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1、(10)申请公布号 CN 103184524 A(43)申请公布日 2013.07.03CN103184524A*CN103184524A*(21)申请号 201110459532.8(22)申请日 2011.12.31C30B 33/10(2006.01)B08B 3/08(2006.01)C11D 7/42(2006.01)C23F 1/32(2006.01)(71)申请人上海晶太光伏科技有限公司地址 201501 上海市金山区枫泾镇环东一路65弄18号(72)发明人叶俊 马超(74)专利代理机构上海精晟知识产权代理有限公司 31253代理人马家骏(54) 发明名称一种去除单晶硅片指纹印及。
2、重油污的方法(57) 摘要本发明的目的在于公开一种去除单晶硅片指纹印及重油污的方法，它包括如下步骤：(a)对硅片进行预处理；(b)将硅片放入注入有制绒液的制绒槽中进行制绒；在上述至少一个步骤中加入活性酶；与现有技术相比，能够达到显著去除硅片表面指纹印和重油污的效果，制绒后绒面更加均匀，外观更好，有效减少了色斑的发生及由此带来的成品降级的问题，利于硅片后道工序的操作，实现本发明的目的。(51)Int.Cl.权利要求书1页 说明书2页(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请权利要求书1页 说明书2页(10)申请公布号 CN 103184524 ACN 103184524 A1/1页。
3、21.一种去除单晶硅片指纹印及重油污的方法，其特征在于，它包括如下步骤：(a)对硅片进行预处理；(b)将硅片放入注入有制绒液的制绒槽中进行制绒；在上述至少一个步骤中加入活性酶。2.如权利要求1所述的去除单晶硅片指纹印及重油污的方法，其特征在于，所述活性酶为脂肪酶、酯酶或角质酶中一种或几种的组合。3.如权利要求2所述的去除单晶硅片指纹印及重油污的方法，其特征在于，所述活性酶的使用浓度为0.05 wt-10 wt。4.如权利要求1所述的去除单晶硅片指纹印及重油污的方法，其特征在于，在上述步骤(a)中，在双氧水碱清洗或粗抛中添加活性酶进行清洗。5.如权利要求1所述的去除单晶硅片指纹印及重油污的方法，。
4、其特征在于，在上述步骤(a)中，直接添加活性酶进行清洗。6.如权利要求1所述的去除单晶硅片指纹印及重油污的方法，其特征在于，在上述步骤(b)中，所述制绒液由氢氧化钠、异丙醇、制绒添加剂和活性酶依次添加制成。7.如权利要求1所述的去除单晶硅片指纹印及重油污的方法，其特征在于，在上述步骤(b)中，所述制绒液由氢氧化钠、异丙醇和制绒添加剂依次添加制成，制绒添加剂中添加有活性酶。权 利 要 求 书CN 103184524 A1/2页3一种去除单晶硅片指纹印及重油污的方法技术领域0001 本发明涉及一种制绒方法，特别涉及一种适用于太阳能电池单晶硅片预清洗及制绒领域的去除单晶硅片指纹印及重油污的方法。背景。
5、技术0002 现有单晶硅太阳能电池硅片预清洗和碱法制绒工艺对硅片表面一般的有机物和无机杂质的去除及后续制绒能够达到较好的绒面效果，但要在不增加其他步骤的条件下，通过一种简单的方法去除硅片表面的指纹印和重油污并得到理想的绒面和硅片表观一直是一个尚待解决的难题。0003 因此，特别需要一种去除单晶硅片指纹印及重油污的方法，已解决上述现有存在的问题。发明内容0004 本发明的目的在于提供一种去除单晶硅片指纹印及重油污的方法，针对现有技术的不足，使被指纹印及重油污污染过的单晶硅片得到较好的绒面和表观，工艺简单，实用性强。0005 本发明所解决的技术问题可以采用以下技术方案来实现：0006 一种去除单晶。
6、硅片指纹印及重油污的方法，其特征在于，它包括如下步骤：0007 (a)对硅片进行预处理；0008 (b)将硅片放入注入有制绒液的制绒槽中进行制绒；0009 在上述至少一个步骤中加入活性酶。0010 在本发明的一个实施例中，所述活性酶为脂肪酶、酯酶或角质酶中一种或几种的组合。0011 进一步，所述活性酶的使用浓度为0.05 wt-10 wt。0012 在本发明的一个实施例中，在上述步骤(a)中，在双氧水碱清洗或粗抛中添加活性酶进行清洗。0013 在本发明的一个实施例中，在上述步骤(a)中，直接添加活性酶进行清洗。0014 在本发明的一个实施例中，在上述步骤(b)中，所述制绒液由氢氧化钠、异丙醇、。
7、制绒添加剂和活性酶依次添加制成。0015 在本发明的一个实施例中，在上述步骤(b)中，所述制绒液由氢氧化钠、异丙醇和制绒添加剂依次添加制成，制绒添加剂中添加有活性酶。0016 本发明的去除单晶硅片指纹印及重油污的方法，与现有技术相比，能够达到显著去除硅片表面指纹印和重油污的效果，制绒后绒面更加均匀，外观更好，有效减少了色斑的发生及由此带来的成品降级的问题，利于硅片后道工序的操作，实现本发明的目的。0017 本发明的特点可参阅以下较好实施方式的详细说明而获得清楚地了解。说 明 书CN 103184524 A2/2页4具体实施方式0018 为了使本发明实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明。
8、白了解，下面结合具体实施方式，进一步阐述本发明。0019 本发明的去除单晶硅片指纹印及重油污的方法，它包括如下步骤：0020 (a)对硅片进行预处理；0021 (b)将硅片放入注入有制绒液的制绒槽中进行制绒；0022 在上述至少一个步骤中加入活性酶。0023 在本发明中，所述活性酶为脂肪酶、酯酶或角质酶中一种或几种的组合；所述活性酶的使用浓度为0.05 wt-10 wt。0024 活性酶可以是从市场上购置，也可以是从各种微生物、动物、植物中自行提取分离制备，在碱洗和碱法制绒中以耐碱耐高温的活性酶效果更好。0025 在本发明中，在上述步骤(a)中，在双氧水碱清洗或粗抛中添加活性酶进行清洗。002。
9、6 在本发明中，在上述步骤(a)中，直接添加活性酶进行清洗。0027 在本发明中，在上述步骤(b)中，所述制绒液由氢氧化钠、异丙醇、制绒添加剂和活性酶依次添加制成。0028 在本发明中，在上述步骤(b)中，所述制绒液由氢氧化钠、异丙醇和制绒添加剂依次添加制成，制绒添加剂中添加有活性酶。0029 实施例10030 称取0.5g的脂肪酶(酶活力3000.0U/g)，溶于1L去离子水中，加入氢氧化钠8g，室温下清洗2分钟。在去离子水中漂洗。之后放入溶解有1.3(wt)氢氧化钠、3异丙醇、0.2制绒辅助剂、1的脂肪酶的制绒液中，温度控制在80，制绒20分钟。0031 实施例20032 称取0.5g的脂。
10、肪酶(酶活力3000.0U/g)，溶于1L去离子水中，加入氢氧化钠8g，室温下清洗2分钟。在去离子水中漂洗。之后放入溶解有1.3(wt)氢氧化钠、3异丙醇、0.2制绒辅助剂、0.05的脂肪酶的制绒液中，温度控制在80，制绒20分钟。0033 实施例30034 称取0.5g的脂肪酶(酶活力3000.0U/g)，溶于1L去离子水中，加入氢氧化钠8g，室温下清洗2分钟。在去离子水中漂洗。之后放入溶解有1.3(wt)氢氧化钠、3异丙醇、0.2制绒辅助剂、10的脂肪酶的制绒液中，温度控制在80，制绒20分钟。0035 本发明的去除单晶硅片指纹印及重油污的方法，加酶清洗和制绒后硅片绒面更均匀，有利于降低硅片的反射率和后道工序的操作，从而提高受指纹印和重油污污染过的硅片效率。0036 以上显示和描述了本发明的基本原理和主要特征和本发明的优点。本行业的技术人员应该了解，本发明不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理，在不脱离本发明精神和范围的前提下，本发明还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本发明范围内，本发明要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。说 明 书CN 103184524 A。