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1、(10)申请公布号 CN 103080840 A(43)申请公布日 2013.05.01CN103080840A*CN103080840A*(21)申请号 201180031217.3(22)申请日 2011.03.1761/358,645 2010.06.25 US61/362,981 2010.07.09 USG03F 7/20(2006.01)G03F 1/24(2012.01)G03F 1/62(2012.01)G02B 5/20(2006.01)G02B 5/08(2006.01)(71)申请人 ASML荷兰有限公司地址荷兰维德霍温(72)发明人 A亚库宁 V班尼恩E鲁普斯特拉 H范。
2、德斯库特L史蒂文斯 M范卡朋(74)专利代理机构中科专利商标代理有限责任公司 11021代理人张启程(54) 发明名称光刻设备和方法(57) 摘要一种光刻设备，包括：辐射源，配置成产生辐射束；和支撑件，配置成支撑图案形成装置。所述图案形成装置配置成将图案赋予辐射束以形成图案化的辐射束。腔定位在辐射源和图案形成装置之间。所述腔包含配置成反射辐射束的至少一个光学部件，所述腔配置成允许来自辐射源的辐射通过其中。隔膜(44)配置成允许辐射束通过并阻止污染物颗粒(54)通过隔膜的管道。颗粒捕获结构(52)配置成允许气体沿间接路径从腔内部流至腔外部。间接路径配置成基本上阻止污染物颗粒(58)从腔内部到达腔。
3、外部。(30)优先权数据(85)PCT申请进入国家阶段日2012.12.24(86)PCT申请的申请数据PCT/EP2011/054057 2011.03.17(87)PCT申请的公布数据WO2011/160861 EN 2011.12.29(51)Int.Cl.权利要求书2页 说明书17页 附图6页(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请权利要求书2页 说明书17页 附图6页(10)申请公布号 CN 103080840 ACN 103080840 A1/2页21.一种光刻设备，包括：辐射源，配置成产生辐射束；支撑件，配置成支撑图案形成装置，所述图案形成装置配置成将图案赋予辐射。
4、束以形成图案化的辐射束；腔，定位在辐射源和支撑件之间，所述腔包含配置成反射辐射束的至少一个光学部件，所述腔配置成允许来自辐射源的辐射从其中通过；隔膜，限定所述腔的一部分，所述隔膜配置成允许辐射束通过隔膜，并阻止污染物颗粒通过隔膜；和颗粒捕获结构，配置成允许气体沿间接路径从腔的内部流至腔的外部，颗粒捕获结构的间接路径配置成基本上阻止污染物颗粒从腔的内部到达腔的外部。2.如权利要求1所述的光刻设备，其中间接路径是蜿蜒的路径。3.如权利要求2所述光刻设备，其中蜿蜒的路径是来回交替行进的。4.如前述权利要求中任一项所述的光刻设备，其中颗粒捕获结构包括间隔开的第一壁部件和第二壁部件，多个板从间隔开的第一。
5、壁部件和第二壁部件中的每一个延伸，相邻的板彼此间隔分开，相邻的板中的一个从第一壁部件延伸并且相邻的板中的另一个从第二壁部件延伸，使得板形成相互交叉的交叠结构。5.如权利要求4所述的光刻设备，其中隔膜连接至第一壁部件。6.如权利要求4或5所述的光刻设备，其中第一和第二壁部件中每一个包括开口，所述开口配置成允许辐射束通过。7.如权利要求4-6中任一项所述的光刻设备，其中板是平坦的或弯曲的。8.如权利要求1所述的光刻设备，其中颗粒捕获结构包括海绵状材料，所述海绵状材料配置成不能透过污染物颗粒而允许气体流过。9.如前述权利要求任一项所述的光刻设备，其中隔膜包括选自由下列材料构成的组中的至少一种材料：锆。
6、、硅、钼、二硅化钼、钇、铷、锶、铌、钌以及石墨烯。10.如权利要求9所述的光刻设备，其中隔膜由石墨烯或石墨烯衍生物形成。11.如前述权利要求任一项所述的光刻设备，其中隔膜和颗粒捕获结构是光刻设备的源收集器模块或照射系统的一部分。12.一种光刻方法，包括步骤：产生辐射束；引导辐射束通过包含反射辐射束的至少一个光学部件的腔，所述辐射束被引导朝向图案形成装置，所述腔包括隔膜；当辐射束从腔通过隔膜并朝向图案形成装置传递时用隔膜阻止污染物颗粒通过；使气体从腔的内部沿间接路径通过颗粒捕获结构流至腔的外部，所述间接路径基本上阻止污染物颗粒从腔的内部到达腔的外部；用图案形成装置将图案赋予辐射束以形成图案化的辐。
7、射束；和使用投影系统将图案化的辐射束投影到衬底上。13.根据权利要求12所述的方法，其中间接路径是蜿蜒的路径。14.根据权利要求13所述的方法，其中蜿蜒的路径是来回交替行进的。15.根据权利要求12-14中任一项所述的方法，其中颗粒捕获结构包括间隔开的第一权 利 要 求 书CN 103080840 A2/2页3和第二壁部件，多个板从间隔开的第一和第二壁部件中的每一个延伸，相邻的板彼此间隔分开，邻近的板中的一个从第一壁部件延伸并且相邻的板中的另一个从第二壁部件延伸，使得板形成相互交叉的交叠结构。16.根据权利要求15所述的方法，其中隔膜连接至第一壁部件。17.根据权利要求15或16所述的方法，其。
8、中第一和第二壁部件中每一个包括开口，所述开口配置成允许辐射束通过。18.根据权利要求15-17中任一项所述的方法，其中板是平坦的或弯曲的。19.根据权利要求12所述的方法，其中颗粒捕获结构包括配置成不能透过污染物颗粒而允许气体流过的海绵状材料。20.根据权利要求12-19中任一项所述的方法，其中隔膜包括选自由下列材料构成的组中的至少一种材料：锆、硅、钼、二硅化钼、钇、铷、锶、铌、钌以及石墨烯或石墨烯衍生物。21.根据权利要求20所述的方法，其中隔膜由石墨烯或石墨烯衍生物形成。22.根据权利要求12-21中任一项所述的方法，其中隔膜和颗粒捕获结构是光刻设备的源收集器模块或照射系统的一部分。23.。
9、一种光刻设备，包括：辐射源，配置成产生辐射束；和支撑件，配置成支撑图案形成装置，所述图案形成装置配置成将图案赋予辐射束以形成图案化的辐射束；其中所述支撑件设置有包括石墨烯层的表膜。24.一种光谱纯度滤光片，包括栅格，所述栅格配置成阻止或减少红外辐射通过，其中所述栅格覆盖有阻止氧气通过到栅格的石墨烯。25.一种多层反射镜，包括第一材料和第二材料的交替层，其中石墨烯设置在交替层之间。权 利 要 求 书CN 103080840 A1/17页4光刻设备和方法0001 相关应用的交叉引用0002 本申请要求2010年6月25日递交的美国临时申请61/358,645的优先权和2010年7月9日递交的美国临。
10、时申请61/362,981的优先权，两者通过引用全文并于此。技术领域0003 本发明涉及一种光刻设备和方法。背景技术0004 光刻设备是一种将所需图案应用到衬底上，通常是衬底的目标部分上的机器。光刻设备可用于例如集成电路(IC)制造过程中。在这种情况下，可以将可选地称为掩模或掩模版的图案形成装置用于生成待形成在所述IC的单层上的电路图案。可以将该图案转移到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一部分管芯、一个或更多个管芯)上。通常，通过将图案成像到设置在衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上而实现图案的转移。通常，单一衬底将包括相邻目标部分的网络，所述相邻目标部分被连续地图案化。0005 光。
11、刻术被广泛认为是制造集成电路(IC)和其他器件和/或结构的关键步骤之一。然而，随着使用光刻术形成的特征的尺寸变得越来越小，对于实现微型的将要制造的IC或其他器件和/或结构来说，光刻术正变成更加关键的因素。0006 图案印刷的极限的理论估计可以由用于分辨率的瑞利法则给出，如等式(1)所示：0007 0008 其中是所用辐射的波长，NA是用以印刷图案的投影系统的数值孔径，k1是随工艺变化的调节因子，也称为瑞利常数，CD是所印刷的特征的特征尺寸(或临界尺寸)。由等式(1)知道，特征的最小可印刷尺寸减小可以由三中途径获得：通过缩短曝光波长、通过增大数值孔径NA或通过减小k1的值。0009 为了缩短曝光。
12、波长并因此减小最小可印刷尺寸，已经提出使用极紫外(EUV)辐射源。EUV辐射是具有5-20nm范围内波长的电磁辐射，例如在13-14nm范围内波长的电磁辐射，例如在5-10nm范围内的波长的电磁辐射，例如6.7nm或6.8nm波长的电磁辐射。可用的源包括例如激光产生的等离子体源、放电等离子体源或基于由电子存储环所提供的同步加速器辐射。0010 可以通过使用等离子体产生EUV辐射。用于产生EUV辐射的辐射系统可以包括用于激发燃料以提供等离子体的激光器和用于包含等离子体的源收集器模块。例如可以通过引导激光束到燃料，例如合适材料(例如锡)的颗粒或合适气体或蒸汽(例如氙气或锂蒸汽)的流，来产生等离子体。
13、。所形成的等离子体发射输出辐射，例如EUV辐射，其通过使用辐射收集器收集。辐射收集器可以是反射镜式正入射辐射收集器，其接收辐射并将辐射聚焦为束。源收集器模块可以包括包围结构或腔，其布置成提供真空环境以支持等离子体。这说 明 书CN 103080840 A2/17页5种辐射系统通常称为激光产生等离子体(LPP)源。0011 在一个替换的布置中，用于产生EUV辐射的辐射系统可以使用放电来产生等离子体。放电通入气体或蒸汽(例如氙气、锂蒸汽或锡蒸汽)，产生极高温的等离子体，其发生EUV辐射。这种辐射系统通常称为放电产生的等离子体(DPP)源。0012 EUV源内的等离子体形成可能会造成从燃料产生污染物。
14、颗粒。这些污染物颗粒可以以相对快的速度移动或以相对慢的速度移动，在相对快的速度移动情形中，污染物颗粒趋向于大体沿着辐射束的路径移动，在相对慢的速度移动情形中，污染物颗粒自由地进行布朗运动。在一些光刻设备中，相对慢移动的污染物颗粒可以通过光刻设备内的气体流动输运。0013 相对快的移动和相对慢的移动的污染物颗粒都可以朝向光刻设备的图案形成装置移动。如果污染物颗粒到达图案形成装置(即使是极少量)，则它们会污染图案形成装置。图案形成装置的污染可能会降低光刻设备的成像性能，并且在更为严重的情况下可能需要更换图案形成装置。图案形成装置可能价格昂贵，因而图案形成装置的所必须更换的频率的任何减少都是有利的。。
15、此外，图案形成装置的更换是耗时过程，在此期间光刻设备的操作可能不得不停止。停止光刻设备的操作可能会降低光刻设备的输出，因此降低光刻设备的效率，这是不希望的。0014 期望地，提供一种光刻设备，其可以捕获快移动和慢移动的污染物颗粒，使得它们更不容易污染图案形成装置。发明内容0015 根据一方面，提供一种光刻设备，包括：辐射源，配置成产生辐射束；和支撑件，配置成支撑图案形成装置。所述图案形成装置配置成将图案赋予辐射束以形成图案化的辐射束。腔，定位在辐射源和支撑件之间。所述腔包含配置成反射辐射束的至少一个光学部件。所述腔配置成允许来自辐射源的辐射通过其中。隔膜限定腔的一部分。所述隔膜配置成允许辐射束。
16、通过隔膜，并阻止污染物颗粒通过隔膜。颗粒捕获结构配置成允许气体沿间接路径从腔外部流至腔的内部，颗粒捕获结构的间接路径配置成基本上阻止污染物颗粒从腔内部到达腔外部。0016 根据本发明一方面，提供一种光刻方法，包括步骤：产生辐射束；和引导辐射束通过包含反射辐射束的至少一个光学部件的腔。所述辐射束被引导朝向图案形成装置。所述腔包括隔膜。所述方法包括：当辐射束从腔通过隔膜并朝向图案形成装置传递时用隔膜阻止污染物颗粒通过；使气体从腔内部至腔外部沿间接路径通过颗粒捕获结构流动，所述间接路径基本上阻止污染物颗粒从腔内部到达腔外部；用图案形成装置将图案赋予辐射束以形成图案化的辐射束；和使用投影系统将图案化的。
17、辐射束投影到衬底上。0017 根据本发明一方面，提供一种光刻设备，包括：辐射源，配置成产生辐射束；和支撑件，配置成支撑图案形成装置，所述图案形成装置配置成将图案赋予辐射束以形成图案化的辐射束；其中所述支撑件设置有包括石墨烯层的表膜(pellicle)。0018 根据本发明一方面，提供一种光谱纯度滤光片，包括栅格，所述栅格配置成阻止或减少红外辐射通过，其中所述栅格覆盖有阻止氧气到达栅格的石墨烯。石墨烯被设置作为一个或更多个层，或可以围绕栅格的肋。说 明 书CN 103080840 A3/17页60019 根据本发明一方面，提供一种光谱纯度滤光片，包括栅格，所述栅格配置成阻止或减少红外辐射通过，所。
18、述栅格包括钨/石墨烯多层结构。0020 根据本发明一方面，提供一种光谱纯度滤光片，包括阻挡带外辐射的材料，其中光谱纯度滤光片还包括石墨烯层，其支持所述材料。0021 根据本发明一方面，提供一种多层反射镜，包括第一材料和第二材料的交替层，其中石墨烯设置在交替层之间。0022 根据本发明一方面，提供一种多层反射镜，包括第一材料和第二材料的交替层，其中石墨烯的层设置为多层反射镜的外层。0023 根据本发明一方面，提供一种光刻设备，其具有石墨烯隔膜，所述石墨烯隔膜配置成阻止污染物颗粒的通道和透过EUV辐射。附图说明0024 现在参照随附的示意性附图，仅以举例的方式，描述本发明的实施例，其中，在附图中相。
19、应的附图标记表示相应的部件，且其中：0025 图1示出根据本发明一实施例的光刻设备；0026 图2示出图1的设备的LPP源收集器模块SO的视图；0027 图3示出根据本发明一实施例的隔膜和颗粒捕获结构的视图；0028 图4是可以形成根据本发明的光刻设备的一部分的掩模版的一实施例的横截面视图；0029 图5是可以形成根据本发明的光刻设备的一部分的掩模版的一实施例的横截面视图；0030 图6是可以形成根据本发明的光刻设备的一部分的掩模版的一实施例的横截面视图；0031 图7是可以形成根据本发明的光刻设备的一部分的光谱纯度滤光片的一实施例的横截面视图；0032 图8是可以形成根据本发明的光刻设备的一。
20、部分的光谱纯度滤光片的一实施例的横截面视图；0033 图9是可以形成根据本发明的光刻设备的一部分的光谱纯度滤光片的一实施例的横截面视图；0034 图10是可以形成根据本发明的光刻设备的一部分的光谱纯度滤光片的一实施例的横截面视图；0035 图11是可以形成根据本发明的光刻设备的一部分的光谱纯度滤光片的一实施例的横截面视图；0036 图12是可以形成根据本发明的光刻设备的一部分的光谱纯度滤光片的一实施例的横截面视图；0037 图13是可以形成根据本发明的光刻设备的一部分的光谱纯度滤光片的一实施例的横截面视图；0038 图14是可以形成根据本发明的光刻设备的一部分的光谱纯度滤光片的一实施例的横截面。
21、视图；说 明 书CN 103080840 A4/17页70039 图15是可以形成根据本发明的光刻设备的一部分的多层反射镜的一实施例的横截面视图。具体实施方式0040 图1示意地示出包括根据本发明一个实施例的源收集器模块SO的光刻设备100。所述设备包括：照射系统(照射器)IL，其配置用以调节辐射束B(例如EUV辐射)；支撑结构(例如掩模台)MT，其构造用于支撑图案形成装置(例如掩模或掩模版)MA，并与配置用于精确地定位图案形成装置的第一定位装置PM相连；衬底台(例如晶片台)WT，其构造用于保持衬底(例如涂覆有抗蚀剂的晶片)W，并与配置用于精确地定位衬底的第二定位装置PW相连；和投影系统(例如。
22、反射投影系统)PS，其配置成用于将由图案形成装置MA赋予辐射束B的图案投影到衬底W的目标部分C(例如包括一根或更多根管芯)上。0041 照射系统可以包括各种类型的光学部件，例如折射型、反射型、磁性型、电磁型、静电型或其它类型的光学部件、或其任意组合，以引导、成形、或控制辐射。0042 所述支撑结构MT以依赖于图案形成装置的方向、光刻设备的设计以及诸如图案形成装置是否保持在真空环境中等其他条件的方式保持图案形成装置MA。所述支撑结构可以采用机械的、真空的、静电的或其它夹持技术保持图案形成装置。所述支撑结构可以是框架或台，例如，其可以根据需要成为固定的或可移动的。所述支撑结构可以确保图案形成装置位。
23、于所需的位置上(例如相对于投影系统)。0043 术语“图案形成装置”应该被广义地理解为表示可以用于将图案在辐射束B的横截面上赋予辐射束B、以便在衬底W的目标部分C上形成图案的任何装置。被赋予辐射束的图案可以与在目标部分C上形成的器件中的特定的功能层相对应，例如集成电路。0044 图案形成装置可以是透射式的或反射式的。图案形成装置的示例包括掩模、可编程反射镜阵列以及可编程液晶显示(LCD)面板。掩模在光刻术中是公知的，并且包括诸如二元掩模类型、交替型相移掩模类型、衰减型相移掩模类型和各种混合掩模类型之类的掩模类型。可编程反射镜阵列的示例采用小反射镜的矩阵布置，每一个小反射镜可以独立地倾斜，以便沿。
24、不同的方向反射入射的辐射束。所述已倾斜的反射镜将图案赋予由所述反射镜矩阵反射的辐射束。0045 与照射系统类似，投影系统可以包括不同类型的光学部件，例如折射型、反射型、磁性型、电磁型、静电型或其他类型的光学部件，或其任何组合，如对所使用的曝光辐射适合的，或对于诸如使用真空的其他因素所适合的。可以期望在EUV辐射的情况下使用真空，因为其他气体可能吸收太多的辐射。因此借助真空壁和真空泵可以在整个束路径上提供真空环境。0046 如这里所示，光刻设备是反射类型的(例如采用反射掩模)。0047 光刻设备可以是具有两个(双台)或更多衬底台(和/或两个或更多的掩模台)的类型。在这种“多台”机器中，可以并行地。
25、使用附加的台，或可以在一个或更多个台上执行预备步骤的同时，将一个或更多个其它台用于曝光。0048 参照图1，所述照射器IL接收从源收集器模块SO发出的极紫外(EUV)辐射束。用以产生EUV光的方法包括但不限于将材料转化为等离子体状态，所述材料具有与在EUV范围内(EUV范围被认为是包括大约13nm或大约6-7nm波长)的一个或更多个发射线关联的说 明 书CN 103080840 A5/17页8至少一种元素，例如氙(Xe)、锂(Li)、锡(Sn)、钆(Gd)或铽(Tb)。在一种这样的方法中，通常称为激光产生等离子体(“LPP”)，所需的等离子体可以通过使用激光束照射燃料产生。该燃料可以例如是具有。
26、所需线-发射元素的材料的液滴、流或簇。源收集器模块SO可以是EUV辐射系统的一部分，所述EUV辐射系统包括用于提供激发燃料的激光束的激光器(在图1中未示出)。所形成的等离子体发射输出辐射，例如EUV辐射，其通过使用设置在源收集器模块中的辐射收集器收集。激光器和源收集器模块可以是分立的实体(例如当CO2激光器被用于提供用于燃料激发的激光束)。在这种情况下，不会将激光器考虑成形成光刻设备的一部分，并且通过包括例如合适的定向反射镜和/或扩束器的束传递系统的帮助，将所述辐射束B从激光器传到源收集器模块。在其它情况下，所述源可以是所述源收集器模块的组成部分(例如当所述源是放电产生的等离子体EUV生成器，。
27、通常称为DPP源)。0049 所述照射器IL可以包括用于调整所述辐射束的角强度分布的调整器。通常，可以对所述照射器IL的光瞳平面中的强度分布的至少所述外部和/或内部径向范围(一般分别称为-外部和-内部)进行调整。此外，所述照射器IL可以包括各种其它部件，例如琢面场反射镜装置和琢面光瞳反射镜装置(或称为多小面场反射镜装置和多小面光瞳反射镜装置)。照射器可以用于调节辐射束，以在其横截面中具有所需的均匀性和强度分布。0050 所述辐射束B入射到保持在支撑结构(例如，掩模台)MT上的所述图案形成装置(例如，掩模)MA上，并且通过所述图案形成装置MA来形成图案。已经被图案形成装置(例如，掩模)MA反射后。
28、，所述辐射束B通过投影系统PS，所述投影系统将辐射束B聚焦到所述衬底W的目标部分C上。通过第二定位装置PW和位置传感器PS2(例如，干涉仪器件、线性编码器或电容传感器)的帮助，可以精确地移动所述衬底台WT，例如以便将不同的目标部分C定位于所述辐射束B的路径中。类似地，可以将所述第一定位装置PM和另一个位置传感器PS1用于相对于所述辐射束B的路径精确地定位图案形成装置(例如，掩模)MA。可以使用掩模对准标记M1、M2和衬底对准标记P1、P2来对准图案形成装置(例如，掩模)MA和衬底W。0051 图中示出的光刻设备可以用于下列模式中的至少一种：0052 1.在步进模式中，在将支撑结构(例如掩模台)。
29、MT和衬底台WT保持为基本静止的同时，将赋予所述辐射束的整个图案一次投影到目标部分C上(即，单一的静态曝光)。然后将所述衬底台WT沿X和/或Y方向移动，使得可以对不同目标部分C曝光。0053 2.在扫描模式中，在对支撑结构(例如掩模台)MT和衬底台WT同步地进行扫描的同时，将赋予所述辐射束的图案投影到目标部分C上(即，单一的动态曝光)。衬底台WT相对于支撑结构(例如掩模台)MT的速度和方向可以通过所述投影系统PS的(缩小)放大率和图像反转特征来确定。0054 3.在另一模式中，将用于保持可编程图案形成装置的支撑结构(例如掩模台)MT保持为基本静止，并且在对所述衬底台WT进行移动或扫描的同时，将。
30、赋予所述辐射束的图案投影到目标部分C上。在这种模式中，通常可以采用脉冲辐射源，并且在所述衬底台WT的每一次移动之后、或在扫描期间的连续辐射脉冲之间，根据需要更新所述可编程图案形成装置。这种操作模式可易于应用于利用可编程图案形成装置(例如，如上所述类型的可编程反射镜阵列)的无掩模光刻术中。说 明 书CN 103080840 A6/17页90055 也可以采用上述使用模式的组合和/或变体，或完全不同的使用模式。0056 图2更详细地示出投影设备100，包括源收集器模块SO、照射系统IL以及投影系统PS。源收集器模块SO构造并布置成使得可以在源收集器模块SO的包围结构220内保持真空环境。0057 。
31、激光器LA布置成通过激光束205将激光能量沉积到由燃料源200提供的例如氙(Xe)、锡(Sn)或锂(Li)等燃料中，由此产生具有几十电子伏特的电子温度的高离子化的等离子体210。在这些离子的去激发和再复合期间产生的高能辐射从等离子体发射，通过近正入射收集器光学元件CO收集并聚焦。0058 由收集器光学元件CO反射的辐射被聚焦在虚源点IF。虚源点IF通常被称为中间焦点，并且源收集器模块SO布置使得中间焦点IF位于包围结构220内的开口221处或其附近。虚源点IF是用于发射辐射的等离子体210的像。0059 虽然如图2所示的源收集器模块SO包括LPP源，所述源收集器模块可以包括任何合适的源，并且可。
32、以例如包括DPP源。DPP源可以例如配置成使放电进入气体或蒸汽，例如氙气、锂蒸汽或锡蒸汽，由此产生极高温等离子体，其发射EUV辐射。收集器光学元件，例如掠入射收集器，可以配置成收集EUV辐射并将其聚焦至中间焦点。中间焦点可以位于源收集器模块的包围结构中的开口处或其附近。0060 在通过中间焦点IF之后，辐射穿过照射系统IL。所述照射系统IL可以包括琢面场反射镜装置22和琢面光瞳反射镜装置24，布置成在图案形成装置MA处提供辐射束21的想要的角度分布，以在图案形成装置MA处提供想要的辐射强度均匀性。在辐射束21在图案形成装置MA处反射之后，形成图案化束26，并且图案化束26通过投影系统PS经由反。
33、射元件28、30成像到由衬底台WT保持的衬底W上。0061 通常在照射光学系统IL和投影系统PS内存在比图示更多的元件。此外，可以存在比图中示出的更多的反射镜，例如在投影系统PS内可以存在比图2中示出多1-6个的更多额外的反射元件。0062 由燃料产生电离的等离子体不仅产生辐射，还产生不想要的污染物颗粒。在用锡(Sn)作为燃料的情形中，这些污染物颗粒可以以每秒大约1000个的速率产生。污染物颗粒可以具有达到大约150纳米的尺寸，并且可以具有达到500纳米的尺寸。污染物颗粒速度可以达到大约每秒100米，可以达到大约每秒1000米。0063 以不同速度产生的污染物颗粒可以采用自等离子体210的不同。
34、的路径。例如，相对快的污染物颗粒可以沿与通过源收集器模块SO产生的辐射束相同的方向行进。此外，一些相对快的污染物颗粒可以碰撞收集器光学元件CO并反弹离开收集器光学元件CO，使得颗粒将也遵循辐射束的路径。当相对快速移动的污染物颗粒遵循辐射束的路径时，污染物颗粒可以反弹离开照射系统IL内的反射镜装置22、24，使得它们到达图案形成装置MA。0064 相对慢移动的污染物颗粒可以经历布朗运动，并因此通过源收集器模块SO和照射模块IL的低压环境朝向图案形成装置MA漂移。此外，在某些光刻设备中，例如如图2所示的设备，照射模块IL和/或源收集器模块SO可以包括气流管道32。气流管道32可以让气体泵送通过，以。
35、便减少照射模块IL内的分子污染。分子污染可以是光刻设备内反射元件(或其他光学部件)的表面上分子(或由辐射束引起的这些分子的离解分裂的产物)积累。这些分子可以源自光刻设备本身内部。例如，这些分子可以源自光刻设备的部件、光刻设备说 明 书CN 103080840 A7/17页10内使用的润滑剂或光刻设备内的电子系统。泵送通过气体管道32的气体可以是原子态氢。在一些实施方式中，气体可以被泵送进入气体管道32使得气体沿朝向图案形成装置MA的方向行进。在这种情况下，气体通过气体管道32的移动可以携带相对慢的污染物颗粒与其一起朝向图案形成装置MA移动。0065 在一些光刻设备中，如果污染物颗粒到达图案形成。
36、装置MA(甚至是以少于每小时一个颗粒的小数量)，则这可以对光刻设备的成像性能带来有害的影响。如果图案形成装置MA被污染物颗粒污染，则可能必须更换或清洁图案形成装置MA。为了更换或清洁图案形成装置MA，可能必须停止光刻设备的操作。光刻设备的任何停工时间将导致光刻设备的产出的减少，并因此降低光刻设备的收益率。应该认识到，光刻设备的收益率的任何降低可能都是不希望的。0066 图3示出通过由图2中34表示的光刻设备的一部分的示意横截面图。图3中示出光刻设备的部分能够防止快速移动和慢移动的污染物颗粒到达图案形成装置MA。图3中示出光刻设备的部分包括第一和第二壁部件36、38，其限定气体管道32的一部分。。
37、第一和第二壁部件36、38包括各自的开口40、42。开口40、42共享公共轴线，所述公共轴线是光刻设备的辐射束21的光学轴线OA。在第一壁部件36内的开口40包括不漏气隔膜44，其被横跨所述开口40固定，以便阻止气体从第一壁部件36的一侧经由开口40到达第一壁部件36的另一侧。0067 第一和第二壁部件36、38彼此间隔分开，使得在它们之间存在至少一个气流路径。在如图3所示的实施例中，在光学轴线OA的两侧或两侧中的任一侧，存在两个气流路径46。气流路径46允许气体从气体管道32的内部流至气体管道32的外部(气体管道32的外部通常用48表示)。气体从气体管道32的内部至气体管道32的外部的路径一。
38、般用箭头50表示。气流路径46由颗粒捕获结构52限定。颗粒捕获结构52包括多个板52a。板52a沿平行于光学轴线OA的方向延伸，并从第一壁部件36和第二壁部件38交替地延伸。板52a彼此间隔分开，并以相互交叉的方向方式延伸使得它们在垂直于光学轴线OA的方向上是交叠的。因此，颗粒捕获结构52的板52a确保，不存在视线路径(line of sight path)让气体从气体管道32内部流至气体管道32的外部48。板52a限制气体通过颗粒捕获结构52，使得气体遵循间接的路径。在这种情况下，间接路径是蜿蜒的路径，即该路径在气体朝向气体管道32外部行进时多次改变方向。例如，该路径可以在气体朝向气体管道3。
39、2外部行进时改变方向至少四次。路径方向的改变可以是急剧的。在本实施例中，蜿蜒的路径是来回交替行进(houstrophedonic)的形式，这意味着气流在其朝向气体管道32的外部行进时，先沿一个方向流动，然后变成沿相反的方向流动。在每个板52a(在使用时平行于光学轴线OA)的长度是相邻的板52a之间的间隔的大约10倍的实施例中，这样一对相邻的板可以阻止大约90的污染物颗粒在相邻的一对板之间通过。在一些实施例中，颗粒捕获结构将污染物颗粒的幅度降低6或7个量级可能是有利的。在这些实施例中，可能期望使用至少5对相邻的板(即，10个板)。应该认识到，可以使用任何合适数量的板。例如，可以有2至100个之间的板。在一些实施例中，使用弯曲板(即，其中不存在通过相邻的一对板之间的间隙的视线路径的板)相比于平坦板可以提高被阻止通过相邻的一对板之间的污染物颗粒的比例。由此可以断定，可能需要较少对的弯曲板(相比对于平坦板)来阻止给定比例的污染物颗粒通过污染物捕获结构。说 明 书CN 103080840 A10。