半导体装置及其制造方法.pdf

本发明的目的是实现在给定区域内可靠地进行测试探针的接触和焊接方法。半导体装置100具有：探针标记111形成区域；焊盘110，具有焊接区域113；及与焊盘110分离的检查标记120。在该构造中，能够根据检查标记120的平面形状来识别探针标记111形成区域和焊接区域113。

1.  一种半导体装置，其包括：
焊盘，在一个焊盘内包括焊接区域和测试探针接触区域；和
与所述焊盘分离的区域识别标记，从而其标示所述焊接区域和所述测试探针接触区域之间的边界。

2.  如权利要求1所述的半导体装置，
其中，能够根据所区域识别标记所占区域的轮廓来检测所述边界。

3.  如权利要求1所述的半导体装置，
其中，所述区域识别标记具有基本为矩形的平面形状；并且
所述矩形的一个边标示所述边界。

4.  如权利要求1所述的半导体装置，
其中，所述区域识别标记所占区域的宽度标示所述焊接区域或所述测试探针接触区域的宽度。

5.  如权利要求1所述的半导体装置，
包括多个所述焊盘，
其中，所述一个区域识别标记标示所述多个焊盘每一个中的所述边界。

6.  如权利要求5所述的半导体装置，
包括一行成直线排列的所述多个焊盘；
其中，为所述一行提供至少一个所述区域识别标记，并且所述一个区域识别标记标示构成所述一行的所述焊盘的所述边界。

7.  如权利要求6所述的半导体装置，
其中，所述焊接区域和所述测试探针接触区域沿所述行的延伸交替设置；并且
所述一个区域识别标记标示构成所述行的所述一个焊盘的所述边界和与所述一个焊盘相邻的另一个焊盘的所述边界。

8.  如权利要求1所述的半导体装置，
其中，所述焊盘和所述区域识别标记形成在同一层面，并由相同的材料制成。

9.  如权利要求1所述的半导体装置，还包括：
半导体衬底，和
由有机树脂制成的保护层，其形成在所述半导体衬底上，并在预定区域中具有开口；
其中，所述开口的轮廓构成所述区域识别标记的轮廓。

10.  如权利要求9所述的半导体装置，
其中，所述有机树脂是聚酰亚胺。

11.  如权利要求9所述的半导体装置，
其中，所述有机树脂是聚对苯撑苯并双噁唑。

12.  一种用于制造半导体装置的方法，其包括：
制备如权利要求1所述的半导体装置；
借助于所述区域识别标记来检测所述边界，并根据所述检测的边界使测试探针与所述测试探针接触区域相接触；
在接触所述测试探针之后，根据所述检测的边界将用于外部连接的导体焊接到所述焊接区域。

半导体装置及其制造方法
本申请基于日本专利申请No.2005-031999，其内容结合于此作为参考。
技术领域
本发明涉及具有焊盘(bonding pad)的半导体装置及其制造方法。
背景技术
在日本专利公开No.2001-338955、美国专利No.6,713,881以及美国专利公开No.2004/0069988和2003/0197289中，描述了半导体装置的焊接技术。
日本专利公开No.2001-338955和美国专利No.6,713,881描述了具有焊接区域和探针接触区域的焊盘，其中焊接区域比探针接触区域更宽，并且其中在焊接区域和探针接触区域之间的边界的两侧提供有凹口作为标记。
美国专利公开No.2004/0069988描述了一种焊盘，其中在焊接区域和探针接触区域之间的边界的两侧提供有突起。美国专利公开No.2003/0197289描述了一种提供有例如这种突起的焊盘。
发明内容
然而，在研究了日本专利公开No.2001-338955、美国专利No.6,713,881以及美国专利公开No.2004/0069988和2003/0197289中描述的技术之后，发现在以下方面具有改进的余地。在如日本专利公开No.2001-338955、美国专利No.6,713,881以及美国专利公开No.2004/0069988和2003/0197289中所述的装置构造中，要作为焊盘的金属层从形成在半导体衬底上的钝化层的开口暴露出来，在焊盘中形成标示焊接区域和探针接触区域之间的边界的凹口或突起要求将钝化层微制造(microfabricate)成与该凹口或突起对应的形状。
然而，随着焊盘小型化的实行，把通常用作钝化层的聚酰亚胺层形成为具有如此精细的不规则性的平面形状变得很难。因此，在实际制造半导体装置时，难以将探针接触限制到焊接区域的外部，这会导致由探针接触在焊接区域之内引起的探针标记。在焊接区域之内的探针标记可导致在焊接过程中的剥离，从而导致产率下降。
根据本发明的一个方面，提供一种半导体装置，其包括：
焊盘，在一个焊盘内包括焊接区域和测试探针接触区域；和
与焊盘分离的区域识别标记，从而其标示焊接区域和测试探针接触区域之间的边界。
在根据本发明的半导体装置中，区域识别标记与焊盘分离，从而能够作为独立于焊盘的区域来提供区域识别标记。因此，即使在焊盘微细化或具有对焊盘形状的限制时，也能够稳定地提供具有给定尺寸和给定形状的区域识别标记。
此外，在根据本发明的半导体装置中，提供区域识别标记，使其标示焊接区域和测试探针接触区域之间的边界。因此，能够容易并可靠地检测焊接区域和测试探针接触区域之间的边界。这样，当使测试探针与焊盘内的区域相接触时，能够在测试探针接触区域内可靠地引导它，防止探针接触在焊接区域中造成探针标记。从而，能够防止由在探针标记区域中焊接引起的焊接剥离，导致生产稳定性的提高。
根据本发明的另一方面，提供一种用于制造半导体装置的方法，其包括：
制备前面所述的半导体装置；
借助于区域识别标记来检测边界，并根据所检测的边界使测试探针与测试探针接触区域相接触；
在接触测试探针之后，根据所检测的边界将用于外部连接的导体焊接到焊接区域。
在该制造方法中，使用区域识别标记来检测边界，并且根据所检测的边界使测试探针与探针接触区域相接触。由探针接触引起的探针标记能够被可靠地限制在探针接触区域内。此外，根据所检测的边界将用于外部连接的导体结合到焊接区域中，从而能够将焊接可靠地限制在给定区域内。因此，能够防止由焊接中涉及的区域与由测试探针接触形成的探针标记重叠引起的焊接剥离。从而，能够以这种便利的方式提高产率。
在说明书中，“测试探针接触区域”指测试探针要接触的区域，“焊接区域”指用于外部连接的部件要结合到的区域。
根据本发明，由于提供与焊盘分离的区域识别标记，使其标示焊接区域和测试探针接触区域之间的焊接区域，因此能够分别在给定区域内稳定地进行测试探针接触和焊接。
附图说明
从以下说明并结合附图，本发明的上述及其他目的、优点和特征将更加明显，其中：
图1是示出根据本实施例的半导体装置的构造的平面图。
图2是沿图1中的A-A’线截取的剖面图。
图3至图9是示出根据本实施例的半导体装置的构造的平面图。
具体实施方式
在此结合示出的实施例来描述本发明。本领域技术人员会认识到，利用本发明的教导能够实现许多替代实施例，并且本发明不限于为了说明目的所示出的实施例。
下面结合附图描述本发明的实施例。在所有附图中，用相同地符号表示共同的组件，并且适当省略了其说明。
实施例1
图1是示出根据本实施例的半导体装置的构造的平面图。图1中的线P-P’是矩形焊盘110中较长边的中线，而线Q-Q’是探针标记111形成区域和焊接区域113之间的边界。图2是沿图1中的线A-A’截取的剖面图。
图1中示出的半导体装置100具有焊盘110，在一个焊盘中具有焊接区域113和测试探针接触区域(探针标记111形成区域)，半导体装置100还具有与焊盘110分离的区域识别标记(检查标记120)，其被构造用来标示焊接区域113和探针标记111形成区域之间的边界(Q-Q’)。检查标记120例如是半导体装置100的元件形成表面中的视觉上可识别的区域。
半导体装置100具有这样的结构，从而能够根据检查标记120所占区域的轮廓(contour)来检测边界。例如，在半导体装置100中，边界可以是在检查标记120的轮廓上给定位置处的切线的延长线。当轮廓的至少一部分是直线时，边界可以是该直线部分的延长线。
在图1中，检查标记120具有大致矩形的平面形状，其中，矩形的一个边标示边界。更具体地，边界是矩形的一个边的延长线。在说明书中，大致矩形的平面形状可以是其中至少一个边具有标示边界的直线部分的任何矩形；例如可以在制造过程中将矩形的角做成圆的，从而得到圆角形状。检查标记120的平面形状不限于矩形，而可以是不规则四边形。此外，检查标记120的平面形状可以是多边形，例如三角形。
检查标记120所占区域的宽度标示出焊接区域113或探针标记111形成区域的宽度。在此，区域宽度是指在给定方向中该区域端部之间的长度。例如，当检查标记120具有矩形平面形状时，矩形相对边之间的距离可作为区域宽度。这里，在焊盘110中，相对边的延长线的间隔是焊接区域113或探针标记111形成区域的宽度。在图1中，检查标记120所占区域的宽度是探针标记111形成区域的宽度。
半导体装置100具有多个焊盘110和一个检查标记120，该检查标记120标示多个焊盘110中每一个的边界。更具体地，半导体装置100具有一行，在该行中，多个焊盘110线性排列，并且每行提供有至少一个检查标记120，检查标记120标示构成一行的焊盘110的边界。在图1中，在该行中所有焊盘110的边界由一个检查标记120来标示。
此外，检查标记120的轮廓的至少一部分是直线，并且该直线部分与该行的延伸方向平行设置，构成一行的焊盘110的边界是该直线部分的延长线。
焊盘110和检查标记120形成在同一层面(level)并由相同材料制成。焊盘110和检查标记120是导电材料(例如金属)从元件形成表面暴露的区域。
半导体装置100还具有半导体衬底(硅衬底101)和保护层(聚酰亚胺层105)，保护层由有机树脂制成，形成在硅衬底101上，其中在给定区域形成开口，开口的轮廓构成检查标记120的轮廓。有机树脂可以是聚酰亚胺或聚对苯撑苯并双噁唑(PBO)。尽管作为例子，在图1和2中有机树脂是聚酰亚胺，但有机树脂可以是PBO。在这种情况中，可以形成PBO层而不是聚酰亚胺层105。
下面更具体地描述半导体装置100的构造。
半导体装置100具有硅衬底101(图2)、形成在硅衬底101上的多层103(图2)以及形成在多层103上的焊盘110和检查标记120。焊盘110和检查标记120具有金属层，例如Al层，并具有在该层之上的聚酰亚胺层105中的开口。Al层形成区域108的边缘及其相邻区域由聚酰亚胺层105覆盖，而未被聚酰亚胺层105覆盖的区域是暴露的Al层区域107。焊盘110和检查标记120由相同的材料制成，并在同一层面中，具体是在同一层中。它们可以在同一步骤中形成。此外，给定数量的焊盘110和检查标记120独立设置在多层103上的预定位置。
聚酰亚胺层105充当钝化层并覆盖多层103的上表面。聚酰亚胺层105在要形成焊盘110和检查标记120的区域中具有开口。焊盘110和检查标记120的表面从开口中露出。
在平面图中，聚酰亚胺层105中的开口的轮廓是焊盘110和检查标记120的轮廓。焊盘110和检查标记120的平面形状分别为矩形。特别是，图1作为例子示出了检查标记120具有正方形平面形状的一种结构。一个焊盘110具有探针接触区域，作为用于形成探针标记111的区域，并具有用于焊接的焊接区域113。检查标记120设置在用于形成焊盘110的区域之外的区域中，与焊盘110分离，并担负探针标记111和焊接区域113之间的区域分离的责任。
关于检查标记120的尺寸，例如，矩形的一个边的长度可为15μm或更大，优选地为20μm或更大。它可以导致在检查标记120的生产稳定性和可见性方面的进一步改进。对于检查标记120的一个边的长度没有特定的上限限制，但是太长的长度可能导致检查标记120占据太大的区域。进一步考虑该方面，矩形的短边的长度可以为例如20μm到40μm(包含端值)。长边的长度可根据焊盘的尺寸进行适当选择。
半导体装置100具有多个焊盘110。该多个焊盘110在靠近硅衬底101的边缘的区域中沿硅衬底101的边缘排列在一条线上，使得矩形的长边的中心位于同一条线上(图1中的线P-P’)。关于探针标记111形成区域和焊接区域113之间的边界线(Q-Q’)，设置在一行中的多个焊盘110也位于同一条线上。
尽管在图1中示出了这样的构造，即在焊盘110中，焊接区域113的宽度(在垂直于P-P’的方向中的长度)小于探针标记111形成区域的宽度，但对于焊接区域113和探针标记111形成区域之间的面积大小关系没有特定限制。
下面，将描述制造半导体装置100的方法。
半导体装置100的制造方法包括以下步骤：制备图1和图2中所示的半导体装置；借助于检查标记120来检测边界(Q-Q’)，并根据检测的边界使测试探针与探针标记111形成区域相接触；以及在接触测试探针的步骤之后，根据检测的边界将用于外部连接的导体焊接到焊接区域113。用于外部连接的导体是例如用于丝焊连接的导体。
更具体地，半导体装置100可以使用之前已知的方法通过例如以下过程来制备。首先，在硅衬底101上形成多层103，在多层103上形成互连层、层间绝缘层等。然后，在最上面的层间绝缘层上形成Al层。随后，将Al层构图成焊盘110和检查标记120的形状。Al层的形状是这样的，即它从焊盘110和检查标记120的边缘向外延伸至给定的程度。
接下来，通过涂敷方法在构图的Al层的整个上表面上形成聚酰亚胺层105。然后，在聚酰亚胺层105上形成掩模图案，该掩模图案具有与焊盘110和检查标记120的形状相对应的平面形状。该掩模用于选择性地在用于形成焊盘110和检查标记120的区域中去除聚酰亚胺层105。这样，在聚酰亚胺层105中具有开口，从这些开口暴露出Al层，也就是说，Al层形成区域108的一部分成为暴露的Al层区域107。在上述过程之后，就提供了具有焊盘110和检查标记120的半导体装置。
接下来，将探针与焊盘110中的探针接触区域相接触，以观测探针标记。在此，检查标记120用来限定探针的探针标记111形成区域。具体地，检查标记120的外部边缘，即该图中的矩形的一个边的延长线(图1中的Q-Q’)，对应探针接触区域的一端，即探针标记111形成区域和焊接区域113之间的边界。因此，探针与该端的内表面相接触，并且然后在焊盘110上滑动。在该处理过程中，在探针标记111形成区域内的暴露的Al层区域107上形成探针标记111。如上所述，提供了图1所示的半导体装置100。
随后，当在探测之后观测到探针标记时，检查标记120用于目测判断。具体地，从检查标记120根据探针标记111是否形成在图1中边界Q-Q’的远侧(distal side)来决定产品发布(product release)。然后，发布的产品在焊盘110的焊接区域113中与用于外部连接的导电部件相结合。检查标记120再次用于检测探针标记111形成区域和焊接区域113之间的边界，以在检测的边界之内进行焊接。具体地，将焊线结合到焊接区域113。作为替换，焊线的末端可熔化成球，然后其结合到焊接区域113，然后抽出焊线以形成凸起。用于外部连接的导电部件的材料是金属，例如Al、Au和Cu。
下面描述半导体装置100(图1和2)的效果。
在图1和2示出的半导体装置100中，检查标记120从焊盘110分离。因此，在形成焊盘110的过程中，一个空白空间能够用于设置焊盘110。
焊盘110包括聚酰亚胺层105和从开口暴露的Al层，检查标记120形成区域的轮廓与聚酰亚胺层105中的开口的轮廓相同。因此，该构造对于探针标记111形成区域和焊接区域113之间的边界表现出极好的可见性。这样，探针标记111能够可靠地形成在给定区域之内，防止其形成在焊接区域113侧。因此，它能够防止在焊接区域113中由焊接与探针标记111重叠引起的焊接剥离。结果，能够抑制焊接过程中的缺陷，而得到更高的产品产率。
在半导体装置100中，构成检查标记120的一端的矩形的一个边标示探针111形成区域和焊接区域113之间的边界，并且该边界是在该矩形的一个边的延长线上。因此，能够更加可靠地检测边界的位置。此外，检查标记120的宽度对应探针111形成区域的宽度。因此，在探测中，它能够容易地确定焊盘110中的哪个区域是探针标记111形成区域，并且该边界是高度可见的。在这种构造中，不仅标示出边界，还标示出区域宽度，从而能够在给定区域内更可靠地进行探针接触或焊接。
在半导体装置100中，在焊接步骤中，能够在不形成检查标记120的区域一侧实现焊接，并且如上所述，边界是高度可见的，从而在焊接过程中，操作人员能够以可靠的方式可见地将导电部件结合在焊接区域113的边界之内。
对于半导体装置100，通过探测器根据使用检查标记120对探针标记111形成区域的边界和宽度的检测结果设定探测区域，而且，在探测之后确定探针标记中，根据检查标记120实现了目测判断。在焊接步骤中，也根据检查标记120来检测边界。因此，探测和焊接的位置都能可靠地检测到，并且这些步骤在边界内的给定区域中是可靠的。它能够便于确定是否在给定的探针标记111形成区域中进行了探测，以及由此由操作人员对探测位置进行目测判断。因此，能够通过目测来可靠地防止和控制芯片缺陷，从而在半导体装置100的制造方法中的晶片检查步骤中能够可见地检测外观缺陷。
在背景技术中所描述的日本专利公开No.2001-338955、美国专利No.6,713,881以及美国专利公开No.2004/0069988和2003/0197289所述的装置中，在焊盘中提供有例如突起的标记。因此，对一个焊盘形成标记(一对标记)是必需的。而且，由于一个标记仅在一个焊盘中提供边界位置信息，所以必须对所有焊盘形成突起。另外，如上所述，当实际尝试形成突起时，可能难以进行足够精细的处理来识别焊接区域和探针区域之间的边界。例如，根据我们的研究，当聚酰亚胺层105的厚度为大约5μm到6μm时，如果其宽度小于13μm，聚酰亚胺层105可能会塌倒(fall)。
相反，在半导体装置100中，检查标记120与焊盘110分离形成，并且检查标记120是占据给定面积的区域，以便消除对精细处理的需要，而这在日本专利公开No.2001-338955、美国专利No.6,713,881以及美国专利No.2004/0069988和2003/0197289中是需要的。因此，检查标记120能够可靠地形成，这导致更高的生产稳定性。此外，与焊盘110分离形成检查标记120允许在预定位置设置给定数量的焊盘110和检查标记120，并且能够改善平面构造中的自由度。半导体装置100具有多个焊盘110，并且一个检查标记120为该多个焊盘110中的每一个标示出边界。因此，通过为多个焊盘110形成一个检查标记120，能够简化整个装置的构造。
此外，在半导体装置100中，焊盘110和检查标记120形成在同一层面中并由相同的材料制成，从而焊盘110和检查标记120能够在一个步骤中形成，这导致生产过程的简化。
尽管图1示出了三个焊盘110排列在一条直线上并且一个检查标记120提供在两个相邻的焊盘110之间，但焊盘110和检查标记120的数量和位置不限于图中的那些，只要检查标记120的轮廓(即其外部边缘)这样设置，使它标示出该行中焊盘110的焊接区域113或探针标记111形成区域的端部的位置。
图3和4示意出了焊盘110和检查标记120的平面布置的其他例子。
在图3中，多个焊盘110在接近划片(scribe)中心115的预定位置设置在一条直线上，检查标记120提供在相邻焊盘110之间的具有足够空间的区域中。这样，通过与焊盘110分离形成检查标记120，检查标记120能够设置在不提供焊盘110的空间区域中。因此，能够有效地使用硅衬底101上的空间。
图4示出了在一行焊盘110中位于两端的焊盘110的每一个的外侧设置一个检查标记120的例子。可以在不形成焊盘110的区域中为一行焊盘110提供至少一个检查标记120，如图4所示，可以在一行焊盘110的两端设置一对检查标记120。这样，能够从一个检查标记120侧到另一个检查标记120进行探测器扫描，在此能够在探测器扫描过程中检测到存在的未对准情况。当检测到未对准时，检查标记120能够用于校正探测器位置。因此，能够进一步提高探测器的对准精度。
示出的半导体装置100具有焊盘110，焊盘110具有与探针标记111形成区域相对应的平面形状，其设置在两个相邻的探针标记111形成区域之间，用于标示探针标记111形成区域的宽度，但是它可以具有用焊盘110标示焊接区域113的宽度的构造。
图5是示出这样一个半导体装置的构造的平面图。在图5以及图6到9所示的半导体装置中，没有示出硅衬底101和多层103。
图5所示的半导体装置130具有检查标记122，其取代图1所示的检查标记120。检查标记122除了具有与焊接区域113的平面形状相对应的平面形状之外，具有如对图1所示的检查标记120所述的基本构造。此外，在图5中，检查标记122设置在两个相邻的焊接区域113之间，并且在检查标记122的外部边缘中，矩形的一个边标示出焊接区域113的端部(图5中的Q-Q’)，检查标记122的宽度标示出焊接区域113的宽度。图5中的半导体装置130与图1中的半导体装置100一样有效。
在以下实施例中，主要描述与实施例1的不同。
实施例2
根据实施例1的半导体装置(图1到图5)，描述了检查标记是用于一行焊盘110的一个边界的标记的构造，但一个检查标记可以标示多个边界。
图6是示出根据本实施例的半导体装置的构造的平面图。
图6所示的半导体装置150具有这样的构造，即焊接区域113和探针标记111形成区域沿一行焊盘的延伸交替排列，并且一个检查标记140标示出构成该行的一个焊盘110的边界(Q-Q’)和与一个焊盘相邻的另一个焊盘112的边界(R-R’)。
在图6所示的半导体装置150中，焊盘110和焊盘112在同一条直线(P-P’)上交替排列。尽管焊盘110和焊盘112具有相同的平面形状，但焊盘112具有这样的构造，即相对于中心线P-P’，探针标记111形成区域和焊接区域113形成区域形成在焊盘110的相反侧。换言之，焊接区域113相对于中心线P-P’以Z形或交错方式布置。
在这种构造中，除了焊盘110中探针标记111形成区域和焊接区域113之间的边界之外，检查标记140还必须标示出焊盘112中探针标记111形成区域和焊接区域113之间的边界。传统的标记不具有这种构造，因此尝试进行Z形探测可能导致在焊盘110或焊盘112中的焊接区域113侧形成探针标记111。
因此，半导体装置150具有这样的构造，即一个检查标记140提供有第一暴露Al层区域117和第二暴露Al层区域119。第一暴露Al层区域117和第二暴露Al层区域119都具有矩形平面形状，其与图1所示的半导体装置100的检查标记120中的暴露Al层区域107的形状相同。
通过形成平面检查标记140，其中两个暴露Al层区域分别设置在中心线P-P’的两侧，能够借助于第一暴露Al层区域117的一边识别焊盘110中的探针标记111形成区域和焊接区域113之间的边界Q-Q’，而且能够借助于第二暴露Al层区域119的一边识别与焊盘110相邻的焊盘112中的探针标记111形成区域和焊接区域113之间的边界R-R’。因此，即使在相对于中心线P-P’的Z形探测中，也能够防止在焊接区域113中形成探针标记111，这导致生产稳定性的提高。此外，由于检查标记140还与焊盘110和焊盘112分离，例如在图1所示的检查标记120中那样，该实施例与实施例1一样有效。
在半导体装置150中，一个暴露Al层区域对应一个边界，从而与下面结合图7描述的构造相比，能够更充分保证用于在聚酰亚胺层105中形成开口的区域。因此，能够更可靠地在聚酰亚胺层105中形成开口。
在半导体装置150中，能够在纵向(P-P’)上在整个检查标记140形成区域中形成第一暴露Al层区域117和第二暴露Al层区域119，从而与下面结合图8和9所述的构造相比，能够更容易地检测探针标记111形成区域和焊接区域113之间的边界。
尽管在图6中描述了在一个焊盘中形成两个暴露Al层区域的构造，但在一个焊盘中的一个暴露Al层区域也可以标示出焊盘110的多个边界。图7和9是示出这种半导体装置的构造的平面图。
在图7所示的导体装置160中，检查标记124具有矩形平面形状，检查标记124的一个边在边界Q-Q’上，另一个边在边界R-R’上。检查标记124中的两个相反侧标示出能够识别的边界Q-Q’和R-R’，从而该装置与图6所示的半导体装置150一样有效。此外，检查标记124具有比半导体装置150更简单的构造。
尽管图6示出了第一暴露Al层区域117和第二暴露Al层区域119在垂直于中心线P-P’的直线上排列的构造，但第一暴露Al层区域117和第二暴露Al层区域119可以相对于垂直中心线P-P’的直线倾斜设置。
图8是示出具有这种焊盘的半导体装置的构造的平面图。图8所示的半导体装置170除了第一暴露Al层区域117和第二暴露Al层区域119倾斜设置在检查标记142中之外，具有与图6所示的半导体装置150一样的基本构造。在该构造中，第一暴露Al层区域117和第二暴露Al层区域119的端部之间的最小距离大于图6的半导体装置150中的检查标记140中的距离。因此，能够更可靠地在聚酰亚胺层105中形成开口。
同样，在上面结合图7所述的采用一个检查标记的构造中，标示边界Q-Q’的直线区域能够相对于标示边界R-R’的直线区域倾斜设置。图9是示出这种半导体装置的构造的平面图。
图9所示的半导体装置180具有这样的构造，即它具有在一个检查标记126中提供有一个暴露Al层区域107的平面形状，并且暴露Al层区域107的外部边缘具有台阶，其标示出边界Q-Q’和R-R’。因此，与图7所示的半导体装置160中的检查标记124相比，暴露Al层区域107可具有更充足的区域。因此，能够进一步提高在聚酰亚胺层105中形成开口时的生产稳定性。
尽管结合附图描述了本发明的实施例，但它们仅是示例性的，并且可以采用除所述的那些之外的各种变型。
例如，尽管在上述实施例中描述了在焊盘110上形成钝化层以及检查标记是聚酰亚胺层105的构造，但取代有机绝缘层(例如聚酰亚胺层)，钝化层可以从氧化物层(例如SiO₂)和氮化物层(例如SiN)中选择。钝化层可以是单层或层叠有多个层的多层。在上述实施例中，检查标记与焊盘110分离提供，这导致更高的生产稳定性，即使在使用这种钝化层时。
构成检查标记和焊盘110的导电层不限于Al层，可以是包括金属层的另一种层，例如Au层和Cu层。
尽管在上述实施例中描述了这样的构造，即Al层形成区域108的一部分覆盖聚酰亚胺层105，并且聚酰亚胺层105中开口的轮廓与检查标记的轮廓相同，但可以使用以下构造，即Al层形成区域108的整个表面暴露，并且Al层形成区域108的轮廓与检查标记的轮廓相同。
尽管在上述实施例中主要描述了检查标记具有矩形平面形状的构造，但检查标记的形状不限于矩形或图9所示的具有直线区域的形状。例如，在图1所示的半导体装置100中，检查标记120可以具有宽度等于探针标记111的宽度的椭圆形状，其中探针标记111形成区域和焊接区域113之间的边界在该椭圆的长轴的切线的延长线上。检查标记具有例如矩形或如图9所示具有直线区域的形状的平面形状，从而边界能够设置在检查标记的轮廓中的直线区域的延长线上，得到一种能够更可靠地检测边界的构造。
很显然，本发明不限于上述实施例，它们可以修改和变化，而不脱离本发明的范围和要旨。