半导体装置及显示装置.pdf

本发明揭示一种半导体装置及显示装置，其主要课题在于抑制配线电阻的增大且确实地修复断线。本发明的半导体装置及显示装置，是在形成于同一基板上，且彼此设定成同一电位的例如电源线(124)的缺损缺陷(断线)部分中，将断线端部(124d1、d2)彼此间、以及与发生该断线的电源线(124)相邻的电源线(124n1、n2)通过同一修复配线(128)加以连接。修复配线图案(128)可通过在例如钨等导电材料的气体环境中，利用激光束扫描修复配线图案(128)的形成区域而描绘形成。通过不只连接断线部分而是同时与相邻电源线连接，可达成配线电阻的降低以及修复配线图案(128)上平坦性的提升。

1.  一种半导体装置，在形成于同一基板上且彼此设定成同一电位的多个配线图案的缺损缺陷部分中，使缺损端部彼此间、以及与发生前述缺损缺陷的配线图案相邻的配线图案与前述缺损部分之间，通过修复用导电材料图案相互连接。

2.  如权利要求1所述的半导体装置，其中，前述配线图案是对形成在前述基板上的多个像素供应电流的配线。

3.  如权利要求1或2所述的半导体装置，其中，前述多个配线图案是由绝缘膜覆盖；前述修复用导电材料图案是经由形成在前述绝缘膜的接触孔，与露出在该接触孔底面的前述配线图案电性连接。

4.  如权利要求3所述的半导体装置，其中，前述修复用导电材料图案是从前述绝缘膜上对前述缺损端部照射激光而在前述绝缘膜形成开口之后，在前述修复用导电材的原料气体中，扫描激光束而形成于扫描轨迹的图案。

5.  如权利要求1至4中任一项所述的半导体装置，其中，前述修复用导电材料图案是由保护膜覆盖。

6.  一种显示装置，其在基板上具有：分别具有显示组件的多个像素；以及对于各像素供应同一电源的电力的多个配线图案，
在前述配线图案的缺损缺陷部分中，使缺损端部彼此间、以及与发生前述缺损缺陷的配线图案相邻的配线图案与前述缺损缺陷部分之间，通过单一的修复用导电材料图案而相互连接。

7.  如权利要求6所述的显示装置，其中，前述多个像素还分别具有用来使前述显示组件动作的开关组件；前述多个配线图案系与对应的前述开关组件连接，且经由该开关组件将电流供应至前述显示组件的电流供应配线图案；且覆盖该电流供应配线图案而形成绝缘膜；在该绝缘膜上面配置有前述显示组件。

8.  如权利要求7所述的显示装置，其中，前述显示组件是具有有机层的有机电致发光组件。

9.  如权利要求6至8中任一项所述的显示装置，其中，前述修复用导电材料图案是由保护膜覆盖。

10.  如权利要求9所述的显示装置，其中，前述保护膜是在沉积形成前述修复用导电材料图案之后继续沉积形成的保护膜。

半导体装置及显示装置
技术领域
本发明是关于显示装置等的半导体装置中的电路配线图案的缺陷修复。
背景技术
属于半导体装置的一种的例如显示装置中，有一种在各像素设有用来驱动显示组件的薄膜晶体管(Thin Film Transistor、以下称为TFT)等的所谓主动矩阵型显示装置已为众所周知。其中，使用液晶作为显示组件的主动矩阵型液晶显示装置(以下称为LCD)，已经运用在计算机的屏幕及电视屏幕等许多的高度精细显示装置中。这种主动矩阵型液晶装置，从显示质量的提升及产率提升等的观点来看，各像素的TFT或显示组件的组件本身、以及对这些组件供应电力/数据的配线等的电路配线图案，最好是以没有缺陷的方式制得。
然而，实际上，随着显示器的更高度精细化以及大画面化，无法避免像素数量的增加及体积的增大，因而无法完全防止TFT或配线中缺陷的产生。如果要将一片基板(一个面板)中的这些组件或配线等的配线图案中有产生缺陷的面板全部丢弃，将会导致产率的显著下降、以及制造成本的显著上升，因此须进行将缺陷修复成为良品的操作。
上述主动矩阵型液晶显示装置中的缺陷，在过去，是在一片基板形成原本要形成的几乎所有电路组件之后，才选择各像素进行显示动作以判断缺陷。
但是，一个像素中包含有至少一个TFT、用来保持数据的保持电容、以及像素电极等，只是观察显示组件最后驱动的显示情况、或是电极的电位，常常无法确定形成缺陷的原因。而且，在缺陷区域上，有时也会有因为已形成其它电路而无法进行物理性修复的情况。
因此，主动矩阵型液晶显示装置的制作，可考虑在完成各像素之前，具体而言，在将液晶填入在两片基板之间并将其贴合而构成LCD前的TFT基板完成时刻，检查此TFT基板上所形成的TFT、以及驱动/控制此TFT的扫描配线(闸极配线)、数据配线等中的断线或短路等的缺陷，并加以修复的方法。这种TFT基板缺陷的检查/修复，从保护电路组件免于静电影响等的观点来看，至少是在绝缘膜覆盖TFT中最上层的配线层之后才实施。
这种TFT基板的断线修复方法，可考虑所谓CVD修复(CVD repair)的方法。CVD修复是在如图10(a)所示的原本应该连接的配线断线的情况下，于覆盖配线的绝缘膜上，通过CVD法选择性地沉积修复用导电性材料的图案，以连接断线部分。更具体而言，是如图10(b)所示，在绝缘层所覆盖的配线的断线部分(缺损缺陷部分)前面，分别利用激光形成贯穿层间绝缘层的接触孔，使配线露出在底部。然后，如图10(c)所示，在原料气体MG中，利用激光束扫描接触孔之间，也就是断线部分，藉此描绘出任意的修复配线图案r1。
(发明所欲解决的课题)
采用上述CVD修复时，可对TFT基板以高自由度确实连接断线部，但由于是使用与构成配线的导电材料不同的修复用材料来形成修复图案，因此在连接部分会产生较大的电阻成分。而且，由于是在覆盖配线的绝缘膜形成接触孔，并在绝缘膜上面形成修复用材料图案，因此比起没有断线的配线，至少会增加绝缘膜厚度的两倍份量的配线长度，因而配线电阻变大的情形难以避免。
此外，断线的修复是利用修复用材料图案仅连接断线的部分，而且系如上述方式在覆盖配线的绝缘膜中形成接触孔，并在绝缘膜上形成修复用材料图案，因此在修复部位比起没有断线的配线部分就会在局部产生大凹凸部。
发明内容
本发明针对上述课题而提供一种可确实修复属于缺损缺陷的断线且可抑制配线电阻增大的技术。
根据本发明的半导体装置，是在形成于同一基板上且彼此设定成同一电位的多个配线图案的缺损缺陷部分中，使缺损端部彼此间、以及与发生前述缺损缺陷的配线图案相邻地配线图案与前述缺损部分之间，通过修复而用导电材料图案相互连接。
根据本发明的另一方面，在上述半导体装置中，前述配线图案是对形成在前述基板上的多个像素供应电流的配线。
根据本发明的另一方面，在上述半导体装置中，前述多个配线图案是由绝缘膜覆盖，前述修复用导电材料图案是经由形成在前述绝缘膜的接触孔，而与露出在该接触孔的底面的前述配线图案电性连接。
根据本发明的另一方面，上述半导体装置中，前述修复用导电材料图案是从前述绝缘膜上对前述缺损端部照射激光而使前述绝缘膜形成开口之后，在前述修复用导电材的原料气体中扫描激光束而形成于扫描轨迹的图案。
根据本发明的另一方面的显示装置，其在基板上具有：分别具有显示组件的多个像素；以及对各像素供应来自同一电源的电力的多个配线图案，在前述配线图案的缺损缺陷部分中，使缺损端部彼此间、以及与发生前述缺损缺陷的配线图案相邻的配线图案与前述缺损部分之间，通过单一的修复用导电材料图案而连接。
根据本发明的另一方面，是在上述显示装置中，前述多个像素分别再具有用来使前述显示组件动作的开关组件，前述多个配线图案是与对应的前述开关组件连接，且经由该开关组件将电流供应至前述显示组件的电流供应配线图案，且覆盖该电流供应配线图案形成绝缘膜，而在该绝缘膜上方配置有前述显示组件。
根据本发明的另一方面，是在上述显示装置中，前述显示组件是具有有机层的有机电致发光组件。
根据本发明的另一方面，是在上述半导体装置及显示装置中，前述修复用导电材料图案是由保护膜覆盖。
根据本发明的另一方面，是在上述装置中，前述保护膜是在沉积形成前述修复用导电材料图案之后继续沉积形成的保护膜。
(发明的效果)
如以上所说明，根据本发明，对于形成在主动矩阵型显示装置、及其它半导体装置中的薄膜晶体管及这些装置所需的配线所产生的断线(缺损、缺陷)，能以低配线电阻并且维持上层的平坦性而形成修复用导电材料图案(修复配线)。
附图说明
图1是本发明实施例1及2的有机EL显示装置的概略电路构成图。
图2是本发明实施例1的有机EL显示装置的一个像素内的部分剖视图。
图3是本发明实施例1的断线以及此断线的修复图案的例示图。
图4是本发明实施例1的断线以及此断线的修复图案的其它例示图。
图5是本发明实施例1的断线以及此断线的修复图案的其它例示图。
图6是本发明实施例1的断线的修复步骤说明图。
图7是本发明实施例1的有机EL显示装置的一个像素内的的部分剖面的其它例示图。
图8是本发明实施例2的有机EL显示装置的一个像素内的部分剖面的其它例示图。
图9是本发明实施例2的断线的修复步骤说明图。
图10是对于断线部分的CVD修复方法的示意图。
具体实施方式
以下，结合附图来说明用以实施本发明的最佳形态(以下称为实施例)。
[实施例1]
本发明实施例1的显示装置特别适用在各像素具有显示组件及驱动此显示组件的TFT的主动矩阵型显示装置，以下举出于显示组件中使用电致发光(Electroluminescence：以下称为EL)组件，并且在各像素具有有机EL组件及用来控制/驱动此有机EL组件的TFT的主动矩阵型EL显示装置为例子来加以说明。
在主动矩阵型显示装置中，使用EL组件，尤其使用发光材料为有机材料的有机EL组件的主动矩阵型显示装置为自发光形式，不需要光源，因此比起LCD等可实现更为薄型的显示装置，目前研究正盛行。
此有机EL组件是一种所谓电流驱动型显示组件，其可因由在包含发光性有机材料的有机层而形成的阳极与阴极之间所流通的电流而发光。因此，有机EL显示装置需要有用来将电流供应至设在各像素的有机EL组件的电流供应用配线，比起例如交流驱动液晶的电压驱动型液晶显示装置中供应至各像素的电流量，在此电流供应用配线上流通的电流量，仍为非常大的值。如上述，由于流通在配线的电流量大，因此即使配线电阻稍稍增加，也会发生很大的电压降，以致有机EL组件的发光亮度在像素间会产生明显的不均。因此，即便修复了断线，也应尽可能降低该断线修复部分的电阻，此亦极为重要。
另外，在有机EL显示装置中，基于包含阳极与阴极层间的发光性有机材料的有机层非常薄，以及其耐久性还有很大的问题等理由，有机层的形成表面必须尽量为平坦且平滑的状态。
另一方面，在主动矩阵型有机EL显示装置中，由于有机EL组件在半导体制程中的耐性亦产生很多问题，因此在形成有机EL组件之前，先形成(有机EL组件的下层)TFT或配线较宜。再者，为了不使形成在其上层的配线或电极等妨碍到修复，在有机EL组件形成之前施行TFT或配线的缺陷的修复较为简单且精确。因此，在本实施例中，是在基板上形成TFT及配线之后，在形成有机EL组件前施行缺陷检查及缺陷修复，以提升制品良率，不过，由于在缺陷修复后在其上形成有机EL组件，因此必须尽可能减小缺陷修复部分中的凹凸，而且需使在其上方的有机EL组件的形成面平坦。
图1表示本实施例的主动矩阵型有机EL显示装置的概略电路构造。图2表示在图1的主动矩阵型有机EL显示装置的1个像素中，与电源线124相连接的第2薄膜晶体管Tr2，以及与该Tr2相连接的有机EL组件50的概略剖面构造。在玻璃等透明基板10上形成有多个像素排列成矩阵状的显示部120，且在各像素中分别设置：有机EL组件(EL)50、供作对每像素控制该有机EL组件50的发光之用的切换组件(在此为薄膜晶体管：TFT(Thin Film Transistor))、以及用以保持显示数据的保持电容Csc。
在图1的图例中，在各像素形成第1及第2薄膜晶体管Tr1、Tr2，Tr1与扫描线(闸极线)114相连接，当施加扫描信号以进行导通控制时，将与对应的数据线122所施加的显示内容相对应的电压信号通过Tr1而施加至Tr2的闸极，而且通过连接在Tr1、Tr2之间的保持电容Csc保持一定时间。接着，Tr2将对应于以该保持电容Csc保持且施加至闸极的电压的电流，由电源(Pvdd)供给线(以下称电源线)124供给至与该Tr2相连接的有机EL组件的阳极(电洞注入电极)20。有机EL组件50以对应于该供给的电流量的亮度发光，且发光光线通过ITO(Indium Tin Oxide，铟锡氧化物)等透明的第1电极20及透明基板10而射出至外部。
有机EL组件50在第1电极20与第2电极22之间具有发光组件层30，第1电极20由ITO(Indium Tin Oxide，铟锡氧化物)或IZO(Indium Zinc Oxide，铟锌氧化物)等透明导电材料所构成，在此其具有电洞注入功能。形成在该第1电极20上的发光组件层30具有至少含有有机发光化合物的单层或多层构造，以与上述第1电极20相对向的方式形成在该发光组件层30之上的第2电极22是由Al(铝)或铝合金等金属或可与上述金属缓冲电子注入障壁的例如LiF等迭层构造所构成，具有电子注入功能。
第1薄膜晶体管Tr1虽在图2中省略了图标，但具有与图标的Tr2大致相同的构造，薄膜晶体管Tr1、Tr2在本例示中是在其主动层110中采用以激光退火将非晶硅进行多结晶化后的多晶硅。此外，在本实施例中，该薄膜晶体管Tr1及Tr2系为在包覆主动层110而形成的闸极绝缘层112的上方具有闸极114的所谓的顶闸极型(Top-gate type)TFT，主动层110的闸极114的下方区域系形成信道区域110c，在信道区域110c的两侧则系形成有掺杂预定导电型杂质的源极区域110s及漏极区域110d。不过，亦可为闸极114形成在主动层110的下层的底闸极型(Bottom-gate type)TFT构成。此外，在本实施例中，闸极绝缘层112系具有SiO₂/SiN自主动层110侧依序迭层的迭层构造。其中，为了防止基板10的Na等杂质侵入主动层110，故在主动层110与基板10之间形成自与主动层110的接触侧依序具有SiO₂/SiN的多层构造的缓冲层108。
在包覆闸极114的基板上几乎整面形成有例如由下层侧依序迭层SiO₂/SiN的多层构造的层间绝缘层116，通过在层间绝缘层116形成开口的接触孔而使电源线124与源极区域110s、漏极区域110d的一方相连接，另一方则与接触电极126相连接。此外，为了几乎包覆整面包含上述配线124、126的基板，形成有例如由树脂等有机材料(亦可为无机材料)所成的第1平坦化绝缘层130，在该第1平坦化绝缘层130的上方迭层有机EL组件50的第1电极20，且以包覆第1电极20的端部的方式，迭层有第2平坦化绝缘层140。第1电极20在贯通第1平坦化绝缘层130的接触孔中与接触电极126相连接。在第1电极20之上依序形成有发光组件层30、第2电极22。
再者，在本实施例中在第1平坦化绝缘层130与第1电极20之间形成有包覆将于后述的缺陷修复用配线图案的保护膜132。其中，显示装置中所采用的有机EL面板是在透明基板10上形成以上所述的电路组件之后，在惰性气体环境中自第2电极侧将封装基板固定于透明基板10而完成。该有机EL面板的检查若在形成最上层的有机EL组件后才进行，则由于仅可观察有机EL组件的发光状态，因此即使发生发光异常的现象，亦无法调查其原因是否为用来驱动有机EL组件的TFT(Tr1、Tr2等)或配线等发生断线或短路所致。因此，若是上述的多层配线构造，为了掌握是否为TFT或配线等所引起的缺陷进而进行修复，而非单从有机EL组件50的耐性问题的观点来看时，当在基板上形成TFT，且进一步在该TFT形成可供给数据信号、电流的配线(数据线120、电源线124)之后，在有机EL组件50的第1电极20形成之前进行TFT、配线的检查，而发现缺陷时，即进行修复其缺陷。
此外，以其它例示而言，在由ITO的透明材料构成的第1电极形成结束后，使用采取该ITO的检查方法来进行像素内的缺陷检查。之后，对于已检测出的缺陷部分实施修复。此时，当发生开路的缺陷(断线)时，即通过激光CVD进行配线(连接)，当发生断路的缺陷(短路)时，则通过激光来进行切断并修复。
此时，由于电极线与像素电极间的绝缘膜会产生凹凸，因而在缺陷部进行修复以后，设置以平坦化为目的的层，而予以完成。该层可兼用来用以支撑第2平坦化绝缘层140或以突起状设在该膜之上的有机EL材料进行蒸镀时所使用的蒸镀掩模的绝缘膜等。当无法兼用时，则另外设置具平坦性的薄膜亦可。
以下以通过第2薄膜晶体管Tr2对有机EL组件供给电流的电源线124发生断线时为例，说明本实施例的缺陷(在此的缺损缺陷即为断路)的修复方法。其中，关于短路缺陷则是施行以激光等烧掉短路部分等的处理。
在本实施例的第1例中，是在形成层间绝缘层116的数据线122、电源线124及接触电极126，包覆上述构件而连第1平坦化绝缘层130都形成之后，再执行缺陷的检查。其中，如图1所示，在基板上的显示部100内，在直行方向排列成长条状的电源线124是与在显示部100的周围相互连接且共通的电源端子Pvdd相连接。该电源线124如图3(a)所示发生断线时，在本实施例中并不仅仅只是将断线部分124dc连接起来，而是如图3(b)所示，呈现同时与已断线的电源线124d两侧相邻的电源线124n1、124n2相连接的格子状(十字状)图案。
如图4(a)所示，当电源线124的断线距离较短时，修复配线128并非为图3(b)所示的格子状图案，而是亦可形成宽度为包覆断线部分124dc，且将该断线部分与邻接的电源线124n1及124n2相连接的矩形图案。当然，亦可形成为图3(b)所示的格子状。
再者，如图5(a)所示，与已断线的电源线124d相邻接的电源线124n只存在于断线电源线124d的单侧时，如图5(b)所示，可形成连接断线部分124dc(128r1)且将该断线部分124dc与相邻接的1个电源线124n连接(128r)的T字形(包括倒T字形)的图案，或亦可形成如图4(b)所示的矩形图案。
如上述的图10所示，通过CVD的修正图案描绘而仅将断线部分进行修复时，堆积图案所引起的凹凸较大，以致对上层的平坦性造成影响。相对于此，在本实施例中，如图3(b)、图4(b)及图5(b)所示，由于形成将断线部分与已断线的配线的邻接配线相连接的图案，故可缓和局部凹凸的情形。此外，由于可实质上加大修复配线面积，故可降低修复图案配线的电阻值。
图6显示本实施例的电源线124的断线部的修复步骤。以下参照图6及上述图2至图5来说明步骤。在基板10上形成所需TFT，在包覆该TFT而形成第1平坦化绝缘膜130之后，进行缺陷检查，如图6(a)所示，从第1平坦化绝缘膜130之上对着与发现断线的电源线124d的该断线部分124dc相接的配线端部124d1、124d2照射脉冲激光(pulselaser)，将该第1平坦化绝缘膜130去除而形成接触孔124h，以使配线端部124d1、124d2的表面露出。此外，如图3(b)所示，从第1平坦化绝缘膜130之上亦对离配置在已断线的电源线124d两侧(或单侧)的邻接电源线124n1、124n2的断线部124dc最接近的位置照射脉冲激光，并去除该第1平坦化绝缘膜130而形成接触孔124h，以使邻接电源线124n1、124n2的表面露出。
在本实施例中，接着，采用羰基(carbonyl)的钨错合物气体(W(CO)₆)作为修复配线材料气体，如图6(b)所示，在该(W(CO)₆)气体环境中，对接触孔124h的形成区域分别照射CW(ContinuousWave，连续波)激光，且在接触孔中形成接触用钨膜128c。之后，如图6(c)所示，以尽可能以最短距离(一般为直线)将断线端部124d1、d2间连结的方式扫描CW激光束，以在第1平坦化绝缘膜130上描绘形成修复配线128r1的图案。在形成修复配线128r1之后，接着以横穿过该修复配线128r1的方式与该配线128r1相连接，而且，以用最短距离(一般为直线)将邻接电源线124n1、124n2与上述修复配线128r1相连结的方式，同样地，在(W(CO)₆)气体环境中，扫描CW激光，并描绘形成修复配线128r2。其中，修复配线128r1及128r2形成为以最短距离将如上所述的分别连接的2点之间予以连结的直线，有助于降低配线电阻，然而，当有必须环绕不同电位的配线的情形时，当然亦可形成为曲线，或在中途折曲的直线图案亦可。
此外，为了提升修复配线128r1与128r2上平面的平坦性，如图6(d)所示，最好将修复配线128r1与两侧的邻接电源线124n1、124n2之间以修复配线128r2连接，以使修复配线128r2不会跨越将断线端部124d1、d2之间连接的修复配线128r1上面。CW激光的修复配线气体材料中的扫描系可采用如下的方法：可按每一平台而使载置于安装在平台的基板夹具上的基板朝X、Y方向移动的方式进行，使基板移动而从邻接电源线124n1、124n2的一方朝向另一方地描绘形成修复配线128r2，例如以光学传感器等来判断是否与修复配线128r1交叉，且暂时停止照射CW激光，而更进一步移动基板，在通过修复配线r1之后再次照射CW激光，以继续描绘修复配线128r2等方法。
如上所述，在形成修复配线128之后，如图6(e)所示，在本实施例中以包覆修复配线128的方式形成保护膜132。由保护膜132包覆修复配线128之后，如图2所示，在其上方形成有机EL组件50等，藉此当形成有机EL组件时，尤其是在进行为将组件的下层电极亦即20作为每一像素的个别电极所进行的微影(photolithography)制程时，可确实保护修复配线128免于光阻剂剥离液等的进入。尤其，如上述实施例所示，由于钨的修复配线128对于酸或碱液容易变质，而以光阻剥离液或显影液进行蚀刻去除，故有必要以保护膜132加以覆盖。此外，由于并不适宜将有机EL组件50的第1电极20形成在该修复配线128的正上层，因此，必须通过保护膜132将修复配线128与第1电极20予以绝缘。
如上所述的保护膜132可采用SiN_x或SiO₂等的绝缘膜，而形成方法并无特别限定，但可采用例如化学蒸汽沉积法(CVD)来成膜，亦可在不会损害到下层的修复配线128的情况下形成。此外，根据本实施例的构成，当采用SiN_x形成保护膜132时，该保护膜132如上述将修复配线128与第1电极20予以绝缘，同时亦可作为可防止由第1平坦化绝缘膜130侵入水分到有机EL组件50的水分阻挡层而发挥作用。有机EL组件50的有机层虽有因水分等造成劣化的较大的问题，但若保护膜132位在第1平坦化绝缘膜130与组件50之间，即可防止例如在使用具吸湿性的有机树脂情况下的第1平坦化绝缘膜130或其下层的水分侵入，而亦有助于提升组件50的可靠性与使用寿命。再者，在以防止水分侵入为目的，且在第1平坦化绝缘膜130与组件50之间形成水分阻挡层的构成中采用本实施例的断线修复方法时，由于使水分阻挡层兼用为该保护膜132，故并不需要特别追加保护膜132的形成步骤，即可获得保护膜。
接着，就本实施例的第2例加以说明。在本例中，如图7所示，在形成第1平坦化绝缘膜130之前，以包覆电源线124、接触电极126、未图标的数据线120等的方式形成例如由SiN_x等所成的绝缘膜134，与上述第1例不同之处在于，是在形成该绝缘膜134之后进行配线的缺陷检查与缺陷修复处理，而非在形成第1平坦化绝缘膜130之后进行。如上所述，最好可防止水分由形成TFT的基板侧侵入对于水分其耐性较低的有机EL组件50，且如图7所示般，使水分的遮蔽功能较高的SiN_x所成的绝缘膜形成在第1平坦化绝缘膜130的下层，可防止水分侵入有机EL组件50。此外，碱离子等的来自基板侧的杂质虽亦会对有机EL组件50造成不良影响，但亦可防止上述杂质侵入。相反地，亦可防止水分或杂质从有机EL组件50侵入TFT。
在本实施例的第2例中，在形成绝缘膜134之后，从绝缘膜134上方照射激光，如上所述般使相接于电源线124的断线部分的端部124d1、124d2以及邻接电源线124n1、124n2的表面露出，且在修复配线用的气体(W(CO)₆)环境中扫描CW激光，而形成修复配线128(128r1、128r2)。使修复配线图案亦与邻接电源线124n1、124n2相连接，而非仅连接断线部分。其中，上述步骤与上述图6(a)至图6(d)相同。然而，在该第2例中，在该修复配线128的上方形成有第1平坦化绝缘膜130，并在其上方形成有机EL组件50。因此，通过第1平坦化绝缘膜130，而使由于存在修复配线128而造成的凹凸更加确实地平坦化，而可使有机EL组件50形成面更为平坦。
(第2实施例)
在上述第1实施例中，虽在包覆电源线124而形成第1平坦化绝缘膜130或绝缘膜134之后进行修复断线，但在本第2实施例中则系在形成电源线124之后，立即检查缺陷，如图8所示，以直接与电源线124相接的方式形成用以修复断线部分的修复配线228，然后形成第1平坦化绝缘膜130。其中，形成修复配线228后，若在形成由SiN_x等所成的保护膜138之后，再形成第1平坦化绝缘膜130，则在例如在修复配线228方面采用钨的情形下，亦可确实保护该修复配228免受于在后续制程中所使用的光阻剥离液等的影响。
在第2实施例中，由于并不需要进行用以去除第1实施例中的绝缘膜(130、134)的激光照射处理，如图9(a)所示，在修复配线气体(W(CO)₆)的环境中，将与所发现断线部分124dc相接的电源线端部124d1、124d2之间以CW激光进行描绘并形成修复配线228，而将端部124d1、124d2彼此相连接(图9(b))。
此外，在第2实施例中，在形成修复配线228后，如图8及图9(c)所示，由于必须经过第1平坦化绝缘膜130的形成步骤，因此可几乎消除由于存在修复配线228所造成的有机EL组件50形成面中的凹凸，与第1实施例的第1例相比，可更加提高有机EL组件50形成面的平坦性。此外由于并未通过接触孔而在电源线124上直接形成修复配线228，因此，即便与第1实施例的第2例相较，亦可消除由于接触孔造成的凹凸，而可提升有机EL组件50的形成面的平坦性。
此外，在本第2实施例中，如上述般形成电源线124之后，由于立即在其断线部分形成修复配线228，因此并不需要如上述第1实施例通过接触孔而将修复配线228围绕在绝缘膜之上，可缩短实际的配线长度，而可藉此减小配线电阻。再者，由于不需要接触孔，因此可加大修复电源线124与该修复配线228实际接触面积，而可降低电源线124与修复配线228的连接部的电阻。因此，在本实施例2中，修复电线228并不需要如第1实施例般需对断线部分的其它部分采用与其它邻接电源线124相连接的图案。此外，由于修复配线228的存在如上所述，对于有机EL组件50的形成面的平坦性的影响非常小，因此，由这方面来看亦不需要连接于邻接电源线124。因此，可采用只连接断线部分124dc的图案，与第1实施例相比，修复配线228的形成时间在短时间内即可，故可达成提升操作效率的目的。但是，为了达成降低配线电阻、更进一步提升上层的平坦性等的目的，亦可采用如第1实施例的图3(b)、图4(b)、图5(b)所示的图案。
此外，在以上第1实施例及第2实施例中，虽举出有机EL组件作为在断线修复后形成的组件而加以说明，但并非局限于有机EL组件，例如采用无机EL组件的显示装置中，用在对各组件供给交流电源的电源线的断线修复的情形下，亦可抑制配线电阻上升，且可进行电压降较少的修复。此外，亦可确保修复配线的上层中的平坦性。但是，于有机EL组件中，如上所述，其形成面的平坦性的需求性强，而且由于电压降所造成的亮度不均现象亦很严重，因此采用以上各实施例所述的断线修复方法的效果极大。再者，当然本发明的断线修复方法亦可采用在液晶显示装置。在主动矩阵型液晶显示装置中系呈多层配线构造，为减少液晶分子配向混乱的情形，最好使像素电极的上平面较为平坦，而且基于须以低电压来精确控制液晶，且要求提升良率等理由，在形成供作驱动在对向基板的电极之间构成的液晶电容之用的像素电极之前，以较低的配线电阻且减少在上层中的凹凸的方式进行比该像素电极先形成的TFT以及其配线的缺陷修复所呈现的意义重大。
(产业上的利用可能性)
本发明可利用在半导体装置及显示装置之配线的断线修复。