光信息记录媒体，信息消去 方法，信息记录方法及装置 技术领域
本发明涉及光信息记录媒体，更具体地说，涉及可记录的相变化型光信息记录媒体，例如CD-RW，DVD-RW，DVD+RW等。此外，本发明还涉及信息记录在上述光信息记录媒体上的记录方法及装置。再有，本发明还涉及信息重写在上述光信息记录媒体上的信息记录方法。再有，本发明还涉及信息消去方法。
背景技术
通常CD-RW设有导向槽。如图8所示，该导向槽呈S形摆动，以便在压模曝光时在整个面上记录摆动信号。
摆动信号包含被称为“ATIP”(Abso1ute time in pre-groove，在预置槽的绝对时间)的时间(地址)信息。ATIP表示为例如“00m00s00f，其中，“m”表示分，“s”表示秒，“f”表示flame，即1/75秒。在位于00m00s00f点之前的区域存在一程序存储区(program memory area，以下简记为“PMA”)。在位于上述PMA与00m00s00f点之间，记录“特别信息”，“追加信息”等关于光信息记录媒体记录/再生的重要信息。
“多记录时间”(Multi-session)是重写型光信息记录媒体的文件结构之一，其是在光信息记录媒体上记录有二段或二段以上记录时间。各记录时间由引入区(Lead-in，以下有时简记为 “L/I”或“L/I区”)、数据区(Data，以下有时简记为“数据”)、引出区(Lead-out，以下有时简记为“L/O”或“L/O区”)构成。
图1和图2A-2F表示以往的CD-RW的一般数据配置概略图。
图1表示以往CD-RW的地址数据配置概略图。参照图1，从98m13s50f点到98m27s00f点的区是程序存储区即PMA。从98m27s00f点到99m59s74f点的区是L/I区。从00m00s00f点到75m42s00f点的区是数据区。
图2A表示CD-RW未记录信息状态的概略图(即未使用CD-RW状态)。
图2B表示在图2A的CD-RW上记录有第一记录时间(L/I-1，数据-1，L/O-1)的状态。在此，从PMA内周开始，按盘ID(在图中简记为“D”)、第一记录时间位置信息(在图中简记为“1”)的顺序记录信息。
图2C表示在图2B的CD-RW上记录有第二记录时间(L/I-2，数据-2，L/O-2)的状态。在此，从PMA内周开始，按盘ID(在图中简记为“D”)、第一记录时间位置信息(在图中简记为“1”)、第二记录时间位置信息(在图中简记为“2”)的顺序记录信息。
另一方面，记录在相变化型光信息记录媒体上的信息可消去即擦去。例如可以一次性地消去记录在媒体上的全部信息，或仅消去多记录时间结构的最终记录时间。在此，所谓信息的消去通过记录消去信号实现。
图2D表示消去图2C的CD-RW地最终记录时间(即第二记录时间)的状态。
图2E表示消去图2D的CD-RW的最终记录时间(第一记录时间)的状态。从逻辑上说，虽然处于与图2A同样的状态，但是，两者是不同的，因为图2E所示CD-RW记录有消去信号，而图2A所示CD-RW没有记录信息。
图2F表示全部信息都被消去的CD-RW状态概略图。这种状态从逻辑上说，虽然处于与图2A同样的状态，但是，两者是不同的，因为图2F所示CD-RW记录有消去信号。
近年，提出了设有ROM区的可记录的光信息记录媒体如CD-R，CD-RW。作为其一种形态，有第一记录时间是ROM区的多记录时间结构，该ROM区以凹坑(pit)形成。
如图3A-3E所示的记录媒体除第一记录时间是以凹坑形成的ROM区以外与图2B-2F所示记录媒体相同。
图3A表示一没有使用的CD-RW，其设有一ROM区，在该ROM区用凹坑记录信号(L/I-1，数据-1，L/O-1)。
在该ROM区，为了得到与RAM区信号相同的摆动信号，使得凹坑以及凹坑间槽按图9所示摆动。
图3B表示在图3A所示CD-RW上记录有第二记录时间(即L/I-2，数据-2，L/O-2)的状态。
图3C表示消去图3B所示CD-RW上的最终记录时间(即第二记录时间)的状态。这种状态从逻辑上说，虽然处于与图3A同样的状态，但是，两者是不同的，因为图3C所示CD-RW记录有消去信号。
在此，当消去最终记录时间(即第一记录时间)时，就成为图3D所示状态。在这种状态下，记录在第一记录时间的信号和在PMA区的ROM信号没有被消去，但写入消去信号，因此，盘不能记录信息，不能使信息再生。
图3E表示消去所有信息的状态。在这种状态下，盘也与上述图3D一样，不能记录信息，不能使信息再生。
但是，在上述记录媒体中，控制记录及消去很难，另外，若因出错将消去信号记录在ROM区，存在使媒体不能记录/再生信息的问题。
当在相变化型光信息记录媒体上直接重写时，信息记录是通过使记录层成为非结晶化状态实现，信息消去是通过使记录层成为结晶化状态实现。成为非结晶状态的记录层的反射信号强度称为凹坑电平(pitlevel)，成为结晶化状态的记录层的反射信号强度称为地面电平(landlevel)。
以往相变化型光信息记录媒体的直接重写是根据Orange Book(CD-R规格小册子，在本发明中，以下简记为“Orange规格”)中记载的γ方法用记录功率(即写入功率)Pw及消去功率Pe实行的，并且，上述记录功率Pw是由所使用驱动器决定的，上述消去功率Pe是在记录功率Pw上乘以定数ε得到的。
根据该方法，当所决定的记录功率Pw相对高于最适值场合，消去功率Pe也随之变大，这样，以过剩的消去功率Pe进行直接重写，记录层发生非结晶化状态，结果，地面电平低下。因此，发生如跳动恶化，记录层耐久性劣化等问题。
相反，当所决定的记录功率Pw相对低于最适值场合，消去功率Pe也随之变小，这样，直接重写前记录的原先记录信号不能充分消去。因此，存在跳动恶化的问题。
在Orange规格中还记载着另一种消去方法，即通过稳定照射激光的CW(或物理)消去方法。但是，用Orange规格中记载的γ法得到最适记录功率Pwo，再通过记录功率最适化(optimization ofthe writing power)得到的最适消去功率Peo，其作为CW消去功率Pecw不是最适。具体地说，在实行CW消去部分发现直接重写特性低下。因此，通常使用直接重写消去图案的逻辑消去方法。
另外，压模形成的将ROM区作为一部分的混合型盘已接近实用化。当在这种混合型盘上实行逻辑消去场合，在ROM区实行重写，这样，该混合型盘就不能再生。
发明内容
本发明就是鉴于上述先有技术所存在的问题而提出来的，本发明的目的在于，提供可重写的相变化型光信息记录媒体，其在记录及消去信息同时，能容易地控制记录及消去信息(即容易地实现写入保护)。
本发明的第二目的在于，提供不将消去信号记录在ROM区的可重写的相变化型光信息记录媒体。
本发明的第三目的在于，提供信息记录(及再生)方法和装置，其在记录及消去信息同时，能容易地控制记录及消去信息(即容易地实现写入保护)。
本发明的第四目的在于，提供信息记录方法和装置，其决定最适CW消去功率，在光信息记录媒体上实行直接重写。
本发明的第五目的在于，提供信息消去方法，通过使用该方法，记录在混合型盘上的信息能安全地消去。
为了实现上述目的，本发明提出一种相变化型光信息记录媒体，包括：
一基板；
一记录层，叠置在该基板上，在记录层形成标记，以储存信息；
其特征在于，上述基板记录层包括多记录时间以及程序储存区，所述多记录时间包括第一记录时间，在该第一记录时间形成凹坑，其包括一RAM区，该RAM区包括槽和摆动信号，上述程序储存区形成凹坑，其包括第一记录时间的位置信息，不包含相变化型光信息记录媒体的盘ID信息。
本发明的相变化型光信息记录媒体的第一记录时间可以进一步包括一ROM区，上述ROM区含有数据部分，在该数据部分不存在摆动信号。
本发明的相变化型光信息记录媒体可以进一步设有：位于基板与记录层之间的第一电介质层，叠置于记录层之上的第二电介质层，叠置于第二电介质层之上的反射层，叠置于反射层之上的外敷层。
本发明的相变化型光信息记录媒体的记录层包括Ag，In，Sb，Te作为主成份，Ag，In，Sb，Te的含有量分别设为α、β、γ、δ(原子％)，其处于下列范围：
0＜α≤10
2≤β≤12
55≤γ≤70
22≤δ≤32
α+β+γ+δ＝100。
本发明的相变化型光信息记录媒体的记录层包括Ge，Ga，Sb，Te作为主成份，Ge，Ga，Sb，Te的含有量分别设为α、β、γ、δ(原子％)，其处于下列范围：
0＜α≤10
1≤β≤12
55≤γ≤85
12≤δ≤32
α+β+γ+δ＝100。
本发明的相变化型光信息记录媒体的记录层可以进一步含有从3B族，4B族，5B族选择的至少一种元素。
为了实现上述目的，本发明提出一种信息记录装置，包括：
接收装置，用于接收在相变化型光信息记录媒体上记录或消去信息的指令；
读取装置，用于读取储存在相变化型光信息记录媒体的程序储存区的盘ID信息的位置以及相变化型光信息记录媒体的各记录时间的位置信息；
记录/消去装置，用于记录或消去各记录时间的信息；
控制装置，用于控制记录/消去装置，当在程序储存区一记录时间或多记录时间的位置信息位于盘ID信息之后时，根据指令记录或消去一记录时间或多记录时间中的信息，或者当在程序储存区一记录时间或多记录时间的位置信息位于盘ID信息之前时，拒绝实行指令。
本发明的信息记录装置的控制装置可以进一步具有命令记录/消去装置重写盘ID信息的功能，以改变盘ID信息位置，记录或消去一记录时间或多记录时间中的信息。
本发明的信息记录装置可以进一步包括一储存器，存储关于可记录可消去记录时间的记录时间信息，控制装置进一步具有以下功能：当接收装置受信消去光信息记录媒体上多记录时间中的最终记录时间指令场合，控制装置参照上述记录时间信息，确定该最终记录时间是否可消去记录时间，当最终记录时间是可记录可消去记录时间时，命令记录/消去装置消去该最终记录时间，或者当最终记录时间不是可记录可消去记录时间时，拒绝消去指令。
本发明的信息记录装置可以进一步包括一储存器，存储关于不可记录不可消去记录时间的记录时间信息，控制装置进一步具有以下功能：当接收装置受信完全消去光信息记录媒体上多记录时间指令场合，控制装置参照上述记录时间信息，确定在储存器是否存在不可记录不可消去的记录时间，当在储存器不存在不可记录不可消去的记录时间时，命令记录/消去装置实行完全消去指令，或者当在储存器存在不可记录不可消去的记录时间时，拒绝完全消去指令。
为了实现上述目的，本发明提出另一种信息记录装置，将信息记录在相变化型光信息记录媒体上，该相变化型光信息记录媒体上包括多记录时间，至少有一记录时间包括一不含摆动信号的ROM区，以及一含摆动信号的RAM区，该信息记录装置包括：
接收装置，接收消去记录时间指令；
判断装置，判断是否在记录时间存在摆动信号，确定该记录时间是否不包含ROM区；
消去装置，当该记录时间不包含ROM区时，消去该记录时间。
为了实现上述目的，本发明提出一种信息记录和消去方法，在相变化型光信息记录媒体上记录或消去信息，上述光信息记录媒体包括一程序储存区和多记录时间，该信息记录和消去方法包括：
读取记录在相变化型光信息记录媒体的程序储存区中的盘ID信息的位置信息以及多记录时间的位置信息；
当一记录时间或多记录时间的位置信息位于盘ID信息之后时，根据接收到的记录或消去指令，记录或消去一记录时间或多记录时间中的信息，或者当一记录时间或多记录时间的位置信息位于盘ID信息之前时，拒绝实行记录或消去信息指令。
本发明的信息记录和消去方法可以进一步包括重写盘ID信息的位置信息，控制记录或消去一记录时间或多记录时间中的信息。
为了实现上述目的，本发明提出一种信息记录方法，将信息记录在相变化型光信息记录媒体上，该相变化型光信息记录媒体上包括多记录时间，至少一记录时间包括一不含摆动信号的ROM区，以及一含摆动信号的RAM区，该信息记录方法包括：
根据接收到的消去某记录时间指令，判断是否在该记录时间存在摆动信号，确定该记录时间是否不包含ROM区；
当上述记录时间不包含ROM区时，消去该记录时间。
为了实现上述目的，本发明提出一种最适CW消去功率决定方法，用于消去相变化型光信息记录媒体上的信息，其包括：
用不同功率Pe CW消去以所定记录功率记录的HF信号；
测定残存HF信号的11T信号的凹坑电平(I11L)或者凹坑电平(I11L)和地面电平(I11H)两方；
决定最适CW消去功率Pecw，其至少满足下列关系式(1)，(2)之一：
Pe1+0.05×Δpe≤Pecw≤Pe2-0.05×Δpe (1)
式中，Pe1表示当d(I11L)/d(Pe)为最大时的Pe，Pe2表示当d(I11L)/d(Pe)为最小时的Pe，Δpe表示Pe2-Pe1；
I11L/I11H＞0.8 (2)
本发明的最适CW消去功率决定方法中，最好记录功率比用γ法得到的最适记录功率Pwo高。
本发明的最适CW消去功率决定方法的CW消去步骤中，最好相变化型光信息记录媒体的线速度比相变化型光信息记录媒体的最高记录线速度高。
为了实现上述目的，本发明提出一种相变化型光信息记录媒体的直接重写信息方法，其包括：
用一消去功率消去储存在相变化型光信息记录媒体上的信息，同时，将信息记录在该相变化型光信息记录媒体上；
上述消去功率是上述本发明中所述的方法所决定的最适CW消去功率。
为了实现上述目的，本发明提出另一种相变化型光信息记录媒体的直接重写信息方法，其包括：
第一记录信息步骤，固定消去功率，用不同的记录功率将HF信号记录在相变化型光信息记录媒体上；
测定HF信号的标记长度/凹坑长度的平衡β；
将标记长度/凹坑长度的平衡β为O～8％的记录功率作为最适记录功率；
第二记录信息步骤，对相变化型光信息记录媒体使用上述最适记录功率，将信息记录在相变化型光信息记录媒体上。
为了实现上述目的，本发明提出一种信息消去方法，其包括：
在相变化型光信息记录媒体上用一消去功率实行CW消去，该相变化型光信息记录媒体包括一通过压模形成的ROM区；
上述消去功率是上述本发明中所述的方法所决定的最适CW消去功率。
下面说明本发明的效果。
按照本发明的相变化型光信息记录媒体，由于在PMA区，可记录及消去的记录时间的位置信息记录在盘ID后的位置，因此，容易控制记录及消去。另外，不会在设有ROM部的相变化型光信息记录媒体的ROM部记录消去信号而使得媒体不能记录再生。
按照本发明的相变化型光信息记录媒体，在ROM部的数据部不设摆动信号，因此，很容易根据有无摆动信号识别ROM部和RAM部。
按照本发明的相变化型光信息记录媒体，信号再生稳定性好，且信号寿命长。
按照本发明的相变化型光信息记录媒体的信息记录装置，根据PMA的盘ID的位置识别是否可以记录及消去各记录时间，对不可记录及消去的记录时间不实行消去指令，很容易控制记录及消去。另外，不会在设有ROM部的相变化型光信息记录媒体的ROM部记录消去信号而使得媒体不能记录再生。
按照本发明的相变化型光信息记录媒体的信息记录装置，能改变PMA的盘ID的位置，因此，很容易通过盘ID的位置控制各记录时间的记录及消去。
按照本发明的相变化型光信息记录媒体的信息记录装置，能更可靠地防止误消去动作。
按照本发明的相变化型光信息记录媒体的信息记录装置，根据数据部有无摆动信号，识别ROM部和RAM部，不实行对ROM部的消去指令，不会在设有ROM部的相变化型光信息记录媒体的ROM部记录消去信号而使得媒体不能记录再生。
按照本发明的相变化型光信息记录媒体的最适CW消去功率决定方法，能得到最适CW消去功率，不会因低消去功率而发生残存，也不会因高消去功率而导致记录膜的非结晶化。
按照本发明的相变化型光信息记录媒体的最适CW消去功率决定方法，能在消去难条件下决定CW消去功率，增加了所得CW消去功率的正确性。
按照本发明的相变化型光信息记录媒体的最适CW消去功率决定方法，由于能在最高记录线速度上限的比逻辑消去法高的线速度下决定最适CW消去功率，能缩短因逻辑消去所化费的作业时间。
按照本发明的相变化型光信息记录媒体的重写方法，不根据记录功率而是以最适消去功率进行记录，所以能实行记录功率界限宽的记录。
按照本发明的相变化型光信息记录媒体的重写方法，能将信号平衡作为参数决定固定消去功率场合的最适记录功率，因此，能进行良好信号质量的记录。
按照本发明的相变化型光信息记录媒体的信息消去方法，通过最适CW消去方法能对混合型盘实行安全消去。
附图说明
图1表示以往CD-RW的地址数据配置；
图2A表示以往CD-RW上没有记录信息的状态，图2B表示在图2A的CD-RW上记录有第一记录时间(即L/I-1，数据-1，L/O-1)的状态，图2C表示在图2B的CD-RW上记录有第二记录时间(即L/I-2，数据-2，L/O-2)的状态，图2D表示消去图2C的CD-RW的最终记录时间(即第二记录时间)的状态，图2E表示消去图2D的CD-RW的最终记录时间(即第一记录时间)的状态，图2F表示上述图2B-2E所示任一个CD-RW上所有信息都被消去的状态；
图3A表示实施例1的设有ROM区的CD-RW状态，其中，用凹坑记录有第一记录时间(即L/I-1，数据-1，L/O-1)，图3B-3E表示设有一ROM区的CD-RW的状态，分别与图2C-2F所示以往CD-RW状态相对应；
图4表示第一记录时间被写入保护的CD-RW；
图5表示第二记录时间区被写入保护的设有ROM区的CD-RW；
图6表示无摆动信号的第一记录时间的数据；
图7表示本发明的记录再生装置中消去动作流程图；
图8表示摆动导向槽的摆动状态；
图9表示使凹坑及凹坑间槽作S形摆动状态；
图10表示本发明信息记录/再生装置的构成实施例；
图11表示残存信号电平与消去功率之间关系图；
图12表示β(EFM信号的标记长度/凹坑长度的平衡)及故障与记录功率之间关系图；
图13表示重写二次场合的故障与记录功率之间关系图；
图14表示重写1000次场合的故障与记录功率之间关系图。
具体实施方式
下面参照附图通过对较佳实施例的描述更详细地说明上述本发明，本发明的上述目的、特征及优点将会更清楚。
先详细说明一下本发明的相变化型光信息记录媒体(以下有时简记为“记录媒体”)。
本发明的记录媒体(尤其是CD-RW)的基本结构是在设有导向槽的基板一侧设置第一电介质层、记录层、第二电介质层、由金属或合金构成的反射层，及外敷层。较好的是，在外敷层上设置印刷层，在基板另一侧形成硬敷层。
基板材料通常采用如玻璃，陶瓷，树脂。
作为用作基板的树脂例可以列举聚碳酸酯树脂，丙烯酸树脂，环氧树脂，聚苯乙烯树脂，丙烯腈-苯乙烯共聚物树脂，聚乙烯树脂，聚丙烯树脂，硅酮类树脂，氟类树脂，ABS树脂，氨基甲酸乙酯树脂等。这些树脂中，从成形性、光学特性、成本性方面考虑，最好是聚碳酸酯树脂、丙烯酸类树脂。
不仅盘状，其它形状例如卡状，片状等也可以作为基板形状。
将本发明的记录媒体应用于可重写的小型磁盘(CD-RW)场合，最好满足以下(1)～(3)条件：
(1)形成在基板上的导向槽的宽度为0.25～0.65μm，较好的是，0.30～0.60μm，导向槽的深度为150～550，较好的是200～450。
(2)形成在基板上的凹坑宽度为0.25～0.80μm，较好的是，0.30～0.70μm，凹坑深度为650～1300，较好的是800～1100。
(3)形成在基板凹坑间的导向槽的宽度为0.25～0.80μm，较好的是，0.30～0.60μm，该凹坑间导向槽的深度为150～550，较好的是200～450。
对本发明涉及的相变化型光信息记录媒体，不仅要求其具有记录和消去信息的功能，而且同时要求信号再生稳定性及信号长寿命。为了综合满足这些要求，记录层至少包括Ag，In，Sb，Te作为主要元素，Ag，In，Sb，Te的含量分别设为α、β、γ、δ(atomic％即原子％)，它们必须处于下列范围：
0＜α≤10
2≤β≤12
55≤γ≤70
22≤δ≤32
α+β+γ+δ＝100
在上述构成中，若Ag超过10原子％，In超过12原子％，Sb超过70原子％，信号再生稳定性差，记录在记录层中的信号寿命短。
Te的含有量对记录媒体的记录线速度影响很大，即使通过记录层厚或其它层的热传导率进行控制，也必须满足22～32原子％的范围。
信号再生劣化及信号寿命短的原因在于非结晶标记结晶化。为了抑制非结晶标记结晶化，提高信号再生稳定性及信号寿命，在记录层中添加从周期表的3B，4B，5B族选择的至少一种元素很有效。
其机理虽然尚不十分清楚，但可以考虑这些添加元素进入Ag IN SbTe的空间间隙和/或与Ag IN Sb Te形成化学结合，这样，能抑制非结晶标记的结晶化。因此，使用小原子直径，与Ag IN Sb Te的化学结合力大，化学结合部位多的元素很有效。从这方面看，尤其如B、C、N、Si、Ge、Sn很有效。
上述添加到记录层中的元素量最好在5原子％以下。若超过5原子％，会对Ag IN Sb Te记录层本来具有的记录/消去特性带来影响，这样，会发生记录信息不能完全被消去的问题。
再有，在本发明的记录媒体上以高线速度进行记录场合，该记录层至少包括Ge，Ga，Sb，Te作为主要元素，Ge，Ga，Sb，Te的含量分别设为α、β、γ、δ(原子％)，它们必须处于下列范围：
0＜α≤10
1≤β≤12
55≤γ≤85
12≤δ≤32
α+β+γ+δ＝100
在上述构成中，若Ge超过10原子％，Ga超过12原子％，Sb超过85原子％，信号再生稳定性差，信号寿命短。
Te的含有量对记录媒体的记录线速度影响很大，因此，即使通过记录层厚或其它层的热传导率进行控制，也必须满足12～32原子％的范围。
上述记录材料与Ag IN Sb Te记录层一样，信号再生劣化及信号寿命短的原因在于非结晶标记结晶化，为了抑制非结晶标记结晶化，提高信号再生稳定性及信号寿命，在记录层中添加从周期表的3B，4B，5B族选择的至少一种元素很有效。
其原因与上述Ag IN Sb Te记录层一样，这里说明省略。
上述包含在Ge Ga Sb Te记录层中的添加元素量最好在5原子％以下，其原因与上述Ag IN Sb Te记录层一样，这里说明省略。
记录层的膜厚较好的是10～50nm，更好的是12～30nm。若考虑跳动等初始特性、重写特性、生产性，上述厚度最好是14～25nm。若过薄的话，光吸收能力显著低下，因此，难以起到作为记录层的作用。若记录层过厚的话，当进行高速记录和消去时，难以发生均一的相变化。
这种记录层可以通过各种气相成长法，例如真空蒸镀法，喷溅法，等离子CVD法，光CVD法，离子镀法，电子光束蒸镀法等形成。其中，从生产性及膜质量等角度考虑，喷溅法较好。
适合作为第一及第二电介质层的材料，可以列举SiO，SiO2，ZnO，SnO2，Al2O3，TiO2，In2O3，MgO，ZrO2等金属氧化物，Si3N4，AlN，TiN，BN，ZrN等氮化物，ZnS，In2S3，TaS4等硫化物，SiC，TaC，B4C，WC，TiC，ZrC等碳化物，钻石状碳，或者它们的混合物。这些材料既可以单体形成保护层，也可以作为混合物使用。
另外，用于第一及第二电介质层的材料还可以根据需要含有杂质。再有，各层可以是多层型电介质层。第一及第二电介质层的熔点必须比记录层高。
这样的第一及第二电介质层可以通过各种气相成长法，例如真空蒸镀法，喷溅法，等离子CVD法，光CVD法，离子镀法，电子光束蒸镀法等形成。其中，从生产性及膜质量等角度考虑，喷溅法较好。
第一电介质层的膜厚对储存在DVD中的信息再生波长650nm的反射率影响很大。为了满足对780nm或650nm波长光的反射率0.15～0.25(尤其是CD-RW)，第一电介质层的膜厚最好设为65～130nm范围。
第二电介质层的膜厚设为15～45nm，更好的是，20～40nm。若第二电介质层膜厚过薄的话，难以起到作为耐热保护层的作用，灵敏度低下。与此相反，若第二电介质层膜厚过厚的话，易发生界面剥离，反复记录性能低下。
适合作为反射层的材料可以列举Al，Au，Cu，Ag，Ta等金属材料，或者它们的合金等。另外，可以使用Cr，Ti，Si，Cu，Ag，Pb，Ta等作为添加元素添加到反射层中。这样的反射层可以通过各种气相成长法，例如真空蒸镀法，喷溅法，等离子CVD法，光CVD法，离子镀法，电子光束蒸镀法等形成。
反射层的膜厚设为70～200nm，更好的是，100～160nm。
在反射层上面，为了防止其氧化，最好设置外敷层。一般，通过旋转涂敷法制作紫外线硬化树脂层作为外敷层。其厚度设为5～15μm是合适的。若该外敷层过薄时，当在外敷层上设置印刷层的场合，会引起故障增多。而若该外敷层过厚时，内部应力变大，对记录媒体的机械特性带来很大影响。
一般，通过旋转涂敷法制作紫外线硬化树脂层作为硬敷层形成在基板另一侧面上。其厚度设为2～6μm是合适的。若不满2μm，没有足够的耐擦伤性，而若超过6μm，内部应力变大，对记录媒体的机械特性带来很大影响。
该硬敷层的硬度需要达到用布擦不会引起大损伤的铅笔硬度H以上。另外，根据需要，通过混入导电性材料，能有效防止带电，防止附着尘埃。
下面，详细说明决定CW消去功率的方法。
图10表示本发明的信息记录/再生装置，其可以将信息记录在本发明的相变化型光信息记录媒体上，或使信息再生。
参照图10，标号7表示一光信息记录媒体，即本发明的相变化型光信息记录媒体。通过包括主轴马达8的驱动手段驱动该记录媒体7。通过作为光源驱动手段的激光驱动电路4驱动包括激光二极管的光源。一记录/再生拾波器3用激光照射记录媒体1，该激光从激光二极管发出，经没有图示的光学系统，作为电磁波照射在记录媒体1上，使得记录媒体7的记录层发生相变化。
当通过记录/再生拾波器3使光照射已发生相变化的记录层，接收来自记录媒体1的反射光，所记录信息可以得到再生。波形处理电路6测定被再生的HF信号的信号电平，以确定最适CW消去功率(Pecw)和最适记录功率(Pwo)。
记录/再生拾波器3的最适记录功率通过一记录功率/消去功率设定电路5进行设定。
信息记录/再生装置将激光作为电磁波照射在记录媒体1上，使得记录媒体1的记录层发生相变化，对信息记录媒体1进行信息记录或再生，且可重写。该信息记录/再生装置设有记录手段，上述记录手段包括记录/再生拾波器3以及一用于对需记录的信号进行调制的调制器。
上述包括记录/再生拾波器3的记录手段在记录媒体1的记录层进行PWM记录，在该PWM记录中，通过形成标记，同时改变标记宽度记录信号。当进行记录时，在调制器对需记录的信号用时标进行调制。合适的调制方式包括EFM(Eight-to-Fourteen-Modulation)调制方式或其改良调制方式等。
图11表示在上述构成的初始化的相变化型光信息记录媒体上记录信号以及所记录信号通过CW消去方法消去场合的消去功率Pe与残存信号11T的地面电平(I11H)，凹坑电平(I11L)及d(I11L)/d(Pe)之间关系。由图可知，当d(I11L)/d(Pe)为最大值时，CW消去功率(Pe1)是6.0mW，当d(I11L)/d(Pe)为最小值时，CW消去功率(Pe2)是10.2mW。其差ΔPe(即Pe2-Pe1)为4.2mW。
在此，所谓最适CW消去功率(PecW)是指记录媒体上残存信号振幅小、反射率降低少的功率。该相变化型光信息记录媒体场合，最适CW消去功率Pecw为6.2～10.0mW。
为了测定残存信号振幅，预先以比用γ法得到的最适记录功率Pwo高的记录功率记录HF信号，结果，易使信号残存。当通过上述方法确定最适CW消去功率Pecw场合，即使是信号振幅大的信号也能通过使用该最适CW消去功率充分消去。
从上述结果可得以下关系式：
Pe1+0.05×Δpe≤Pecw≤Pe2-0.05×ΔPe
当考虑有效数字，小数点以下1位后数字四舍五入，可得以下关系式：
6.2≤Pecw≤10.0
从激光二极管的利用效率考虑，Pecw以小为好。因此，该相变化型光信息记录媒体场合，最适CW消去功率Pecw为6.2mW。
通过使用这样的消去功率，地面电平I11H与凹坑电平I11L具有以下关系：
I11L/I11H＞0.8
当使用CW消去方法场合，与实行消去同时必须形成标记的直接重写方法相比，能以高线速度状态实行消去，能进行比逻辑消去快的高速消去。
图12表示当信号以6.2mW消去功率(即最适CW消去功率Pecw)Pe进行记录时β与记录功率Pw之间的关系。在此，β表示标记长度与凹坑长度的平衡。当β值处于0～8％之间时故障几乎不发生。
从图12可知，当固定Pe场合，β与Pw为一次相关关系，因此，线性近似可能。从图12可知，Pw为12.3mW时，β＝4％，因此，可以得到平衡好的EFM信号。
图13和图14表示以Pe＝6.2mW的消去功率(即本发明的方法)反复直接重写场合以及以Pe＝ε×Pw(ε＝0.5)(即先有技术方法)反复直接重写场合记录功率与故障的功率界限之间的关系。图13表示重写二次场合，图14表示重写1000次场合的数据。
从图13和图14可知，当Pw为6.2mW场合，直接重写特性之一的功率界限能显著提高。即，为了进行可靠性更好的记录，固定消去功率Peo是有利的。
当压模形成包含有一ROM区的混合型盘场合，若对该混合盘实行逻辑消去，会在ROM区实行直接重写。在这种情况下，ROM区没有被消去，而在ROM区写上逻辑消去图案，这样，ROM区不能再生。对这种被误消去的混合型盘，通过使用CW消去方法仅消去写在ROM区的逻辑消去图案，该ROM区能复原。
下面，通过实施例更具体地说明本发明，当然，本发明并不局限于这些实施例。
实施例1
图3A-3E表示本发明实施例1的设有ROM部的CD-RW的信息配置。
图3A表示CD-RW处于未使用状态。用凹坑记录有下列信息：
(1)在98m13s50f～98m13s59f形成第一记录时间的位置信息；
(2)在98m27s00f～99m59s74f形成第一记录时间的L/I区；
(3)在00m00s00f～04m59s74f形成第一记录时间的数据区；
(4)在05m00s00f～06m29s74f形成第一记录时间的L/O区。
在图3B表示的CD-RW上按如下所示追加记录有第二记录时间：
(1)在98m13s60f～98m13s69f形成盘ID信息；
(2)在98m13s70f～98m14s04f形成第二记录时间的位置信息；
(3)在06m30s00f～外侧形成第二记录时间的L/I-2，数据-2，L/O-2。
图3C所示CD-RW表示消去CD-RW的最终记录时间(即第二记录时间)的状态。
在此，在PMA从内周按以下顺序记录信息：
(1)在98m13s50f～98m13s59f形成第一记录时间的位置信息；
(2)在98m13s60f～98m13s69f形成盘ID信息。
图3D表示消去图3C的CD-RW的盘ID信息的状态。在该状态下，即使发出消去CD-RW的第一记录时间的命令，由于第一记录时间的位置信息位于盘ID信息之前，第一记录时间及其位置信息不被消去而残留着。
图3E表示除第一记录时间及其位置信息其它都消去的CD-RW的状态。第一记录时间及其位置信息没有被消去的理由与上述相同。
在本发明的信息记录方法及装置中，当装上盘时，读入PMA。位于盘ID信息之后的记录位置信息的记录时间设为可记录可消去的记录时间。此外的记录时间设为不可记录不可消去的记录时间。该信息存储在装置的储存器中。
即，不管图3A-3E所示哪种状态，第一记录时间的位置信息之前没有盘ID信息，第一记录时间没有成为可记录可消去的记录时间，而是作为不可记录不可消去(即写入保护时间)的记录时间进行记录。
下面，说明在本发明的记录/再生装置中实行的写入保护方法。
参照图2C，在CD-RW的PMA区，记录下列信息：
(1)在98m13s50f～98m13s59f记录盘ID信息；
(2)在98m13s60f～98m13s69f记录第一记录时间的位置信息；
(3)在98m13s70f～98m14s04f记录第二记录时间的位置信息。
但是，第一和第二记录时间没有实行写入保护。
当对第一记录时间实行写入保护场合，在PMA区进行信息再记录，使其成为以下状态：
(1)在98m13s50f～98m13s59f记录第一记录时间的位置信息；
(2)在98m13s60f～98m13s69f记录盘ID信息；
(3)在98m13s70f～98m14s04f记录第二记录时间的位置信息。
这种状态表示在图4中，然后再设置盘。第二记录时间的位置信息没有变化，因此，可以不再记录。
结果，第一记录时间的位置信息位于盘ID信息前，因此，第一记录时间成为不可记录不可消去的记录时间。
参照图3C，在CD-RW的PMA区，记录下列信息：
(1)在98m13s50f～98m13s59f记录第一记录时间的位置信息；
(2)在98m13s60f～98m13s69f记录盘ID信息；
(3)在98m13s70f～98m14s04f记录第二记录时间的位置信息。
但是，第二记录时间没有实行写入保护。
当对第二记录时间实行写入保护场合，在PMA区进行信息再记录，使其成为以下状态：
(1)在98m13s60f～98m13s69f记录第二记录时间的位置信息；
(2)在98m13s70f～98m14s04f记录盘ID信息。
这种状态表示在图5中，然后再设置盘。
这种场合，由于第一记录时间被实行写入保护，所以，98m13s50f～98m13s59f区也不可记录不可消去。因此，第一记录时间不被再记录。
结果，第二记录时间的位置信息位于盘ID信息之前，因此，第二记录时间成为不可记录不可消去的记录时间。
当从主机侧(如计算机和软件)受信消去最终记录时间指令场合，若该最终记录时间是可记录可消去的记录时间，且其被存储在装置储存器中，则信息记录/再生装置消去该最终记录时间。否则，则回复主机侧，拒绝消去该最终记录时间。
当从主机侧受信完全消去(或快速消去)指令场合，若在装置储存器中不存在不可记录不可消去的记录时间，则装置实行该完全消去指令。否则，则回复主机侧，拒绝完全消去指令。
实施例2
准备本发明的相变化型光信息记录媒体。该记录媒体包括：处于98m13s50f～98m27s00f位置区域的包括摆动信号的第一记录时间的PMA；处于98m27s00f～99m59s74f位置区域的包括摆动信号(参照图9)的第一记录时间的L/I区；处于00m00s00f～04m59s74f位置区域的没有摆动信号的第一记录时间的数据区(参照图6)，处于05m00s00f～06m29s74f位置区域的包括摆动信号(参照图9)的第一记录时间的L/O区。上述PMA，L/I区，数据区及L/O区各部分分别以凹坑形成。在其他部分，在基板上形成含摆动信号的导向槽。于是，作成包括ATIP信息的CD-RW。
如上所述，基板上至少形成包含凹坑的第一记录时间。即，第一记录时间包括一不存在摆动信号的ROM区以及存在摆动信号的RAM区。因此，根据有无摆动信号，容易识别ROM区和RAM区。
本发明的光信息记录/再生装置设有判断装置B，如图7所示。当记录时间不包含摆动信号时，判断装置B判断记录媒体的该记录时间的数据部为ROM。当记录时间的数据部存在摆动信号时，判断装置B将该记录时间判断为RAM。该装置还包括一受信装置A(参照图7)。当受信装置A接收到消去记录媒体的记录时间的指令时，光信息记录/再生装置仅在记录时间为RAM(即记录时间不含有ROM)场合消去该记录时间。
图7表示本发明的光信息记录/再生装置的消去动作的流程。
当受信装置从主机侧(如计算机和软件)接收到消去最终记录时间指令时(步骤S1)，记录/再生装置搜索记录媒体上的PMA，从PMA信息检测最终记录时间位置(步骤S2和S3)。
接着，记录/再生装置搜索最终记录时间的数据区(即图2C场合的数据-2，图2B或2D场合的数据-1)(步骤S4)，读取数据区的摆动信号(即ATIP信息)(步骤S5)。
当在数据区存在摆动信号场合(步骤S6的“是”)，判断装置B判断最终记录时间不是ROM，记录/再生装置消去最终记录时间(步骤S7)。与此相反，当在数据区不存在摆动信号场合(步骤S6的“否”)，判断装置B判断最终记录时间是ROM，记录/再生装置向主机侧返信，拒绝消去最终记录时间(步骤S8)。
当受信装置A从主机侧接收到完全消去指令(即快速消去指令)场合，记录/再生装置搜索记录媒体的PMA，从PMA信息检测第一记录时间位置。
接着，记录/再生装置搜索第一记录时间的数据区，读取数据区的摆动信号(即ATIP信息)。
当在数据区存在摆动信号时，判断装置B判断第一记录时间不是ROM，记录/再生装置实行完全消去(即快速消去)。与此相反，当数据区不存在摆动信号时，判断装置B判断第一记录时间是ROM，记录/再生装置向主机侧返信，拒绝实行完全消去。
当然，本发明并不局限于上述实施例，在本发明技术思想范围内可以作种种变更，它们都属于本发明的保护范围。