脱模薄膜以及使用了其的层叠陶瓷电子部件的制造方法.pdf

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摘要
申请专利号:

CN201510055944.3

申请日:

2015.02.03

公开号:

CN104835644A

公开日:

2015.08.12

当前法律状态:

实审

有效性:

审中

法律详情:

实质审查的生效IPC(主分类):H01G 4/002申请日:20150203|||公开

IPC分类号:

H01G4/002; H01G4/12; H01G4/30

主分类号:

H01G4/002

申请人:

株式会社村田制作所

发明人:

堀裕之; 福井大介

地址:

日本京都府

优先权:

2014-022521 2014.02.07 JP; 2014-258829 2014.12.22 JP

专利代理机构:

中科专利商标代理有限责任公司11021

代理人:

李逸雪

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内容摘要

本发明提供一种在不使用减少了填充物、异物的特殊的基材薄膜(例如PET薄膜等)的情况下,能够制造不存在厚度薄的部分、贯通孔的高质量的陶瓷生片的脱模薄膜(载体薄膜)以及使用了其的可靠性高的层叠陶瓷电子部件的制造方法。脱模薄膜具备:在表面具有多个突起部的基材薄膜、和覆盖其表面的脱模层,使从脱模层的表面起至基材薄膜的突起部的根部为止的尺寸即脱模层的厚度T1比从基材薄膜的突起部的顶端起至突起部的根部为止的沿着方向X的方向上的尺寸即突起部的高度H大。此外,脱模薄膜具备:在表面具有多个凹部的基材薄膜、和覆盖其表面的脱模层,使从脱模层的表面起至基材薄膜的凹部的底面为止的尺寸即脱模层T2的厚度比凹部的深度D大。

权利要求书

权利要求书1.  一种脱模薄膜,具备:基材薄膜,其在表面具有多个突起部;和脱模层,其覆盖所述基材薄膜的表面,所述脱模层的厚度T1比所述突起部的高度H大,其中所述脱模层的厚度为从所述脱模层的表面起至所述基材薄膜的所述突起部的根部为止的、沿着与所述脱模层的表面正交的方向X的方向上的尺寸,所述突起部的高度为从所述基材薄膜的所述突起部的顶端起至所述突起部的根部为止的沿着所述方向X的方向上的尺寸。2.  根据权利要求1所述的脱模薄膜,其特征在于,所述基材薄膜中包含填充物,并且,所述填充物在基材薄膜的厚度方向上均匀分布。3.  根据权利要求1或者2所述的脱模薄膜,其特征在于,所述脱模层的厚度T1比所述突起部的高度H大96nm以上。4.  根据权利要求1~3的任意一项所述的脱模薄膜,其特征在于,所述脱模层的表面粗糙度比所述基材薄膜的表面粗糙度小。5.  根据权利要求1~4的任意一项所述的脱模薄膜,其特征在于,在所述脱模层的表面具备多个脱模层突起部,所述脱模层突起部的高度H2比所述基材薄膜的所述突起部的高度H小,其中所述脱模层突起部的高度为从所述脱模层突起部的顶端起至所述脱模层突起部的根部为止的、沿着所述方向X的方向上的尺寸。6.  一种脱模薄膜,具备:基材薄膜,其在表面具有多个凹部;和脱模层,其覆盖所述基材薄膜的表面,所述脱模层的厚度T2比所述凹部的深度D大,其中所述脱模层的厚度为从所述脱模层的表面起至所述基材薄膜的所述凹部的底面为止的、沿着与所述脱模层的表面正交的方向X的方向上的尺寸,所述凹部的深度为从所述基材薄膜的表面起至所述凹部的底面为止的、沿着所述方向X的方向上的尺寸。7.  根据权利要求6所述的脱模薄膜,其特征在于,所述基材薄膜中包含填充物,并且,所述填充物在基材薄膜的厚度方向上均匀分布。8.  根据权利要求6或者7所述的脱模薄膜,其特征在于,所述脱模层的厚度T2比所述凹部的深度D大50nm以上。9.  根据权利要求6~8的任意一项所述的脱模薄膜,其特征在于,所述脱模层的表面粗糙度比所述基材薄膜的表面粗糙度小。10.  根据权利要求6~9的任意一项所述的脱模薄膜,其特征在于,在所述脱模层的表面具有多个脱模层凹部,所述脱模层凹部的深度D2比所述基材薄膜的所述凹部的深度D小,其中所述脱模层凹部的深度为从所述脱模层的表面起至所述脱模层凹部的底面为止的、沿着所述方向X的方向上的尺寸。11.  一种层叠陶瓷电子部件的制造方法,具备:在权利要求1~10的任意一项所述的脱模薄膜上涂敷陶瓷浆料,来形成厚度为0.5~2μm的陶瓷生片的工序;形成具有所述陶瓷生片与内部电极层层叠而成的构造的层叠体的工序;和烧成所述层叠体,来形成陶瓷烧结体的工序。

说明书

说明书脱模薄膜以及使用了其的层叠陶瓷电子部件的制造方法
技术领域
本发明涉及脱模薄膜以及层叠陶瓷电子部件的制造方法,详细来讲,涉及形成陶瓷生片中使用的脱模薄膜以及对使用该脱模薄膜形成的陶瓷生片加以使用来制造层叠陶瓷电子部件的方法。
背景技术
层叠陶瓷电容器等层叠陶瓷电子部件的制造中使用的陶瓷生片较多是例如通过在载体薄膜(例如聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)薄膜)的表面,涂敷陶瓷浆料来成型为片状的方法而制作的。此外,作为载体薄膜,在形成陶瓷生片的面,设置了用于容易剥离形成的陶瓷生片的离形层的载体薄膜(脱模薄膜)被广泛使用。
但是,在将陶瓷浆料涂敷到作为支撑体的上述载体薄膜上的情况下,若在其表面(涂敷面)存在突起部,形成于存在突起部的部位的陶瓷生片的该部位与形成在不存在突起部的其他部位的部位相比,厚度可能变薄,或者可能由于突起部贯通而导致形成贯通孔。
在这种对厚度局部变薄、或者形成贯通孔的状态的陶瓷生片进行层叠来制作层叠陶瓷电子部件的情况下,例如,在层叠陶瓷电子部件是层叠陶瓷电容器的情况下,存在容易产生耐电压故障、短路故障,不能得到所希望的特性,可靠性降低的问题点。
作为对陶瓷生片的抑制这种突起部的产生的方法,具有减少构成载体薄膜的PET薄膜中含有的填充物、异物的量,或者不含有填充物的方法(例如,专利文献1的权利要求4等)。
但是,实际上一般大多数的PET薄膜含有填充物或异物,填充物或异物少或者实质上不含有的PET薄膜是特殊的PET薄膜,由于其制作上要求高技术,制造成本上升,因此是高价的。
因此,在将这种填充物或异物少或者实质上不含有的PET薄膜用作载 体薄膜来制造层叠陶瓷电子部件的情况下,存在层叠陶瓷电子部件的制造成本也增大的问题点。
在先技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2013-60555号公报
发明内容
本发明解决上述课题,其目的在于,提供一种在不使用减少了填充物、异物的特殊的基材薄膜的情况下,能够制造不存在厚度薄的部分、贯通孔的高质量的陶瓷生片的脱模薄膜(载体薄膜)以及使用了该脱模薄膜的可靠性高的层叠陶瓷电子部件的制造方法。
-解决课题的手段-
本发明的脱模薄膜解决上述课题,其特征在于,具备:
基材薄膜,其在表面具有多个突起部;和
脱模层,其覆盖所述基材薄膜的表面,
从所述脱模层的表面起至所述基材薄膜的所述突起部的根部为止的、沿着与所述脱模层的表面正交的方向X的方向上的尺寸、即所述脱模层的厚度T1比从所述基材薄膜的所述突起部的顶端起至所述突起部的根部为止的沿着所述方向X的方向上的尺寸、即所述突起部的高度H大。
在本发明中,作为所述基材薄膜,能够使用包含填充物,并且,所述填充物在基材薄膜的厚度方向上均匀分布的基材薄膜。
在使用填充物在厚度方向上均匀分布的基材薄膜的情况下,虽然在基材薄膜的表面容易形成突起部,但是在本发明中,由于在基材薄膜的表面形成脱模层,使脱模薄膜的表面变得平滑,因此能够提供一种在不使用减少了填充物、异物的特殊的基材薄膜(例如PET薄膜)的情况下,能够制造不存在厚度薄的部分、贯通孔的高质量的陶瓷生片的脱模薄膜(载体薄膜)。
此外,所述脱模层的厚度T1优选比所述突起部的高度H大96nm以上。
通过使脱模层的厚度T1的值比基材薄膜的突起部的高度H的值大 96nm以上,从而能够更可靠地形成表面的平滑性优良的脱模薄膜。
此外,所述脱模层的表面粗糙度优选比所述基材薄膜的表面粗糙度小。
通过具备上述结构,能够可靠地形成表面的平滑性优良的脱模薄膜。并且,通过使用该脱模薄膜,能够制造不存在厚度薄的部分、贯通孔的高质量的陶瓷生片。
此外,优选在所述脱模层的表面具备多个脱模层突起部,从所述脱模层突起部的顶部起至所述脱模层突起部的根部为止的、沿着所述方向X的方向上的尺寸、即所述脱模层突起部的高度H2比所述基材薄膜的所述突起部的高度H小。
通过具备上述结构,能够可靠地形成表面的平滑性优良的脱模薄膜。并且,通过使用该脱模薄膜,能够制造不存在厚度薄的部分、贯通孔的高质量的陶瓷生片。
此外,本发明的脱模薄膜的特征在于,具备:
基材薄膜,其在表面具有多个凹部;和
脱模层,其覆盖所述基材薄膜的表面,
从所述脱模层的表面起至所述基材薄膜的所述凹部的底面为止的、沿着与所述脱模层的表面正交的方向X的方向上的尺寸、即所述脱模层的厚度T2比从所述基材薄膜的表面起至所述凹部的底面为止的、沿着所述方向X的方向上的尺寸、即所述凹部的深度D大。
在本发明中,作为所述基材薄膜,能够使用含有填充物,并且,所述填充物在基材薄膜的厚度方向上均匀分布的基材薄膜。
在使用填充物在厚度方向上均匀分布的基材薄膜的情况下,虽然基材薄膜的平滑性被损害,在表面容易形成凹部,但是在本发明中,由于在基材薄膜的表面形成脱模层,使脱模薄膜的表面变得平滑,因此能够提供一种在不使用减少了填充物、异物的特殊的基材薄膜(例如PET薄膜)的情况下,能够制造不存在厚度薄的部分、贯通孔的高质量的陶瓷生片的脱模薄膜(载体薄膜)。
此外,所述脱模层的厚度T2优选比所述凹部的深度D大50nm以上。
通过使脱模层的厚度T2的值比基材薄膜的凹部的深度D的值大50nm 以上,从而能够更可靠地形成表面的平滑性优良的脱模薄膜。
所述脱模层的表面粗糙度优选比所述基材薄膜的表面粗糙度小。
通过具备上述结构,能够可靠地形成表面的平滑性优良的脱模薄膜。并且,通过使用该脱模薄膜,能够制造不存在厚度薄的部分、贯通孔的高质量的陶瓷生片。
优选在所述脱模层的表面具有多个脱模层凹部,从所述脱模层的表面起至所述脱模层凹部的底面为止的、沿着所述方向X的方向上的尺寸、即所述脱模层凹部的深度D2比所述基材薄膜的所述凹部的深度D小。
通过具备上述结构,能够可靠地形成表面的平滑性优良的脱模薄膜。并且,通过使用该脱模薄膜,能够制造不存在厚度薄的部分、贯通孔的高质量的陶瓷生片。
此外,本发明的层叠陶瓷电子部件的制造方法的特征在于,具备:
在上述本发明的脱模薄膜上涂敷陶瓷浆料,来形成厚度为0.5~2μm的陶瓷生片的工序;
形成具有所述陶瓷生片与内部电极层层叠而成的构造的层叠体的工序;和
烧成所述层叠体,来制作陶瓷烧结体的工序。
-发明效果-
由于本发明的脱模薄膜具备:基材薄膜;和覆盖其表面的、具有比存在于基材薄膜的突起部的高度H大的厚度T1的脱模层,因此能够提供一种在不使用减少了填充物、异物的特殊的基材薄膜(例如PET薄膜)的情况下,能够制造不存在厚度薄的部分、贯通孔的高质量的陶瓷生片的脱模薄膜(载体薄膜)。
也就是说,根据本发明,由于在基材薄膜的表面存在突起部的情况下,也通过形成在基材薄膜的表面的脱模层,将基材薄膜的表面平滑化,因此在不使用减少了填充物、异物的特殊的基材薄膜的情况下,也能够构成表面突起部少的脱模薄膜(载体薄膜),通过使用该脱模薄膜,能够以低成本来制造高质量的陶瓷生片。
此外,由于在构成为具备基材薄膜、和覆盖其表面的、具有比存在于基材薄膜的凹部的深度D大的厚度T2的脱模层的情况下,也通过在基材 薄膜的表面形成的脱模层,将凹部存在的基材薄膜的表面平滑化,因此能够提供一种在不使用减少了填充物、异物的特殊的基材薄膜(例如PET薄膜)的情况下,能够制造不存在厚度薄的部分、贯通孔的高质量的陶瓷生片的脱模薄膜(载体薄膜)。
此外,由于本发明的层叠陶瓷电子部件的制造方法具备:在本发明的脱模薄膜涂敷陶瓷浆料,来形成厚度为0.5~2μm的陶瓷生片的工序、形成具有陶瓷生片与内部电极层层叠而成的构造的层叠体的工序、和烧成层叠体,来制作陶瓷烧结体的工序,因此能够高效地制造耐电压性能高、没有内部电极层的短路故障等的可靠性高的层叠陶瓷电子部件。
附图说明
图1是表示本发明的实施方式涉及的脱模薄膜的结构的正面剖视图。
图2是表示本发明的另一实施方式涉及的脱模薄膜的结构的正面剖视图。
图3是表示使用本发明的实施方式涉及的脱模薄膜而形成的层叠陶瓷电子部件的正面剖视图。
-符号说明-
1(1A、1B)                 脱模薄膜
10                        基材薄膜
11                        突起部(基材薄膜的突起部)
12                        凹部(基材薄膜的凹部)
15                        填充物(粒子)
20                        脱模层
21                        脱模层突起部
22                        脱模层凹部
50                        层叠陶瓷电容器
51                        陶瓷层
52(2a、2b)                内部电极
53(3a、3b)                层叠陶瓷元件的端面
54(4a、4b)                外部电极
60                        层叠陶瓷元件(陶瓷烧结体)
D                         凹部的深度
D2                        脱模层凹部的深度
H                         突起部的高度
H2                        脱模层突起部的高度
T1、T2                    脱模薄膜的厚度
X                         与脱模层的表面正交的方向
具体实施方式
下面表示本发明的实施方式,对作为本发明的特征之处进一步详细地进行说明。
[实施方式]
在本实施方式中,对本发明的第一实施方式涉及的脱模薄膜的结构及其制造方法进行说明。
如图1或者图2所示,实施方式涉及的脱模薄膜1(1A、1B)具备包含填充物(粒子)15的基材薄膜10和被配设为覆盖基材薄膜10的表面的脱模层20,其中,该基材薄膜10在表面具备突起部(基材薄膜的突起部)11(图1)或者凹部(基材薄膜的突起部)12(图2)。另外,如图1或者图2所示,所谓基材薄膜10的突起部11,是指在观察到基材薄膜10的厚度方向(X方向)的剖面时,由连结相邻的凹部12的最下面的线段与基材薄膜10的表面围起的部分。此外,所谓基材薄膜10的凹部12,是指在观察到基材薄膜10的厚度方向(X方向)的剖面时,由连结相邻的突起部11的顶点的线段与基材薄膜10的表面围起的部分。
该脱模薄膜1(1A、1B)例如通过下面说明的方法来制作。首先,通过挤压成型等公知的方法,使用含有粒子(填充物)的树脂原料,来制作成为基材薄膜的未延伸的薄膜。然后,延伸该未延伸的薄膜,得到基材薄膜10(图1、图2)。
接下来,在表面形成有突起部11(图1)或者凹部12(图2)的基材薄膜10的表面,涂敷成为脱模层20的未固化状态的树脂材料来形成涂膜,通过使该涂膜固化,从而按照覆盖基材薄膜10的表面的方式形成脱模层 20(图1、图2)。另外,作为使成为脱模层20的未固化状态的树脂材料固化的方法,可以示例有:热固化、紫外线固化、电子射线固化等方法。并且,在这些方法中,热固化的方法最优选。
然后,根据需要,进一步使成为脱模层20的未固化状态的树脂材料固化后的基材薄膜延伸。另外,上述未延伸的基材薄膜的延伸方向也可以与经由使脱模层20用的树脂材料固化的工序来在基材薄膜的表面形成了脱模层20之后的脱模薄膜1的延伸的方向不同。
如上所述,形成具有脱模层20被配设为覆盖基材薄膜10的表面的结构的、图1、图2所示的脱模薄膜1(1A、1B)。
作为构成基材薄膜10的材料,聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)被用为优选的材料。但是,也可以使用其他的材料。并且,在本实施方式中使用的基材薄膜10中,以赋予用作薄膜的情况下的易滑性为主要目的,混合有填充物(粒子)15。
作为在构成基材薄膜10的材料中配合的填充物(粒子)15,可以使用能够赋予易滑性的各种材料的粒子,其种类没有特别的制约。作为填充物(粒子)15的优选的例子,举例有:二氧化硅、碳酸钙、碳酸镁、碳酸钡、硫酸钙、磷酸钙、磷酸镁、陶土、氧化铝、氧化钛等。此外,根据情况的不同,也可以使用耐热性的有机粒子作为填充物(粒子)15。
填充物(粒子)15的形状也没有特别制约,可以使用球状、块状、棒状、扁平状等任意形状的粒子。此外,这些填充物(粒子)15也可以根据需要,同时使用两种以上的粒子。
在基材薄膜10中,填充物(粒子)15的含有量优选为0.01质量%以上2质量%以下的范围,更优选为0.01质量%以上1质量%以下。在粒子的含有量小于0.01质量%的情况下,薄膜的易滑性处于变得不充分的趋势。另一方面,在超过2质量%的情况下,薄膜表面的平滑性处于变得不充分的趋势。
使基材薄膜10中含有填充物(粒子)15的方法没有特别制约,能够采用公知的各种方法。
作为构成覆盖基材薄膜10的表面的脱模层20的材料,能够使用硅树脂(硅酮树脂)、其它的有机树脂等树脂材料。
另外,脱模层20的外表面为陶瓷浆料的涂敷面。脱模层20例如能够通过在基材薄膜10的表面涂敷成为脱模层20的未固化的树脂材料来形成涂膜,使涂膜固化来形成。
在本实施方式的脱模薄膜1中,基材薄膜10中的填充物(粒子)15在其厚度方向上均匀分布。所谓在厚度方向上均匀分布,是指无论是单层结构还是层叠结构,各层之间填充物(粒子)的含有量都相同。基材薄膜10的表面由于填充物(粒子)15的存在的影响,具有突起部11(参照图1)。换言之,突起部11被混入填充物(粒子)15的至少一部分。
在本实施方式的脱模薄膜1中,由于通过在基材薄膜10的表面形成脱模层20,从而脱模薄膜1的表面被平滑化,因此不需要为了缩小基材薄膜10的表面的突起部11的高度H或者凹部12的深度D,而减少形成有基材薄膜10的脱模层20的面附近区域的填充物(粒子)的含有量,填充物(粒子)也可以在基材薄膜10的厚度方向上均匀分布。也就是说,虽然在填充物(粒子)在厚度方向上均匀分布的基材薄膜10中,表面的平滑性被损害,容易形成突起部11、凹部12,但是由于通过脱模层20而被平滑化,因此能够不需要使用减少了填充物(粒子)、异物的特殊的基材薄膜。
也就是说,脱模层20的表面粗糙度构成为比基材薄膜10的表面粗糙度小。此外,脱模层20的突起部(脱模层的突起部)21的高度H2构成为比基材薄膜10的突起部11的高度H小(参照图1)。进一步地,脱模层20的凹部(脱模层凹部)22的深度D2,也就是从脱模层20的表面起到脱模层凹部22的底面为止的沿着方向X的方向上的尺寸、即脱模层凹部22的深度D2构成为比基材薄膜10的凹部12的深度D小(参照图2)。
<层叠陶瓷电子部件的制造方法>
接下来,对使用上述的脱模薄膜1来制造层叠陶瓷电子部件(在本实施方式中为具有图3所示的结构的层叠陶瓷电容器)的方法进行说明。
另外,图3所示的层叠陶瓷电容器50具有在层叠陶瓷元件(陶瓷烧结体)60的相互对置的一对端面53(53a、53b),按照与内部电极层52(52a、52b)导通的方式配设有外部电极54(54a、54b)的结构,其中,该层叠陶瓷元件60中,经由作为电介质层的陶瓷层51层叠有多个内部电 极层52(52a、52b)。
制造该层叠陶瓷电容器50时,首先,准备陶瓷浆料。作为陶瓷材料,如后面所述,根据要制造的层叠型陶瓷电子部件(在本实施方式中为层叠陶瓷电容器)所要求的功能等,选择适当的陶瓷材料(例如,钛酸钡系电介质陶瓷材料)。
然后,在上述的图1或者图2所示的脱模薄膜1上,涂敷准备完的陶瓷浆料,并成型为片状后,根据必要进行干燥。由此,得到陶瓷生片。
之后,印刷用于在形成的陶瓷生片形成内部电极层的导电性糊膏(例如Ni糊膏)。
接下来,将印刷了导电性糊膏的陶瓷生片以及未印刷导电性糊膏的外层部形成用的陶瓷生片以规定的方式来进行层叠,通过压接来制作层叠构造体。
之后,根据需要来切割该层叠构造体,并通过烧成得到的层叠体(芯片),从而得到作为层叠陶瓷电容器主体的陶瓷烧结体。
在该陶瓷烧结体中,上述的导电性糊膏构成内部电极层,此外,陶瓷生片构成电介质层。
然后,根据需要,通过在陶瓷烧结体的外表面上,按照与内部电极层导通的方式来形成外部电极,从而例如得到图3所示的层叠陶瓷电容器(层叠陶瓷电子部件)50。
另外,本发明被有意义地应用于以使用特别要求脱模薄膜1的表面的平滑性的、厚度薄的陶瓷生片(特别厚度为0.5μm~2μm的陶瓷生片)来形成的层叠陶瓷电容器等为代表的层叠陶瓷电子部件。
在使用本发明的脱模薄膜1来制作陶瓷生片的情况下,通过利用丝网印刷、喷涂或者模压喷涂等方法,将陶瓷浆料涂敷在上述脱模薄膜1的表面,从而能够得到良好的陶瓷生片。另外,优选上述陶瓷浆料中包含树脂成分。此外,作为溶剂,优选使用有机溶剂、水等。
作为使用本发明的脱模薄膜1来制作陶瓷生片的情况下使用的材料,除了陶瓷材料,也可以包含Si、玻璃成分等烧成助剂等。作为烧成助剂的玻璃成分的具体例,举例有:包含碱金属成分、碱土金属成分的硅酸盐玻璃、硼酸盐玻璃、硼硅酸盐玻璃、磷酸盐玻璃等。
陶瓷材料的种类能够根据层叠型陶瓷电子部件所要求的功能等来适当地选择。例如,在要制造的层叠型陶瓷电子部件是层叠陶瓷电容器的情况下,使用电介质陶瓷。作为电介质陶瓷的具体例,举例有例如:BaTiO3、CaTiO3、SrTiO3、CaZrO3等。也可以向电介质陶瓷适当地添加例如:Mn化合物、Fe化合物、Cr化合物、Co化合物、Ni化合物等副成分。
此外,在层叠型陶瓷电子部件是陶瓷压电元件的情况下,压电陶瓷,例如PZT(锆钛酸铅)系陶瓷等被使用。
此外,在层叠型陶瓷电子部件是热敏电阻元件的情况下,半导体陶瓷,例如尖晶石系陶瓷等被使用。
此外,在层叠型陶瓷电子部件是电感元件的情况下,磁性体陶瓷,例如铁氧体陶瓷等被使用。
[实施例]
在本实施例中,通过以下的方法来制造层叠陶瓷电容器,并调查了内部电极层的短路故障的产生率。在本实施例中,作为基材薄膜10,准备了聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)薄膜。
然后,对应于基材薄膜10的表面的突起部11的高度H以及凹部12的深度D,使在基材薄膜10的表面涂敷、形成的脱模层的厚度变化,来制作了脱模薄膜(载体薄膜)1。
然后,在制作出的脱模薄膜(载体薄膜)的、应被涂敷陶瓷浆料的表面,即脱模层的表面(涂敷面),涂敷以钛酸钡系陶瓷粉体为主原料的陶瓷浆料,并通过干燥来形成陶瓷生片。另外,在脱模薄膜的表面涂敷陶瓷浆料时,按照烧成后的陶瓷层的平均厚度为1.5nm的方式来进行涂敷。所谓“烧成后的陶瓷层的平均厚度为1.5nm”,是指构成陶瓷烧结体(层叠陶瓷电容器主体)的陶瓷层的平均厚度为1.5nm,其中,该陶瓷烧结体是通过对经由层叠、压接被制成的陶瓷生片的工序而形成的层叠体进行烧成来得到的。
接下来,在形成的陶瓷生片上,印刷并干燥用于形成内部电极层的Ni糊膏之后,卷绕脱模薄膜。
然后,通过拉开卷绕的脱模薄膜,将印刷有Ni糊膏的陶瓷生片从脱模薄膜剥离,并层叠、压接400张,从而得到层叠构造体。另外,具体来 将,层叠构造体是在上下两主面侧未印刷Ni糊膏的外层用陶瓷生片被层叠的构造。
之后,通过将该层叠构造体切断为各个芯片(层叠体)并进行烧成,从而得到成为层叠陶瓷电容器主体的陶瓷烧结体。
接下来,通过在陶瓷烧结体涂敷并烧成外部电极形成用的导电糊膏,从而形成外部电极。由此,制作出具有图3所示的构造的层叠陶瓷电容器50。
之后,针对制作出的层叠陶瓷电容器,调查了内部电极层的短路故障的产生率。
短路故障的评价是使用(株)ADVANTEST的Ultra High Resistance Meter R8340A,通过在6.3V、1分钟的条件下测量绝缘电阻来进行的,在绝缘电阻(IR)为logIR<6的情况下判断为故障。另外,在本评价中,将样本数设为300个。
短路故障率通过下述的式(1)来求出。短路故障率(%)=(产生了短路故障的试料数/300)×100
表1中表示基材薄膜的表面的突起部11的高度H以及脱模层的厚度T1与短路故障率的关系。这里,如图1所示,突起部11的高度H是从基材薄膜的突起部11的顶端起至突起部11的根部为止的、沿着与脱模层的表面正交的方向X的方向上的尺寸。
此外,如图1所示,脱模层的厚度T1所示从脱模层20的表面起至基材薄膜10的突起部11的根部为止的、沿着与脱模层20的表面正交的方向X的方向上的尺寸。具体来讲,脱模层的厚度T1是在方向X上连接基材薄膜10的突起部11的根部至脱模层20的表面的线段的长度。
另外,表1中的突起部11的高度H以及脱模层20的厚度T1是通过以日本工业标准(JIS)B0601来规定的方法求出的。
[表1]

在试料编号付上*的试料是不具备本发明的要件的试料
如表1所示,可以确认:试料编号2的试料中,在突起部11的高度H为365nm的情况下,将脱模层的厚度T1设为398nm时,也就是说在脱模层的厚度T1的值比突起部11的高度H的值还大33nm时,短路故障率为小于1.0%的0.9%。
此外,可以确认:在表1的试料编号8的试料中,在突起部11的高度H为126nm的情况下,将脱模层的厚度T1设为222nm时,也就是说在脱模层的厚度T1的值比突起部11的高度H的值还大96mm时,短路故障率为小于1.0%的0.3%。
根据上述结果,可以确认:在将短路故障率小于1%的试料判断为短路故障试验中的合格、将短路故障率为1%以上的试料判断为短路故障试验中的故障的情况下,在将脱模层20的厚度T1设为比突起部11的高度H大96nm以上的情况下,能够充分地抑制短路故障的产生。
此外,表2中表示基材薄膜10的表面的凹部12的深度D以及脱模层的厚度T2与短路故障率的关系。这里,如图2所示,凹部12的深度D是 从基材薄膜10的表面起至凹部12的底面(底部的最低的位置)为止的、沿着与脱模层20的表面正交的方向X的方向上的尺寸。此外,如图2所示,脱模层的厚度T2是从脱模层20的表面起至基材薄膜10的凹部12的底面(底部的最低的位置)为止的、沿着与脱模层20的表面正交的方向X的方向上的尺寸。
另外,表2中的凹部12的深度D以及脱模层20的厚度T2是通过以JIS B0601来规定的方法求出的。其中,对于基材薄膜的突起部11的高度H、凹部12的深度D、脱模层的厚度T1、T2,用于得到平均值的试料数等可以考虑实际使用的基材薄膜、形成在其表面的脱模层的性质和状态、条件来适当地决定。
[表2]

在试料编号付上*的试料是不具备本发明的要件的试料
如表2所示,可以确认:在试料编号12的试料中,在凹部12的深度D为380nm的情况下,在将脱模层的厚度T2设为398nm时,也就是说在脱模层的厚度T2的值比凹部12的深度D的值大18nm时,短路故障率为 小于1.0%的0.9%。
此外,可以确认如表2的试料编号18的试料那样,在凹部12的深度D为155nm的情况下,在将脱模层的厚度T2设为205nm时,也就是说在脱模层的厚度T2的值比凹部12的深度D的值大50mm时,短路故障率为小于1.0%的0.7%。
此外,根据上述结果,可以确认:在将短路故障率小于1%的试料判断为短路故障试验中的合格、将短路故障率为1%以上的试料判断为短路故障试验中的故障的情况下,在将脱模层的厚度T2设为比凹部12的深度D大50nm以上的情况下,能够充分地抑制短路故障的产生。
另外,虽然在上述实施方式中,以层叠陶瓷电容器为例进行了说明,但本发明能够应用于使用陶瓷生片来形成的层叠型的陶瓷压电部件、热敏电阻、电感器等各种层叠陶瓷电子部件。
本发明在其它方面也不限定于上述实施方式、实施例,在发明的范围内,能够添加各种应用、变形。

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本发明提供一种在不使用减少了填充物、异物的特殊的基材薄膜(例如PET薄膜等)的情况下,能够制造不存在厚度薄的部分、贯通孔的高质量的陶瓷生片的脱模薄膜(载体薄膜)以及使用了其的可靠性高的层叠陶瓷电子部件的制造方法。脱模薄膜具备:在表面具有多个突起部的基材薄膜、和覆盖其表面的脱模层,使从脱模层的表面起至基材薄膜的突起部的根部为止的尺寸即脱模层的厚度T1比从基材薄膜的突起部的顶端起至突起部的根部为止的沿。

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