掩模板用基板、 掩模板以及光掩模 【技术领域】
本发明涉及掩模板用基板， 特别是涉及用于制造 FPD 设备的大型掩模板用基板。背景技术 近年的电子器件， 特别是半导体元件和液晶显示器用的彩色滤光片或 TFT 元件 等， 伴随着 IT 技术的迅速发展， 要求更加微细化。支持这样的微细加工技术的技术之一是 使用被称作转印掩模的光掩模的光刻技术。在该光刻技术中， 使曝光用光源的电磁波乃至 光波通过光掩模对带抗蚀剂膜的硅片等进行曝光， 由此在硅片上形成微细的图形。该光掩 模的制造通常通过以下方式进行 ： 在透光性基板上形成有遮光性膜等薄膜的掩模板上， 利 用光刻技术对所述薄膜印刻图形， 由此形成作为转印图形的薄膜图形。
然而， 为了实现图形的微细化， 成为用于制造光掩模的原版的掩模板的品质的提 高也极其重要。 在半导体用的光掩模中， 对基板的主表面进行镜面研磨， 并且对在基板的主 表面的周缘形成的端面也实施研磨以使其成为规定的镜面。 然而， 在液晶显示器、 有机电致 发光显示器、 等离子显示器等平板显示器 (FPD ： Flat Panel Display) 的大型光掩模中， 在 当初开发时， 并未要求将端面做成镜面， 因此端面保持粗糙面的状态。这样， 在端面为粗糙 面的情况下， 附着于端面的研磨剂或玻璃成分等污垢通过清洗无法彻底去除， 因此在清洗 后会从该处剥离并附着于基板的主表面或附着于在主表面上形成的薄膜或抗蚀剂膜， 从而 成为产生颗粒的原因， 这成为成品率降低的原因。
图 4 是示出大型掩模板用基板的立体图。该大型掩模板用基板 10 具有正反两个 主表面 11 和四个端面 T。 为了解决引起上述成品率变差的问题而考虑将大型掩模板用基板 10 的端面 T 做成镜面。
然而， 在当初开发大型掩模板用基板 10 时， 由于对大型掩模板用基板 10 的处理难 以机械化， 因此是用人手夹持端面 T 的方式进行把持。在该情况下， 存在在搬运端面 T 时， 会在搬运用手套与大型掩模板用基板 10 之间产生滑动， 无法把持大型掩模板用基板 10 这 样的问题。
为了解决上述问题而提出有以下方案 ： 对于曝光用大型基板， 例如将端面做成一 定的表面粗糙度， 以使在基板润湿的状态下由人把持时不致滑落， 具体而言， 将端面的表面 粗糙度 Ra 做成 0.05μm ～ 0.4μm 左右 ( 日本特开 2005-37580 号公报 ( 专利文献 1))， 或 者将端面的表面粗糙度 Ra 做成例如 0.03μm ～ 0.3μm 左右 ( 日本特开 2005-300566 号公 报 ( 专利文献 2))。
专利文献 1 ： 日本特开 2005-37580 号公报
专利文献 2 ： 日本特开 2005-300566 号公报 ( 日本专利第 3934115 号公报 )
在专利文献 1、 2 记载的曝光用大型基板中， 在当初申请时， FPD 用等大型光掩模存 在的问题是， 上述其他问题比因转印图形线宽度较宽、 在掩模板上附着有微小的颗粒而引 起的恶劣影响更加重要。
然而， 此后， 对于大型光掩模， 转印图形线宽度的微细化不断发展， 而颗粒的影响
则变得难以忽视。并且， 随着 FPD 等的大型化和 FPD 制造的效率化， 掩模板的大型化不断进 步。与此相伴， 在现有的对端面四周进行粗糙面研磨 ( 不进行镜面研磨 ) 的情况下， 或将端 面 T 的表面粗糙度 Ra 做成 0.03μm ～ 0.4μm 左右的情况下 ( 专利文献 1、 2)， 则存在基板 研磨时来自端面的玻璃屑的产生比以往还有所增加的问题。 发明内容
本发明是为了解决上述问题所做出的， 其目的在于， 提供一种抑制研磨时来自端 面的玻璃屑或研磨剂残留物等颗粒的产生， 以及将伴随于此的表面缺陷发生率抑制到较低 的掩模板用基板。
本发明人们弄清了以下事实。图 5A ～图 5C 是用于说明玻璃屑的产生的图， 图 5A 是示出主表面研磨时 ( 主表面向右旋转 ) 的状态的俯视图， 图 5B 是示出主表面研磨时 ( 主 表面向左旋转 ) 的状态的俯视图， 图 5C 是主表面研磨时的端面及托板的侧视图。如该图所 示， 基板 10 在由托板 31 的基板保持部 31a 保持的状态下， 通过托板 31 绕与旋转基板的中 心同轴地旋转且由基板保持部 31a 的侧壁按压端面 T， 从而基板 10 在上下平台上旋转。并 且， 为了对基板 10 的正反双方的主表面 11 进行研磨， 而在具有研磨面 34 的上平台 32 与具 有研磨面 35 的下平台 33 之间施加规定的压力以进行夹持。 用托板 31 的基板保持部 31a 的 侧壁对处于被摩擦力较高的两个研磨面夹持而被加压的状态下的基板 10 按压端面 T， 由此 对端面 T 施加较大的力。并且， 通过以基板 10 的中心为轴进行旋转， 从而不对端面 T 的整 个面施加相等的力， 而是从基板对称线 11a 开始对旋转前进方向侧的一半的区域， 例如图 5A 所示， 在使基板 10 顺时针旋转的情况下， 几乎所有的力都施加于端面 T 的区域 T1。而且 形成为以下的载荷分布 ： 即使在相同的区域 T1 内， 所施加的力也是从基板对称线 11a 朝向 端面彼此连接的角部 P 附近逐渐增大。另外， 在使基板 10 逆时针旋转的情况下， 如图 5B 所 示， 这次是在端面 T 的区域 T2 形成具有同样倾向的载荷分布。由于对同一基板 10 的研磨， 进行顺时针和逆时针两种研磨， 因此对区域 T1、 T2 均施加有载荷。因此， 在对基板 10 的主 表面 11 的研磨过程中， 对从区域 T1 和区域 T2 的角部 P 起具有规定长度的区域 ( 即， 从各 端面 T 的基板的角部 P 起在主表面的边方向上具有规定长度的区域 )， 施加有非常强的力。 进而， 为了研磨主表面 11， 上平台 32 与下平台 33 均以同轴旋转。在上下平台 32、 33 的旋 转方向与基板 10 的旋转方向是不同的方向的情况下， 通过使基板 10 向与在被加压的状态 下接触的摩擦力较高的研磨面 34、 35 的旋转方向相反的方向旋转， 从而对从区域 T1 和区域 T2 的角部 P 起具有规定长度的区域施加较强的力。
即使在大型掩模板用基板 10 的主表面 11 的两面研磨的情况下， 用上平台 32 和下 平台 33 对基板 10 施加的每个单位面积的压力， 也施加与在 LSI 掩模板用玻璃基板的主表 面的两面研磨的情况下相同程度的压力。 也就是说， 由于大型掩模板用基板 10 的主表面 11 的面积相当大， 因此作用的载荷也非常大。另一方面， 对于端面的主表面侧 ( 长边侧 ) 的长 度与厚度 ( 短边侧的长度 ) 的比率， 大型掩模板用基板 10 的比 LSI 基板的大。也就是说， 大型掩模板用基板 10， 端面相对于主表面的面积比率较小， 因而对其施加的力大于对 LSI 掩模板用基板施加的力。由于虽然尺寸增大但厚度并不那么大， 因此该端面相对于主表面 的面积比率更显著。
当在对现有的端面四周进行粗糙面研磨 ( 不进行镜面研磨 ) 的情况下或将表面粗糙度 Ra 做成 0.03μm ～ 0.4μm 左右的情况下 ( 专利文献 1、 2)， 对端面 T 施加较强的力时， 表面的微小凸部剥落而产生玻璃屑。 根据这些验证， 本发明人们得出以下结论 ： 由于大型掩 模板用基板的尺寸的大型化不断发展， 由于两面研磨时被托板 31 的基板保持部 31a 的侧壁 按压而对从各端面 T 的基板的角部起在主表面的边方向上具有规定长度的区域施加的力 持续增大， 由此玻璃屑的产生率也增大。并且得出以下结论 ： 对于端面 T 的中央侧区域， 基 板尺寸的大型化对由做成基板的粗糙面所引起的玻璃屑的产生率几乎未造成任何影响。 而 且本发明人们发现 ： 通过将各端面 T 的中央侧区域的一部分做成粗糙面， 而将从基板的角 部 P 起在主表面的边方向上具有规定长度的区域做成表面粗糙度 0.5nm 以下的镜面， 就能 够抑制玻璃屑的产生， 并能够大幅度地抑制与其相伴的基板主表面的表面缺陷 ( 划痕 ) 的 发生率。
在本发明中， 至少对端面 T 的四角侧附近的角部侧区域进行本申请规定的镜面研 磨， 并对端面 T 的中央侧的中央侧区域进行粗糙面研磨， 存在以下两个理由。
(1) 对于无法对端面 T 的整个面进行镜面研磨的大型掩模板用基板 10， 抑制玻璃 屑的产生以及研磨剂残留物的发尘， 实施表面缺陷对策或发尘对策。
(2) 缩短基板的加工时间。
与对端面 T 的整个面进行镜面研磨的情况相比， 能够缩短镜面研磨的加工时间。 其结果能够实现加工的成本降低。
在大型掩模板的制造工序中， 在对基板的端面 T 实施了本申请规定的镜面研磨之 后， 投入对主表面 11 的研磨工序， 由此能够获得抑制玻璃屑的产生以及将与其相伴的表面 缺陷发生率抑制到较低的效果。并且， 还能够获得降低研磨残留物等颗粒产生的效果。发 明人们进行的试验的结果确认了 ： 通过只对与保持基板的研磨托板牢固地接触的部分亦即 基板的四个角附近进行本申请规定的镜面研磨， 由此能够充分地获得上述效果。
本发明具有以下构成。
( 构成 1) 一种掩模板用基板， 是由正反两个主表面和四个端面构成的薄板， 在所 述端面与所述主表面之间具有倒角面， 该掩模板用基板的特征在于，
所述主表面的一条边的长度为 500mm 以上，
所述端面包括 ： 从相邻的端面相接的角部起在主表面侧的边方向上具有规定长度 的范围的区域亦即两个角部侧区域、 和被这两个角部侧区域夹着的中央侧区域，
所述角部侧区域的端面是表面粗糙度 Ra 为 0.5nm 以下的镜面，
所述中央侧区域是粗糙面。
( 构成 2) 根据构成 1 所述的掩模板用基板， 其特征在于， 所述中央侧区域是表面粗 糙度 Ra 为 50nm 以上的粗糙面。
( 构成 3) 根据构成 1 或 2 所述的掩模板用基板， 其特征在于， 所述规定长度为 100mm 以上。
( 构成 4) 根据构成 1 或 2 所述的掩模板用基板， 其特征在于， 所述主表面的一条边 的长度为 1000mm 以上， 所述规定长度为 150mm 以上。
( 构成 5) 根据构成 1 至 4 中的任一项所述的掩模板用基板， 其特征在于， 所述中央 侧区域包括搬运基板时被把持的区域。
( 构成 6) 根据构成 1 至 4 中的任一项所述的掩模板用基板， 其特征在于， 在制造平板显示器的光掩模板时使用。
( 构成 7) 一种掩模板， 其特征在于， 在构成 1 至 5 中的任一项所述的掩模板用基板 的主表面上具有薄膜。
( 构成 8) 一种光掩模， 其特征在于， 在构成 1 至 5 中的任一项所述的掩模板用基板 的主表面上具有薄膜图形。
下面， 对本发明进行详细说明。
本发明的掩模板用基板是由正反两个主表面和四个端面构成的薄板， 在所述端面 及所述主表面之间具有倒角面， 其特征在于，
所述主表面的一条边的长度为 500mm 以上，
所述端面包括 ： 从相邻的端面彼此相接的角部起在主表面的边方向上具有规定长 度的范围的区域亦即两个角部侧区域、 和被这两个角部侧区域夹着的中央侧区域，
所述角部侧区域的端面是表面粗糙度 Ra 为 0.5nm 以下的镜面，
所述中央侧区域是粗糙面 ( 构成 1)。
本发明的掩模板用基板是由正反两个主表面和四个端面构成的薄板， 并且在端面 及主表面之间具有倒角面 ( 构成 1)。 例如， 如图 1C 所示， 在本发明中， 是由正反两个主表面 11 和四个端面 T 构成的薄 板， 并且在端面 T 及主表面 11 之间具有倒角面 C。
并且， 在本发明的掩模板用基板中， 主表面 11 的一条边的长度为 500mm 以上 ( 构 成 1)。
例如， 如图 1B 所示， 在本发明中， 短边 L2 的长度为 500mm 以上。
并且， 在本发明的掩模板用基板中， 端面包括 ： 从端面彼此连接的角部起在主表面 侧的边方向上具有规定长度的范围的角部侧区域、 和被两个角部侧区域夹着的中央侧区域 ( 构成 1)。
例如， 如图 1A 所示， 在本发明中， 端面 T 包括 ： 从端面 T 彼此连接的角部起在主表 面 11 的长边 L1 方向上具有规定长度 ( 边 L4 的长度 ) 的范围的角部侧区域 13、 和被两个角 部侧区域 13 夹着的中央侧区域 14。
并且， 在本发明的掩模板用基板中， 角部侧区域的端面是表面粗糙度 Ra 为 0.5nm 以下的镜面 ( 构成 1)。
例如， 如图 1A 所示， 在本发明中， 角部侧区域 13 的端面 T 是表面粗糙度 Ra 为 0.5nm 以下的镜面。另外， 当角部侧区域的端面 T 的表面粗糙度 Ra 为 0.3nm 以下时， 能够进一步 降低颗粒的产生率， 因此是更优选的。
并且， 在本发明的掩模板用基板中， 中央侧区域是粗糙面 ( 构成 1)。
例如， 如图 1A 所示， 在本发明中， 中央侧区域 14 是粗糙面。
这样， 在本发明中， 在特定尺寸 ( 一条边的长度为 500mm 以上 ) 的掩模板用基板 中， 将四个端面的角部侧区域做成镜面， 而将四个端面的中央侧区域做成了粗糙面。 这是为 了将搬运、 玻璃屑的问题全部解决。即， 由于中央侧区域的一部分区域成为粗糙面， 因此能 够解决搬运的问题。并且， 由于从托板 31 的基板保持部 31a 的侧壁承受的力较大的角部侧 区域成为镜面， 因此也能够解决玻璃屑的问题。
并且， 优选为， 在本发明的掩模板用基板中， 中央侧区域是表面粗糙度 Ra 为 50nm
以上的粗糙面 ( 构成 2)。这是为了能够更有效地解决搬运的问题。其中， 作为做成粗糙面 的中央侧区域的表面粗糙度 Ra 的上限， 优选为 400nm。当表面粗糙度 Ra 比 400nm 粗糙时， 则颗粒的产生率的问题变得显著。并且， 当将做成粗糙面的中央侧区域的表面粗糙度 Ra 做 成 300nm 以下时， 能够进一步实现降低颗粒的产生率， 进而， 表面粗糙度 Ra 为 200nm 以下是 最佳的。
并且， 在本发明的掩模板用基板中， 优选规定长度为 100mm 以上 ( 构成 3)。 这是为 了能够更有效地解决玻璃屑的问题。
并且， 优选为， 在本发明的掩模板用基板中， 主表面的一条边的长度为 1000mm 以 上， 所述规定长度为 150mm 以上 ( 构成 4)。这是为了在主表面的一条边的长度为 1000mm 以 上的情况下， 从托板 31 的基板保持部 31a 的侧壁承受的力较大的区域扩大， 当将规定长度 做成 150mm 以上时， 能够更有效地解决搬运、 玻璃屑的问题。 另外， 当将规定长度做成 200mm 以上时， 能够进一步降低玻璃屑和颗粒的产生率， 因此是优选的。 另外若不存在搬运上的问 题或基板检测的问题， 则将规定长度做成 300mm 以上时， 能够进一步降低玻璃屑及颗粒的 产生率， 因此是最佳的。
并且， 优选为， 在本发明的掩模板用基板中， 中央侧区域包括搬运基板时被把持的 区域 ( 构成 5)。这是为了当中央侧区域包括搬运基板时被把持的区域时， 能够更有效地解 决搬运的问题。 此外， 在大型掩模板的缺陷检查装置、 检查在大型掩模上形成的转印图形的掩模 检查装置、 在将转印图形曝光描绘在形成于掩模板的抗蚀剂膜上的扫描装置、 曝光装置等 中， 有时是将光照射端面 T 来检测工作台上有无大型掩模板或大型掩模。在该情况下， 预先 将中央侧区域做成粗糙面是有效的。
并且， 本发明的掩模板用基板也可以在制造平板显示器的光掩模板时使用 ( 构成 6)。
并且， 在本发明的掩模板用基板中， 可以在主表面上具有薄膜 ( 构成 7)。
并且， 本发明的掩模板用基板， 可以在主表面上具有薄膜图形 ( 构成 8)。
在本发明涉及的掩模板用基板中， 在基板主表面的研磨工序时， 通过对端面中也 作用非常大的力的基板的四个角附近的角部区域也进行镜面研磨， 从而能够大幅度地降低 玻璃屑的产生率， 并将表面缺陷发生率抑制到较低， 并且在基板主表面的研磨工序时， 通过 将作用有较小程度的力的基板的中央侧区域做成粗糙面， 从而能够提供易于进行搬运时等 处理的掩模板用基板。
附图说明
图 1A 是示出本发明涉及的掩模板用基板的构造的侧视图。 图 1B 是示出本发明涉及的掩模板用基板的构造的俯视图。 图 1C 是示出本发明涉及的掩模板用基板的构造的侧面的局部放大图。 图 2 是用于说明对端面进行镜面研磨的方法的图。 图 3A 是用于对本发明涉及的主表面的研磨工序的概要进行说明的俯视图。 图 3B 是用于对本发明涉及的主表面的研磨工序的概要进行说明的侧视图。 图 4 是示出大型掩模板用基板的立体图。图 5A 是用于说明玻璃屑的产生的图， 是示出主表面研磨时 ( 主表面向右旋转 ) 的 状态的俯视图。
图 5B 是用于说明玻璃屑的产生的图， 是示出主表面研磨时 ( 主表面向左旋转 ) 的 状态的俯视图。
图 5C 是用于对玻璃屑的产生进行说明的图， 是主表面的研磨时的端面及托板的 侧视图。 具体实施方式
( 实施方式 1)
首先， 利用图 1A ～图 1C、 图 2， 对本发明涉及的掩模板用基板的构造进行说明。图 1 是示出本发明涉及的掩模板用基板的构造的图， 图 1A 是掩模板用基板的侧视图， 图 1B 是 俯视图， 图 1C 是侧面的局部放大图。如图 1C 所示， 本实施方式涉及的掩模板用基板 10 是 由正反两个主表面 11 和四个端面 T 构成的薄板， 在端面 T 与主表面 11 之间具有倒角面 C。 如图 1B 所示， 主表面 11 是具有一对长边 L1( 长边 L1 的长度 ： 800mm) 和一对短边 L2( 短边 L2 的长度 ： 500mm) 的大致矩形形状。 如图 1A、 1C 所示， 端面 T 包括 ： 从端面彼此连接的角部 起在主表面 11 的边方向上具有 100mm( 边 L4 的长度 ： 规定长度 ) 的范围的角部侧区域 13、 和夹在两个角部侧区域 13 之间的中央侧区域 14， 角部侧区域 13 的端面 T 是表面粗糙度 Ra 为 0.1nm 的镜面， 中央侧区域 14 是粗糙面。 并且， 该掩模板用基板 10 的侧面 12 具有倒角面 C 和夹在两个倒角面之间的端面 T。 并且端面 T 是具有一对长边 ( 长边 L1 或短边 L2) 和一对短边 L3( 短边 L3 的长度 ： 8.2mm) 的大致矩形形状。另外， 将中央侧区域 14 作为搬运基板时被把持的区域。如图 1B 所示， 当 从基板的上面观察该状态时， 只有基板的四个拐角部分 ( 对应于角部侧区域 13 的部分 ) 被 镜面研磨。另外， 中央侧区域 14 做成表面粗糙度 Ra 为 50nm 的粗糙面， 侧面 12 的长度 ( 基 板的厚度 ) 为 10mm。
在本发明中， 大型掩模板用基板 10 是指矩形基板或正方形基板的一条边 ( 优选为 各条边 ) 为 500mm 以上的情况。现状下， 大型掩模板用基板 10 具有短边 L2× 长边 L1 在 500mm×800mm ～ 2140mm×2460mm 的范围内的各种尺寸， 厚度 ( 侧面 12 的长度 ) 是 10mm ～ 15mm。特别是当基板的长边 L1 的大小为 800mm 以上时， 则在端面的角部侧区域作用的力变 得相当大， 进而当达到 1200mm 以上时则在端面的角部侧区域作用的力变得非常大， 因此应 用本申请发明所获得的效果也非常大。
并且， 在本发明中， 将表面粗糙度 Ra 在 0.5nm 以下的面称作规定的镜面， 将表面粗 糙度 Ra 在 50nm 以上的面称作规定的粗糙面。
如上所述， 本实施方式是以表面粗糙度 Ra 为 0.1nm 对构成端面 T 的角部侧区域 13 进行镜面研磨， 以表面粗糙度 Ra 为 50nm 对中央侧区域 14 进行粗糙面研磨的掩模板用基板 10 的一个例子。
接下来， 对本实施方式涉及的掩模板用基板的制造方法进行说明。在该掩模板用 基板 10 的制造方法中的镜面研磨工序中， 在实施了对端面进行镜面研磨的工序之后， 实施 研磨主表面的工序。
首先， 利用图 2 说明对端面进行镜面研磨的工序。图 2 是用于说明对端面进行镜
面研磨的方法的图。如该图所示， 使用杯式刷 21 对角部侧区域 13( 该图中的斜线部 ) 进行 镜面研磨。并不局限于此， 只要是能够对角部侧区域 13 进行镜面研磨的研磨方法， 则可以 使用其他任何研磨方法。
接下来， 利用图 3A、 图 3B， 说明对主表面进行镜面研磨的工序。图 3 是用于对本发 明涉及的主表面的研磨工序的概要进行说明的图， 图 3A 示出俯视图， 图 3B 示出侧视图。如 该图所示， 用托板 31 来保持基板 10 的端面 T， 在被上下对置地设置的上平台 32 的研磨面 34 与下平台 33 的研磨面 35 之间， 以使基板 10 的两个主表面 11 与其接触的方式夹持基板 10。然后， 将相对于上下平台的研磨面 34、 35 垂直的上下平台的垂直轴作为旋转轴 O1、 O2， 使上下平台 32、 33 分别旋转， 并且将基板 10 的自转轴 O3 设定成相对于下平台的旋转轴 O2 平行并偏心、 且基板 10 的一部分位于下平台的旋转轴 O2 上， 通过使托板 31 旋转而使基板 自转。通过上下平台的研磨面 34、 35 与基板的两个主表面 11 互相接触并且相对地移动， 由 此对基板的两个主表面 11 进行研磨。在研磨工序时， 将作用于基板 10 的两个主表面 11 的 2 压力设定为 100g/cm 。
另外， 这样的主表面 11 的研磨工序可以进行多次， 还可以进行内容各自不同的主 表面 11 的研磨工序。例如， 可以在研磨面 34、 35 上使用由硬质研磨材料 (polisher) 构成 的研磨布先进行第一研磨工序， 然后， 在研磨面 34、 35 上使用由软质研磨材料构成的研磨 布进行第二研磨工序。通过以该方式反复多次进行主表面 11 的研磨工序， 从而能够制造具 有更高的平坦度的掩模板用基板 10， 因此是优选的。
对完成了研磨工序的基板 10 进行了规定的清洗工序之后， 进行了缺陷检查， 结果 表明， 在基板主表面上检测出表面缺陷的基板的发生率能够降低到 3％左右， 并且检测出颗 粒的发生率也能够降低到 5％左右， 能够获得非常高的成品率。
在本实施方式涉及的掩模板用基板 10 和掩模板用基板 10 的制造方法中， 由于只 对端面 T 的四角侧进行镜面研磨， 因此能够防止玻璃屑的产生或脱落， 并且能够防止颗粒 的附着或脱落。其结果， 能够提高掩模板用基板 10 的研磨成品率、 清洗成品率。
另外， 通过对端面 T 的中央侧区域 14 进行粗糙面研磨而获得以下的效果。
(1) 能够缩短基板的端面的镜面研磨所花费的加工时间。
(2) 在由人手进行搬运的情况下， 能够无任何问题地进行。
( 实施方式 2)
在本实施方式中， 将长边 L1 的长度设为 1220mm， 短边 L2 的长度设为 1400mm， 短边 L3 的长度设为 10.6mm， 边 L4 的长度设为 150mm， 基板的厚度设为 13mm， 角部侧区域 13 的表 面粗糙度 Ra 设为 0.05nm， 中央侧区域 14 的表面粗糙度 Ra 设为 500nm( 表面粗糙度 Ra 为 500nm 的表面， 在目视下为模糊的表面 )， 中央侧区域 14 包括在将基板载置于曝光装置的掩 模工作台 52 上时照射用于检测光掩模的检测光的区域。并且， 不用人手而是使用机器来进 行搬运。 对于其他的构成以及掩模板用基板 10 的制造方法， 由于与上述的实施方式 1 相同， 因此在此省略说明。
对完成了研磨工序的基板 10 进行了规定的清洗工序以后， 进行缺陷检查， 结果表 明， 在基板主表面检测出表面缺陷的基板的发生率能够降低到 3％左右， 并且检测出颗粒的 发生率也能够降低到 5％左右， 能够实现非常高的成品率。
在本实施方式涉及的掩模板用基板 10 及掩模板用基板 10 的制造方法中， 也能够获得与上述的实施方式 1 同样的效果。
( 比较例 1)
在本比较例中， 将尺寸为 500mm×800mm、 厚度为 10mm 的掩模板用基板 10 的端面整 个面做成表面粗糙度 Ra 为 50nm 的粗糙面。
然后， 利用与上述的实施方式同样的研磨方法对掩模板用基板 10 的两个主表面 11 进行了镜面研磨。
对完成了研磨工序的基板 10 进行了规定的清洗工序之后， 进行缺陷检查， 结果表 明， 在基板主表面检测出表面缺陷的基板的发生率提高到 20％左右， 检测出颗粒的发生率 也提高到 30％左右， 成为较低的成品率。
另外， 用戴有搬运用手套的手试着搬运， 结果表明 ： 在搬运用手套与大型掩模板用 基板 10 之间非常容易滑动， 十分危险， 因此欠缺实用性。
( 比较例 2)
在本比较例中， 将尺寸为 1220mm×1400mm、 厚度为 13mm 的掩模板用基板 10 的端面 整个面做成表面粗糙度 Ra 为 1.0nm 的镜面。
然后， 利用与上述的实施方式同样的研磨方法对掩模板用基板 10 的两个主表面 11 进行了镜面研磨。 对完成了研磨工序的基板 10 进行了规定的清洗工序之后， 进行缺陷检查， 结果表 明， 在基板主表面检测出表面缺陷的基板的发生率提高到 30％左右， 检测出颗粒的发生率 也提高到 40％左右， 成为较低的成品率。
另外， 用戴有搬运用手套的手试着搬运， 结果发现 ： 基板 10 的重量非常重， 且在搬 运用手套与大型掩模板用基板 10 之间发生滑动而无法把持大型掩模板用基板 10。
另外， 虽然在上述的实施方式中是将中央侧区域 14 的整体做成粗糙面， 但是在尺 寸比较小的大型掩模板用基板上确定了用于进行搬运的把持的区域的情况下， 也可以将除 中央侧区域 14 的那些确定区域外的区域的端面 T， 做成与角部侧区域相同程度或超过角部 侧区域的表面粗糙度的镜面。 进而， 在使用机械或夹具进行搬运而使基板移动的情况下， 若 利用所述的基板检测的关系而预先决定了必需做成粗糙面的中央侧区域 14 的特定区域， 则不局限于基板的大小， 也可以只将中央侧区域 14 的必需做成粗糙面的区域， 做成具有所 述表面粗糙度的粗糙面， 而将除此以外的中央侧区域 14 做成与角部侧区域相同程度或超 过其的表面粗糙度的镜面。 并且， 在中央侧区域 14， 为了进一步降低玻璃屑的产生率或由研 磨剂的粘着而引起的颗粒的产生率， 也可以形成为如下构成 ： 从中央侧区域 14 的基板对称 线开始， 在两侧的角部侧区域按照规定距离， 阶段性地将表面粗糙度逐级减小。
并且， 掩模板用基板 10 的形状不限于矩形， 也可以是主表面 11 的一条边的长度为 500mm 以上的正方形。
另外， 本发明不限于以上实施方式， 并且在不脱离本发明的宗旨的范围内可以进 行各种变更。