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1、(10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 201310382846.1(22)申请日 2013.08.28H01L 21/762(2006.01)(71)申请人中芯国际集成电路制造（上海）有限公司地址 201203 上海市浦东新区张江路18号(72)发明人何永根(74)专利代理机构北京集佳知识产权代理有限公司 11227代理人骆苏华(54) 发明名称浅沟槽隔离结构的形成方法(57) 摘要一种浅沟槽隔离结构的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底内形成有沟槽；在所述半导体衬底表面形成具有流动性的前驱材料层，所述前驱材料层填充满所述沟槽；对所述前驱材料层进行微波处理或行H2O。
2、等离子体处理，使所述前驱材料层转变成介质层。所述浅沟槽隔离结构的形成方法可以提高将前驱材料层转变成介质层的效率，提高介质层的隔离效果。(51)Int.Cl.(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请权利要求书2页 说明书7页 附图3页(10)申请公布号 CN 104425343 A(43)申请公布日 2015.03.18CN 104425343 A1/2页21.一种浅沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底内形成有沟槽；在所述半导体衬底表面形成具有流动性的前驱材料层，所述前驱材料层填充满所述沟槽；对所述前驱材料层进行微波处理，使所述前驱材料层转变成。
3、介质层。2.根据权利要求1所述的浅沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，所述前驱材料层的材料中含有Si-H键、Si-N键或Si-N-H键，所述介质层的材料为SiO2。3.根据权利要求1所述的浅沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，所述微波处理在H2O蒸汽、O3气体、H2O液体或O3的水溶液氛围下进行。4.根据权利要求3所述的浅沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，所述微波处理的微波功率为50W1000W，微波处理的温度为50500，微波处理的时间为60s2h。5.根据权利要求1所述的浅沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，形成所述前驱材料层的方法为流动性化学气相沉积工艺。6.根据权利要求5所述的浅沟槽。
4、隔离结构的形成方法，其特征在于，所述流动性化学气相沉积工艺采用的反应前驱物至少包括硅烷、二硅烷、甲基硅烷、二甲基硅烷、三甲基硅烷、四甲基硅烷、正硅酸乙酯、三乙氧基硅烷、八甲基环四硅氧烷、四甲基二硅氧烷、四甲基环四硅氧烷、三甲硅烷基胺、二甲硅烷基胺中的一种。7.根据权利要求5所述的浅沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，所述流动性化学气相沉积工艺在H2和N2混合气体、N2、NH3、NH4OH、N2H4、NO、N2O、NO2、O3、O2、H2O2中的一种或几种气体氛围下进行。8.根据权利要求5所述的浅沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，还包括：对前驱材料层进行微波处理，使所述前驱材料层转变成介质层之。
5、后，对所述介质层进行退火处理。9.根据权利要求8所述的浅沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，所述退火处理包括氮气或惰性气体氛围下的第一退火处理，所述第一退火处理的温度为7001000。10.根据权利要求9所述的浅沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，所述退火处理还包括第一退火处理之前的H2O蒸汽氛围下的第二退火处理，所述第二退火处理的温度为300500。11.一种浅沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底内形成有沟槽；在所述半导体衬底表面形成具有流动性的含硅前驱介质层，所述前驱材料层填充满所述沟槽；对所述前驱材料层进行H2O等离子体处理，使所述前驱材料层转变成介质。
6、层。12.根据权利要求11所述的浅沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，所述前驱材料层的材料中含有Si-H键、Si-N键或Si-N-H键，所述介质层的材料为SiO2。13.根据权利要求11所述的浅沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，所述H2O等离子体处理的温度为25500，所述H2O的流量为50sccm20slm，射频功率100W1000W。14.根据权利要求11所述的浅沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，形成所述前驱材料层的方法为流动性化学气相沉积工艺。15.根据权利要求14所述的浅沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，所述流动性化权 利 要 求 书CN 104425343 A2/2页3学气相沉。
7、积工艺采用的反应前驱物至少包括硅烷、二硅烷、甲基硅烷、二甲基硅烷、三甲基硅烷、四甲基硅烷、正硅酸乙酯、三乙氧基硅烷、八甲基环四硅氧烷、四甲基二硅氧烷、四甲基环四硅氧烷、三甲硅烷基胺、二甲硅烷基胺中的一种。16.根据权利要求14所述的浅沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，所述流动性化学气相沉积工艺在H2和N2混合气体、N2、NH3、NH4OH、N2H4、NO、N2O、NO2、O3、O2、H2O2中的一种或几种气体氛围下进行。17.根据权利要求11所述的浅沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，还包括：所述对前驱材料层进行H2O等离子体处理，使所述前驱材料层转变成介质层之后，对所述介质层进行退火处理。。
8、18.根据权利要求17所述的浅沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，所述退火处理包括氮气或惰性气体氛围下的第三退火处理，所述第三退火处理的温度为7001000。19.根据权利要求18所述的浅沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，所述退火处理还包括第一退火处理之前的H2O蒸汽氛围下的第四退火处理，所述第四退火处理的温度为300500。权 利 要 求 书CN 104425343 A1/7页4浅沟槽隔离结构的形成方法技术领域0001 本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种浅沟槽隔离结构的形成方法。背景技术0002 亚微米和更小特征尺寸是下一代超大规模集成电路和半导体器件的超大规模集成的关键技术之一。不断。
9、缩小尺寸对半导体的形成工艺提出了更高的要求，形成高质量的栅极图案和浅沟槽隔离（STI）区域是集成电路发展的关键。为了实现更高的电路密度，不仅半导体器件的特征尺寸被减小，器件之间的隔离结构的尺寸也会对应的缩小。0003 目前的隔离技术中包括浅沟槽隔离（STI）工艺。STI过程包括：首先在衬底中蚀刻形成具有一定宽度和深度的沟槽，然后在该沟槽内填充一层介质材料，然后平坦化所述介质材料，例如采用化学机械抛光（CMP）工艺。随着沟槽宽度的进一步减小，沟槽深宽比不断增大，在高深宽比的沟槽内填充介质材料时很容易在其中形成空洞，降低浅沟槽隔离结构的隔离效果。0004 流动性化学气相沉积工艺（FCVD）采用流动。
10、性化学气相沉积工艺在沟槽内填充具有流动性的前驱材料，然后将所述前驱材料固化处理形成介质材料。采用流动性化学气相沉积工艺可以避免在高深宽比的沟槽内填充介质材料时出现空洞，提高STI的隔离效果。0005 但是现有技术采用流动性化学气相沉积工艺（FCVD）形成浅沟槽隔离结构的工艺步骤中对所述前驱材料进行固化的效率较低，所述浅沟槽隔离结构中介质层的隔离性能还有待进一步的提高。发明内容0006 本发明解决的问题是提高一种浅沟槽隔离结构的形成方法，进一步提高浅沟槽隔离结构的隔离效果。0007 为解决上述问题，本发明提供一种浅沟槽隔离结构的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底内形成有沟槽；在所述半。
11、导体衬底表面形成具有流动性的前驱材料层，所述前驱材料层填充满所述沟槽；对所述前驱材料层进行微波处理，使所述前驱材料层转变成介质层。0008 可选的，所述前驱材料层的材料中含有Si-H键、Si-N键或Si-N-H键，所述介质层的材料为SiO2。0009 可选的，所述微波处理在H2O蒸汽、O3、H2O液体或O3的水溶液氛围下进行。0010 可选的，所述微波处理的时间为所述微波处理的微波功率为50W1000W，微波处理的温度为50500，微波处理的时间为60s2h。0011 可选的，形成所述前驱材料层的方法为流动性化学气相沉积工艺。0012 可选的，所述流动性化学气相沉积工艺采用的反应前驱物至少包括。
12、硅烷、二硅烷、甲基硅烷、二甲基硅烷、三甲基硅烷、四甲基硅烷、正硅酸乙酯、三乙氧基硅烷、八甲基环四硅氧烷、四甲基二硅氧烷、四甲基环四硅氧烷、三甲硅烷基胺、二甲硅烷基胺中的一种。说 明 书CN 104425343 A2/7页50013 可选的，所述流动性化学气相沉积工艺在H2和N2混合气体、N2、NH3、NH4OH、N2H4、NO、N2O、NO2、O3、O2、H2O2中的一种或几种气体氛围下进行。0014 可选的，还包括：所述对前驱材料层进行微波处理，使所述前驱材料层转变成介质层之后，对所述介质层进行退火处理。0015 可选的，所述退火处理包括氮气或惰性气体氛围下的第一退火处理，所述第一退火处理的。
13、温度为7001000。0016 可选的，所述退火处理还包括第一退火处理之前的H2O蒸汽氛围下的第二退火处理，所述第二退火处理的温度为300500。0017 本发明的技术方案还提供一种浅沟槽隔离结构的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底内形成有沟槽；在所述半导体衬底表面形成具有流动性的含硅前驱介质层，所述前驱材料层填充满所述沟槽；对所述前驱材料层进行H2O等离子体处理，使所述前驱材料层转变成介质层。0018 可选的，所述前驱材料层的材料中含有Si-H键、Si-N键或Si-N-H键，所述介质层的材料为SiO2。0019 可选的，所述H2O等离子体处理的温度为25500，所述H2O的流量为。
14、50sccm20slm，射频功率100W1000W。0020 可选的，形成所述前驱材料层的方法为流动性化学气相沉积工艺。0021 可选的，所述流动性化学气相沉积工艺采用的反应前驱物至少包括硅烷、二硅烷、甲基硅烷、二甲基硅烷、三甲基硅烷、四甲基硅烷、正硅酸乙酯、三乙氧基硅烷、八甲基环四硅氧烷、四甲基二硅氧烷、四甲基环四硅氧烷、三甲硅烷基胺、二甲硅烷基胺中的一种。0022 可选的，所述流动性化学气相沉积工艺在H2和N2混合气体、N2、NH3、NH4OH、N2H4、NO、N2O、NO2、O3、O2、H2O中的一种或几种气体氛围下进行。0023 可选的，还包括：所述对前驱材料层进行H2O等离子体处理，。
15、使所述前驱材料层转变成介质层之后，对所述介质层进行退火处理。0024 可选的，所述退火处理包括氮气或惰性气体氛围下的第三退火处理，所述第三退火处理的温度为7001000。0025 可选的，所述退火处理还包括第一退火处理之前的H2O蒸汽氛围下的第四退火处理，所述第四退火处理的温度为300500。0026 与现有技术相比，本发明的技术方案具有以下优点：0027 本发明的技术方案中，采用流动性化学气相沉积（FCVD）在沟槽内填充形成具有流动性的前驱材料层，然后采用微波处理处理，使所述前驱材料层转化为介质层。由于微波处理使前驱材料以及固化气体的反应活性增强，从而可以提高所述前驱材料层转变为介质层的固化。
16、效率，从而减少形成的所述介质层内的杂质含量，提高所述介质层的隔离性能。0028 本发明的技术方案中，采用流动性化学气相沉积（FCVD）在沟槽内填充形成具有流动性的前驱材料层后，还可以对所述前驱材料层进行H2O等离子体处理。将H2O蒸气等离子化，更进一步增强了O与Si结合的反应活性，从而进一步提高了所述前驱材料层被固化转化成为介质层的效率，从而可以避免形成的介质层中还有残留大量的Si-H、Si-N或Si-N-H而影响最终形成的浅沟槽隔离结构的隔离性能。0029 进一步的，在对所述前驱材料层进行处理使其转变为介质层之后，对所述介质层说 明 书CN 104425343 A3/7页6进行退火处理，进一。
17、步去除所述介质层内的杂质，并且减少所述介质层内的缺陷，从而进一步提高所述介质层的隔离性能。附图说明0030 图1至图7是本发明的实施例的浅沟槽隔离结构的形成过程的结构示意图。具体实施方式0031 如背景技术中所述，现有技术对流动性前驱材料进行固化处理的效率较低，所述浅沟槽隔离结构中最终形成的介质层的性能还有待进一步的提高。0032 研究发现，现有技术中，一般采用氧氛围下退火等处理对所述前驱材层进行固化处理，但是在退火过程中，氧与前驱材料反应形成介质层的反应速率较慢，通常需要进行多次以及多个温度氛围下的退火，才能使氧与前驱材料充分反应形成介质层，过程较为复杂，需要特别的处理腔室以及足够的处理时间。
18、，才能完成。并且，由于所述固化处理的效率较低，很容易就因为固化补充分而导致固化后形成的介质层的绝缘性能较差，而影响STI的隔离效果。0033 本发明的实施例中，采用微波处理或者H2O等离子体处理的方式对所述前驱材料进行处理，提高了固化效率，从而提高形成的STI的隔离效果。0034 为使本发明的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施例做详细的说明。0035 请参考图1，提供半导体衬底100。0036 具体的，所述半导体衬底100的材料包括硅、锗、锗化硅、砷化镓等半导体材料，所述半导体衬底100可以是体材料也可以是复合结构如绝缘体上硅等。本领域的技术人员可以根据半导体。
19、衬底100上形成的半导体器件选择所述半导体衬底100的类型，因此所述半导体衬底的类型不应限制本发明的保护范围。本实施例中采用体硅作为半导体衬底。0037 请参考图2，在所述半导体衬底100表面形成掩膜层110，所述掩膜层110内具有开口112，所述开口112暴露出部分半导体衬底100的表面。0038 本实施例中，所述掩膜层110包括位于所述半导体衬底100表面的氧化硅层101和位于所述氧化硅层101表面的氮化硅层102。在本发明的其他实施例中所述掩膜层110还可以采用其他合适的掩膜材料。0039 所述氧化硅层101的材料为氧化硅，所述氧化硅层101作为后续形成氮化硅层102的缓冲层，具体地说，。
20、如果所述氮化硅层102直接形成在所述半导体衬底100上，由于氮化硅层102的应力较大，会在半导体衬底100表面形成位错，而氧化硅层101形成在半导体衬底100和氮化硅层102之间，避免了直接在半导体衬底100上形成氮化硅层102会产生位错的缺点，并且氧化硅层101还可以作为后续刻蚀氮化硅层102步骤中的刻蚀停止层。所述氧化硅层101可以采用湿法氧化或干法氧化工艺形成。所述氧化硅层101的厚度为。0040 所述氮化硅层102作为后续化学机械研磨工艺的停止层，所述氮化硅层102的形成工艺可以为化学气相沉积工艺。所述氮化硅层102的厚度为100。0041 所述掩膜层110内具有开口112，所述开口1。
21、12的形成方法包括：在所述氮化硅层说 明 书CN 104425343 A4/7页7102表面形成与开口112对应的光刻胶图形（未示出）；以所述光刻胶图形为掩膜，采用干法刻蚀工艺依次刻蚀氮化硅层102和衬垫氧化层101，直至形成开口201；形成所述开口201后采用灰化工艺或者化学试剂去除工艺去除光刻胶图形。在本实施例中，所述干法刻蚀工艺为等离子体刻蚀工艺。所述开口112的宽度为5nm10um，所述开口112的位置定义了后续形成的浅沟槽隔离结构的位置。0042 请参考图3，沿所述开口112刻蚀半导体衬底100，形成沟槽201。0043 沿所述开口112，采用干法刻蚀工艺，以所述图形化的掩膜层110。
22、为掩膜，刻蚀所述半导体衬底100。0044 本实施例中，采用等离子体刻蚀工艺刻蚀所述半导体衬底100。后续在所述沟槽201内填充隔离材料，形成浅沟槽隔离结构。0045 本实施例中，形成的所述沟槽201的侧壁垂直于半导体衬底100的表面，在本发明的其他实施例中，所述沟槽201的侧壁还可以是倾斜或者型的侧壁。0046 请参考图4，在所述沟槽201内壁表面形成衬垫层202。0047 所述衬垫层202的材料为氧化硅、氮化硅或氮氧化硅，所述衬垫层202的厚度为。0048 所述衬垫层202的材料可以是氧化硅，采用热氧化工艺形成所述衬垫层202，所述热氧化工艺可以是湿法氧化也可以是干法氧化工艺。本实施例中，。
23、所述衬垫层202的材料为氧化硅，采用干法氧化工艺形成所述衬垫层202。具体的，所述干法氧化的氧化气体为O2，流量为10sccm5000sccm，反应温度为9001200。本实施例中采用干法氧化工艺，氧化硅的生长速率较慢，可以较好的控制所述衬垫氧化层202的厚度，并且采用干法氧化工艺，形成的衬垫氧化层202的致密度较高。0049 在本发明的其他实施例中，也可以采用水蒸汽或者水蒸汽与氧气的混合气体作为氧化气体，采用热氧化工艺，形成所述衬垫氧化层。0050 如果直接在所述沟槽201内填充介质材料形成浅沟槽隔离结构，所述隔离材料与沟槽301的侧壁粘附性较差，容易出现空洞，所述衬垫氧化层202与隔离材料。
24、的粘附性较高，可以避免产生空洞。并且，所述衬垫氧化层202还可以避免隔离材料与沟槽201侧壁的材料晶格不匹配而造成较大应力，同时可以修复在刻蚀形成沟槽201的过程中，对沟槽201内壁表面造成的损伤，提高后续形成的浅沟槽隔离结构的隔离效果。0051 所述衬垫层202的材料还可以是氮化硅或氮氧化硅，所述氮化硅或氮氧化硅可以采用化学气相沉积或等离子体气相沉积工艺形成。0052 所述衬垫层202还可以保护所述沟槽201的内壁，防止后续对沟槽内填充的前驱材料层进行处理的过程中，对半导体衬底造成过氧化等问题。0053 请参考图5，在所述半导体衬底100上形成具有流动性的前驱材料层300，所述前驱材料层30。
25、0填充满所述沟槽201（请参考图4）。0054 具体的，本实施例采用流动性化学沉积工艺，形成所述前驱材料层300。所述流动性化学气相沉积工艺采用的反应前驱物至少包括硅烷、二硅烷、甲基硅烷、二甲基硅烷、三甲基硅烷、四甲基硅烷、正硅酸乙酯、三乙氧基硅烷、八甲基环四硅氧烷、四甲基二硅氧烷、四甲基环四硅氧烷中、三甲硅烷基胺（TSA）、二甲硅烷基胺(DSA)的一种。还可以使用其他硅烷胺及其衍生物等反应前驱物。本实施例中采用的反应前驱物为三甲硅烷基胺（TSA）。说 明 书CN 104425343 A5/7页80055 所述流动性化学气相沉积工艺在H2和N2混合气体、N2、NH3、NH4OH、N2H4、NO。
26、、N2O、NO2、O3、O2、H2O2中的一种或几种气体氛围下进行。所述气体氛围还可以包括含氢的化合物、含氧的化合物、或者含氢的化合物和含氧的化合物的组合，例如H2、H2和N2混合气体、O3、O2、H2O2、H2O中的一种或多种气体。所述工艺前驱物可以被等离子体化。本实施例中采用的工艺前驱物为NH3。0056 本实施例中，所述半导体衬底100的温度在进行流动性化学气相沉积（FCVD）过程中被保持在预定的温度范围内。本实施例中，保持半导体衬底温度低于200，以使得所述采用的前驱材料能流动的填充入沟槽内。较低的半导体衬底温度可以维持前驱材料在半导体衬底上及沟槽内的流动性和粘度。由于所述形成的前驱材。
27、料层具有可流动性和一定粘度，所述材料的化学键可以通过后续的微波处理或等离子体处理转化成不同的化学键或功能团。在本实施例中，所述半导体衬底温度小于100，可以是30或80。0057 所述反应前驱物以1sccm5000sccm的流速进入反应腔内，而气体以1sccm1000sccm的流速进入反应腔内，反应压力为0.1T10T。同时还可以在所述反应腔内通入Ar、He、Xe等惰性气体，惰性气体流速为1sccm50000sccm。0058 在本发明的实施例中，所述反应前驱物中含有Si、N和H，所以形成的前驱材料层300中含有Si-H、Si-N或Si-N-H等化学键，这些化学键在后续的处理过程中，会被Si-。
28、O-Si所取代，形成氧化硅。0059 所述前驱材料层300填充满所述沟槽201（请参考图4）并且覆盖所述掩膜层110。0060 请参考图6，对所述前驱材料层300（请参考图5）进行处理，使所述前驱材料层300（请参考图5）转变成介质层301。0061 本实施例中，对所述前驱材料层300（请参考图5）进行微波处理，使所述前驱材料层300（请参考图5）转变成介质层301。0062 具体的，所述微波处理在氧氛围中进行，本实施例中，所述微波处理在H2O蒸汽、O3气体、O3的水溶液或H2O液体氛围下进行。所述微波处理的微波功率为50W1000W，微波处理的温度为50500，微波处理的时间为60s2h。0。
29、063 将形成有所述前驱材料层300的半导体衬底至于微波处理腔室内，再向所述微波腔室内通入H2O蒸汽或O3中的一种或两种气体，使所述气体充满腔室，然后在所述气体氛围内对前驱材料层300进行微波处理，并且使得所述微波腔室内的温度保持在50500。微波处理可以使得所述前驱材料层300的材料以及上述微波气氛中的H2O蒸汽、O3气体、H2O液体或O3水溶液中化学键能量提高，活性增强，使得所述前驱材料层300中的Si-H键、Si-N键、Si-N-H键更容易断裂，同时微波气氛中的H-O键、O-O键也更容易断裂，氧原子的能量更高，从而可以促使与周围的氧原子结合形成Si-O键，是所述前驱材料层300固化形成介。
30、质层301，所述介质层301的材料为氧化硅。0064 与现有技术通过氧氛围退火相比，本实施例中，通过微波处理，可以使所述氧原子的能量更高，活性更强，并且所述前驱材料层中的前驱材料的能量也更高，其中的Si-H键、Si-N键、Si-N-H键更容易断裂使得Si更容易与O结合形成Si-O，从而可以提高固化效率，从而使所述前驱材料更容易转变为氧化硅，并且所述转变更彻底，避免形成的介质层301中还有残留大量的Si-H、Si-N或Si-N-H而影响最终形成的浅沟槽隔离结构的隔离性能。0065 在本发明的另一实施例中，所述处理还可以是H2O等离子体处理。说 明 书CN 104425343 A6/7页90066。
31、 具体的，所述H2O等离子体处理的温度为25500，所述H2O的流量为50sccm20slm，射频功率100W1000W。H2O被等离子体化后，反应活性增强，所述氧更易与前驱材料层中的Si结合，形成Si-O键。0067 并且，发明人发现在H2O的环境中，O更易与Si结合形成Si-O键，原因可能是由于H原子容易与前驱材料层表面形成氢键吸附，从而使得前驱材料层表面附近的氧原子浓度提高，进而提高氧与硅结合的概率，提高形成Si-O键的效率，并且本实施例中，将所述H2O等离子化，更进一步增强了O与Si结合的反应活性，从而进一步提高了所述前驱材料层300被固化转化成为介质层的效率，从而可以避免形成的介质层。
32、301中还有残留大量的Si-H、Si-N或Si-N-H而影响最终形成的浅沟槽隔离结构的隔离性能。0068 在对所述前驱材料层300（请参考图5）进行处理，形成所述介质层301之后，还可以对所述介质层301进行退火处理，从而进一步退火处理。0069 本实施例中，所述退火处理包括第一退火处理和第二退火处理，并且先进行所述第二退火，然后再进行第一退火处理。0070 所述第二退火处理在H2O蒸汽氛围下进行，所述第二退火处理的温度为300500。在H2O蒸汽氛围下对介质层进行进一步的第二退火处理，可以进一步降低所述介质层中残留的Si-N、Si-H或Si-N-H键，使得介质层301的材料内部结构更紧密，密。
33、度更加均匀。0071 本实施例中，在进行所述第二退火处理之后，进一步对所述介质层301进行第一退火处理，对所述介质层301进行的所述第一退火处理在氮气或惰性气体等不含氧的氛围下进行，所述第一退火处理的温度为7001000。所述第一退火处理的温度较高，可以去除介质层301的材料中的部分残留的N、H等杂质，修复所述介质层301内缺陷，提高所述介质层301的隔离效果。所述第一退火工艺可以修复介质层内的结构缺陷，提高Si-O-Si键的强度，同时去除剩余的化学键强度较弱的Si-H、Si-N、Si-N-H等化学键，减少介质层内的杂质，进一步提高所述介质层301的均匀性。0072 在本发明的其他实施例中，也。
34、可以只进行第一退火处理。0073 请参考图7，以所述氧化硅层101为停止层，采用化学机械研磨工艺，对所述介质层301进行平坦化处理。0074 采用化学机械研磨工艺，去除所述高于所述氧化层101表面的部分介质层301（请参考图6）以及位于所述氧化硅层101表面的氮化硅层102（请参考图6）。0075 采用本实施例中，采用流动性化学气相沉积（FCVD）在沟槽内填充形成具有流动性的前驱材料层，然后采用微波处理或者H2O等离子体处理，使所述前驱材料层转化为介质层。由于微波处理使前驱材料以及固化气体的反应活性增强，从而可以提高所述前驱材料层转变为介质层的固化效率，从而减少形成的所述介质层内的杂质含量，提高所述介质层的隔离性能。0076 并且本实施例中，在对所述前驱材料层进行处理使其转变为介质层之后，对所述介质层进行退火处理，进一步去除所述介质层内的杂质，并且减少所述介质层内的缺陷，从而进一步提高所述介质层的隔离性能。0077 虽然本发明披露如上，但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本发明的保护范围应当以权利要求所说 明 书CN 104425343 A7/7页10限定的范围为准。说 明 书CN 104425343 A10。