt/Ti等金属、多晶硅(聚硅)、无定形硅等硅、氮化硅等。当在掩模层6中使用硅时，掩模层6和透明基板5的密接性提高。当在掩模层6中使用金属时，所形成的掩模层6的识认性提高。
掩模层6的厚度虽然没有特别限定，但是优选0.01～1μm左右，更优选0.09～0.11μm左右。如果掩模层6过薄，则会有无法充分保护透明基板5的情况，如果掩模层6过厚，则会有因掩模层6的内部应力而容易将掩模层6剥离的情况。
掩模层6例如可以利用化学气相成膜法(CVD法)、溅射法、蒸镀法等气相成膜法、镀膜法等形成。
<3>然后，如图3(b)所示，在掩模层6上形成开口61、62。
开口61例如设在形成第1凹部211的位置。另外，使开口61的形状(俯视形状)与所形成的第1凹部211的形状(俯视形状)对应。
开口62例如设在形成第1凹部211的位置的相反面。另外，使开口62的形状(俯视形状)与后面的工序中形成的第2凹部221的形状(俯视形状)对应。
这些开口61、62例如可以利用光刻法形成。具体来说，首先，在掩模层6上，形成具有与开口61、62对应的图案的抗蚀层(未图示)。然后，将此种抗蚀层作为掩模，除去掩模层6的一部分。然后，除去所述抗蚀层。这样就形成开口61、62。而且，掩模层6的局部去除例如可以利用CF气体、氯类气体等的干式蚀刻、在氢氟酸+硝酸水溶液、碱水溶液等的剥离液中的浸渍(湿式蚀刻)等来进行。
<4>然后，如图3(c)所示，在透明基板5上形成第1凹部211、光入射部24。
作为第1凹部211的形成方法，例如可以举出干式蚀刻法、湿式蚀刻法等蚀刻法等。通过进行蚀刻，透明基板5被开口61及开口62各向同性地蚀刻，形成具有圆柱状的第1凹部211及光入射部24。
特别是，如果利用湿式蚀刻法，则可以形成更为理想的接近圆柱状的第1凹部211及光入射部24。而且，作为进行湿式蚀刻时的蚀刻液，例如优选使用氢氟酸类蚀刻液等。此时，当在蚀刻液中添加甘油等醇(尤其是多价醇)时，则第1凹部211的表面就会成为极为光滑的表面。
<5>然后，除去掩模层6。
这例如可以利用向碱水溶液(例如四甲基氢氧化铵水溶液等)、盐酸+硝酸水溶液、氢氟酸+硝酸水溶液等剥离液(除去液)中的浸渍(湿式蚀刻)、CF气体、氯类气体等的干式蚀刻等来进行。
特别是，当通过将透明基板5浸渍在除去液中来除去掩模层6时，则可以利用简单的操作有效地除去掩模层6。
利用以上操作，如图3(d)所示，在透明基板5上，第1凹部211、光入射部24就被形成于特定的位置上。
第2凹部221可以与第1凹部211相同地制造、准备。
另外，如图4(e)所示，最好在制造第2凹部221时，将所形成的开口(掩蔽的掩模层6)的面积或工序<4>的蚀刻条件(例如蚀刻时间、蚀刻温度、蚀刻液的组成等)当中的至少1个设为与制造第1凹部211时的条件不同。这样，当将第2凹部221的制造条件设为与第1凹部211的制造条件部分不同时，则很容易使第1凹部211的半径与第2凹部221的半径不同。
利用以上操作，如图4(f)所示，在透明基板5上，第1凹部211和第2凹部221、光入射部24就被形成于特定的位置上。
在透明基板5的表面形成驱动电极23及导电层231时，进行以下的工序。
<6>首先，在透明基板5的上面及第1凹部211上形成掩模层(未图示)。
<7>然后，如图4(g)所示，形成驱动电极23及导电层231。
作为构成驱动电极23及导电层231的材料，例如可以举出Cr、Al、Al合金、Ni、Zn、Ti等金属、分散了碳或钛等的树脂、多晶硅(聚硅)、无定形硅等硅、氮化硅、ITO之类的透明导电材料等。
该驱动电极23及导电层231的厚度例如优选0.1～0.2μm
驱动电极23设于第1凹部211上，导电层231设于透明基板5的上面。另外，驱动电极23的形状(俯视形状)最好与所形成的第1凹部211的形状(俯视形状)对应。
该驱动电极23及导电层231例如可以利用光刻法形成。具体来说，首先，在掩模层6上形成具有与驱动电极23及导电层231对应的图案的抗蚀层(未图示)。然后，将此种抗蚀层作为掩模，将掩模层6的一部分除去。然后，将所述抗蚀层除去。这样就形成驱动电极23及导电层231。而且，掩模层6的局部去除可以利用例如CF气体、氯类气体等的干式蚀刻、向氢氟酸+硝酸水溶液、碱水溶液等剥离液中的浸渍(湿式蚀刻)等来进行。
<8>然后，如图4(h)所示，在第1凹部211的表面、驱动电极23的表面、导电层231的表面的特定的位置上设置第2反射膜210，在光入射部24的表面设置防止反射膜100。
本制造工序中，将防止反射膜100、第1反射膜200、第2反射膜210用多层膜形成。作为构成多层膜的材料，例如可以举出SiO2、Ta2O5、SiN等。
通过将它们交互层叠，就可以设置特定的厚度的多层膜。
另外，第1反射膜200及第2反射膜210的整体的厚度例如优选0.1～12μm。
利用以上操作，就可以获得在透明基板5上在特定的位置上形成了第1凹部211和第2凹部221、驱动电极23、光入射部24、第1反射膜200、防止反射膜100的波长可变滤波器用的基底基板2。
[2]晶片7的加工工序
在制造第1基板3时，首先准备晶片7。此种晶片7例如如下制造、准备。
该晶片7最好具有表面能够成为镜面的特性。从此种观点考虑，作为晶片7，可以使用例如SOI(Silicon on Insulator)基板、SOS(Silicon onSapphire)基板、硅基板等。
本制造工序中，作为晶片7，使用SOI基板。晶片7由第1Si层(基底层)71、SiO2层(绝缘层)72、第2Si层(活性层)73这3层的叠层体构成。构成该晶片7的各层当中，第1Si层及SiO2层72是被除去的部分，第2Si层46是被加工为第1基板3的部分。
该晶片7的厚度虽然没有特别限定，但是特别是第2Si层73，优选10～100μm左右。
<9>如图5(i)所示，在第2Si层73的下面，在后述的基底基板20和晶片7的接合工序中，按照与第2凹部221相面对的方式，设置第1反射膜200。
[3]基底基板20和晶片7的接合工序
<10>然后，如图5(j)所示，将晶片7按照与第2Si层73和基底基板2的形成了第2凹部221的面相面对的方式接合。
该接合例如可以利用阳极接合来进行。
阳极接合例如如下进行。首先，分别将基底基板2与未图示的直流电源的负极端子连接，将第2Si层73与未图示的直流电源的正极端子连接。此后，在加热基底基板2的同时施加电压。由于该加热，基底基板2中的Na+就很容易移动。由于该Na+的移动，基底基板2的接合面就会带负电，晶片7的接合面就会带正电。其结果是，基底基板2和晶片7被牢固地接合。
本制造工序中，虽然作为接合的方法使用了阳极接合，但是并不限定于此，例如也可以利用加热加压连接、粘结剂、低熔点玻璃来接合。
[4]第1基板3的制作工序
<11>然后，如图5(k)所示，进行蚀刻或研磨，将第1Si层71除去。
作为蚀刻方法，例如可以使用湿式蚀刻、干式蚀刻，但是优选使用干式蚀刻。在任一情况下，在第1Si层71的除去时，虽然SiO2层72成为阻断层，但是由于干式蚀刻不使用蚀刻液，因此就可以恰当地防止与驱动电极23相面对的第2Si层73的损伤。这样就可以制造材料利用率高的波长可变滤波器1。
<12>然后，如图5(1)所示，通过进行蚀刻除去SiO2层72。在进行蚀刻的情况下，优选使用含有氢氟酸的蚀刻液。这样就可以恰当地除去SiO2层，从而可以恰当地形成第2Si层73。
而且，在将晶片7用Si单体形成，在进行以下的工序时具有最佳的厚度，表面为镜面的情况下，也可以不进行工序<11>、<12>。这样就可以使制造波长可变滤波器1时的工序简化。
<13>然后，形成具有与可动部31及支撑部32的形状(俯视形状)对应的图案的抗蚀层(未图示)。
然后，利用所述的光刻法，在第2Si层73上形成用于使成为第1基板3的部分残留的光致抗蚀图案(图示略)。这里，本实施方式中为了使支撑部32较薄，利用半蚀刻进行两阶段的各向异性干式蚀刻。在第1阶段中，在成为开口部8及支撑部32的部分上不形成光致抗蚀剂地对该部分进行蚀刻，直至达到所需的厚度(即达到支撑部32的厚度)为止。然后，在第2阶段中，在成为支撑部32的部分上形成光致抗蚀剂，在使该部分残留的状态下进行蚀刻。对于第1阶段及第2阶段都未形成光致抗蚀剂的部分进行蚀刻，如图2所示，形成开口部8，如图6(m)所示，形成支撑部32。
本工序中，例如作为各向异性干式蚀刻，进行ICP蚀刻。即，将利用蚀刻用气体的蚀刻和利用淀积用气体的保护膜的形成交互反复进行，形成第1基板3。
作为所述蚀刻用气体，例如可以举出SF6等，另外，作为所述淀积用气体，例如可以举出C4F8等。
这样，由于仅第2Si层73被蚀刻，另外由于是干式蚀刻，因此就可以不对其他的部位产生影响地、精度优良地、可靠地形成可动部31、支撑部32、通电部33。
像这样，由于在第1基板3的形成中，使用干式蚀刻法特别是ICP蚀刻，因此就可以特别是将可动部31很容易、可靠并且精度优良地形成。
在蚀刻结束后，将抗蚀剂图案使用例如氧等离子体除去。这样就可以获得第1基板3。
而且，本发明中，在本工序中，既可以使用与所述不同的干式蚀刻法形成第1基板3，另外也可以使用干式蚀刻法以外的方法形成第1基板3。
<14>然后，如图6(n)所示，在可动部31的上面，使用所述的方法设置防止反射膜100。这样就可以获得如图1所示的波长可变滤波器1。
而且，本制造方法中，导电层虽然是利用图案处理来设置，但是并不限定于此，例如也可以在透明基板上设置槽，在该槽中形成导电层。
如上说明所示，根据该波长可变滤波器1，由于第1间隙21(可动部31的驱动用的间隙)和第2间隙22(波长可变滤波器1的具有使光通过或反射的功能的间隙)设于基底基板2(同一基板)上，因此就可以使波长可变滤波器1的构造简单化。特别是可以使用于形成第1间隙21的制造工序简单化，可以实现小型化。
下面，对于实施方式2的波长可变滤波器1，将以与所述的实施方式1不同的点为中心进行说明，对于相同的事项，将其说明省略。
实施方式2的波长可变滤波器1除了支撑部和可动部及导电部的连接位置不同以外，与所述的实施方式1相同。
如图7所示，实施方式2的波长可变滤波器1中，可动部31及导电部33的各自的上侧(与基底基板2侧相反的一侧)被与支撑部32连接。
下面将说明制造方法。
<制造方法>
图8是用于说明本制造方法的图(示意性地表示制造工序的图)。
本制造方法的特征在于，将支撑部从下侧(第2Si层73的与基底基板2相面对的一面侧)开始加工而薄膜化，该制造方法除了在工序[2]的<9>所示的工序后追加了<9>’的工序，工序[4]的<13>所示的工序不同以外，与所述的实施方式1的制造方法相同。下面对工序[2]的<9>’及工序[4]的<13>进行说明。
<9>’使用光刻法在第2Si层73的下面形成抗蚀剂图案(图示略)，与制造方法1的<13>相同地进行两阶段的各向异性干式蚀刻。另外，使抗蚀剂图案的形状(俯视形状)与所形成的支撑部32的形状(俯视形状)对应，蚀刻的厚度(深度)与支撑部32的厚度对应。即，使凹部35的底部的深度与支撑部32的厚度对应。蚀刻后，例如使用氧等离子体除去光致抗蚀图案，得到如图8(a)所示的凹部35。
<13>本制造方法中，在第2Si层73上面形成用于使成为第1基板3的部分残留的光致抗蚀图案(图示略)。然后，用1次的蚀刻，如图8(b)所示，形成支撑部32。
利用此种实施方式2也可以获得与实施方式1相同的效果。
下面，对于实施方式3的波长可变滤波器1，以与所述实施方式1不同的点为中心进行说明，对于相同的事项，将其说明省略。
实施方式3的波长可变滤波器1除了支撑部和可动部及导电部的连接位置不同以外，与所述的实施方式1相同。
如图9所示，实施方式3的波长可变滤波器1中，将可动部31及导电部33的各自中心位置与支撑部32连接。下面将说明制造方法。
<制造方法>
图10是用于说明实施方式3的波长可变滤波器1的制造方法的图(示意性地表示制造工序的图)。
本制造方法的特征在于，将支撑部从上侧及下侧开始加工而做薄，除了在工序[2]的<9>所示的工序后追加了<9>”的工序，工序[4]的<13>所示的工序不同以外，与所述的实施方式1的制造方法相同。
下面对工序[2]的<9>”及工序[4]的<13>进行说明。
<9>”使用光刻法在第2Si层73的下面形成光致抗蚀图案(图示略)，与制造方法1的<13>相同地进行两阶段的各向异性干式蚀刻。另外，使光致抗蚀图案的形状(俯视形状)与所形成的支撑部32的形状(俯视形状)对应，蚀刻的厚度(深度)与支撑部32的厚度对应。即，使凹部35的底部的深度与作为支撑部32残留的部分的深度对应。蚀刻后，例如使用氧等离子体除去抗蚀剂图案，得到如图10(a)所示的凹部35。
<13>本制造方法中，在第2Si层73上面形成用于使成为第1基板3的部分残留的光致抗蚀图案(图示略)。然后，用1次的蚀刻，如图10(b)所示，形成支撑部32。
利用此种实施方式3也可以获得与实施方式1相同的效果。
此外，根据该波长可变滤波器1，由于支撑部32在中心位置与可动部31、通电部33连接，因此与实施方式1相比，可以更加稳定地驱动可动部31。
如上说明所示，本发明中，在形成可动部时，由于不需要分离孔，因此可以使工序简单化，可以不使库仑力作用的面积减少地降低施加电压。
另外，本实施方式中，防止反射膜100、第1反射膜200和第2反射膜210由绝缘膜构成。
这样就可以防止粘连(可动部31和驱动电极23的贴附)的发生，从而可以形成可靠的绝缘构造。
另外，由于利用蚀刻形成第1基板、第2基板，因此可以容易地制造精度高的波长可变滤波器。特别是，可以使支撑部的厚度容易地达到所需的厚度，从而可以用低驱动电压驱动。
另外，通过仅将支撑部设为所需的厚度，就可以不将可动部薄膜化而恰当地防止因设于可动部上的防止反射膜、高反射膜在可动部产生翘曲的情况。
另外，由于通过将第1基板和第2基板接合来制造波长可变滤波器，因此就可以使用各种的方法来改变支撑部的厚度。
以上虽然对本发明的波长可变滤波器基于图示的实施方式进行了说明，但是本发明并不限定于此，各部分的构成可以置换为具有相同的功能的任意的构成的设计。另外，本发明中，也可以附加其他的任意的结构。
另外，所述实施方式中，虽然防止反射膜100、第1反射膜200及第2反射膜210兼作绝缘膜，但是并不限定于此，例如也可以另外设置绝缘膜。此时，既可以使用利用热氧化的SiO2层，也可以使用利用TEOS-CVD形成的SiO2层。
另外，在所述实施方式中，虽然仅使支撑部的厚度比可动部的厚度更薄，但是并不限定于此，例如也可以使支撑部及通电部的厚度比可动部更薄。