可配置多模式射频前端模块及具有该模块的移动终端 【技术领域】
本发明涉及射频领域， 尤其是可配置多模式射频前端模块及具有该模块的移动终端。 背景技术 在 现 代 无 线 通 信 系 统 中， 射频前端模块是实现射频信号无线传输的关键部 件。当今， 电信运营商推出了很多不同的无线通信系统， 采用了不同的无线通信标准， 而 不同通信标准下通信系统的工作频率和工作模式要求不同。GSM(Global System for Mobile Communication) 作为第二代移动通信标准已经在全球范围内得到了非常广泛 的 应 用； 而 以 WCDMA(Wideband Code Division Multiple Access) 和 TD-SCDMA(Time Division-Synchronous Code Division Multiple Access) 为代表的第三代移动通信标准 正在世界各地被大面积部署。为了使手机移动终端能够在全球范围内使用， 其必须同时支 持各种不同的移动通信标准， 如同时支持 GSM、 WCDMA 和 TD-SCDMA 等标准， 因此移动终端中 所使用的射频前端模块也必须支持这些标准。
如图 1 所示为当前移动终端中多模式射频前端模块解决方案的示意图， 其可以同 时支持 GSM 标准及 WCDMA 标准中的三个频段。该多模式射频前端模块主要包括支持 GSM 标 准的射频功率放大器模块 001 ； 支持 WCDMA 标准频段 1 的射频功率放大器模块 002 及双工器 007 ； 支持 WCDMA 标准频段 2 的射频功率放大器模块 003 及双工器 006 ； 支持 WCDMA 标准频 段 3 的射频功率放大器模块 004 及双工器 005 ； 单刀九掷开关 008 及天线。支持 GSM 标准的 射频功率放大器模块 001 中包括 ： 用于放大 GSM 标准中低频段射频信号 RFGsML 的功率放大器 管芯 PA1 及其输出匹配网络 “输出匹配网络 1” ， 其输出信号连接到单刀九掷开关 008 中的 GSML 掷 ； 用于放大 GSM 标准中高频段射频信号 RFGSMH 的功率放大器管芯 PA2 及其输出匹配 网络 “输出匹配网络 2” ， 其输出信号连接到单刀九掷开关 008 中的 GSMH 掷。支持 WCDMA 标 准频段 1 的射频功率放大器模块 002 中包括其功率放大器管芯 PA3 及其输出匹配网络 “输 出匹配网络 3” ， 其输出信号 WD1T 连接到双工器 007 的第一端 ； 双工器 007 的第二端连接到 单刀九掷开关 008 的 WD1 掷 ； 双工器 007 的第三端输出为其接收信号 WD1R。支持 WCDMA 标 准频段 2 的射频功率放大器模块 003 中包括其功率放大器管芯 PA4 及其输出匹配网络 “输 出匹配网络 4” ， 其输出信号 WD2T 连接到双工器 006 的第一端 ； 双工器 006 的第二端连接到 单刀九掷开关 008 的 WD2 掷 ； 双工器 006 的第三端输出为其接收信号 WD2R。支持 WCDMA 标 准频段 3 的射频功率放大器模块 004 中包括其功率放大器管芯 PA5 及其输出匹配网络 “输 出匹配网络 5” ， 其输出信号 WD3T 连接到双工器 005 的第一端 ； 双工器 005 的第二端连接到 单刀九掷开关 008 的 WD3 掷 ； 双工器 005 的第三端输出为其接收信号 WD3R。单刀九掷开关 008 同时还包括 4 个掷 RX1、 RX2、 RX3 和 RX4， 可以用于天线接收四路射频信号。采用此方案 的移动终端， 在基带芯片及控制器的控制下， 根据实际需要在发射时切换相应的功率放大 器模块、 双工器到发射通道 ； 在接收时将射频天线单刀九掷开关 008 的相应接收掷切换到 接收通道 ； 从而实现了移动终端可以在多种通信标准 ( 多模式 ) 下无缝切换工作。
可以看到， 在此射频前端模块方案中， 移动终端中至少需要 4 个射频功率放大器 模块， 这将占用移动终端中电路板的大量面积。 发明内容 本发明为了克服现有射频前端模块占用面积大的缺陷， 提供了可配置多模式射频 前端模块及具有该模块的移动终端。
根据本发明的一个方面， 提供了一种可配置多模式射频前端模块， 包括单刀多掷 开关 109， 控制器 104、 204， 还包括低频段射频功率放大器管芯 101、 201， 高频段射频功率放 大器管芯 102、 202， 若干选择开关 SW1、 SW2、 SW3 和多个电容 C1、 C2、 C3、 C4、 C5 与电感 L1、 L2、 L3、 L4、 L5 组成的多个输出匹配网络 ； 低频段的频率范围是 824MHz → 915MHz， 高频段的 频率范围是 1710MHz → 2025MHz ；
低频段信号输入低频段射频功率放大器管芯 101、 201， 高频段信号输入高频段射 频功率放大器管芯 102、 202 ；
控制器 104、 204 控制低频段射频功率放大器管芯 101、 201 或高频段射频功率放大 器管芯 102、 202 的工作状态， 控制单刀多掷开关 109 和选择开关 SW1、 SW2、 SW3 以选择低频 段射频功率放大器管芯 101、 201 或高频段射频功率放大器管芯 102、 202 对应的输出匹配网 络并将低频段信号或高频段信号发送至天线 009。
根据本发明的一个方面， 多个输出匹配网络包括第一输出匹配网络 C1、 L1、 第二输 出匹配网络 C2、 L2 和第三输出匹配网络 C3、 L3 ；
第一输出匹配网络 C1、 L1 的一端连接低频段射频功率放大器管芯 101、 201 的输出 端， 第一输出匹配网络 C1、 L1 的另一端分别连接选择开关 SW1 的一端和单刀多掷开关 109 的掷 GSML， 选择开关 SW1 的另一端连接第三输出匹配网络 C3、 L3 的一端， 第三输出匹配网 络 C3、 L3 的另一端通过双工器 108、 208 连接单刀多掷开关的掷 WD1 ；
第二输出匹配网络 C2、 L2 的一端连接高频段射频功率放大器管芯 102、 202 的输出 端， 第二输出匹配网络 C2、 L2 的另一端连接单刀多掷开关 109 的掷 GSMH。
根据本发明的一个方面， 多个输出匹配网络还包括第四输出匹配网络 C4、 L4 ；
第四输出匹配网络 C4、 L4 的一端连接选择开关 SW2 的一端， 选择开关 SW2 的另一 端连接单刀多掷开关 109 的掷 GSMH ；
第四输出匹配网络 C4、 L4 的另一端通过双工器 107、 207 连接单刀多掷开关 109 的 掷 WD2。
根据本发明的一个方面， 多个输出匹配网络还包括第五输出匹配网络 C5、 L5 ；
第五输出匹配网络 C5、 L5 的一端连接选择开关 SW3 的一端， 选择开关 SW3 的另一 端连接单刀多掷开关 109 的掷 GSMH ；
第五输出匹配网络 C5、 L5 的另一端通过双工器 106 连接单刀多掷开关 109 的掷 WD3 ； 或者第五输出匹配网络 C5、 L5 的另一端通过隔离器 206 连接单刀多掷开关 109 的掷 TD。
根据本发明的一个方面， 在同一时刻， 若干选择开关 SW1、 SW2、 SW3 中最多有一个 选择开关 SW1、 SW2、 SW3 闭合。
根据本发明的一个方面， 当低频段信号符合 GSM850 标准或 EGSM 标准时， 控制器
104、 204 控制低频段射频功率放大器管芯 101、 201 工作而高频段射频功率放大器管芯 102、 202 不工作， 并且控制选择开关 SW1、 选择开关 SW2 和选择开关 SW3 均打开 ； 控制器 104、 204 还控制单刀多掷开关的单刀连接掷 GSML ；
当高频段信号符合 DCS 标准或 PCS 标准时， 控制器 104、 204 控制低频段射频功率 放大器管芯 101、 201 不工作而高频段射频功率放大器管芯 102、 202 工作， 并且控制选择开 关 SW1、 选择开关 SW2 和选择开关 SW3 均打开 ； 控制器 104、 204 还控制单刀多掷开关的单刀 连接掷 GSMH ；
当低频段信号符合 WCDMA BAND V 标准、 WCDMA BAND VI 标准或 WCDMA BAND VIII 标准时， 控制器 104、 204 控制低频段射频功率放大器管芯 101、 201 工作而高频段射频功率 放大器管芯 102、 202 不工作， 并且控制选择开关 SW1 闭合而选择开关 SW2 和选择开关 SW3 打开 ； 控制器 104、 204 还控制单刀多掷开关的单刀连接掷 WD1 ；
当高频段信号符合 WCDMA BAND I 标准时， 控制器 104、 204 控制低频段射频功率放 大器管芯 101、 201 不工作而高频段射频功率放大器管芯 102、 202 工作， 并且控制选择开关 SW2 闭合而选择开关 SW1 和选择开关 SW3 打开 ； 控制器 104、 204 还控制单刀多掷开关的单 刀连接掷 WD2 ； 当高频段信号符合 WCDMA BAND II 标准、 WCDMA BAND III 标准或 TD-SCDMA 标准 时， 控制器 104、 204 控制低频段射频功率放大器管芯 101、 201 不工作而高频段射频功率放 大器管芯 102、 202 工作， 并且控制选择开关 SW3 闭合而选择开关 SW1 和选择开关 SW2 打开 ； 控制器 104、 204 还控制单刀多掷开关的单刀连接掷 WD3 或控制单刀多掷开关的单刀连接掷 TD。
根据本发明的一个方面， 第一输出匹配网络 C1、 L1、 第二输出匹配网络 C2、 L2 和第 三输出匹配网络 C3、 L3、 第四输出匹配网络 C4、 L4 或第五输出匹配网络 C5、 L5 为 L 型、 Pi 型或 T 型的输出匹配网络。
根据本发明的一个方面， 第一输出匹配网络 C1、 L1、 第二输出匹配网络 C2、 L2 和第 三输出匹配网络 C3、 L3、 第四输出匹配网络 C4、 L4 或第五输出匹配网络 C5、 L5 为 L 型、 Pi 型和 T 型的输出匹配网络的级联组合或 L 型、 Pi 型和 T 型的输出匹配网络中的任意两种输 出匹配网络的级联组合。
根据本发明的一个方面， 输出匹配网络、 选择开关 SW1、 SW2、 SW3 和单刀多掷开关 109 集成在第一芯片中， 低频段射频功率放大器管芯 101、 201 和高频段射频功率放大器管 芯 102、 202 集成在第二芯片中， 控制器 104、 204 集成在第三芯片中。
根据本发明的一个方面， 第一芯片为 CMOS 工艺芯片， 第二芯片为 HBT 工艺芯片， 第 三芯片为 SOI 工艺芯片。
根据本发明的一个方面， 第一芯片、 第二芯片和第三芯片集成为单独的模块。
根据本发明的一个方面， 第一输出匹配网络 C1、 L1 由电容 C1 和电感 L1 构成， 电感 L1 的一端连接至低频段射频功率放大器 101、 201 的输出端， 电感 L1 的另一端分别连接电容 C1 的一端、 选择开关 SW1 的一端和单刀多掷开关 109 的掷 GSML， 电容 C1 的另一端接地 ；
第二输出匹配网络 C2、 L2 由电容 C2 和电感 L2 构成， 电感 L2 的一端连接至高频段 射频功率放大器 102、 202 的输出端， 电感 L2 的另一端分别连接电容 C2 的一端和单刀多掷 开关 109 的掷 GSMH， 电容 C2 的另一端接地 ；
第三输出匹配网络 C3、 L3 由电容 C3 和电感 L3 构成， 电感 L3 的一端连接至选择开 关 SW1 的另一端， 电感 L3 的另一端连接电容 C3 的一端并通过双工器 108、 208 连接单刀多 掷开关 109 的掷 WD1， 电容 C3 的另一端接地。
根据本发明的一个方面， 第四输出匹配网络 C4、 L4 由电容 C4 和电感 L4 构成， 电感 L4 的一端连接至选择开关 SW2 的一端， 选择开关 SW2 的另一端连接单刀多掷开关 109 的掷 GSMH ； 电感 L4 的另一端连接电容 C4 的一端并通过双工器 107、 207 连接单刀多掷开关 109 的掷 WD2， 电容 C4 的另一端接地。
根据本发明的一个方面， 第五输出匹配网络 C5、 L5 由电容 C5 和电感 L5 构成， 电感 L5 的一端连接至选择开关 SW3 的一端， 选择开关 SW3 的另一端连接单刀多掷开关 109 的掷 GSMH ； 电感 L5 的另一端连接电容 C5 的一端并通过双工器 106 连接单刀多掷开关 109 的掷 WD3 或通过隔离器连接单刀多掷开关 109 的掷 TD， 电容 C5 的另一端接地。
根据本发明的一个方面， 提供了一种移动终端， 包括基带控制芯片 61、 前端芯片 62、 射频前端模块 63 和天线 64， 射频前端模块 63 为上述的可配置多模式射频前端模块。
本发明提供的可复用的支持多模式 (GSM、 WCDMA、 TD-SCDMA 等 ) 的可配置射频前端 模块结构， 减小射频前端模块占用手机终端电路板的面积， 从而减小手机终端的体积， 降低 手机终端的成本。本发明提出的技术解决方案中， 将支持 GSM 高低频段、 WCDMA 三个不同频 段的功率放大器用两个功率放大器及带有选通开关的可配置输出匹配网络来实现， 并且和 射频天线开关集成在同一个模块中， 大幅减小了多模式射频前端模块的体积和占用移动终 端电路板的面积。 同时， 紧凑的结构带来更高的集成度， 从而使得移动终端的成本也大幅降 低。 附图说明
图 1 是现有技术中射频前端模块结构图 ； 图 2 是本发明实施例一的射频前端模块结构图 ； 图 3 是本发明实施例二的射频前端模块结构图 ； 图 4 是本发明实施例三的移动终端结构图 ； 图 5 和图 6 是级联的输出匹配网络结构图。具体实施方式
现有技术中， 所使用的通信标准主要有 GSM、 WCDMA 以及 TD-SCDMA 等。各标准所使 用的发射频段如下 ：
GSM 标准
GSM850 ： 824MHz → 849MHz ；
EGSM ： 880MHz → 915MHz ；
DCS ： 1710MHz → 1785MHz ；
PCS ： 1850MHz → 1910MHz。
WCDMA 标准
Band I ： 1920MHz → 1980MHz ；
Band II ： 1850MHz → 1910MHz ；Band III ： 1710MHz → 1785MHz ；
Band V ： 824MHz → 849MHz ；
Band VI ： 830MHz → 840MHz ；
Band VIII ： 880MHz → 915MHz。
TD-SCDMA 标准
TD1900 ： 1880MHz → 1900MHz ；
TD2000 ： 2010MHz → 2025MHz。
上述各通信标准所使用的频段实际上可以分为两个较宽频段来涵盖所有标准， 即 低频段 824MHz → 915MHz 和高频段 1710MHz → 2025MHz 这两个频段。
为了减少射频前端模块的面积， 本发明使用两个射频功率放大管芯 ( 即低频段射 频功率放大管芯和高频段射频功率放大管芯 ) 来实现可配置多模式射频前端模块。低频段 射频功率放大管芯用于放大低频段 824MHz → 915MHz 的射频信号 ； 高频段射频功率放大器 管芯用于放大高频段 1710MHz → 2025MHz 的射频信号。
实施例一
本发明所提出的技术方案如图 2 所示。低频段射频功率放大器管芯 101， 其输入 信号 RFIN1 可以是 GSM 低频段信号 (GSM850、 EGSM)， 也可以是 WCDMA 的低频段信号 (Band V、 Band VI、 Band VIII) ； 高频段射频功率放大器管芯 102， 其输入信号 RFIN2 可以是 GSM 高频 段信号 (DCS、 PCS)， 也可以是 WCDMA 的高频段信号 (Band I、 Band II、 Band III)。
低频段射频功率放大器管芯 101 的输出连接到电感 L1 的一端 ； 电感 L1 的另一端分 别连接到电容 C1 的一端、 单刀九掷射频天线开关 109 的 GSML 掷及选通开关 SW1 的一端 ； 电 容 C1 的另一端连接到地。选通开关 SW1 的另一端连接到电感 L3 的一端 ； 电感 L3 的另一端 分别连接到电容 C3 的一端和双工器 108 的第一端 ； 电容 C3 的另一端连接到地。双工器 108 的第二端连接到单刀九掷射频天线开关 109 的 WD1 掷 ； 双工器 108 的第三端输出为其接收 信号 WD1R。
高频段射频功率放大器管芯 102 的输出连接到电感 L2 的一端 ； 电感 L2 的另一端分 别连接到电容 C2 的一端、 单刀九掷射频天线开关 109 的 GSMH 掷、 选通开关 SW2 的一端和选 通开关 SW3 的一端 ； 电容 C2 的另一端连接到地。选通开关 SW2 的另一端连接到电感 L4 的一 端； 电感 L4 的另一端分别连接到电容 C4 的一端和双工器 107 的第一端 ； 电容 C4 的另一端连 接到地。双工器 107 的第二端连接到单刀九掷射频天线开关 109 的 WD2 掷 ； 双工器 107 的 第三端输出为其接收信号 WD2R。选通开关 SW3 的另一端连接到电感 L5 的一端 ； 电感 L5 的另 一端分别连接到电容 C5 的一端和双工器 106 的第一端 ； 电容 C5 的另一端连接到地。双工器 106 的第二端连接到单刀九掷射频天线开关 109 的 WD3 掷 ； 双工器 106 的第三端输出为其 接收信号 WD3R。单刀九掷射频天线开关 109 的单刀连接到天线 009， 并且同时还包括 4 个 掷 RX1、 RX2、 RX3 和 RX4， 可以用于天线 009 接收四路射频信号。如上所述的单刀九掷射频 天线开关 109， 电感 L1、 L2、 L 3、 L 4、 L5， 电容 C1、 C2、 C3、 C 4、 C5， 以及选通开关 SW1、 SW2、 SW3 组成了 可配置多模式射频前端网络 103， 其中射频开关的状态以及选通开关的状态受到了控制器 104 的控制 ； 同时， 低频段射频功率放大器管芯 101 及高频段射频功率放大器管芯 102 的工 作状态 ( 工作或关闭 ) 也受到控制器 104 的控制。控制器 104、 可配置多模式射频前端网络 103 以及低频段射频功率放大器管芯 101、 高频段射频功率放大器管芯 102 被集成为一个单模块 105， 可以称为 “可配置多模式射频前端模块” ； 该模块与三个支持 WCDMA 三个不同频段 的双工器 106、 双工器 107、 双工器 108 以及天线 009， 组成了多模式射频前端模块的整个解 决方案。
该多模式射频前端模块方案可以支持 GSM 标准 (GSM850、 EGSM、 DCS 和 PCS) 频段、 WCDMA 标准 (Band V、 Band VI、 Band VIII、 Band I、 BandII、 Band III 等 ) 频段信号的功率 放大发射和接收。
当该方案用于放大发射 GSM 低频段信号 (GSM850、 EGSM) 时， 输入信号 RFIN1 是 GSM850 或 EGSM 射频信号， 经过低频段射频功率放大器管芯 101 进行功率放大， 输入到由电 感 L1 和电容 C1 组成的输出匹配网络 ； 功率放大后的射频信号连接到单刀九掷射频天线开关 109 的 GSML 掷。此时， 控制器 104 控制低频段射频功率放大器管芯 101 工作而高频段射频 功率放大器管芯 102 关闭， 并且控制选通开关 SW1、 SW2 和 SW3 全部打开、 单刀九掷射频天线 开关 109 将天线 009 连接到 GSML 掷。由于选通开关 SW1、 SW2 和 SW3 全部打开， 使得由电感 L3、 电容 C3 组成的匹配网络， 由电感 L4、 电容 C4 组成的匹配网络， 由电感 L5、 电容 C5 组成的匹 配网络， 以及三个双工器 106、 107、 108 都被旁路。
需要说明的是， 这里用于 GSM 低频段信号放大的输出匹配网络是由电感 L1 和电容 C1 组成的 L 型匹配网络 ； 实际上， 根据实际需要输出匹配网络可以是 Pi 型或 T 型匹配网络， 或者是几种匹配网络 (L 型、 Pi 型、 T 型 ) 的级联组合， 如图 5 或图 6 所示。 图 5 所示的输出匹配网络为由一个 T 型匹配网络 501 和一个 Pi 型匹配网络 502 级联实现的两级宽带匹配网络。T 型匹配网络 501 包含电容 C6、 C7 和电感 L6， Pi 型匹配网 络 502 包括电容 C8、 C9 和电感 L7。
图 6 所示的输出匹配网络为由一个 L 型匹配网络 503 和一个 L 型匹配网络 504 级 联实现的两级宽带匹配网络。L 型匹配网络 503 包含电容 C6 和电感 L6， L 型匹配网络 504 包括电容 C7 和电感 L7。
可选地， 输出匹配网络的实现形式不限于上述形式， 其可以是 L 型、 T 型、 Pi 型三种 基本网络的任意组合， 包括相互组合及自身的组合 ( 比如两个 T 型级联 ) ； 并且， 级联的级 数也是不限于两级的， 可以是三级或更多级。输出匹配网络所需元件的元件值需要根据实 际电路的具体情况来确定。这对于本领域专业技术人员而言是易于理解的。
当该方案用于放大发射 GSM 高频段信号 (DCS、 PCS) 时， 输入信号 RFIN2 是 DCS 或 PCS 射频信号， 经过高频段射频功率放大器管芯 102 进行功率放大， 输入到由电感 L2 和电容 C2 组成的输出匹配网络 ； 功率放大后的射频信号连接到单刀九掷射频天线开关 109 的 GSMH 掷。此时， 控制器 104 控制高频段射频功率放大器管芯 102 工作而低频段射频功率放大器 管芯 101 关闭， 并且控制选通开关 SW1、 SW2 和 SW3 全部打开、 单刀九掷射频天线开关 109 将 天线 009 连接到 GSMH 掷。由于选通开关 SW1、 SW2 和 SW3 全部打开， 使得由电感 L3、 电容 C3 组 成的匹配网络， 由电感 L4、 电容 C4 组成的匹配网络， 由电感 L5、 电容 C5 组成的匹配网络， 以及 三个双工器 106、 107、 108 都被旁路。
需要说明的是， 这里用于 GSM 高频段信号放大的输出匹配网络是由电感 L2 和电容 C2 组成的 L 型匹配网络 ； 实际上， 根据实际需要输出匹配网络可以是 Pi 型或 T 型匹配网络， 或者是几种匹配网络 (L 型、 Pi 型、 T 型 ) 的级联组合， 如图 5 或图 6 所示。
图 5 所示的输出匹配网络为由一个 T 型匹配网络 501 和一个 Pi 型匹配网络 502
级联实现的两级宽带匹配网络。T 型匹配网络 501 包含电容 C6、 C7 和电感 L6， Pi 型匹配网 络 502 包括电容 C8、 C9 和电感 L7。
图 6 所示的输出匹配网络为由一个 L 型匹配网络 503 和一个 L 型匹配网络 504 级 联实现的两级宽带匹配网络。L 型匹配网络 503 包含电容 C6 和电感 L6， L 型匹配网络 504 包括电容 C7 和电感 L7。
可选地， 输出匹配网络的实现形式不限于上述形式， 其可以是 L 型、 T 型、 Pi 型三种 基本网络的任意组合， 包括相互组合及自身的组合 ( 比如两个 T 型级联 ) ； 并且， 级联的级 数也是不限于两级的， 可以是三级或更多级。输出匹配网络所需元件的元件值需要根据实 际电路的具体情况来确定。这对于本领域专业技术人员而言是易于理解的。
当该方案用于放大发射 WCDMA 低频段信号 (Band V、 Band VI、 BandVIII) 时， 输入 信号 RFIN1 是 WCDMA Band V 或 Band VI 或 Band VIII 射频信号， 经过低频段射频功率放大 器管芯 101 进行功率放大。此时， 控制器 104 控制低频段射频功率放大器管芯 101 工作而 高频段射频功率放大器管芯 102 关闭， 并且控制选通开关 SW1 闭合、 SW2 打开、 SW3 打开、 单刀 九掷射频天线开关 109 将天线 009 连接到 WD1 掷。因为此时选通开关 SW1 闭合， WCDMA 低频 段信号放大器的输出匹配网络由电感 L1、 电容 C1、 电感 L3、 电容 C3 组成， 经过匹配网络之后 的信号 WD1T 连接到双工器 108 的第一端 ； 双工器 108 的第二端连接到单刀九掷射频天线开 关 109 的 WD1 掷 ； 双工器 108 的第三端输出为其接收信号 WD1R。因为此时选通开关 SW2 和 SW3 打开， 由电感 L4、 电容 C4 组成的匹配网络， 由电感 L5、 电容 C5 组成的匹配网络， 以及双工 器 106、 107 都被旁路。
需要说明的是， 这里用于 WCDMA 低频段信号 (Band V、 Band VI、 BandVIII) 放大的 输出匹配网络是由电感 L1 和电容 C1 组成的 L 型匹配网络和由电感 L3、 电容 C3 组成的 L 型 匹配网络级联组成 ； 实际上， 根据实际需要， 上述第二级匹配网络可以是 Pi 型或 T 型匹配网 络， 或者是几种匹配网络 (L 型、 Pi 型、 T 型 ) 的级联组合， 如图 5 或图 6 所示。
图 5 所示的输出匹配网络为由一个 T 型匹配网络 501 和一个 Pi 型匹配网络 502 级联实现的两级宽带匹配网络。T 型匹配网络 501 包含电容 C6、 C7 和电感 L6， Pi 型匹配网 络 502 包括电容 C8、 C9 和电感 L7。
图 6 所示的输出匹配网络为由一个 L 型匹配网络 503 和一个 L 型匹配网络 504 级 联实现的两级宽带匹配网络。L 型匹配网络 503 包含电容 C6 和电感 L6， L 型匹配网络 504 包括电容 C7 和电感 L7。
可选地， 输出匹配网络的实现形式不限于上述形式， 其可以是 L 型、 T 型、 Pi 型三种 基本网络的任意组合， 包括相互组合及自身的组合 ( 比如两个 T 型级联 ) ； 并且， 级联的级 数也是不限于两级的， 可以是三级或更多级。输出匹配网络所需元件的元件值需要根据实 际电路的具体情况来确定。这对于本领域专业技术人员而言是易于理解的。
另外， 由于 WCDMA 标准是频分双工系统， 信号发射和接收可以同时采用相同的天 线 009 完成， 因此从天线 009 接收到 WCDMA 的低频段信号也通过 WD1 掷， 并通过双工器， 由 其第三端 WD1R 输出到移动终端的射频收发器芯片 (Transceiver)。
当该方案用于放大发射 WCDMA 高频段信号 (Band I) 时， 输入信号 RFIN2 是 WCDMA Band I 射频信号， 经过高频段射频功率放大器管芯 102 进行功率放大。 此时， 控制器 104 控 制高频段射频功率放大器管芯 102 工作而低频段射频功率放大器管芯 101 关闭， 并且控制选通开关 SW2 闭合、 SW1 打开、 SW3 打开、 单刀九掷射频天线开关 109 将天线 009 连接到 WD2 掷。因为此时选通开关 SW2 闭合， WCDMA 高频段信号 (Band I) 放大器的输出匹配网络由电 感 L2、 电容 C2、 电感 L4、 电容 C4 组成， 经过匹配网络之后的信号 WD2T 连接到双工器 107 的第 一端 ； 双工器 107 的第二端连接到单刀九掷射频天线开关 109 的 WD2 掷 ； 双工器 107 的第三 端输出为其接收信号 WD2R。因为此时选通开关 SW1 和 SW3 打开， 由电感 L3、 电容 C3 组成的匹 配网络， 由电感 L5、 电容 C5 组成的匹配网络， 以及双工器 106、 108 都被旁路。
需要说明的是， 这里用于 WCDMA 高频段信号 (Band I) 放大的输出匹配网络是由电 感 L2 和电容 C2 组成的 L 型匹配网络和由电感 L4、 电容 C4 组成的 L 型匹配网络级联组成 ； 实 际上， 根据实际需要， 上述第二级匹配网络可以是 Pi 型或 T 型匹配网络， 或者是几种匹配网 络 (L 型、 Pi 型、 T 型 ) 的级联组合， 如图 5 或图 6 所示。
图 5 所示的输出匹配网络为由一个 T 型匹配网络 501 和一个 Pi 型匹配网络 502 级联实现的两级宽带匹配网络。T 型匹配网络 501 包含电容 C6、 C7 和电感 L6， Pi 型匹配网 络 502 包括电容 C8、 C9 和电感 L7。
图 6 所示的输出匹配网络为由一个 L 型匹配网络 503 和一个 L 型匹配网络 504 级 联实现的两级宽带匹配网络。L 型匹配网络 503 包含电容 C6 和电感 L6， L 型匹配网络 504 包括电容 C7 和电感 L7。 可选地， 输出匹配网络的实现形式不限于上述形式， 其可以是 L 型、 T 型、 Pi 型三种 基本网络的任意组合， 包括相互组合及自身的组合 ( 比如两个 T 型级联 ) ； 并且， 级联的级 数也是不限于两级的， 可以是三级或更多级。输出匹配网络所需元件的元件值需要根据实 际电路的具体情况来确定。这对于本领域专业技术人员而言是易于理解的。
另外， 由于 WCDMA 标准是频分双工系统， 信号发射和接收可以同时采用相同的天 线 009 完成， 因此从天线 009 接收到 WCDMA 的高频段信号也通过 WD2 掷， 并通过双工器， 由 其第三端 WD2R 输出到移动终端的射频收发器芯片 (Transceiver)。
当该方案用于放大发射 WCDMA 高频段信号 (Band II、 Band III) 时， 输入信号 RFIN2 是 WCDMA Band II 或 Band III 射频信号， 经过高频段射频功率放大器管芯 102 进行功率放 大。 此时， 控制器 104 控制高频段射频功率放大器管芯 102 工作而低频段射频功率放大器管 芯 101 关闭， 并且控制选通开关 SW3 闭合、 SW1 打开、 SW2 打开、 单刀九掷射频天线开关 109 将 天线 009 连接到 WD3 掷。因为此时选通开关 SW3 闭合， WCDMA 高频段信号 (BandII、 BandIII) 放大器的输出匹配网络由电感 L2、 电容 C2、 电感 L5 和电容 C5 组成， 经过匹配网络之后的信号 WD3T 连接到双工器 106 的第一端 ； 双工器 106 的第二端连接到单刀九掷射频天线开关 109 的 WD3 掷 ； 双工器 106 的第三端输出为其接收信号 WD3R。因为此时选通开关 SW1 和 SW2 打 开， 由电感 L3、 电容 C3 组成的匹配网络， 由电感 L4、 电容 C4 组成的匹配网络， 以及双工器 107、 108 都被旁路。
需要说明的是， 这里用于 WCDMA 高频段信号 (Band II、 BandIII) 放大的输出匹配 网络是由电感 L2 和电容 C2 组成的 L 型匹配网络和由电感 L5、 电容 C5 组成的 L 型匹配网络 级联组成 ； 实际上， 根据实际需要， 上述第二级匹配网络可以是 Pi 型或 T 型匹配网络， 或者 是几种匹配网络 (L 型、 Pi 型、 T 型 ) 的级联组合， 如图 5 或图 6 所示。
图 5 所示的输出匹配网络为由一个 T 型匹配网络 501 和一个 Pi 型匹配网络 502 级联实现的两级宽带匹配网络。T 型匹配网络 501 包含电容 C6、 C7 和电感 L6， Pi 型匹配网
络 502 包括电容 C8、 C9 和电感 L7。
图 6 所示的输出匹配网络为由一个 L 型匹配网络 503 和一个 L 型匹配网络 504 级 联实现的两级宽带匹配网络。L 型匹配网络 503 包含电容 C6 和电感 L6， L 型匹配网络 504 包括电容 C7 和电感 L7。
可选地， 输出匹配网络的实现形式不限于上述形式， 其可以是 L 型、 T 型、 Pi 型三种 基本网络的任意组合， 包括相互组合及自身的组合 ( 比如两个 T 型级联 ) ； 并且， 级联的级 数也是不限于两级的， 可以是三级或更多级。输出匹配网络所需元件的元件值需要根据实 际电路的具体情况来确定。这对于本领域专业技术人员而言是易于理解的。
另外， 由于 WCDMA 标准是频分双工系统， 信号发射和接收可以同时采用相同的天 线 009 完成， 因此从天线 009 接收到 WCDMA 的高频段信号 (Band II、 Band III) 也通过 WD3 掷， 并通过双工器， 由其第三端 WD3R 输出到移动终端的射频收发器芯片 (Transceiver)。
单刀九掷射频天线开关 109 中还包括了用于接收通道的四个掷 RX1、 RX2、 RX3 和 RX4， 在控制器控制下， 单刀九掷射频天线开关 109 可以将天线 009 连接到这四个掷的其中 之一来接收相应接收通道的信号。根据需要， 这四路接收通路所接收的信号可以是 GSM、 WCDMA、 TD-SCDMA 各种标准中各个频段的射频信号。需要说明的是， 在本实施例中射频天线 开关为单刀九掷形式， 其中有四掷用于接收通道 ； 实际上， 在具体实施中， 可以根据实际需 要灵活增减用于接收通道的掷的数目， 本实施例所举四掷仅作为举例说明， 而不是对本发 明的限制。
下表显示了不同通信标准下多模式射频前端模块中各元件的状态 ：
另外， 根据本发明， 控制器采用 CMOS 工艺芯片， 低频段射频功率放大器管芯 101 和 高频段射频功率放大器管芯 102 采用同一块 GaAs HBT 工艺芯片， 整个可配置多模式射频前 端网络 103 采用 CMOS SOI 工艺芯片， 这三个芯片集成在一个射频前端模块 105 中， 整个模 块的尺寸为 6×6mm， 远远小于采用现有技术方案的产品的尺寸， 大幅削减了移动终端的体 积和成本。
实施例二
本发明所提出的技术方案的第二个实施例如图 3 所示， 该方案可以同时支持 GSM、 WCDMA 和 TD-SCDMA 三种移动通信标准。低频段射频功率放大器管芯 201， 其输入信号 RFIN1 可以是 GSM 低频段信号 (GSM850、 EGSM)， 也可以是 WCDMA 的低频段信号 (Band V、 Band VI、 Band VIII) ； 高频段射频功率放大器管芯 202， 其输入信号 RFIN2 可以是 GSM 高频段信号 (DCS、 PCS)， 也可以是 WCDMA 的高频段信号 (Band I、 Band II、 Band III) 或 TD-SCDMA 的信 号。
低频段射频功率放大器管芯 201 的输出连接到电感 L1 的一端 ； 电感 L1 的另一端分 别连接到电容 C1 的一端、 单刀九掷射频天线开关 209 的 GSML 掷及选通开关 SW1 的一端 ； 电 容 C1 的另一端连接到地。选通开关 SW1 的另一端连接到电感 L3 的一端 ； 电感 L3 的另一端 分别连接到电容 C3 的一端和双工器 208 的第一端 ； 电容 C3 的另一端连接到地。双工器 208 的第二端连接到单刀九掷射频天线开关 209 的 WD1 掷 ； 双工器 208 的第三端输出为其接收 信号 WD1R。
高频段射频功率放大器管芯 202 的输出连接到电感 L2 的一端 ； 电感 L2 的另一端分 别连接到电容 C2 的一端、 单刀九掷射频天线开关 209 的 GSMH 掷、 选通开关 SW2 的一端和选 通开关 SW3 的一端 ； 电容 C2 的另一端连接到地。选通开关 SW2 的另一端连接到电感 L4 的一 端； 电感 L4 的另一端分别连接到电容 C4 的一端和双工器 207 的第一端 ； 电容 C4 的另一端连 接到地。双工器 207 的第二端连接到单刀九掷射频天线开关 209 的 WD2 掷 ； 双工器 207 的 第三端输出为其接收信号 WD2R。选通开关 SW3 的另一端连接到电感 L5 的一端 ； 电感 L5 的另 一端分别连接到电容 C5 的一端和隔离器 206 的第一端 ； 电容 C5 的另一端连接到地。隔离器 206 的第二端连接到单刀九掷射频天线开关 209 的 TD 掷。单刀九掷射频天线开关 209 的 单刀连接到天线 009， 并且同时还包括 4 个掷 RX1、 RX2、 RX3 和 RX4， 可以用于天线 009 接收 四路射频信号。如上所述的单刀九掷射频天线开关 209， 电感 L1、 L2、 L3、 L4、 L5， 电容 C1、 C2、 C3、 C4、 C5， 以及选通开关 SW1、 SW2、 SW3 组成了可配置多模式射频前端网络 203， 其中射频开关 的状态以及选通开关的状态受到了控制器 204 的控制 ； 同时， 低频段射频功率放大器管芯 201 及高频段射频功率放大器管芯 202 的工作状态 ( 工作或关闭 ) 也受到控制器 204 的控 制。控制器 204、 可配置多模式射频前端网络 203 以及低频段射频功率放大器管芯 201、 高 频段射频功率放大器管芯 202 被集成为一个单模块 205， 可以称为 “可配置多模式射频前端 模块” ； 该模块与两个支持 WCDMA 不同频段的双工器 207、 208， 用于 TD-SCDMA 的隔离器 206， 以及天线 009， 组成了多模式射频前端模块的整个解决方案。
该多模式射频前端模块方案可以支持 GSM 标准 (GSM850、 EGSM、 DCS 和 PCS) 频段、 WCDMA 标准 (Band V、 Band VI、 Band VIII、 Band I、 BandII、 Band III 等 ) 和 TD-SCDMA 标 准频段信号的功率放大发射和接收。
当该方案用于放大发射 GSM 低频段信号 (GSM850、 EGSM) 时， 输入信号 RFIN1 是GSM850 或 EGSM 射频信号， 经过低频段射频功率放大器管芯 201 进行功率放大， 输入到由电 感 L1 和电容 C1 组成的输出匹配网络 ； 功率放大后的射频信号连接到单刀九掷射频天线开关 209 的 GSML 掷。此时， 控制器 204 控制低频段射频功率放大器管芯 201 工作而高频段射频 功率放大器管芯 202 关闭， 并且控制选通开关 SW1、 SW2 和 SW3 全部打开、 单刀九掷射频天线 开关 209 将天线 009 连接到 GSML 掷。由于选通开关 SW1、 SW2 和 SW3 全部打开， 使得由电感 L3、 电容 C3 组成的匹配网络， 由电感 L4、 电容 C4 组成的匹配网络， 由电感 L5、 电容 C5 组成的匹 配网络， 以及双工器 207、 208 和隔离器 206 都被旁路。需要说明的是， 这里用于 GSM 低频段 信号放大的输出匹配网络是由电感 L1 和电容 C1 组成的 L 型匹配网络 ； 实际上， 根据实际需 要输出匹配网络可以是 Pi 型或 T 型匹配网络， 或者是几种匹配网络 (L 型、 Pi 型、 T型)的 级联组合 ； 所需元件的元件值需要根据实际电路的具体情况来确定。这对于本领域专业技 术人员而言是易于理解的。
当该方案用于放大发射 GSM 高频段信号 (DCS、 PCS) 时， 输入信号 RFIN2 是 DCS 或 PCS 射频信号， 经过高频段射频功率放大器管芯 202 进行功率放大， 输入到由电感 L2 和电容 C2 组成的输出匹配网络 ； 功率放大后的射频信号连接到单刀九掷射频天线开关 209 的 GSMH 掷。此时， 控制器 204 控制高频段射频功率放大器管芯 202 工作而低频段射频功率放大器 管芯 201 关闭， 并且控制选通开关 SW1、 SW2 和 SW3 全部打开、 单刀九掷射频天线开关 209 将 天线 009 连接到 GSMH 掷。由于选通开关 SW1、 SW2 和 SW3 全部打开， 使得由电感 L3、 电容 C3 组 成的匹配网络， 由电感 L4、 电容 C4 组成的匹配网络， 由电感 L5、 电容 C5 组成的匹配网络， 以及 双工器 207、 208 和隔离器 206 都被旁路。需要说明的是， 这里用于 GSM 高频段信号放大的 输出匹配网络是由电感 L2 和电容 C2 组成的 L 型匹配网络 ； 实际上， 根据实际需要输出匹配 网络可以是 Pi 型或 T 型匹配网络， 或者是几种匹配网络 (L 型、 Pi 型、 T 型 ) 的级联组合 ； 所需元件的元件值需要根据实际电路的具体情况来确定。 这对于本领域专业技术人员而言 是易于理解的。
当该方案用于放大发射 WCDMA 低频段信号 (Band V、 Band VI、 BandVIII) 时， 输入 信号 RFIN1 是 WCDMA Band V 或 Band VI 或 Band VIII 射频信号， 经过低频段射频功率放大 器管芯 201 进行功率放大。此时， 控制器 204 控制低频段射频功率放大器管芯 201 工作而 高频段射频功率放大器管芯 202 关闭， 并且控制选通开关 SW1 闭合、 SW2 打开、 SW3 打开、 单刀 九掷射频天线开关 209 将天线 009 连接到 WD1 掷。因为此时选通开关 SW1 闭合， WCDMA 低频 段信号放大器的输出匹配网络由电感 L1、 电容 C1、 电感 L3、 电容 C3 组成， 经过匹配网络之后 的信号 WD1T 连接到双工器 208 的第一端 ； 双工器 208 的第二端连接到单刀九掷射频天线开 关 209 的 WD1 掷 ； 双工器 208 的第三端输出为其接收信号 WD1R。因为此时选通开关 SW2 和 SW3 打开， 由电感 L4、 电容 C4 组成的匹配网络、 由电感 L5、 电容 C5 组成的匹配网络， 以及双工 器 207、 隔离器 206 都被旁路。需要说明的是， 这里用于 WCDMA 低频段信号 (Band V、 Band VI、 Band VIII) 放大的输出匹配网络是由电感 L1 和电容 C1 组成的 L 型匹配网络和由电感 L3、 电容 C3 组成的 L 型匹配网络级联组成 ； 实际上， 根据实际需要， 上述第二级匹配网络可以 是 Pi 型或 T 型匹配网络， 或者是几种匹配网络 (L 型、 Pi 型、 T 型 ) 的级联组合 ； 所需元件 的元件值需要根据实际电路的具体情况来确定。 这对于本领域专业技术人员而言是易于理 解的。
另外， 由于 WCDMA 标准是频分双工系统， 信号发射和接收可以同时采用相同的天线 009 完成， 因此从天线 009 接收到 WCDMA 的低频段信号也通过 WD1 掷， 并通过双工器 208， 由其第三端 WD1R 输出到移动终端的射频收发器芯片 (Transceiver)。
当该方案用于放大发射 WCDMA 高频段信号 (Band I) 时， 输入信号 RFIN2 是 WCDMA Band I 射频信号， 经过高频段射频功率放大器管芯 202 进行功率放大。 此时， 控制器 204 控 制高频段射频功率放大器管芯 202 工作而低频段射频功率放大器管芯 201 关闭， 并且控制 选通开关 SW2 闭合、 SW1 打开、 SW3 打开、 单刀九掷射频天线开关 209 将天线 009 连接到 WD2 掷。因为此时选通开关 SW2 闭合， WCDMA 高频段信号 (Band I) 放大器的输出匹配网络由电 感 L2、 电容 C2、 电感 L4、 电容 C4 组成， 经过匹配网络之后的信号 WD2T 连接到双工器 207 的第 一端 ； 双工器 207 的第二端连接到单刀九掷射频天线开关 209 的 WD2 掷 ； 双工器 207 的第 三端输出为其接收信号 WD2R。因为此时选通开关 SW1 和 SW3 打开， 由电感 L3、 电容 C3 组成的 匹配网络、 由电感 L5、 电容 C5 组成的匹配网络， 以及隔离器 206、 双工器 108 都被旁路。需要 说明的是， 这里用于 WCDMA 高频段信号 (Band I) 放大的输出匹配网络是由电感 L2 和电容 C2 组成的 L 型匹配网络和由电感 L4、 电容 C4 组成的 L 型匹配网络级联组成 ； 实际上， 根据实 际需要， 上述第二级匹配网络可以是 Pi 型或 T 型匹配网络， 或者是几种匹配网络 (L 型、 Pi 型、 T 型 ) 的级联组合 ； 所需元件的元件值需要根据实际电路的具体情况来确定。这对于本 领域专业技术人员而言是易于理解的。另外， 由于 WCDMA 标准是频分双工系统， 信号发射和 接收可以同时采用相同的天线 009 完成， 因此从天线 009 接收到 WCDMA 的高频段 (Band I) 信号也通过 WD2 掷， 并通过双工器 207， 由其第三端 WD2R 输出到移动终端的射频收发器芯片 (Transceiver)。
当该方案用于放大发射 TD-SCDMA 频段信号时， 输入信号 RFIN2 是 TD-SCDMA 射频信 号， 经过高频段射频功率放大器管芯 202 进行功率放大。此时， 控制器 204 控制高频段射频 功率放大器管芯 202 工作而低频段射频功率放大器管芯 201 关闭， 并且控制选通开关 SW3 闭 合、 SW1 打开、 SW2 打开、 单刀九掷射频天线开关 209 将天线 009 连接到 TD 掷。因为此时选通 开关 SW3 闭合， TD-SCDMA 信号放大器的输出匹配网络由电感 L2、 电容 C2、 电感 L5、 电容 C5 组 成， 经过匹配网络之后的信号 TDT 连接到隔离器 206 的输入端 ； 隔离器 206 的输出端连接到 单刀九掷射频天线开关 209 的 TD 掷。因为此时选通开关 SW1 和 SW2 打开， 由电感 L3、 电容 C3 组成的匹配网络， 由电感 L4、 电容 C4 组成的匹配网络， 以及双工器 207、 208 都被旁路。需要 说明的是， 这里用于 TD-SCDMA 信号放大的输出匹配网络是由电感 L2 和电容 C2 组成的 L 型 匹配网络和由电感 L5、 电容 C5 组成的 L 型匹配网络级联组成 ； 实际上， 根据实际需要， 上述 第二级匹配网络可以是 Pi 型或 T 型匹配网络， 或者是几种匹配网络 (L 型、 Pi 型、 T型)的 级联组合 ； 所需元件的元件值需要根据实际电路的具体情况来确定。这对于本领域专业技 术人员而言是易于理解的。
另外， 单刀九掷射频天线开关 209 中还包括了用于接收通道的四个掷 RX1、 RX2、 RX3 和 RX4， 在控制器控制下， 单刀九掷射频天线开关 209 可以将天线 009 连接到这四个掷 的其中之一来接收相应接收通道的信号。根据需要， 这四路接收通路所接收的信号可以是 GSM、 WCDMA、 TD-SCDMA 各种标准中各个频段的射频信号。需要说明的是， 在本实施例中射频 天线开关为单刀九掷形式， 其中有四掷用于接收通道 ； 实际上， 在具体实施中， 可以根据实 际需要灵活增减用于接收通道的掷的数目， 本实施例所举四掷仅作为举例说明， 而不是对 本发明的限制。下表显示了不同通信标准下多模式射频前端模块中各元件的状态 ：
通过实施例一和实施例二的比较可以看出， WCDMA Band II、 Band III 和 TD-SCDMA 在实施例中选通开关和管芯的配置是相同的。 如果需要同时支持 WCDMA Band II、 Band III 和 TD-SCDMA， 本领域技术人员根据本发明的公开的技术方案， 只需要再增加一个选通开关 和相应的匹配网络即可。
另外， 根据本发明， 控制器采用 CMOS 工艺芯片， 低频段射频功率放大器管芯 201 和 高频段射频功率放大器管芯 202 采用同一块 GaAs HBT( 异质结双极型晶体管 ) 工艺芯片， 整个可配置多模式射频前端网络 203 采用 CMOSSOI( 绝缘体硅 ) 工艺芯片， 这三个芯片集成 在一个射频前端模块 205 中， 整个模块的尺寸为 6×6mm， 远远小于采用现有技术方案的产 品的尺寸， 大幅削减了移动终端的体积和成本。
实施例三
本发明提供的射频前端模块可以应用于支持各种通信标准的移动终端中， 也可以 应用于双模或者多模移动终端中， 例如 GSM/WCDMA 双模移动终端以及 WCDMA/TD-SCDMA 双模 移动终端等。
图 4 显示了移动终端的结构示意图。 移动终端包括基带控制芯片 61、 前端芯片 ( 射 频收发器 )62、 射频前端模块 63 以及天线 64。基带控制芯片 61 用于合成将要发射的基带 信号， 或对接收到的基带信号进行解码 ； 前端芯片 62， 对从基带控制芯片 61 传输来的基带 信号进行处理而生成射频信号， 并将所生成的射频信号发送到射频前端模块 63， 或对从射 频前端模块 63 传输来的射频信号进行处理而生成基带信号， 并将所生成的基带信号发送 到基带控制芯片 61 ； 射频前端模块 63 用于对从前端芯片 62 传输来的射频信号进行诸如功
率放大的处理， 或接收信号并将该接收信号处理后发送至前端芯片 62 ； 天线 64， 其与射频 前端模块 63 相连接， 用于从外界接收信号或发射从射频前端模块 63 传输来的信号。
具体而言， 进行信号发射时， 基带控制芯片 61 把要发射的信息编译成基带码 ( 基 带信号 ) 并将其传输给前端芯片 62， 前端芯片 62 对该基带信号进行处理生成射频信号， 并 将该射频信号传输到射频前端模块 63， 射频前端模块 63 将从前端芯片 62 传输来的射频信 号进行功率放大并通过天线 64 向外发射 ； 进行信号接收时， 射频前端模块 63 将通过天线 64 接收的射频信号传输给前端芯片 62， 前端芯片 62 将从射频前端模块 63 传输来的射频信 号转换为基带信号， 并将该基带信号传输到基带控制芯片 61， 最后由基带控制芯片 61 将从 前端芯片 62 传输来的基带信号解译为接收信息。
可选地， 所述要发射的信息或接收信息可以包括音频信息、 地址信息 ( 手机号码、 网站地址 )、 文字信息 ( 短信息文字、 网站文字 )、 图片信息等。
所述基带控制芯片的主要组件为处理器 (DSP、 ARM 等 ) 和内存 ( 如 SRAM、 Flash)。 可选地， 该基带控制芯片由单一基带芯片实现。
优选地， 所述前端芯片支持两种基带信号接口， 可以支持带模拟基带功能的基带 控制芯片， 也可以同时支持纯数字的基带控制芯片。