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本发明涉及RF MEMS器件制造领域,公开了一种RF MEMS器件双层光刻胶牺牲层的制备方法,主要包括用负胶进行第一牺牲层的制备、第一牺牲层的固化、用正胶进行第二牺牲层的制备、第二牺牲层的固化4个工艺步骤;其中,第二牺牲层制备过程中,用带有光刻孔的掩膜版曝光即可实现带触点悬浮结构牺牲层的制备。本发明利用双层光刻胶作牺牲层,其制备工艺简单、平坦化效果好、易于释放,并且可以方便的制备带触点悬浮结构的牺。