高频线圈及磁共振成像装置.pdf

提供在隧道型MRI装置的高频线圈中能调整谐振频率而不会牺牲掉检查空间的技术。提供一种隧道型MRI装置的高频线圈，具备：筒状的高频屏蔽体；配置在中心轴与高频屏蔽体的中心轴相同的筒状的虚拟面上的线圈图案；和频率调整部件，由高频屏蔽体与线圈图案形成决定高频线圈的谐振频率的谐振环。频率调整部件在高频屏蔽体与线圈图案之间被配置成能够调整这两者间的耦合电容，由此能够调整谐振环的谐振频率。

1.  一种高频线圈，其特征在于，具备：
筒状的高频屏蔽体；
线圈图案；和
频率调整部件，
所述线圈图案具备多个线圈导体，在中心轴与所述高频屏蔽体的中心轴相同的筒状的虚拟面上，隔着间隔与所述中心轴平行地配置多个所述线圈导体，
所述虚拟面配置在所述高频屏蔽体的内侧，
所述频率调整部件由导体及电介质中的至少一方构成，且在所述高频屏蔽体与所述线圈图案之间的空间内被配置成能调整该高频屏蔽体与该线圈图案之间的耦合电容。

2.  根据权利要求1所述的高频线圈，其特征在于，
所述线圈导体是板状导体，
所述板状导体被配置成该板状导体的主平面与所述虚拟面相接。

3.  根据权利要求1所述的高频线圈，其特征在于，
所述频率调整部件被配置成能改变与所述高频屏蔽体及所述线圈图案中的至少一方的相对位置。

4.  根据权利要求3所述的高频线圈，其特征在于，
所述频率调整部件被配置成能变更与所述线圈导体重合的面积。

5.  根据权利要求3所述的高频线圈，其特征在于，
所述频率调整部件被配置成能变更与所述高频屏蔽体及所述线圈图案中的至少一方之间的距离。

6.  根据权利要求1所述的高频线圈，其特征在于，
所述频率调整部件包含电介质，且构成为能改变基于该电介质的所述高频屏蔽体及所述线圈图案间的介电常数。

7.  根据权利要求1所述的高频线圈，其特征在于，
所述频率调整部件被配置成与所述高频屏蔽体及所述线圈图案中的一方以低电阻连接而与另一方电容耦合。

8.  根据权利要求1所述的高频线圈，其特征在于，
所述频率调整部件被配置成与所述高频屏蔽体及所述线圈图案电容耦合。

9.  根据权利要求3所述的高频线圈，其特征在于，
所述高频屏蔽体与所述线圈图案经由至少2个电容而被连接，
分别从所述线圈导体的所述中心轴方向的端部起，隔着给定距离，在内侧配置所述电容，
所述频率调整部件自所述电容的配置位置起，在所述中心轴方向的外侧使所述相对位置发生变化。

10.  根据权利要求1所述的高频线圈，其特征在于，
所述线圈图案被分离成作为该高频线圈不会相互耦合的多个通道的线圈而发挥功能。

11.  根据权利要求1所述的高频线圈，其特征在于，
所述高频屏蔽体为圆筒状，
所述虚拟面是圆筒面及椭圆筒面中的任一个。

12.  根据权利要求1所述的高频线圈，其特征在于，
所述高频屏蔽体为椭圆筒状，
所述虚拟面为椭圆筒面。

13.  一种磁共振成像装置，其特征在于，具备：
静磁场形成部，在配置被检测体的空间内形成静磁场；
倾斜磁场施加部，向所述空间施加倾斜磁场；
高频磁场发送部，经由发送线圈将高频磁场发送至所述被检测体；
信号接收部，经由接收线圈，接收从所述被检测体产生的核磁共振信号；和
控制部，对所述倾斜磁场施加部、高频磁场发送部及所述信号接收部的动作进行控制，
所述发送线圈是权利要求1～12中任一项所述的高频线圈。

14.  一种磁共振成像装置，其特征在于，具备：
静磁场形成部，在配置被检测体的空间内形成静磁场；
倾斜磁场施加部，向所述空间施加倾斜磁场；
高频磁场发送部，经由收发线圈将高频磁场发送至所述被检测体；
信号接收部，经由所述收发线圈，接收从所述被检测体产生的核磁共振信号；和
控制部，对所述倾斜磁场施加部、高频磁场发送部及所述信号接收部的动作进行控制，
所述收发线圈是权利要求1～12中任一项所述的高频线圈。

高频线圈及磁共振成像装置
技术领域
本发明涉及磁共振成像(MRI：MagneticResonanceImaging)技术，尤其涉及高频线圈的谐振频率调整技术。
背景技术
MRI装置是使横穿检查对象的任意截面内的核自旋引起磁共振并根据产生的核磁共振信号来得到该截面内的断层像的医用图像诊断装置。若向放置在静磁场中的被检测体施加倾斜磁场，同时经由高频线圈照射高频磁场，则被检测体内的核自旋、例如氢原子的核自旋被激励，被激励的核自旋恢复为平衡状态时作为核磁共振信号而产生圆极化波磁场。在MRI装置中，利用高频线圈来检测该核磁共振信号，实施信号处理，将生物体内的氢原子核分布变成图像。
MRI装置根据生成静磁场的磁铁的形状而被称为汉堡包型、隧道型等。其中，因为近年来高磁场化得到发展而能够提供品质高的图像，所以隧道型的MRI装置得到普及。在该隧道型MRI装置中，作为高频线圈，例如使用鸟笼型线圈(例如参照专利文献1)、线圈图案为管状的TEM线圈(例如参照非专利文献1)、或部分筒状型线圈(例如参照专利文献2)等。
隧道型MRI装置中，配置被检测体的检查空间是根据配置在磁铁内侧的高频线圈的内径来决定的。为了提高检查时的舒适性或者为了准备治疗设备的设置空间，期望检查空间尽量宽。然而，在鸟笼型线圈中，谐振频率依赖于线圈的内径，因此伴随着高磁场化所设定的谐振频率升高，从而调整为在将内径保持得较大的状态下直接在高频下谐振变得越来越难。这一点，由于TEM线圈或部分筒状型线圈是在高频屏蔽体与线圈图案之间产生电容耦合来进行谐振，所以谐振频率不依赖于线圈的内径。因此，没有如鸟笼型线圈那样的制约。
可是，在MRI装置的高频线圈中，在放置时或维修时必须根据装置固有的磁场强度来调整谐振频率。在线圈图案为管状的TEM线圈中，例如将电介质与棒状导体插入管状的线圈图案的内部来形成同轴线路，使棒状导体移动来改变同轴线路中产生的电容，由此进行谐振频率的调整(例如参照非专利文献1)。再有，作为其他电容变化的方法，容易考虑利用微调电容器的方法。
在先技术文献
专利文献
专利文献1：美国专利4916418号说明书
专利文献2：国际公开第2012/023385号说明书
非专利文献
非专利文献1：J.T.Vaughan等著、“臨床用磁気共鳴イメ一ジソグおよび磁気共鳴スペクトロスコピ一向は高周波ボリユ一ムコイル(Highfrequencyvolumecoilsforclinicalnuclearmagneticresonanceimagingandspectroscopy)”、マグネティシクレゾナソスイソメディシソ(MagneticResonanceinMedicine)、1994、Vol.32、p.206-218
发明内容
发明要解决的技术问题
在MRI装置中，为了得到足够的照射强度，有时对高频线圈施加数kV的高电压。此时，必须避免在高频线圈上产生放电。为了保证相对于所照射的电磁波电力的耐压，在产生电容耦合的导体之间需要确保产生放电的最大距离(以下称为最大放电距离)以上的距离。在线圈图案为管状的TEM线圈的情况下，在其结构上需要比最大放电距离的三倍还大的厚度。
再有，由于微调电容器利用螺丝，故存在后冲(backlash)，相对于旋转方向，产生电容变化的滞后现象。为此，电容的调整很困难。进而，高耐压且可变电容大的微调电容器价格高且尺寸也大。因此，在保持绝缘的同时可确保的检查空间有限。为了避免该现象，若将微调电容器配置于MRI装置的隧道外部，则电路构成变得复杂，给实现均匀的照射强度分 布的高频线圈的设计带来障碍。
这样，若对高频线圈附加调整其谐振频率的功能，则相应地会牺牲掉检查空间。
本发明是鉴于上述事情而进行的，其目的在于，提供一种在隧道型MRI装置的高频线圈中在不会牺牲掉检查空间的情况下能够调整谐振频率技术。
用于解决技术问题的手段
本发明提供一种隧道型MRI装置的高频线圈，具备：筒状的高频屏蔽体；被配置在中心轴与高频屏蔽体的中心轴相同的筒状的虚拟面上的线圈图案；和频率调整部件，由高频屏蔽体与线圈图案形成决定高频线圈的谐振频率的谐振环。频率调整部件配置在高频屏蔽体与线圈图案之间的空间内从而可调整两者间的耦合电容，由此能够调整谐振环的谐振频率。
再有，提供一种高频线圈的谐振频率调整方法，利用频率调整部件来调整所述高频线圈的谐振频率，频率调整部件配置在高频线圈所具备的高频屏蔽体与线圈图案之间的空间内，能够调整该高频屏蔽体与该线圈图案之间的耦合电容。
发明效果
根据本发明，在隧道型MRI装置中，在隧道型MRI装置的高频线圈中无需牺牲检查空间就能够调整其谐振频率。
附图说明
图1是第一实施方式的MRI装置的外观图。
图2是表示第一实施方式的MRI装置的示意结构的框图。
图3是用于说明第一实施方式的高频线圈、高频信号分配/合成器、收发切换器、发送器、接收器的连接关系的说明图。
图4(a)及(b)是说明同轴型TEM线圈中的频率调整部件的构成的说明图。
图5是用于说明第一实施方式的高频线圈的构成的说明图，(a)是从中心轴方向观察高频线圈的图，(b)是高频线圈的立体图，(c)是高频线圈的一部分的立体图。
图6(a)是用于说明第一实施方式的高频线圈的1个谐振环中的频率调整部件的配置与动作的说明图，(b)是用于说明第一实施方式的频率调整部件的形状的说明图，(c)是用于说明第一实施方式的频率调整部件的配置的说明图。
图7(a)～(d)是用于说明第一实施方式的频率调整部件与线圈图案(线圈导体)的位置关系的说明图。
图8是用于说明第一实施方式的与频率调整部件的移动相应的谐振环的谐振频率变化的说明图。
图9是用于说明第一实施方式的频率调整部件的移动方向的其他例的说明图。
图10是用于说明第一实施方式的频率调整部件的变形例的说明图。
图11(a)～(d)是用于说明第一实施方式的频率调整部件的变形例的说明图。
图12是用于说明第一实施方式的频率调整部件的变形例的说明图。
图13是用于说明第一实施方式的高频线圈的变形例的说明图。
图14是用于说明第一实施方式的高频线圈的变形例的频率调整部件的形状的说明图。
图15是用于说明第一实施方式的高频线圈的变形例的频率调整部件的移动情况的说明图。
图16是表示第二实施方式的MRI装置的示意结构的框图。
图17是用于说明第二实施方式的高频线圈、收发切换器、发送器、接收器的连接关系的说明图。
图18是用于说明第二实施方式的高频线圈的构成的说明图。
图19是用于说明第二实施方式的高频线圈的部分筒状线圈的构成的说明图，(a)是从中心轴方向观察到的图，(b)是立体图。
图20是表示第一及第二实施方式的MRI装置的变形例的示意结构的框图。
具体实施方式
《第一实施方式》
以下，对本发明的第一实施方式进行说明。在用于说明本发明的实施方式的所有图中，只要没有特别说明，就对具有同一功能的部件赋予同一符号并省略其反复的说明。
<装置构成>
首先，对本实施方式的MRI装置的整体构成进行说明。图1是本实施方式的MRI装置的外观图，图中，坐标系900的z轴的方向为静磁场方向。本实施方式的MRI装置100具备：在配置被检测体101的空间(以下称为检查空间)内形成静磁场的静磁场形成部110和平台120。静磁场形成部110利用水平磁场方式的例如超导磁铁等。被检测体101在躺在平台120的状态下被插入到静磁场形成部110形成的隧道内的检查空间中，从而进行拍摄。另外，以下在本说明书中，将静磁场方向作为z方向，将在平台120的面上与z方向正交的方向设为x方向，将与平台面正交的方向设为y方向。
图2是表示本实施方式的MRI装置100的示意结构的框图。用相同的符号表示与图1相同的要素。在图2中，920表征静磁场(B₀)的朝向。
本实施方式的MRI装置100除了上述的静磁场形成部110及平台120之外，在检查空间内还具备：施加倾斜磁场的倾斜磁场施加部；经由收发线圈向被检测体101发送高频磁场并且经由收发线圈接收被检测体101产生的核磁共振信号的收发部；和控制倾斜磁场施加部、高频磁场发送部及信号接收部的动作的控制部。再有，也可以具备调整静磁场均匀性的匀场部。
倾斜磁场施加部由倾斜磁场线圈130及倾斜磁场电源131构成。倾斜磁场线圈130利用从倾斜磁场电源131供给的倾斜磁场控制电流对检查空间施加倾斜磁场。
匀场部由匀场线圈140及匀场电源141构成。匀场线圈140利用从匀场电源141供给的匀场控制电流向检查空间施加均匀磁场。
收发部具备：收发线圈150；根据发送及接收的时刻切换高频信号的接通与断开的收发切换器151；发送器152；接收器153；和高频信号分配/合成器154。
收发线圈150经由高频信号分配/合成器154而与2个收发切换器151 连接，收发切换器151分别连接于发送器152及接收器153。高频磁场照射用的高频信号通过收发切换器151及高频信号分配/合成器154而被施加到收发线圈150，从而向被检测体101照射高频磁场。因所照射的高频磁场而从被检测体101产生的核磁共振信号被收发线圈150检测到，检测到的信号经过高频信号分配/合成器154及收发切换器151，在接收器153中被进行信号的放大及检波。由接收器153进行过检波的信号经由A/D变换器(未图示)而被发送至控制部。
另外，本实施方式的收发线圈150既可以单独设置产生高频磁场的发送用线圈和接收来自被检测体101的信号的接收用线圈，也可以共用1个线圈。以下，在本实施方式中，以共用1个线圈的情况为例进行说明。关于收发线圈150的详细的构成将在后面叙述。
控制部具备计算机170及定序器160。再有，计算机170连接着显示装置171与存储装置172。
计算机170进行MRI装置100整体的动作的控制，并且针对接收到的信号进行图像重构等信号处理。其结果被保存于存储装置172并被显示在显示装置171。动作的控制是根据预先保存在存储装置172中的脉冲序列向定序器160发出指示来进行的。再有，存储装置172中还保存有计算机170对定序器160进行指示时所使用的测量条件等。
定序器160根据来自计算机170的指示，对各装置进行指示，以便各装置以预先确定的时刻、强度进行动作。具体是，对倾斜磁场电源131、匀场电源141、收发切换器151、接收器153及发送器152发送命令。再有，接收器153中成为检波的基准的磁共振频率是由定序器160设置的。
对本实施方式的收发线圈150进行说明。图3是用于说明用作收发线圈150的高频线圈200与高频信号分配/合成器154、收发切换器151、发送器152、接收器153之间的连接关系的说明图。如本图所示，高频信号分配/合成器154具备QD混合器181和2个0-180度分配/合成电路。将2个0-180度分配/合成电路分别称为第一0-180度分配/合成电路(第一0-180度分配/合成电路)182及第二0-180度分配/合成电路(第二0-180度分配/合成电路)183。
QD混合器181是双输入/双输出的电路，在输入信号为1个的情况下， 将该信号分配成信号波形的相位差为90度的2个信号后输出，在输入信号为2个的情况下，使其中一个信号的相位移位90度后与另一信号合成，输出合成后的信号。再有，第一0-180度分配/合成电路182及第二0-180度分配/合成电路183具有：将1个高频信号分配成信号波形的相位差为180度的2个高频信号的功能；和使2个高频信号中的其中一个信号的相位移位180度后与另一个信号进行合成并输出的功能。
发送器152及接收器153分别经由收发切换器151而与QD混合器181连接。QD混合器181的2个输出分别连接于第一0-180度分配/合成电路182和第二0-180度分配/合成电路183的输入。第一0-180度分配/合成电路182的2个输出分别连接于对置的2个第一馈电点184。第二0-180度分配/合成电路183的2个输出分别连接于配置在从2个第一馈电点184开始绕中心轴910旋转了90度的位置上的2个第二馈电点185。关于高频线圈200，将进行追加说明。
根据来自定序器160的指示，对收发切换器151进行接通或断开的控制。指示如下：在高频信号照射时，与发送器152连接的收发切换器151被接通，在核磁共振信号检测时，与接收器153连接的收发切换器151被接通。
<高频线圈>
在本实施方式中，对高频线圈200的构成下功夫，在隧道型MRI装置100中，能够简便地实现可调整谐振频率的收发线圈150，但不会牺牲掉被检测体101进入的检查空间的宽阔度。
在说明本实施方式的高频线圈200之前，说明与线圈图案为管状的同轴型TEM线圈的频率调整功能相关的构成(频率调整部)。图4(a)是同轴型TEM线圈800的外观图。如本图所示，同轴型TEM线圈800距高频屏蔽体830隔着给定的距离，配置了多个在内部具有棒状导体820的管状线圈图案810。
图4(b)表示同轴型TEM线圈800的切断面。图4(b)是表示通过同轴型TEM线圈800的同轴线路的中心的截面的图，是图4(a)的A-A截面图。同轴型TEM线圈800自接近于隧道中心轴的一侧起，按管状线圈图案的一部分810A、棒状导体820、管状线圈图案的一部分810B、 高频屏蔽体830的顺序配置了这些部件。在此，高频屏蔽体830与棒状导体820为同电位。
如上所述，在电位不同的导体间必须确保最大放电距离。因此，在同轴型TEM线圈800中，高频屏蔽体830及棒状导体820与管状线圈图案810之间必须分别确保最大放电距离。也就是说，管状线圈图案的一部分810A与棒状导体820的间隔840A、棒状导体820与管状线圈图案的一部分810B的间隔840B、管状线圈图案的一部分810B与高频屏蔽体830的间隔840C这3个间隔必须分别确保比最大放电距离大的间隔。因而，以往的同轴型TEM线圈800的厚度(840A+840B+840C)比最大放电距离的三倍还大。因此，在同轴型TEM线圈800中，无法超过该限制来扩大检查空间。
接着，对在本实施方式中用作收发线圈150的高频线圈200的细节进行说明。
图5(a)～图6(c)是用于说明本实施方式的高频线圈200的构成的图。图5(a)是从z轴方向观察高频线圈200的图，图5(b)是高频线圈200的立体图，图5(c)是高频线圈200的一部分的立体图。再有，图6(a)及图6(c)是将高频线圈200的一部分放大后的图。其中，各图中，如前所述，z方向是静磁场920的方向。再有，为了避免复杂度，在各图中适当省略说明对象以外的构成或将其透明化来表示。
如这些图所示，高频线圈200具备筒状的高频屏蔽体210、线圈图案220和调整高频线圈200的谐振频率的频率调整部件240，线圈图案220具备多个线圈导体230，在中心轴910与高频屏蔽体210的中心轴相同的筒状虚拟面上隔着间隔且与该中心轴910实质上平行地配置多个线圈导体230，虚拟面配置在所述高频屏蔽体210的内侧，频率调整部件240由导体及电介质中的至少一方构成，在高频屏蔽体210与线圈图案220之间的空间内被配置成能够调整高频屏蔽体210与线圈图案220之间的耦合电容。被检测体101相对于线圈图案220进入中心轴910侧的筒状的检查空间。
以下，在本实施方式中，将高频屏蔽体210设为圆筒状，将配置线圈导体230的虚拟面设为圆筒面。另外，在图5(a)中，例示了具备16个 线圈导体230的例子。然而，线圈导体230的数量并未限于此。例如，也可以是8个、24个等。
如图5(b)所示，线圈导体230是板状的导体，板状导体的主平面(以下称为板面。)被配置成与虚拟面相接，且在虚拟面的圆周方向等间隔地配置该主平面。另外，虚拟面与高频屏蔽体210为同轴的圆筒形状，因此线圈图案220被配制成与高频屏蔽体210保持着一定距离。各线圈导体230的z方向的长度是根据z方向的灵敏度区域的设计来决定的。但是，其长度比高频屏蔽体210的z方向的长度短。将两者的z方向的长度之差至少设为后述的频率调整部件240的z方向的长度。
再有，如图5(a)及图5(c)所示，各线圈导体230经由第一电容250而与高频屏蔽体210连接。在线圈导体230的z方向的端部的内侧配置2个第一电容250。由线圈导体230、高频屏蔽体和2个第一电容来形成谐振环260。
第一电容250的值被调整为高频线圈200以与MRI装置100的共振频率相同的频率进行谐振。在此，省略谐振环260所具备的电感。再有，本实施方式中，自线圈导体230的端部起，隔着比后述的频率调整部件240在z方向上的长度大的给定距离更靠近内侧，配置第一电容250。
在图5(c)、图6(a)及图6(c)中，对频率调整部件240实施阴影来表示。如图5(c)所示，频率调整部件240被配置在高频屏蔽体210与线圈导体230之间的空间内。
在本实施方式中，通过移动该频率调整部件240，从而调整谐振环260的谐振频率。即，频率调整部件240被配置成能改变与高频屏蔽体210及线圈图案220(线圈导体230)的至少一方的相对位置。为此，频率调整部件240配置在容易移动的位置上，例如如图6(a)所示那样配置在线圈导体230的z方向的端部。在此，例示了相对于各线圈导体230一个个配置的情况。其中，频率调整部件240也可以不相对于所有线圈导体230配置。另外，图6(a)是在经过中心轴910与第一电容250的截面处观察谐振环260的图，在关注的谐振环260中是来自x方向的描写。
图6(b)是频率调整部件240的立体描写。频率调整部件240如上所述那样由导体及电介质的至少一方构成。在此，例示由导体构成的情况。 其形状是图6(b)所描写那样的部分圆筒状。
对于频率调整部件240而言，具有以下形状：将外径与高频屏蔽体210的内径相等且内径比配置线圈导体的虚拟面的直径大的轴与高频屏蔽体210及虚拟面相同的中空圆筒，以给定的中心角与中心轴910平行地切出，在中心轴910方向上被切断为给定的长度。切出时的中心角是所配置的频率调整部件240不会干扰相邻的线圈导体230且能实现期望的可变电容的角度。
再有，在本实施方式中，如图6(c)所示，频率调整部件240被配置成与高频屏蔽体210的内侧的面相接。由此，频率调整部件240被配置成：以低电阻与高频屏蔽体210连接，且与线圈图案220(线圈导体230)电容耦合。因此，切出频率调整部件240的中空圆筒的内径和虚拟面的直径之差大于或等于最大放电距离。
此外，频率调整部件240的电容耦合目标并不限于线圈图案220(线圈导体230)。也可以与高频屏蔽体210电容耦合。即，本实施方式的频率调整部件240只要被配置成以低电阻与高频屏蔽体210及线圈图案220(线圈导体230)中的任一方连接而与另一方电容耦合即可。
另外，在频率调整部件240与线圈导体230以低电阻连接的情况下，频率调整部件240是切出中空圆筒来制作出的，该中空圆筒其外径比高频屏蔽体210的内径小给定量、且其内径等于配置线圈导体230的虚拟面，而其轴与高频屏蔽体210及虚拟面相同。
<频率调整方法>
接着，对本实施方式的频率调整部件240进行的高频线圈200的频率调整方法进行说明。
本实施方式中的高频线圈200由与线圈导体230相同数量的谐振环260构成。例如，在图5(a)的示例中，由16个谐振环260构成。而且，各个谐振环260经由高频屏蔽体210而被连接。因此，通过使谐振环260中的至少1个的谐振频率发生变化，从而可以调整高频线圈200的谐振频率。利用谐振环260的电感L及电容C，通过以下的式(1)来表示各个谐振环260的谐振频率f_R。
【数学式1】
fR=12πLC...(1)]]>
将在频率调整部件240与线圈导体230之间产生的耦合电容设为C_f。谐振环260是第一电容250与耦合电容C_f被并联连接而成的并联谐振电路，因此耦合电容C_f以加法形式对式(1)中的电容C做贡献。
一般而言，平行平板电容器(condenser，电容)的电容C_pp可通过以下的式(2)来表示。
C_pp＝ε×S_pp/d_pp···(2)
在此，S_pp为极板的面积，d_pp为极板间的距离，ε为被填充在极板间的物质的介电常数。根据式(2)，电容的电容量随着构成电容的极板的面积、距离、极板间的物质的介电常数等的变化而发生变化。
在本实施方式中，通过使频率调整部件240与线圈导体230重合的面积S(以后称为重合面积)发生变化，从而使频率调整部件240与线圈导体230之间的耦合电容发生变化，使谐振环260的谐振频率发生变化。如图6(a)所示，通过使频率调整部件240在被配置成与高频屏蔽体210的内侧的面相接的状态下在z方向上移动，从而使面积S发生变化。
图7(a)～图7(d)是从中心轴910方向观察线圈图案220(线圈导体230)及频率调整部件240的图。在此，关于图5(a)所示的关注的频率调整部件240是来自y方向的描写。在此，仅描写构成线圈图案220的1个线圈导体230与频率调整部件240的内圆筒面。
通过使频率调整部件240在与高频屏蔽体210保持物理接触的同时沿着z方向移动，从而与线圈导体230的重合面积发生变化。由此，耦合电容C_f发生变化，伴随于此，式(1)的谐振环260的谐振频率f_R也发生变化。因此，通过使频率调整部件240移动，从而可调整谐振环260的谐振频率f_R。结果，可调整由谐振环260构成的高频线圈200的谐振频率。
图8是表示谐振环260的谐振频率f_R相对于频率调整部件240的位置zR的变化的图表710。图表710中，(a)～(d)分别和图7(a)～ 图7(d)的频率调整部件240的位置对应。其中，位置zR是以线圈图案220(线圈导体230)在图7(a)中的右侧的端部位置为基准的、频率调整部件240在图7(a)～图7(d)中的右侧端部的位置。
频率调整部件240与线圈图案220(线圈导体230)的耦合电容严格来讲并不是仅由它们的重合面积决定的。例如，如图7(c)及图7(d)所示，即便在两者的重合面积为0的情况下，随着频率调整部件240与线圈图案220的距离，多少都会产生电容耦合，且随着两者间的距离，该耦合电容会发生变化。然而，如本实施方式那样重合面积对电容C_f有支配性时，如图8的图表710所示，在产生重合的期间，谐振频率f_R急剧地发生变化。
在此，表示对谐振环260的谐振频率的变化进行了计算的仿真结果。为了简化说明，仅关注一个谐振环260，作为频率调整部件240，在插入电容C_f的电容器的状态及未插入电容器的状态下，比较谐振频率。
用于计算的模型如下。谐振环260为长边500mm、短边10mm的长方形环，构成长边的线圈导体230的宽度为50mm。再有，将连接线圈导体230与高频屏蔽体210的2个第一电容250的电容值设为27pF。第一电容250分别配置在该谐振环260的2条短边上。再有，插入的电容C_f的电容器是50mm的四方形且在极板间有3mm空气层的平行平板电容器。
这种谐振环260中，在未插入电容C_f的电容器的状态下，频率131MHz下存在阻抗峰值。另一方面，若插入电容C_f的电容器，则根据式(2)，电容C_f变为7.38pF。将该电容C_f并联地附加于一条短边。由此，在谐振环260中，在一个短边上配置有27pF的电容，在另一个短边上配置有34.38pF的电容。该状态下，谐振环260中在频率124MHz下存在阻抗峰值。
如上所述，通过插入频率调整部件240，从而谐振环260的谐振频率变小。
另外，在本实施方式中，在制造高频线圈200时、向MRI装置100安装时、向MRI装置100的侧面安装时、维修时等，能够利用上述频率调整部件240进行高频线圈200的谐振频率的调整。
如以上说明，本实施方式的高频线圈200具备筒状的高频屏蔽体210、线圈图案220和频率调整部件240，所述线圈图案220具备多个线圈导体230，在中心轴与所述高频屏蔽体210的中心轴相同的筒状的虚拟面上隔着间隔与所述中心轴平行地配置多个线圈导体230，所述虚拟面配置在所述高频屏蔽体的内侧，所述频率调整部件240由导体及电介质的至少一方构成，且在所述高频屏蔽体210与所述线圈图案220之间的空间内被配置成能够调整该高频屏蔽体210与该线圈图案220之间的耦合电容。
这样，本实施方式的高频线圈200将调整其谐振频率的频率调整部件240配置在高频屏蔽体210与线圈图案220(线圈导体230)之间。因此，由于频率调整部件240的存在，检查空间不会被压迫。
再有，所述线圈导体230为板状导体，所述板状导体被配置成所述板面与所述虚拟面相接。这样，根据本实施方式，通过将构成线圈图案220的各线圈导体230做成板状，从而与频率调整部件240的耦合电容变大，高频线圈200的谐振频率的调整幅度变大。
所述频率调整部件240被配置成能改变与所述高频屏蔽体210及所述线圈图案220的至少一方的相对位置，也可以被配置成通过变更相对位置来变更与所述线圈导体230重合的面积。为此，在本实施方式的高频线圈200中，仅使频率调整部件240移动从而使重合面积发生变化，就能调整谐振频率。
还有，此时，在本实施方式的高频线圈200中，所述频率调整部件240也可以被配置成：与所述高频屏蔽体210及所述线圈图案220中的任一方以低电阻连接而与另一方电容耦合。
因此，本实施方式的高频线圈200只要能够与电容耦合的高频屏蔽体210及所述线圈图案220中的任一个确保最大放电距离即可。即，本实施方式的高频线圈200中，不会扩大线圈图案220与高频屏蔽体210之间的距离，利用其间的空间就能以简易的方法调整频率。因此，与在线圈图案的内部设置频率调整部件的现有技术中的同轴型TEM线圈相比，可缩短高频线圈200的外径与内径之间的距离。因此，本实施方式的高频线圈200与现有技术中的同轴型TEM线圈相比，是内径大的高频线圈，相应地可确保较宽的检查空间。
再有，也可以是所述高频屏蔽体210与所述线圈图案220经由至少2个第一电容250而被连接，自所述板状导体的中心轴方向的端部起隔着给定的距离而在内侧分别配置所述第一电容250，所述频率调整部件240在比所述第一电容250的配置位置更靠所述中心轴方向的外侧改变所述相对位置。
这样，在本实施方式的高频线圈200中，自线圈图案220的端部起，至少隔着频率调整部件240在z方向上的长度以上的距离，在内侧连接第一电容250。因此，即便线圈图案220的宽度被多个第一电容250的连接占有的情况下，使频率调整部件240在该连接位置到端部为止的空间内移动，从而能调整谐振环260的谐振频率。因此，谐振频率的调整变得容易，而且对高频线圈200的设计的制约也少。
还有，由于通过频率调整部件240的移动来进行谐振频率的调整，故通过选择频率调整部件240与线圈图案220的距离，就能调整电容相对于频率调整部件240的插入距离的变化率。从这一点来说调整是容易的。
另外，如上所述，在本实施方式中，基于频率调整部件240的耦合电容的调整是通过使频率调整部件240与线圈导体230的重合面积发生变化来进行的。通过使频率调整部件240在z方向上移动，从而重合面积发生变化。此时，频率调整部件240在与高频屏蔽体210保持物理接触的同时移动。因此，在本实施方式中，电容调整时频率调整部件240与线圈图案220的距离是恒定的，可维持其间的空气层的厚度。因此，本实施方式的高频线圈200中，在频率调整时耐压不会发生变化。
例如，若将绝缘破坏电压设为2.9kV/mm，则空气层为3mm，那么绝缘破坏电压为8.7kV。即，通过在线圈导体230与频率调整部件240之间至少设置3mm的空间，从而本实施方式的频率调整部件240和普通的微调电容器(例如7kV左右)相比，更能实现省空间且高耐压的可变电容器。另外，2.9kV/mm是在MRI装置中与作为主要的拍摄核种类的氢的谐振频率相当的127MHz下的被平行平板夹持的空气层的绝缘破坏电压。
如以上所说明，本实施方式的高频线圈200能以简易的构成调整谐振频率，而不会牺牲掉检查空间。因此，在安置时、维修时，还有附近还配置有其他MRI装置的与安装环境相应的调整时等，均可以简便地进行。
隧道型MRI装置中，若隧道直径小，则其内部的检查空间也变窄，有时会给作为被检测体的患者带来较大的压力。尤其是，对肥胖的人或有幽闭恐惧症的人会成为较大的压力。再有，在将关节弯曲的状态下的摄影、或以肩或肘为磁场中心的摄影中，有时也强迫不舒适的姿势。然而，根据本实施方式，与以往相比，可提供能确保更宽的检查空间的高频线圈。因此，可降低对这些患者的压力。
进而，根据本实施方式，由于可提供宽的检查空间，故可确保在MRI装置内部设置治疗设备的空间。因此，设置造影剂喷射设备或非磁性治疗设备来进行精密诊断或治疗变得容易起来。
再有，本实施方式的高频线圈不利用微调电容器就能够调整谐振频率。而且，谐振频率的调整所使用的频率调整部件240的位置调整也不会利用到螺丝。因此，与利用微调电容器进行调整的情况不同，检查空间不会变窄，设计不会困难，不需要进行考虑了电容变化的滞后现象的复杂的调整。
还有，在本实施方式中，使频率调整部件240与线圈导体230的重合面积发生变化，使两者间的耦合电容发挥变化，从而调整高频线圈200的谐振频率。两者间的耦合电容的变化依赖于重合面积的变化量。再有，重合面积的变化量依赖于频率调整部件240面对线圈导体230的面积。本实施方式的频率调整部件240由于具有上述构成，故无须缩窄检查空间就能使频率调整部件240自身的面积发生变化。因而，根据本实施方式，能够在保持耐压、检查空间的宽阔度不变的状态下，使谐振频率的调整范围也简单发生变化。
<移动方向的变形例>
另外，频率调整部件240的移动方向并不限于z方向。在与高频屏蔽体210保持物理接触不变的状态下，只要能变更与线圈导体230重合的面积，可以在任一方向上移动。例如，如图9所示，也可以是与z方向垂直的方向，即高频线圈200的圆周方向(在此，在所关注的谐振环260中是x方向)。该情况下，利用线圈导体230之间来使频率调整部件240移动，由此使线圈导体230与频率调整部件240的重叠面积发生变化。
另外，本实施方式中，频率调整部件240的外径与高频屏蔽体210 的内径相等，因此频率调整部件240可以在与高频屏蔽体210保持物理接触不变的状态下沿圆周方向移动。再有，因为切出轴与线圈图案220相同的中空圆筒，所以频率调整部件240能保持与高频屏蔽体210接触的状态不变，即便在任一方向上移动，线圈图案220与频率调整部件240的垂直距离也是恒定的。因此，能保持耐压及检查空间的宽阔度。
<频率调整部件的构成、形状的变形例>
另外，在本实施方式中，虽然以频率调整部件240由均衡(solid)的导体构成的情况为例进行了说明，但频率调整部件240的素材、构成并不限于此。
例如，构成频率调整部件240的导体的内部也可以是空洞。再有，只要内圆筒面与外圆筒面被连接且能保持形状，也可以省略支撑内圆筒面与外圆筒面的四个面。例如，也可以在内圆筒面与外圆筒面的中心用1根粗的柱子连接成I字型。还有，也可以利用形状调整容易的材料、例如环氧树脂来制作频率调整部件240的形状，用薄的导体例如铜胶来覆盖其周围。通过这样构成，可廉价地制作频率调整部件240，而不会丧失上述实施方式中说明过的效果。
再有，虽然本实施方式的频率调整部件240以给定的中心角将线圈导体230切出并切取为给定的长度来制作了中空圆筒，但并不限于通过该方法获得的形状。
例如，在上述实施方式中，虽然切出时的中心角被决定为所配置的频率调整部件240不会干扰相邻的线圈导体230，但也可以进一步增大切出的中心角而连结相邻的频率调整部件240。
另外，中空圆筒也可以不与圆筒的中心轴910平行地切出。例如，也可以按照内圆筒面的投影面为三角形的方式切出。通过这样构成，从而可以增大耦合电容相对于z方向的移动距离的变化量。
此外，上述实施方式中，虽然将频率调整部件240的高度设为了恒定，但也可以使高度发生变化。调整时通过使频率调整部件240在移动的方向上发生高度的变化，从而可以使耦合电容相对于移动量的变化量发生变化。
另外，即便在使高度发生变化的情况下，频率调整部件240与线圈图 案220(线圈导体230)之间至少还确保最大放电距离的间隔。
进而，频率调整部件240的形状也可以不是部分圆筒状。例如，即便是长方体，只要一部分与高频屏蔽体210在物理上接触、且以不会放电的距离与线圈图案220(线圈导体230)形成所需的电容即可。
<频率调整部件的素材的变形例>
上述实施方式中，虽然以利用导体来制作频率调整部件240的情况为例进行了说明，但素材并不限于导体。例如，也可以由电介质来构成。在图10中表示了该情况下的频率调整部件241的例子。其中，形状和上述实施方式的频率调整部件240相同。使用的电介质，例如是介电常数比空气还大的材料，例如是氟树脂等。
也可以是，所述频率调整部件241包含电介质，通过该电介质来使高频屏蔽体210与线圈图案220之间的介电常数发生变化。该情况下，通过改变向线圈导体230与高频屏蔽体210之间的频率调整部件241的插入量，从而使两者间的耦合电容发生变化。这相当于在上述式(2)中。使介电常数ε发生变化。由此，谐振环260的谐振频率发生变化，高频线圈200的谐振频率也发生变化。
改变频率调整部件241的插入量的方法和上述实施方式相同。即，在与高频屏蔽体210或线圈导体230中的任一方保持物理接触的状态下，移动频率调整部件241，使得与线圈导体230重合的面积发生变化。
根据本变形例，因为频率调整部件241不包含导体，故除了通过由导体构成的频率调整部件240而获得的效果以外，还能排除线圈图案220(线圈导体230)与高频屏蔽体210短路的危险性。因此，即便只能将频率调整部件241与线圈图案220及高频屏蔽体210中的任一个之间分开最大放电距离，也能确保更宽的检查空间。
另外，在本变形例中，虽然电介质利用了氟树脂，但并不限于此。可以利用任意素材的电介质。能根据频率调整部件241所使用的电介质的介电常数来变更改变重合的面积所引起的耦合电容的变化率。因此，根据想要实现的变化范围来选择素材。
另外，频率调整部件241的形状虽然设成了与频率调整部件240相同的形状，但该形状并不限于此。只要频率调整部件241的插入引起的可变 电容会带来期望的频率变化，且容纳在线圈图案220与高频屏蔽体210之间即可，频率调整部件241可以是任意形状。也可以与线圈图案220和高频屏蔽体210这两者都接触。
还有，在由电介质构成频率调整部件241的情况下，在使线圈图案220与高频屏蔽体之间的耦合电容发生变化之际，也可以不使频率调整部件241移动，而是置换为由介电常数不同的的素材制作出的频率调整部件241，由此使两者间的介电常数发生变化。
再有，频率调整部件也可以是组合了电介质与导体的部件。在图11(a)～图11(d)中表示该情况下的频率调整部件242的示例。
频率调整部件242由导体部242A与电介质部242B构成。频率调整部件242整体的形状和上述实施方式的频率调整部件240相同。其中，设切出频率调整部件242的中空圆筒的内径与配置线圈导体230的虚拟面相同。即，频率调整部件242被配置成将高频屏蔽体210与线圈图案220间掩埋。
并且，如图11(a)～图11(d)所示，频率调整部件242具有多层构造，变更导体部242A的层与电介质部242B的层的数量(比例)、配置顺序。
图11(a)及图11(b)是在线圈图案220侧配置电介质部242B而在频率调整部件242与线圈图案220(线圈导体230)之间发生电容耦合时的示例。再有，图11(c)是在高频屏蔽体210侧配置电介质部242B而在高频屏蔽体210与频率调整部件242之间发生电容耦合的示例。
再有，图11(d)是在线圈图案220与高频屏蔽体210的两侧配置电介质部242B的示例。该情况下，频率调整部件242与线圈图案220(线圈导体230)、高频屏蔽体210这两者均发生电容耦合。通过这样构成，分散与耦合电容相关的电压，可以降低放电的危险性。
数量及配置的变更意味着：使频率调整部件242的导体部242A与线圈图案220之间的(中心轴方向的)距离发生变化，并且使两者间的电介质量发生变化。即，该变更相当于上述式(2)的介电常数ε的变更及距离d_pp的变更。由此，在两者之间产生的耦合电容发生变化。根据该电容变化，谐振环260的谐振频率发生变化，从而可以调整高频线圈200的谐振 频率。
另外，此时，还可以通过将频率调整部件242的电介质部242B替换为介电常数不同的电介质，从而使耦合电容发生变化。
根据本变形例，通过使具有多层构造的频率调整部件242的层构成发生变化，从而调整高频线圈200的谐振频率。因此，不需要使频率调整部件242移动的空间。因此，即便在频率调整部件242的移动空间被限制、很难使重合的面积发生变化的情况下，也能简易地调整高频线圈200的谐振频率，而不会牺牲掉检查空间的宽阔度。
再有，作为频率调整部件242的电介质部242B，通过利用耐压比空气层还大的电介质例如氟树脂，从而可以增大高频屏蔽体210与线圈图案220之间的耐压。若耐压增大，则最大放电距离减小，因此根据该频率调整部件242，能使高频线圈200的厚度更薄，可增大检查空间。
<频率调整部件连接的变形例>
再有，在上述实施方式中，频率调整部件240构成为以低电阻与高频屏蔽体210或线圈图案220中的至少一方连接，但并不限于该构成。在图12中表示该情况下的构成例。
在本变形例中，如本图所示，频率调整部件243由部件部243A和挠性导体部243B构成。部件部243A与线圈图案220相对的面和频率调整部件240与线圈图案220相对的面相同。挠性导体部243B通过焊料分别被接合到部件部243A和高频屏蔽体210。此时，部件部243A构成为在保持了与线圈图案220的垂直距离不变的状态下能沿着z方向移动。另外，挠性导体部243B例如由铜线构成。相对于z方向的移动，保持部件部243A与高频屏蔽体210的导通。
该频率调整部件243中，与线圈图案220相对的面和高频屏蔽体210是导通的。因此，发挥与频率调整部件240相同的功能。在此，频率调整部件243的部件部243A和高频屏蔽体210为同电位，所以无需分开最大放电距离。
根据本变形例，因为与物理接触相比能更可靠地进行连接，故除了频率调整部件240所带来的效果以外，还可以防止接触不良或接触电阻的变化。
另外，相对于所有线圈导体230而配置的频率调整部件240也可以不是相同的形状、素材、构成。也可以是在上述实施方式中说明过的形状及在各变形例中说明过的任一形状、素材、构成。
<第一电容的变形例>
此外，本实施方式中，第一电容250为了确保频率调整部件240的移动空间而连接在比线圈图案220(线圈导体230)的端部更靠近内侧的位置上，但并不限于该构成。
例如，只要第一电容250的连接位置不占线圈导体230的全部宽度，且能够确保频率调整部件240的宽度，则也可以是线圈导体230的端部。由此，高频线圈200的制造自由度增大。
另外，在本实施方式中第一电容250的数量为两个，但其数量并不限于两个。只要能将谐振环260的谐振频率调整为期望的值即可。因此，只要能由频率调整部件240提供所需的电容，也可以不设置第一电容250。再有，也可以不利用第一电容250，而是用电介质填充线圈图案220(线圈导体230)与高频屏蔽体210之间来产生电容耦合。
<线圈图案形状的变形例>
再有，在上述实施方式中，以构成线圈图案220的多个线圈导体230被配置在具有轴与高频屏蔽体210相同的圆筒形状的虚拟面上的情况为例进行了说明，但虚拟面的形状并不限于此。例如，也可以是椭圆筒形状。
在图13表示该情况下的高频线圈204的高频屏蔽体210、线圈图案224、第一电容250及被检测体101的配置。其中，本变形例中，也相对于构成线圈图案224的多个线圈导体234的至少1个而具备频率调整部件244。在此，为了避免变得复杂，未记载频率调整部件244。
高频屏蔽体210为圆筒形状，和上述实施方式相同。线圈图案224具备虚拟椭圆筒面上隔着间隔而配置的多个线圈导体234，该虚拟椭圆筒面的中心轴910与高频屏蔽体210的中心轴相同，且其长轴为x方向、短轴为y方向。线圈导体234和上述实施方式同样，被配置成实质上与中心轴910方向平行。z方向的长度也和上述实施方式同样。
第一电容250和上述实施方式同样，自线圈导体234的端部起，在隔着给定距离的内侧，将第一电容250配置成连接高频屏蔽体210与线圈图 案224之间。
在图14中表示该变形例的频率调整部件244。伴随于线圈图案224的形状变化，频率调整部件244的形状也发生变化。即，该变形例的频率调整部件244具有将中空筒以给定的中心角切出且在中心轴910的方向上切断为给定长度的形状，其中，中心筒的外表面具有与高频屏蔽体210的内径相等的外径的圆筒面状，其内表面与配置线圈导体234的虚拟面保持等距离。
另外，该情况下和上述实施方式同样，频率调整部件244的素材不仅可以是导体，也可以是导体中空、电介质、或导体与电介质的组合。
再有，和上述实施方式同样地，通过使该频率调整部件244在z方向上移动，使电介质量发生变化，从而改变介电常数的方法，来改变谐振环264的谐振频率。
此外，在本变形例中，也可以使频率调整部件244在z方向以外的方向上移动，改变频率调整部件244与线圈导体234重合的面积。即，本变形例的情况下，即便使频率调整部件244在z方向上移动，与线圈图案224的距离也不会发生变化。因此，通过该移动来改变与线圈图案224的重合面积，由此可以使与线圈图案224的耦合电容发生变化。
其中，本变形例的情况下，若在z方向以外的方向上使频率调整部件244移动，则通过移动，频率调整部件244与线圈图案224之间的距离发生变化。
作为一例，在图15中表示了使频率调整部件244在高频屏蔽体210的圆周方向上移动的情况。图中以实线表示的移动前的频率调整部件244A朝着椭圆的短轴侧沿圆周方向移动。用虚线表示移动后的频率调整部件244B。如本图所示，相比移动前的频率调整部件244A与线圈图案224(线圈导体234)的距离，移动后的频率调整部件244B与线圈图案224(线圈导体234)的距离有所增大。因此，本变形例的情况下，通过使频率调整部件244朝着椭圆的短轴侧沿圆周方向移动，从而可以减小耦合电容。因此，与在圆筒状的虚拟面上配置线圈导体230的情况相比，调整的自由度增加，可以更有效地使耦合电容发生变化。根据频率调整部件244与线圈图案224(线圈导体234)的距离及椭圆的曲率，也能够粗调 使频率调整部件244在z方向上移动并微调为在圆周方向上移动。
另一方面，在使频率调整部件244沿圆周方向朝长轴侧移动的情况，与线圈图案224(线圈导体234)的距离减小。因此，在长轴侧设置挡块274等，以使频率调整部件244与线圈图案224(线圈导体234)的距离不会变成最大放电距离以下。由此，防止产生放电。
如以上说明，即便配置线圈导体234的虚拟面的形状为椭圆筒状，通过与其对应地改变频率调整部件244的形状，与高频线圈200的情况同样地，也能使高频线圈204的谐振频率发生变化。因此，可以得到与上述实施方式同样的效果。
再有，在配置线圈导体234的虚拟面的形状为椭圆筒状的情况下，如图13所示，被检测体101进入的检查空间也为椭圆筒形状。尤其是，若设为长轴在水平方向上的椭圆筒形状，则检查空间的形状与被检测体101的截面形状类似，会给被检测体101带来开放性与舒适性。因此，本变形例中，除了高频线圈200所具有的效果以外，对于被检测体101来说还能提供更舒适的检查空间。
进而，在本变形例的高频线圈200中，在使频率调整部件244沿圆周方向移动的情况下，因为频率调整部件244与线圈图案224(线圈导体234)之间的距离也发生变化，故可以更有效地改变耦合电容。
另外，在本变形例中，各频率调整部件244的形状也与上述实施方式相同，只要靠近的导体之间的距离保持最大放电距离以上即可，并不限于上述形状。大小也只要能够进行期望范围的电容调整即可。再有，也可以在设置于各线圈导体234的每个频率调整部件244中使其形状都不同。
《第二实施方式》
接着，对本发明的第二实施方式进行说明。本实施方式的高频线圈具备收发线圈可独立地控制振幅与相位的多个通道。
本实施方式的MRI装置具有基本上与第一实施方式的MRI装置100相同的构成。其中，高频线圈的构成不同。以下，针对本实施方式，着重说明与第一实施方式不同的构成。其中，在本实施方式中，也将水平磁场方式的静磁场形成部110所产生的静磁场920的朝向设为坐标系900的z 方向。另外，以下，在本实施方式中，以收发线圈具备4个通道(4ch)的情况为例进行说明。通道数并不限于4个通道。例如，也可以是8个通道。
<装置构成>
图16是表示本实施方式的MRI装置105的示意结构的框图。本实施方式的MRI装置105具有基本上和第一实施方式的MRI装置100相同的构成。其中，用作收发线圈150的本实施方式的高频线圈205具有4个通道，因为独立地驱动各个通道，所以取代收发切换器151、发送器152及接收器153，分别具备4ch收发切换器155、4ch发送器156及4ch接收器157。另外，不具备高频信号分配/合成器154。
图17是用于说明用作收发线圈150的本实施方式的高频线圈205、4ch收发切换器155、4ch发送器156及4ch接收器157的连接关系的说明图。本实施方式的高频线圈205具备能分别独立地收发高频信号的4个部分筒状线圈280。其中，部分筒状线圈280的细节将后述。每个部分筒状线圈280具备馈电点186。
4ch发送器156具备分别独立地控制4个信号的振幅与相位的功能，是输出4个高频信号的电路。4ch接收器157是对4个高频信号进行A/D变换的电路，将其输出发送给计算机170。4ch收发切换器155是具有切换4输入/4输出的信号线的功能的电路。4ch收发切换器155将从4ch发送器156供给的高频信号提供给各个部分筒状线圈280的馈电点。再有，向4ch接收器157输出从各部分筒状线圈280的馈电点输出的高频信号。
<高频线圈>
图18、图19是用于说明本实施方式的高频线圈205的构成的细节的图。图18是从z方向观察高频线圈205的图。在此，如前所述，z方向是磁场920的方向。再有，图19(a)是从z方向描写了部分筒状线圈280的图，图19(b)是部分筒状线圈280的立体图。
本实施方式的高频线圈205由4个部分筒状线圈280构成。各个部分筒状线圈与相邻的部分筒状线圈280隔着间隔，被配置成相对于由包含中心轴910的图18中的x轴及z轴所规定的面、和由y轴及x轴所规定的面而呈面对称。将本实施方式的各个部分筒状线圈280作为高频线圈205 的一个通道来进行驱动。
各部分筒状线圈280具备线圈图案225、连接导体282、第一电容250、部分筒状导体281和频率调整部件245。另外，在图18中，为了避免附图的复杂度，省略了频率调整部件245。再有，部分筒状导体281被配置成与高频屏蔽体215的内侧的面相接。因此，可以视作部分筒状导体281与高频屏蔽体215呈一体。
因此，本实施方式的高频线圈205具备筒状的高频屏蔽体215、线圈图案225、和调整高频线圈205的谐振频率的频率调整部件245，线圈图案225具备多个线圈导体235，在中心轴910与高频屏蔽体215的中心轴相同的筒状的虚拟面上，隔着间隔，与其中心轴910实质上平行地配置多个线圈导体235，虚拟面被配置在所述高频屏蔽体215的内侧，频率调整部件245由导体及电介质中的至少一方构成，且在高频屏蔽体215与线圈图案225之间的空间内被配置成能调整高频屏蔽体215与线圈图案225之间的耦合电容。
再有，连接导体282连接相邻的部分筒状线圈280。在位于相邻的2个部分筒状线圈280之间的连接导体282中，插入第二电容283。第二电容283的值被调整为在相邻的2个部分筒状线圈280之间不会产生磁耦合。
这样，本实施方式的线圈图案225被分离成作为高频线圈200不会相互耦合的多个通道的线圈而发挥功能。
本实施方式中，被检测体101也相对于线圈图案225而进入中心轴910侧的圆筒状的检查空间。再有，构成线圈图案225的线圈导体235为板状的导体，被配置成板状导体的板面与虚拟面相接。还有，线圈导体235在虚拟面的圆周方向上被配置成等间隔。各线圈导体235的z方向的长度和第一实施方式的线圈导体230相同。图18中，例示了各个部分筒状线圈280分别具备5个线圈导体235的情况。但是，线圈导体235的数量并不限于此。例如，既可以是10个，也可以是1个。
本实施方式中，以高频屏蔽体215为椭圆筒状且配置线圈导体235的虚拟面为椭圆筒面的情况为例进行说明。本实施方式中，高频屏蔽体215与配置线圈导体235的虚拟面之间的距离自中心轴910起，沿着x方 向，越朝向外侧就越窄。这些形状和第一实施方式同样，既可以均为圆筒形状，也可以是高频屏蔽体215为圆筒形状而虚拟面为椭圆筒形状。
本实施方式中，也插入2个第一电容250。如图19(b)所示，2个第一电容250分别配置于自各线圈导体235的z方向上的两端部起分别隔着给定距离而靠向z方向内侧的位置上。由此，由线圈导体235、2个第一电容250及部分筒状导体281构成谐振环265。在图18的示例中，各部分筒状线圈280具有5个线圈导体235。因此，各部分筒状线圈280具备5个谐振环。
另外，第一电容250被调整成：由多个谐振环265构成的部分筒状线圈280的谐振频率和MRI装置105作为拍摄对象的核种类的共振频率一致。
若向部分筒状线圈280施加高频信号，则在各谐振环265中有高频电流流动。此时，各线圈图案225因连接导体282，在相邻的线圈图案225的两端被短路，因此各线圈图案225的端部产生的电位全部相同。因而，部分筒状线圈280以所有谐振环265中流动的高频电流变成相同相位的模式(以下称为同相模式)，进行谐振。
如图19(b)所示，本实施方式的频率调整部件245被配置在单侧的第一电容250的z方向外侧。本图中，例示了在各个部分筒状线圈280配置3个频率调整部件245的情况。再有，如图19(a)所示，和第一实施方式的频率调整部件同样，频率调整部件245具有以低电阻连接于高频屏蔽体215(部分筒状导体281)且与线圈图案225(线圈导体235)的距离恒定的形状。
本实施方式中，频率调整部件245也和第一实施方式同样，被配置为与高频屏蔽体215及线圈图案225中的至少一方的相对位置可发生变化。例如，配置为可在z方向上移动且能变更与线圈导体235重合的面积。本实施方式中，也通过变更重合面积来改变与线圈导体235之间的耦合电容，使谐振环265的谐振频率发生变化。由此，改变部分筒状线圈280的谐振频率。本实施方式中，使各个部分筒状线圈280的谐振频率一致，调整为高频线圈205作为整体而以同一频率进行谐振。
另外，改变重合面积时的移动方向并不限于z方向。即，和第一实施 方式同样，只要在将频率调整部件245以低电阻连接到高频屏蔽体215及线圈图案225中的任一方的状态下使其在给定方向上移动，从而使重合面积发生变化即可。
其中，如本实施方式那样，高频屏蔽体215及配置线圈导体235的虚拟面为椭圆的情况下，当移动方向具有长轴方向分量时，设置成频率调整部件245与线圈导体235或高频屏蔽体215的距离不会变成最大放电距离以下。
如以上说明，本实施方式的MRI装置105的高频线圈205具备筒状的高频屏蔽体215、线圈图案225和频率调整部件245，所述线圈图案225具备多个线圈导体235，在中心轴与所述高频屏蔽体215的中心轴相同的筒状的虚拟面上隔着间隔与所述中心轴平行地配置多个线圈导体235，所述虚拟面被配置在所述高频屏蔽体215的内侧，所述频率调整部件245由导体及电介质中的至少一方构成，且在所述高频屏蔽体215与所述线圈图案225之间的空间内被配置成能调整该高频屏蔽体215与该线圈图案225之间的耦合电容。
因此，根据本实施方式，与第一实施方式同样地，在隧道型MRI装置中，既能确保宽的检查空间，又能在高频屏蔽体与线圈图案之间产生电容耦合，由此可以调整进行谐振的高频线圈的谐振频率。
再有，所述线圈图案225被分离成该高频线圈205作为不会相互耦合的多个通道的线圈而发挥功能。由该线圈图案225与高频屏蔽体215上的部分筒状导体281构成的4个部分筒状线圈280可独立地调整相位与强度。
因此，根据本实施方式，除了第一实施方式的高频线圈200所具有的效果以外，通过调整来自各个部分筒状线圈280的照射强度、相位，从而可以提高照射磁场对检查空间的均衡性。再有，也可降低电磁波相对于被检测体101的相对吸收率。还有，伴随于通道数的增加，也可实现选择激励等。
另外，如上所述，各部分筒状线圈280的谐振频率被调整成与MRI装置105作为拍摄对象的核种类的共振频率一致。然而，各个部分筒状线圈280的谐振频率因线圈图案225的电感、第一电容250的值或连接位置 等各种因素而发生变化，因此存在制造误差引起的谐振频率的不一致。
如上所述，在本实施方式中，能够利用频率调整部件245来调整各个部分筒状线圈的谐振频率。因此，由于能将各部分筒状线圈280的谐振频率分别调整为所期望的值，故即便在上述谐振频率中存在不一致的情况下也能容易进行调整。因此，根据本实施方式，可实现谐振频率一致度高的、多个通道的高频线圈205。
再有，如本实施方式所例示的，在高频屏蔽体215及配置线圈导体235的虚拟面为椭圆筒形状的情况下，如图18所示，被检测体101进入的检查空间也成为椭圆筒形状。尤其是，若设为长轴在水平方向上的椭圆筒形状，则检查空间的形状与被检测体101的截面形状类似，给被检测体101带来开放性与舒适性。因此，根据本实施方式，除了高频线圈200所具有的效果以外，对于被检测体101而言，能提供舒适的检查空间。
另外，在本实施方式中，相对于各个部分筒状线圈280，将频率调整部件245的数量设置成了3个，但该数量并不限于此。只要在如下的范围内，即部分筒状线圈280的谐振频率的可变量足够，例如相对于谐振频率127MHz，可变量为2MHz，且部分筒状线圈280进行谐振的模式保持同相模式，则在各部分筒状线圈280中只要配置至少1个频率调整部件245即可。例如，与第一实施方式同样地，也可以相对于各线圈导体235而配置1个频率调整部件245。
另外，本实施方式中，也和第一实施方式同样地，能够实施各种变形。
再有，本实施方式中，以通过连接导体282将所有线圈图案225的两端部连接的情况为例进行了说明，但并不限于本构成。只要各个部分筒状线圈280内的线圈图案225成为同电位即可，例如也可以仅连接一个端部。
还有，在本实施方式中，将所使用的电容仅设为了第一电容及第二电容，但并不限于此。例如，为了防止涡流，也可以将电容插入线圈图案225或连接导体282中。
另外，4个部分筒状线圈280在4ch发送器156中可独立地调整相位与强度。再有，按照与相邻的部分筒状线圈280不会磁耦合的方式，通过第二电容283去耦合。因此，如果向4个部分筒状线圈280输入使相位以90度为单位偏离的相同强度的高频信号，则能够实现与第一实施方式相 同的QD方式的照射。
上述各实施方式中，虽然将高频线圈用作了收发线圈150，但并不限于此。例如，发送线圈及接收线圈分离型的MRI装置中，也可以用作仅进行RF脉冲的发送的发送线圈。该情况下，例如具备去谐(detuning)电路，通过该去谐电路来切换高频线圈的接通与断开。
图20表示了发送线圈及接收线圈分离型的MRI装置106的示意结构的框图。该MRI装置106中，除了与RF脉冲的发送及NMR信号的接收相关的构成以外，和上述各实施方式的MRI装置都是相同的。
关于RF脉冲发送及核磁共振信号的接收所涉及的构成，具备第一实施方式的发送器152及接收器153、和去谐电路驱动装置158。
其中，在本变形例中，发送器152被直接连接到发送线圈191。再有，接收器153被直接连接到接收线圈192。去谐电路驱动装置158根据发送器152向发送线圈191发送高频信号的时刻、和由接收器153接收被接收线圈192检测到的信号的时刻，分别将发送线圈191及接收线圈192设为调谐状态、去谐状态。
这样，通过单独设置发送线圈191与接收线圈192，从而可以将接收线圈192配置在被检测体101的附近。由此，可在更近的位置处接收信号，可以提高信噪比。
另外，上述各实施方式中说明过的变形例也可以组合来使用。
符号说明
100：MRI装置；101：被检测体；105：MRI装置；106：MRI装置；110：静磁场形成部；120：平台；130：倾斜磁场线圈；131：倾斜磁场电源；140：匀场线圈；141：匀场电源；150：收发线圈；151：收发切换器；152：发送器；153：接收器；154：高频信号分配/合成器；155：4ch收发切换器；156：4ch发送器；157：4ch接收器；158：去谐电路驱动装置；160：定序器；170：计算机；171：显示装置；172：存储装置；181：QD混合器；182：第一0-180度分配/合成电路；183：第二0-180度分配/合成电路；184：第一馈电点；185：第二馈电点；186：馈电点；186：第二馈电点；191：发送线圈；192：接收线圈；200：高频线圈；204：高频线 圈；205：高频线圈；210：高频屏蔽体；215：高频屏蔽体；220：线圈图案；224：线圈图案；225：线圈图案；230：线圈导体；234：线圈导体；235：线圈导体；240：频率调整部件；241：频率调整部件；242：频率调整部件；242A：导体部；242B：电介质部；243：频率调整部件；243A：部件部；243B：挠性导体部；244：频率调整部件；244A：频率调整部件；244B：频率调整部件；245：频率调整部件；250：第一电容；260：谐振环；264：谐振环；265：谐振环；274：挡块；280：部分筒状线圈；281：部分筒状导体；282：连接导体；283：第二电容；710：图表；800：同轴型TEM线圈；810：管状线圈图案；810A：管状线圈图案的一部分；810B：管状线圈图案的一部分；820：棒状导体；830：高频屏蔽体；840A：间隔；840B：间隔；840C：间隔；900：坐标系；910：中心轴；920：静磁场。