CN98112627.8
1998.09.14
CN1247839A
2000.03.22
撤回
无权
发明专利申请公布后的视为撤回|||专利申请权、专利权的转移(专利申请权的转移)变更项目:申请人变更前权利人:长沙国防科技大学八达薄膜电子技术研究所变更后权利人:上海凯业立德镀膜科技有限公司变更项目:地址变更前:410073湖南省长沙市上大垅变更后:上海市静安区延平路69号1005室登记生效日:2002.7.6|||公开|||
C03C17/36
长沙国防科技大学八达薄膜电子技术研究所;
彭传才; 黄广连; 胡云慧; 魏敏; 余圣发; 曹志刚; 李京增
410073湖南省长沙市上大垅
湖南省专利服务中心
唐国平
本发明涉及低辐射膜及其镀膜方法。该低辐射膜是由三层组成,从靠基材的一层开始依次是金属氧化物层,金属反射层和ITO层。除第三层TTO镀膜时,以ITO为靶材,采用非反应溅射成膜外,各层的镀膜方法和设备与现有技术相同。本发明由于选用ITO为第三层,大大简化了镀膜工艺。所得到的低辐射膜具有优良的性能。
1: 低辐射膜,从靠基材的一层开始,共有三层,依次是:金属氧化物层,金属反射 层和ITO层,其中的金属氧化物层是选自Ti,Zn,Sn,Bi,In的金属氧化物中的一 种或一种以上;金属反射层选自Ag,Au,Cu,Al中的一种;ITO是铟锡氧化物。2: 制造权利要求1所述的低辐射膜的镀膜方法,其特征在于第三层ITO层是以 ITO为靶材,采用真空非反应溅射的方式形成的。
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本发明涉及低辐射膜及其镀膜方法。该低辐射膜是由三层组成,从靠基材的一层开始依次是金属氧化物层,金属反射层和ITO层。除第三层TTO镀膜时,以ITO为靶材,采用非反应溅射成膜外,各层的镀膜方法和设备与现有技术相同。本发明由于选用ITO为第三层,大大简化了镀膜工艺。所得到的低辐射膜具有优良的性能。。
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