基于2,5－二氨基对苯二酸衍生物的有机场致发光器件.pdf

摘要
申请专利号：	CN02816467.9	申请日：	2002.08.21
公开号：	CN1545741A	公开日：	2004.11.10
当前法律状态：	撤回	有效性：	无权
法律详情：	发明专利申请公布后的视为撤回IPC(主分类):H01L 51/30公开日:20041110\|\|\|实质审查的生效\|\|\|公开
IPC分类号：	H01L51/30; C09K11/06; C07C229/62; C07C255/58; C07D209/08; C07D213/74; C07D239/42; C07D295/12; C07D295/18; C07D317/66; C07D455/04; C07D498/04	主分类号：	H01L51/30; C09K11/06; C07C229/62; C07C255/58; C07D209/08; C07D213/74; C07D239/42; C07D295/12; C07D295/18; C07D317/66; C07D455/04; C07D498/04
申请人：	灵敏成像技术有限公司;
发明人：	安德列亚斯·M·里希特; 延斯·舍内韦克; 格哈德·迪纳
地址：	德国沃尔芬
优先权：	2001.08.21 DE 10141266.5
专利代理机构：	中科专利商标代理有限责任公司	代理人：	王旭
PDF下载：	PDF下载

内容摘要

本发明涉及一种有机场致发光器件，其在一个或数个发射体层中以纯的或掺杂的形式包含式1a的2，5－二氨基对苯二酸衍生物作为发射体物质。环A是三重不饱和苯环，其中R4′和R8′等于零，或者环A是分别在1，2位置和4，5－位置提供双键的双不饱和环，并且R10是腈基－CN或－C(＝X1)－X2R1基，R11是腈基－CN或－C(＝X3)－X4R5基，X1和X3相同或不同，是氧，硫或亚氨基，X2和X4是氧，硫或任选地取代的氨基，R1－R8，R4′和R8′是H，C1－C20烷基，芳基，杂芳基，R4和R8还可以是卤素，硝基，氰基或氨基，R2－R4，R6－R8，R4′和R8′还可以是三氟甲基或五氟苯基，并且其中某些基团可以形成饱和或不饱和环。该新器件其特征在于狭窄的发射谱带，低驱动电压，高光测效率和在广泛光谱限度内的高热稳定性。

权利要求书

1：一种有机场致发光器件，其以纯的或掺杂的形式在器件的一个或数个反射体层中包含下式 1a 的2，5-二氨基对苯二酸衍生物其中环A是其中省略R 4′ 和R 8′ 的三重不饱和苯环，或者环A是在1，2- 位置和在4，5-位置含有两个分开的双键的不饱和环，并且其中R 10 表示腈基-CN或-C(＝X 1 )-X 2 R 1 基， R 11 是腈基-CN或-C(＝X 3 )-X 4 R 5 基， X 1 和X 3 相同或不同，是氧，硫或亚氨基， X 2 和X 4 相同或不同，是氧，硫或取代或者未取代的氨基， R 1 至R 8 ，R 4′ 和R 8′ 可以相同或不同，是氢，C1-C20的烷基，芳基，杂芳基，其中芳基和杂芳基可以单独或多重地被相同或不同的二-C1-C3- 氨基，C1-C10烷氧基，C1-C4烷基，氰基，氟，氯和溴以及苯基所取代， R 4 和R 8 也可以是卤素，硝基，氰基或氨基， R 2 至R 4 ，R 6 至R 8 ，R 4′ 和R 8′ 也可以是三氟甲基，2-氟苯基，3-氟苯基， 4-氟苯基，2，4-二氟苯基，2，6-二氟苯基，2，3，4，5-四氟苯基或五氟苯基，并且其中下列基团可以形成饱和或不饱和环 X 1 和X 2 ，R 1 和R 2 ，R 2 和X 2 ，R 2 和R 3 ，R 3 和R 4 ，R 4 和X 3 ，X 3 和X 4 ， R 5 和X 4 ，R 6 和X 4 ，R 6 和R 7 ，R 7 和R 8 ，R 8 和X 1 ，R 3 和R 4′ ，R 7 和R 8′ ， R 4 和R 4′ ，以及R 8 和R 8′ ，这些环上可以稠合更多的环。
2：按照权利要求2的器件，其中烷基是C1-C8烷基，芳基是苯基或萘基，并且杂芳环是香豆基，吡啶基，chinolyl，吲哚基，咔唑基，咪唑基，噻吩基，噻唑基，呋喃基，或噁唑基。
3：按照权利要求1或2的器件，其中R 2 ，R 3 ，R 6 和R 7 是三氟甲基， 2-氟苯基，3-氟苯基，4-氟苯基，2，4-二氟苯基，2，6-二氟苯基，2，3，4，5-四氟苯基或五氟苯基，R 4 和R 8 是卤素，硝基，氰基或氨基，并且其它取代基具有在权利要求1中说明的含义。
4：按照权利要求1或2的器件，其中R 4 和R 8 是三氟甲基，2-氟苯基， 3-氟苯基，4-氟苯基，2，4-二氟苯基，2，6-二氟苯基，2，3，4，5-四氟苯基或五氟苯基，并且其它取代基具有在权利要求1中说明的含义。
5：按照权利要求1至4中任何一项的器件，其中所述烷氧基中的烷基为C 1 -C 4 烷基。
6：按照权利要求1至5中任何一项的器件，其中X 1 和X 3 表示氧。
7：按照权利要求1的器件，其中下列通式 1 的化合物以纯的或掺杂的形式被包含在器件中的一个或数个发射体层中其中 X 1 和X 3 可以是相同或不同的原子或基团，氧，硫或亚氨基； X 2 和X 4 可以是相同或不同的原子或基团，氧，硫或氨基，其中所述氨基氮可以被取代； R 1 至R 8 可以是相同或不同的取代基，氢，含有1至20个C原子的烷基；芳基，例如苯基或萘基，杂芳基，例如吡啶基，噻吩基，呋喃基，并且上述基团可以被例如二烷基氨基，烷氧基，氰基，氟或氯的原子或基团所取代； R 4 和R 8 也可以相同或不同，为卤素，硝基，氰基或氨基。
8：按照权利要求1至7中任何一项的器件，其中包含下式 5 的化合物其中X 1 和X 2 是5-至6-元环的成员，其形成含有或不含另外环化 (anellation)的饱和或不饱和杂环，并且X 1 是亚氨基，X 2 ，X 3 和X 4 以及R 2 至R 8 具有在权利要求1中说明的含义，其中R 4 和R 8 还可以是卤素，硝基，氰基或氨基。
9：按照权利要求1至7中任何一项的器件，其中在器件中包含下式 6 的化合物其中X 2 和R 1 是5-至6-元环的成员，其形成含有或不含另外环化的饱和或不饱和杂环，X 2 是氨基，并且X 1 ，X 3 和X 4 以及R 2 至R 8 具有在权利要求1中说明的含义，其中R 4 和R 8 还可以是卤素，硝基，氰基或氨基。
10：按照权利要求1至7中任何一项的器件，其中在器件中包含下式 7 的化合物其中X 2 和R 2 是5-至6-元环的成员，其形成成环的杂环，X 2 是N或 O，其中在X 2 ＝O的情形中不存在取代基R 1 ；并且X 1 ，X 3 ，X 4 ，R 1 ，R 3 至R 8 具有在权利要求1中说明的含义，其中R 4 和R 8 也可以相同或不同，为卤素，硝基，氰基或氨基。
11：按照权利要求1至7中任何一项的器件，其中在器件中包含下式 8 的化合物其中R 2 和R 3 是5-至6-元环的成员，其形成含有或不含另外环化的饱和或不饱和杂环，并且X 1 至X 4 ，R 1 和R 4 至R 8 具有在权利要求1中说明的含义，其中R 4 和R 8 也可以相同或不同，为卤素，硝基，氰基或氨基。
12：按照权利要求1至7中任何一项的器件，其中包含下式 9 的化合物其中R 3 和R 4 是5-至6-元环的成员，其形成含有或不含另外环化的饱和或不饱和杂环，并且X 1 至X 4 ，R 1 ，R 2 ，R 5 至R 8 可以具有在权利要求 1中说明的含义，R 8 还可以是卤素，硝基，氰基或氨基。
13：按照权利要求1至7中任何一项的器件，其中包含下式 10 的化合物其中R 3 和X 3 是5-至6-元环的成员，其形成含有或不含另外环化的饱和或不饱和杂环，X 3 是亚氨基，并且X 1 ，X 2 ，X 4 ，R 1 至R 3 和R 5 至R 8 具有在权利要求1中说明的含义，R 8 还可以是卤素，硝基，氰基或氨基。
14：按照权利要求1至7中任何一项的器件，其中包含下式 11 的化合物其中X 3 和X 4 是5-至6-元环的成员，其形成含有或不含另外环化的饱和或不饱和杂环，X 3 是亚氨基，并且X 1 ，X 2 ，X 4 ，R 1 至R 8 具有在权利要求1中说明的含义，R 4 和R 8 也可以相同或不同，为卤素，硝基，氰基或氨基。
15：按照权利要求1至7中任何一项的器件，其中包含下式 12 的化合物其中X 4 和R 5 可以是5-至6-元环的成员，其形成含有或不含另外环化的饱和或不饱和杂环，X 4 是氨基，并且X 1 ，X 2 ，X 3 ，R 1 至R 4 ，R 6 至R 8 具有在权利要求1中说明的含义，R 4 和R 8 也可以相同或不同，为卤素，硝基，氰基或氨基。
16：按照权利要求1至7中任何一项的器件，其中包含下式 13 的化合物其中X 4 和R 5 可以是5-至6-元环的成员，其形成成环的杂环，X 4 是 N或O，其中在X 4 ＝O的情形中不存在取代基R 5 ，并且X 1 ，X 2 ，X 3 ，R 1 至R 5 ，R 7 和R 8 具有在权利要求1中说明的含义，R 4 和R 8 也可以相同或不同，为卤素，硝基，氰基或氨基。
17：按照权利要求1至7中任何一项的器件，其中包含下式 14 的化合物其中R 6 和R 7 可以是5-至6-元环的成员，其形成含有或不含另外环化的饱和或不饱和杂环，并且X 1 至X 4 ，R 1 至R 5 和R 8 R 4 和R 8 也可以相同或不同，为卤素，硝基，氰基或氨基。
18：按照权利要求1至7中任何一项的器件，其中包含下式 15 的化合物其中R 7 和R 8 可以是5-至6-元环的成员，其形成含有或不含另外环化的稠合、饱和或不饱和杂环，X 1 至X 4 ，R 1 ，R 6 具有在权利要求1中说明的含义，并且R 4 还可以是卤素，硝基，氰基或氨基。
19：按照权利要求1至7中任何一项的器件，其中包含下式 16 的化合物其中R 8 和X 1 可以是5-至6-元环的成员，其形成含有或不含另外环化的稠合，饱和或不饱和杂环，X 1 是亚氨基，X 2 ，X 3 ，X 4 ，R 1 至R 7 具有在权利要求1中说明的含义，并且R 4 还可以是卤素，硝基，氰基或氨基。
20：按照权利要求1至7中任何一项的器件，其中包含下式 17 的化合物其中X 1 和X 2 以及X 3 和X 4 可以是5-至6-元环的成员，其形成含有或不含另外环化(anellation)的饱和或不饱和杂环，X 1 是亚氨基，X 2 ，X 3 ，X 4 ， R 1 至R 8 具有在权利要求1中说明的含义，并且R 4 和R 8 还可以是卤素，硝基，氰基或氨基。
21：按照权利要求1至7中任何一项的器件，其中包含下式 18 的化合物其中R 1 和X 2 以及R 5 和X 4 可以是5-至6-元环的成员，其形成含有或不含另外环化的饱和或不饱和杂环，X 1 至X 4 ，R 2 至R 4 和R 6 至R 8 具有在权利要求1中说明的含义，并且R 4 和R 8 也可以相同或不同，为卤素，硝基，氰基或氨基。
22：按照权利要求1至7中任何一项的器件，其中包含下式 19 的化合物其中X 2 和R 2 以及X 4 和R 6 可以是5-至6-元环的成员，其形成含有或不含另外环化的饱和或不饱和杂环，X 1 至X 4 ，R 1 ，R 3 至R 5 ，R 7 和R 8 具有在权利要求1中说明的含义，并且R 4 和R 8 也可以相同或不同，为卤素，硝基，氰基或氨基。
23：按照权利要求1至7中任何一项的器件，其中包含下式 20a 的化合物其中R 10 表示腈基-CN或-C(＝X 1 )-X 2 R 1 基， R 11 是腈基-CN或-C(＝X 3 )-X 4 R 5 基， R 2 和R 3 以及R 6 和R 7 可以是5-至6-元环的成员，其形成含有或不含另外环化的饱和或不饱和杂环，X 1 至X 4 ，R 1 ，R 4 ，R 5 和R 8 具有在权利要求1中说明的含义，并且R 4 和R 8 也可以相同或不同，为卤素，硝基，氰基或氨基。
24：按照权利要求1至7中任何一项的器件，其中包含下式 21a 的化合物其中R 10 表示腈基-CN或-C(＝X 1 )-X 2 R 1 基， R 11 是腈基-CN或-C(＝X 3 )-X 4 R 5 基，并且其中R 3 和R 4 以及R 7 和R 8 可以是5-至6-元环的成员，其形成含有或不含另外环化的饱和或不饱和杂环，X 1 至X 4 ，R 1 ，R 2 ，R 5 ，R 6 具有在权利要求1中说明的含义，并且R 4 和R 8 也可以相同或不同，为卤素，硝基，氰基或氨基。
25：按照权利要求1至7中任何一项的器件，其中包含下式 22 的化合物其中R 4 和X 3 以及R 8 和X 1 可以是5-至6-元环的成员，其形成含有或不含另外环化的饱和或不饱和杂环，X 1 和X 4 是亚氨基，X 2 和X 3 ，R 1 至 R 3 和R 5 至R 7 具有在权利要求1中说明的含义，并且R 4 和R 8 也可以相同或不同，为卤素，硝基，氰基或氨基。
26：按照权利要求1-21中任何一项的器件，其中在器件中的一个或数个发射体层中包含2-6种不同物质的混合物。
27：按照权利要求1至6中任何一项的器件，其中包含下式 2 的化合物，其中X 1 和X 3 以及X 2 和X 4 ，R 1 至R 8 ，R 4′ 和R 8′ 具有在权利要求1中说明的含义，并且R 4 和R 8 以及R 4′ 和R 8′ 也可以相同或不同，为卤素，硝基，氰基，氨基，三氟甲基，2-氟苯基，3-氟苯基，4-氟苯基，2，4-二氟苯基，2，6-二氟苯基，2，3，4，5-四氟苯基或五氟苯基。
28：按照权利要求1至6中任何一项的器件，其中包含下式 23 的化合物，其中X 1 和X 2 可以是5-至6-元环的成员，其形成含有或不含另外环化的饱和或不饱和杂环，X 1 是亚氨基，X 2 ，X 3 ，X 4 ，R 1 至R 8 ，R 4′ 和R 8′ 具有在权利要求1中说明的含义，并且R 4 和R 8 以及R 4′ 和R 8′ 也可以相同或不同，为卤素，硝基，氰基，氨基，三氟甲基，2-氟苯基，3-氟苯基，4- 氟苯基，2，4-二氟苯基，2，6-二氟苯基，2，3，4，5-四氟苯基或五氟苯基。
29：按照权利要求1至6中任何一项的器件，其中包含下式 24 的化合物，其中X 2 和R 1 可以是5-至6-元环的成员，其形成含有或不含另外环化的饱和或不饱和杂环，X 2 是氨基，X 1 ，X 3 ，X 4 ，R 2 至R 8 ，R 4′ 和R 8′ 具有在权利要求1中说明的含义，并且R 4 和R 8 以及R 4′ 和R 8′ 也可以相同或不同，为卤素，硝基，氰基，氨基。
30：按照权利要求1至6中任何一项的器件，其中包含下式 25 的化合物，其中X 2 和R 2 可以是5-至6-元环的成员，其形成成环的杂环，X 2 是 N或O，其中在X 2 ＝O的情形中不存在取代基R 1 ；X 1 ，X 3 ，X 4 ，R 1 ，R 3 至R 8 ，R 4′ 和R 8′ 具有在权利要求1中说明的含义，并且R 4 和R 8 以及R 4′ 和 R 8′ 也可以是相同或不同的取代基，如卤素，硝基，氰基或氨基。
31：按照权利要求1至6中任何一项的器件，其中包含下式 26a 的化合物，其中R 10 表示腈基-CN或-C(＝X 1 )-X 2 R 1 基， R 11 是腈基-CN或-C(＝X 3 )-X 4 R 5 基，并且其中R 2 和R 3 可以是5-至6-元环的成员，其形成含有或不含另外环化的饱和或不饱和杂环，X 1 至X 4 ，R 1 ，R 4 至R 8 ，R 4′ 和R 8′ 具有在权利要求 1中说明的含义，并且R 4 和R 8 以及R 4′ 和R 8′ 也可以相同或不同，为卤素，硝基，氰基或氨基。
32：按照权利要求1至6中任何一项的器件，其中包含下式 27a 的化合物，其中R 10 表示腈基-CN或-C(＝X 1 )-X 2 R 1 基， R 11 是腈基-CN或-C(＝X 3 )-X 4 R 5 基，并且其中R 3 和R 4′ 可以是5-至6-元环的成员，其形成含有或不含另外环化的稠合、饱和或不饱和杂环，X 1 至X 4 ，R 1 ，R 2 ，R 4 至R 8 和R 8′ 具有在权利要求1中说明的含义，并且R 4 和R 8 以及R 8′ 还可以是卤素，硝基，氰基或氨基。
33：按照权利要求1至6中任何一项的器件，其中包含下式 28a 的化合物，其中R 10 表示腈基-CN或-C(＝X 1 )-X 2 R 1 基， R 11 是腈基-CN或-C(＝X 3 )-X 4 R 5 基，并且其中R 3 和R 4′ 可以是5-至6-元环的成员，其形成含有或不含另外环化的饱和或不饱和杂环，X 1 至X 4 ，R 1 至R 3 ，R 5 至R 8 和R 8′ 具有在权利要求 1中说明的含义，并且R 8 和R 8′ 也可以相同或不同，为卤素，硝基，氰基或氨基。
34：按照权利要求1至6中任何一项的器件，其中包含下式 29 的化合物，其中R 4 和X 3 可以是5-至6-元环的成员，其形成含有或不含另外环化的稠合、饱和或不饱和杂环，X 3 是亚氨基，X 1 ，X 2 ，X 4 ，R 1 至R 3 ，R 5 至 R 8 ，R 4′ 和R 8′ 具有在权利要求1中说明的含义，并且R 4′ 和R 8′ 以及R 8 还可以是卤素，硝基，氰基或氨基。
35：按照权利要求1至6中任何一项的器件，其中包含下式 30 的化合物，其中X 3 和X 4 可以是5-至6-元环的成员，其形成含有或不含另外环化的饱和或不饱和杂环，X 3 是亚氨基，X 1 ，X 2 ，X 4 ，R 1 至R 8 ，R 4′ 和R 8′ 具有在权利要求1中说明的含义，并且R 4 和R 8 以及R 4′ 和R 8′ 也可以相同或不同，为卤素，硝基，氰基或氨基。
36：按照权利要求1至6中任何一项的器件，其中包含下式 31 的化合物，其中X 4 和X 5 可以是5-至6-元环的成员，其形成含有或不含另外环化的饱和或不饱和杂环，X 4 是氨基，X 1 ，X 2 ，X 3 ，R 1 至R 4 ，R 6 至R 8 ，R 4′ 和R 8′ 具有在权利要求1中说明的含义，并且R 4 和R 8 以及R 4′ 和R 8′ 也可以相同或不同，为卤素，硝基，氰基或氨基。
37：按照权利要求1至6中任何一项的器件，其中包含下式 32 的化合物，其中X 4 和R 6 可以是5-至6-元环的成员，其形成成环的杂环，X 4 是 N或O，其中在X 4 ＝O的情形中不存在取代基R 5 ；X 1 ，X 2 ，X 3 ，R 1 至R 5 ， R 7 ，R 8 ，R 4′ 和R 8′ 具有在权利要求1中说明的含义，并且R 4 和R 8 以及R 4′ 和R 8′ 也可以相同或不同，为卤素，硝基，氰基或氨基。
38：按照权利要求1至6中任何一项的器件，其中包含下式 33a 的化合物，其中R 10 表示腈基-CN或-C(＝X 1 )-X 2 R 1 基， R 11 是腈基-CN或-C(＝X 3 )-X 4 R 5 基，并且其中R 6 和R 7 可以是5-至6-元环的成员，其形成含有或不含另外环化的饱和或不饱和杂环，X 1 至X 4 ，R 1 至R 5 ，R 8 ，R 4′ ，R 8′ 具有在权利要求1 中说明的含义，并且R 4 和R 8 以及R 4′ 和R 8′ 也可以相同或不同，为卤素，硝基，氰基或氨基。
39：按照权利要求1至6中任何一项的器件，其中包含下式 34a 的化合物，其中R 10 表示腈基-CN或-C(＝X 1 )-X 2 R 1 基， R 11 是腈基-CN或-C(＝X 3 )-X 4 R 5 基，并且其中R 7 和R 8 可以是5-至6-元环的成员，其形成含有或不含另外环化的稠合、饱和或不饱和杂环，X 1 至X 4 ，R 1 至R 6 ，R 8 和R 4′ 具有在权利要求1中说明的含义，并且R 4 和R 8 以及R 4′ 还可以是卤素，硝基，氰基或氨基。
40：按照权利要求1至6中任何一项的器件，其中包含下式 35a 的化合物，其中R 10 表示腈基-CN或-C(＝X 1 )-X 2 R 1 基， R 11 是腈基-CN或-C(＝X 3 )-X 4 R 5 基，并且其中R 8 和R 8′ 可以是5-至6-元环的成员，其形成含有或不含另外环化的饱和或不饱和杂环，X 1 至X 4 ，R 1 至R 7 和R 4′ 具有在权利要求1中说明的含义，并且R 4 和R 4′ 也可以相同或不同，为卤素，硝基，氰基或氨基。
41：按照权利要求1至6中任何一项的器件，其中包含下式 36 的化合物，其中R 8 和X 1 可以是5-至6-元环的成员，其形成含有或不含另外环化的稠合、饱和或不饱和杂环，X 1 是亚氨基，X 2 ，X 3 ，X 4 ，R 1 至R 7 ，R 4′ 和 R 8′ 具有在权利要求1中说明的含义，并且R 4′ 和R 8′ 以及R 4 还可以是卤素，硝基，氰基或氨基。
42：按照权利要求1至6中任何一项的器件，其中包含下式 37 的化合物，其中X 1 和X 2 以及X 3 和X 4 可以是5-至6-元环的成员，其形成含有或不含另外环化的饱和或不饱和杂环，X 1 和X 3 是亚氨基，X 2 和X 4 以及R 1 至R 8 具有在权利要求1中说明的含义，并且R 4 和R 8 以及R 4′ 和R 8′ 也可以相同或不同，为卤素，硝基，氰基或氨基。
43：按照权利要求1至6中任何一项的器件，其中包含下式 38 的化合物，其中R 1 和X 2 以及R 5 和X 4 可以是5-至6-元环的成员，其形成含有或不含另外环化的饱和或不饱和杂环，X 1 至X 4 ，R 2 至R 4 以及R 6 至R 8 具有在权利要求1中说明的含义，并且R 4 和R 8 以及R 4′ 和R 8′ 也可以相同或不同，为卤素，硝基，氰基或氨基。
44：按照权利要求1至6中任何一项的器件，其中包含下式 39 的化合物，其中X 2 和R 2 以及X 4 和R 6 可以是5-至6-元环的成员，其形成含有或不含另外环化的饱和或不饱和杂环，X 1 至X 4 ，R 1 ，R 3 至R 5 ，R 7 和R 8 具有在权利要求1中说明的含义，并且R 4 和R 8 以及R 4′ 和R 8′ 也可以相同或不同，为卤素，硝基，氰基或氨基。
45：按照权利要求1至6中任何一项的器件，其中包含下式 40a 的化合物，其中R 10 表示腈基-CN或-C(＝X 1 )-X 2 R 1 基， R 11 是腈基-CN或-C(＝X 3 )-X 4 R 5 基，并且其中R 2 和R 3 以及R 6 和R 7 可以是5-至6-元环的成员，其形成含有或不含另外环化的饱和或不饱和杂环，X 1 至X 4 ，R 1 ，R 4 ，R 5 和R 8 具有在权利要求1中说明的含义，并且R 4 和R 8 以及R 4′ 和R 8′ 也可以相同或不同，为卤素，硝基，氰基或氨基。
46：按照权利要求1至6中任何一项的器件，其中包含下式 41a 的化合物，其中R 10 表示腈基-CN或-C(＝X 1 )-X 2 R 1 基， R 11 是腈基-CN或-C(＝X 3 )-X 4 R 5 基，并且其中R 3 和R 4 以及R 7 和R 8 可以是5-至6-元环的成员，其形成含有或不含另外环化的饱和或不饱和杂环，X 1 至X 4 ，R 1 ，R 2 ，R 5 和R 6 具有在权利要求1中说明的含义，并且R 4 和R 8 也可以相同或不同，为卤素，硝基，氰基或氨基。
47：按照权利要求1至6中任何一项的器件，其中包含下式 43 的化合物，其中R 4 和X 3 以及R 8 和X 1 可以是5-至6-元环的成员，其形成含有或不含另外环化的饱和或不饱和杂环，X 1 和X 3 是亚氨基，X 2 和X 4 以及R 1 至R 3 和R 5 至R 7 具有在权利要求1中说明的含义，并且R 4′ 和R 8′ 也可以相同或不同，为卤素，硝基，氰基或氨基。
48：按照权利要求1至6中任何一项的器件，其中包含下式 42a 的化合物，其中R 10 表示腈基-CN或-C(＝X 1 )-X 2 R 1 基， R 11 是腈基-CN或-C(＝X 3 )-X 4 R 5 基，并且其中R 4 和R 4′ 以及R 8 和R 8′ 可以是5-至6-元环的成员，其形成含有或不含另外环化的饱和或不饱和杂环，X 1 至X 4 ，R 1 至R 3 和R 5 至R 7 具有在权利要求1中说明的含义。
49：按照权利要求27至48中任何一项的器件，其中在器件的一个或几个发射体层中包含2-6种不同物质的混合物。
50：按照权利要求1至6中任何一项的器件，其中包含下式 3 或 4 的化合物，其中R 2 至R 8 具有权利要求1中说明的含义，并且R 4 和R 8 可以是或不同于卤素，硝基，氰基或氨基。
51：式 19 的新的2，5-二氨基对苯二酸衍生物，其中X 1 是O，X 2 是O或N；R 2 和R 6 是亚甲基(-CH 2 )，其可以被三氟甲基取代，R 3 和R 7 相同或不同，是H，C 1 -C 8 烷基，芳基或杂芳基，R 4 和R 8 相同或不同，是H，烷基，芳基或三氟甲基，以及R 1 是0。
52：按照权利要求51的衍生物，其中烷基是C1-C4烷基，芳基是苯基或萘基，并且杂芳基是吡啶基，噻吩基或呋喃基。
53：式2的新的2，5-二氨基对苯二酸衍生物，其中X 1 是O并且X 2 是O或N；R 2 和R 6 以及R 3 和R 7 相同或不同，为H，C 1 -C 8 烷基，芳基或杂芳基，R 4 和R 8 以及R 4′ 和R 8′ 不是H，并且相同或不同，为的烷基，芳基或三氟甲基。
54：按照权利要求53的衍生物，其中烷基是C1-C4烷基，芳基是苯基或萘基，并且杂芳基是吡啶基，噻吩基或呋喃基。
55：式 3 的新的2，5-二氨基对苯二酸衍生物，其中R 2 和R 6 以及R 3 和R 7 相同或不同，为H，C 1 -C 8 烷基，芳基或杂芳基，R 4 和R 8 不是H，并且相同或不同，为烷基，芳基或三氟甲基。
56：按照权利要求55的衍生物，其中烷基是C1-C4烷基，芳基是苯基或萘基，并且杂芳基是吡啶基，噻吩基或呋喃基。
57：式 4 的新的2，5-二氨基对苯二酸衍生物，其中R 2 和R 6 以及R 3 和R 7 相同或不同，为H，C 1 -C 8 烷基，芳基或杂芳基，R 4 和R 8 以及R 4′ 和R 8′ 不是H，并且相同或不同，为烷基，芳基或三氟甲基。
58：按照权利要求57的衍生物，其中烷基是C1-C4烷基，芳基是苯基或萘基，并且杂芳基是吡啶基，噻吩基或呋喃基。
59：按照权利要求1的器件，其中R 10 和R 11 具有在上文说明的含义， R 2 和R 6 是氢或C1-C4烷基，优选甲基，R 3 和R 7 中的每一个是苯基，其已经被单独或两个H，卤素，CN，C1-C4烷基，优选甲基，C1-C4烷氧基，优选甲氧基，卤代-C1-C4烷基，优选卤代甲基，或苯基所取代。
60：按照权利要求22的器件，其中X 1 至X 4 是氧，R 2 和R 4 中的每一个被相同或不同的H和C1-C4烷基基团，优选甲基所取代，R 3 和R 7 中的每一个是苯基，其已经被单独或两个H，卤素，CN，C1-C4烷基，优选甲基，C1-C4烷氧基，优选甲氧基，卤代-C1-C4烷基，优选卤代甲基，或苯基所取代，并且R 4 和R 8 是氢。

说明书

基于2，5-二氨基对苯二酸衍生物的有机场致发光器件
    本发明涉及基于2，5-二氨基对苯二酸衍生物的新型有机场致发光器件。所述衍生物是用于有机发光二极管(OLED)的发射体物质。

    早已闻名的有机发光二极管利用某种有机化合物的电致发光。在图1中举例说明OLED的结构和它各单层的任务：

    将有机物质的层序列排列在两个电极之间，电极中的至少一个必须是半透明的，每种有机物质在器件中具有特定的功能。

    1.阴极组成为碱金属或合金(例如铝或钙)，并具有注射电子的功能；

    2.缓冲层组成为特定金属盐或其氧化物，例如LiF，并具有改善电子注入至层3的功能；

    3.电子导体可以例如由Alq3(三-(8-羟基喹啉)-铝)(tris-(8-hydroxychinolinato)-aluminium)组成，并将电子从阴极传导至器件内的发射层或空穴导体；

    4.空穴导体主要由三苯胺衍生物组成；可以提供数个空穴导体层，其性质适合于器件并且其功能是将空穴传输至发射层；

    5.阳极由ITO组成，其将空穴注入空穴传输层；

    6.基底由透明材料例如玻璃组成。

    上述类型的设备发射绿光，其是由于通过由空穴和电子形成的激子导致Alq3的激发而产生的。

    然而，这种简单的设备具有几个缺点：

    1.Alq3只发射绿色光谱限度内的光；

    2.Alq3的发射谱带太宽。

    通过掺杂可以部分消除所述缺点。这意味着在二极管的生产过程中共蒸发一种或多种物质。通常，这些物质是以可达百分之几的量包含在Alq3层中。难以控制所述共蒸发过程。

    本发明涉及新地发射体物质(emitter substances)，其消除了Alq3作为发射体物质和掺杂剂的基底材料的缺点。结果，通常只需要Alq3作为电子导体。新的发射体物质其特征在于：

    1.更窄的发射谱带；

    2.由于在彼此隔开的层中或在混合层中使用不同物质，器件覆盖宽广的光谱限度；

    3.低驱动电压；

    4.高光测效率(photometric efficiency)(低功率消耗)；

    5.高发光度(发射强度)；

    6.高热稳定性。

    对于本发明来说，术语“器件”涉及一种装置，其中基底和层按照图1或2排列在彼此之上，但其没有被结合到发光二极管中。该发明器件大体上可以具有图1或2所示的结构。在所述器件中，可以单独或与其它化合物，甚至任选地与已知化合物结合来共蒸发(co-evaporated)2，5-二氨基对苯二酸衍生物以获得发射体。这些发射体与已知空穴导体结合使用。

    本发明的目的是提供使用改善的发射体物质的新型有机场致发光器件。

    按照本发明，有机场致发光器件在器件的一个或数个反射体层中以纯的或掺杂的形式包含下式1a的2，5-二氨基对苯二酸衍生物，

    其中环A是其中省略R4′和R8′的三重不饱和苯环，或者环A是在1，2-位置和在4，5-位置中含有双键的双重不饱和环，并且

    其中R10表示腈基-CN或-C(＝X1)-X2R1基，

    R11是腈基-CN或-C(＝X3)-X4R5基，

    其中

    X1和X3可以是相同或不同的原子或基团，如氧，硫，亚氨基，优选氧；

    X2和X4可以是相同或不同的原子或基团，如氧，硫，氨基，其中氨基氮可以被含有1-20个C原子，优选C1至C8的烷基，或芳基，例如苯基，萘基，或杂芳基，例如香豆基(cumaryl)，吡啶基，chinolyl，吲哚基，咔唑基，咪唑基，噻吩基，噻唑基，呋喃基，噁唑基取代；

    R1至R8，R4′和R8′可以是相同或不同的取代基，如氢，含有1-20个原子，优选C1至C8的烷基；芳基，例如苯基，萘基，以及杂芳基，例如香豆基，吡啶基，chinolyl，吲哚基，咔唑基，咪唑基，噻吩基，噻唑基，呋喃基，噁唑基，并且上述基团可以被单独或两个例如二-C1-C3-氨基或含有C1至C10、优选C1-C4烷基的烷氧基；C1-C4烷基，氰基，氟，氯，溴或碘以及苯基原子或基团取代；

    R4和R8也可以是相同或不同的取代基，如卤素，硝基，氰基或氨基；

    R2至R4，R6至R8，R4′和R8′也可以是三氟甲基或五氟苯基，

    其中下列基团可以形成饱和或不饱和环

    X1和X2，R1和R2，R2和X2，R2和R3，R3和R4，R4和X3，X3和X4，R5和X4，R6和X4，R6和R7，R7和R8，R8和X1，R3和R4′，R7和R8′，R4和R4′，以及R8和R8′，在这些环上可以稠合更多的环。

    优选R2，R3，R6和R7是三氟甲基或五氟苯基，R4和R8是卤素，硝基，氰基或氨基，并且其它取代基具有上述含义。特别优选R4和R8是三氟甲基或五氟苯基，并且其它的取代基具有上述含义。

    关于下文中的拼法，R1-8意指R1至R8；X2，4意指X2和X4；R4′，8′意指R4′和R8′。

    本发明还涉及新的式19的2，5-二氨基对苯二酸衍生物

    其中X1是O并且X2是O或N；R2和R6是亚甲基(-CH2-)，其可以被三氟甲基取代，R3和R7相同或不同，为H，C1-C8烷基，芳基或杂芳基，并且R4和R8相同或不同，为H，烷基，芳基或三氟甲基。

    特别优选烷基为C1-C4的烷基，芳基为苯基或萘基，并且杂芳基为吡啶基，噻吩基或呋喃基。

    通常，在所有按照本发明的结构中优选彼此相对排列的取代基，如X1和X3，X2和X4，R1和R5，R2和R6，R3和R7，R4和R8，R4′和R8′，以及R10和R11相同，即不相异。

    优选按照本发明的场致发光器件在一个器件中包含2-3种彼此混合的不同物质。

    现在，将列出优选的结构，其中在结构1中

    X1和X2可以是环的成员，条件是                                    X2和R1可以是环的成员，条件

    X1＝N且在X2≠N的情况下不存                                  是X2＝N；

    在取代基R1；

    X2和R2可以是环的成员，条件是                                   R2和R3可以是环的成员；

    X2＝N；

    R3和R5可以是环的成员；                                     R4和X3可以是环的成员，条件

                                                                 是X3＝N；

    X3和X4可以是环的成员，条件是                               X4和R5可以是环的成员，条件

    X3＝N且在X4≠N的情况下不存                             是X4＝N；

    在取代基R1；

    X4和R6可以是环的成员，条件是                               R6和R7可以是环的成员；

    X4＝N；

    R7和R8可以是环的成员；                                           R8和X1可以是环的成员，条

                                                                       件是X1＝N；

    其中优选上述结构类型的对称组合物。

    X1和X2以及X3和X4可以是环的                                X2和R1可以是环的成员，条件是

    成员，条件是X1，3＝N且在X2，4≠N                           X2，4＝N；

    的情况下不存在取代基R1，5；

    X2和R2以及X4和R6可以是环的                                R2和R3以及R6和R7可以是环的成

    成员，条件是X2，4＝N；                                       员；

    R3和R4以及R7和R8可以是环的成                              R4和X3以及R8和X1可以是环的

    员；                                                           成员，条件是X1，3＝N；

    并且其中在结构2中

    X1和X2可以是环的成员，条件是                                   X2和R1可以是环的成员，条件是

    X1＝N且在X2≠N的情况下不存                                 X2＝N；

    在取代基R1；

    X2和R2可以是环的成员，条件是                                    R2和R3可以是环的成员；

    X2＝N；

    R3和R4可以是环的成员；                                       R4和R4′可以是环的成员；

    R4和X3可以是环的成员，条件是                                  X3和X4可以是环的成员，条件是

    X3＝N；                                                      X3＝N且在X4≠N的情况下不存

                                                                    在取代基R5；

    X4和R5可以是环的成员，条件是                                  X4和R6可以是环的成员，条件是

    X4＝N；                                                      X4＝N；

    R6和R7可以是环的成员；                                     R7和R8可以是环的成员；

    R8和R8′可以是环的成员                                      R8和X1可以是环的成员，条件是

                                                                  X1＝N；

    其中优选上述结构类型的对称组合物

    X1和X2以及X3和X4可以是环的                                   X2和R1可以是环的成员，条件是

    成员，条件是X1，3＝N且在X2，4≠N                              X2，4＝N；

    的情况下不存在取代基；

    X2和R2以及X4和R6可以是环的                                  R2和R3以及R6和R7可以是环的成

    成员，条件是在X2，4≠N的情况下                                        员；

    如果不存在取代基R1，5；

    R3和R4′以及R7和R8′可以是环的成                            R4和R4′以及R8和R8′可以环的成员；

    员；

    R4和X3以及R8和X1可以是环的

    成员，条件是X1，3＝N；

    并且其中在结构3中

    R2和R3可以是环的成员；                                        R3和R4可以是环的成员；

    R6和R7可以是环的成员；                                       R7和R8可以是环的成员；

    R2和R3以及R6和R7可以是环的成                              R3和R4以及R7和R8可以是环的

    员；                                                           成员；

    并且其中在结构4中

    R2和R3可以是环的成员；                                       R3和R4′可以是环的成员；

    R4和R4′可以是环的成员；                                     R6和R7可以是环的成员；

    R7和R8′可以是环的成员；                                     R8和R8′可以是环的成员；

    R2和R3以及R6和R7可以是环的                                R3和R4′以及R7和R8′可以是环的

    成员；                                                         成员；

    R4和R4′以及R8和R8′可以是环的成

    员；

    通过将环己烷-2，5-二酮-1，4-二羧酸的酯与伯苯胺或胺反应，接着氧化并且，任选地进一步修饰来获得式1的发射体物质，即2，5-二氨基对苯二酸的衍生物。以本身已知的方法可以将所述衍生物加工成环化的衍生物，如例如在化学式图解I和II中所示。

    化学式图解I：开环化合物的合成

    化学式图解II：环化化合物的合成

    通过将各个2，5-二氨基对苯二酰胺与脱水剂反应可以生产式3的化合物。

    为了生产式4的化合物，其中R4和R8以及R4′和R8′不是H，将2，5-二氨基环己烷-1，4-二羧酸的酯转化为酰肼并与六氰高铁(III)酸钾反应以便获得醛。可以将这些2，5-二氨基环己烷-1，4-二甲醛(dicarbaldehydes)转化为肟，将其与甲酸反应以便获得式4的化合物。

    在表1中列出按照式1的新的发射体的实例：

    表1：2，5-二氨基对苯二酸衍生物

    表2：2，5-二氨基-3，6-二氢对苯二酸衍生物

    表3：取代的2，5-二氨基对苯二酸二腈

    表4：取代的2，5-二氨基-3，6-二氢对苯二酸二腈

    将新的发射体用于包含或不包含电子传输层的器件中，其中可以如图2所示排列器件中的层：

    1.基底由透明材料，例如玻璃组成；

    2.阳极组成为ITO，其将空穴注入空穴传输层；

    3./4.空穴导体主要由三苯胺衍生物组成；可以提供几个空穴导体层，其性质适合于器件；

    5.在空穴导体和电子导体之间，排列一个或多个发射体层；

    6.电子导体可以例如由Alq3组成，并且将电子从阴极传导至器件内部的发射层或空穴导体；

    7.缓冲层组成为特定的金属盐或其氧化物，例如LiF，并且改善电子注入至层6；

    8.阴极组成为碱金属或合金(例如铝或钙)。

    典型地，发射体层厚为3-10nm，优选4-6nm。发射波长在特征方式(characteristic manner)方面取决于化学结构，即分子的电子和空间因素显著影响发射光的波长和获得的性能。在表2中所列实例的波长范围在538nm和618nm之间。

    为了获得混合色，可以以每层包括纯形式的发射体材料的几层的形式(图2)或以其中以混合形式提供发射体形式的一层或几层的形式，将新的式1.0-58.0的发射体排列在彼此之上。

    可以用已知的发射体材料掺杂包含新的式1.0-58.0的发射体的层，如图1所示。

    可以将新的式1.0-58.0的发射体用于包含本身已知的空穴导体(59和60)和其它组分的器件。典型的实例在图1和2中显示。

    4，4′，4″-三(N-(α-萘基)-N-苯基氨基)-三苯胺(1-NAPHDATA)

    N，N′-二(α-萘基)-N，N′-二苯基联苯胺(α-NPD)

    可以以本身已知的方法，即通过在1-10-9托下真空淀积来生产基于新的发射体的器件。

    备选地，通过浸液涂渍，例如网纹涂渍或旋涂可以生产器件。

    这里，可以以纯物质或者以包含在适当的聚合物中的掺杂剂使用新的式1.0-58.0的发射体。

    意外地，已发现使用已经用氟取代的式1.0物质可以生产特别有效的器件。在这些情形中观察到非常高的光测效率(photometric efficiency)。使用物质1.2，获得发射在光谱上几乎纯绿色的器件。

    实验部分

    下列的实施例意欲更详细地举例说明本发明，但决不是想要限制它。

    实施例1(物质2.1，2.3-2.5)

    将0.06mol环己烷-2，5-二酮-1，4-二羧酸二酯悬浮在200ml冰醋酸和200ml乙醇的混合物(对应于酯的组分)之中。在氮气气氛中，迅速加入0.135mol伯胺或苯胺。在充分搅拌同时将反应混合物回流5-8小时。已用受体取代的苯胺需要更长的反应时间。

    在苯胺的情形中，通过吸出冷却的反应混合物，用甲醇将它充分洗涤并干燥可以分离粗制品。

    脂族胺形成高度可溶性产物，即必须使用旋转式蒸发仪将溶剂几乎完全分离。将粗制品加入甲醇，彻底冷却，吸干和干燥。

    实施例2(物质1.1，1.3-1.5)

    氧化在实施例1中获得的二羟基对苯二酸的酯。在分离过程中获得高达95％的产率。为了纯化分离的粗制品，可以从DMF，甲苯，氯仿或甲醇中将它重结晶。获得的物质是可升华的。

    实施例3(物质19.1-19.4)

    在正丙醇和水的混合物中皂化按照权利要求2获得的酯。将0.01mol对苯二酸二酯悬浮在约50ml正丙醇中，并加入50ml包含0.03mol氢氧化钾的水。回流悬浮液直至获得澄清液。再经过2小时后，立即吸取液体。为了中和溶液，滴加约5ml冰醋酸。用甲醇洗涤并干燥获得的酸。

    为了生产物质19.1-19.4，在已加入15ml甲醛溶液(37％)的100ml冰醋酸中回流0.01mol获得的对苯二酸2小时。

    分离并用甲醇洗涤反应产物。从乙腈或氯仿中将它们重结晶。可以通过升华纯化获得的物质。

    实施例4(物质1.2)

    为了获得这种类型的化合物，可以烷基化各种对苯二酸酯(实施例2)。将0.05mol对苯二酸酯悬浮在350ml无水DMSO中，并加入18.63g(0.131mol)甲基碘。在20-23℃的温度下和充分搅拌的同时分份加入6.1g(0.152mol)石蜡中的60％氢化钠。经过反应大约5小时后，固体组分的颜色已经从橙色变为纯黄色。现在，将约200ml甲醇加入混合物，从而大大改善过滤性。

    用甲醇充分洗涤和干燥分离的黄色反应产物。通过从甲苯中再结晶获得纯产物。

    实施例5(器件：物质19.4)

    将55nm厚的4，4′，4″-三(N-(α-萘基)-N-苯基氨基)-三苯胺层和另外的5nm厚的N，N′-二(α-萘基)-N，N′-二苯基联苯胺层沉积在50×50mm2的结构ITO玻璃基底上。在这些空穴传输层上，沉积5nm 1，6-二(2，4-二甲氧基苯基)-苯并[1，2-d；4，5-d′]-1，2，6，7-四氢-二[1，3]噁嗪-4，9-二酮(19.4)。

    另外，现在将30nm厚的三-(8-羟基chinolinato)-铝层涂布在该发射体层上，接着极薄的氟化锂缓冲层(0.5nm)和最后铝。

    施加0-15V的可调整电压测试排列。器件发射578nm的波长(黄色)。在5.0V下得到100cd/m2的发光度(发射强度)。得到的最大发光度(发射强度)为11,400cd/m2。

    实施例6(器件：物质1.21)

    按照实施例5生产器件，其中在空穴导体和电子导体之间掺入作为发射体物质的5nm厚的2，5-二-(N-(2，4-二甲氧基苯基)氨基)对苯二酸二乙酯层。

    同样施加0-15V的可调整电压测试排列。器件发射618nm的波长(红色)。在9.5V下得到100cd/m2的发光度(发射强度)。得到的最大发光度(发射强度)为644cd/m2。

    实施例7(器件：物质1.5)

    器件具有与实施例5和6相同的结构。使用的发射体物质为2，5-二-(N-苯基氨基)-对苯二酸二乙酯。

    再次施加0-15V的可调整的电压测试排列。器件发射黄光(578nm)。在5.6V下得到100cd/m2的发光度(发射强度)。记录的最大发光度(发射强度)为5,300cd/m2。

    实施例8(器件：物质1.2)

    类似于实施例5-7和按照相同的结构原理，将5nm厚的N，N′-二甲基-2，5-二-(N-(2-氟苯基)-氨基)对苯二酸二甲酯层沉积在空穴传输层上。

    施加0-15V的可调整电压测试排列(图2)。器件发射绿光(λmax＝547nm)。在5.4V下得到100cd/m2的发光度(发射强度)。得到的最大发光度(发射强度)为17,700cd/m2。

    1.基底由玻璃组成；

    2.阳极由ITO组成；

    3.将1-Naphdata用作空穴导体；

    4.另一个空穴导体层由α-NPD组成；

    5.将一个或多个发射体层排列在空穴导体和电子导体之间；

    6.电子导体可以例如由Alq3组成；

    7.缓冲层由LiF组成；

    8.阴极组成为碱金属或合金(例如铝或钙)。

    典型地，发射体层为3-10nm，优选4-6nm厚。

    所选发射体物质的光测参数(Photometric parameters)

    表2 #    1)V  2)nm    颜色 3)cd/m2 4)cd/A 5)lm/W 1.21    9.2  629    红色-白色  1980  0.12  0.07 1.16*)    9.3  634    红色-白色  3990  0.14  0.10 1.16    14.0  618    红色  144  0.09  0.07 1.30    5.6  612    橙色-红色  12100  2.17  2.27 19.4    5.0  578    黄色  11400  2.04  1.72 1.5    5.6  578    黄色  5300  1.59  1.42 1.4    8.0  577    黄色  1410  0.81  0.37 19.3    6.5  565    黄色-绿色  4530  0.72  0.49 1.3    8.1  577    黄色-绿色  4330  2.77  1.52 19.7    10.2    黄色-绿色  474  0.26  0.10 1.34    3.5  550    绿色  36500  1.00  9.21 1.36    5.7  546    绿色  18100  6.60  4.34 1.2    5.4  547    绿色  17700  7.70  4.93 1.38    6.4  546    绿色  11300  4.62  2.47 19.2    6.6  564    绿色  6010  0.89  0.66 19.1    6.7  540    绿色  4680  3.05  1.70 19.6    8.6  545    绿色  2610  0.52  0.36 #  1)V  2)nm  颜色  3)cd/m2  4)cd/A  5)lm/W 1.29  11.1  564  绿色    1330   1.59   0.47 1.1  7.1  538  绿色    1300   0.48   0.22 1.33  10.3  563  绿色    1100   1.53   0.54 1.31  10.8  566  绿色    754   1.60   0.53 19.8  13.4  绿色    273   1.20   0.70 19.11  14.4  532  绿色    144   0.03   0.01 19.5  ＞20.0  540  绿色    8   0.30   0.28 19.9  ＞15.0  544  绿色    64   0.58   0.13

    1)在100cd/m2下的电压

    2)场致发光的λmax

    3)最大发光度(发射强度)

    4)最大光测效率

    5)最大工作效率(performance efficiency)

    表3

    所选发射体物质的吸光度和发射最大值#  λmax  (固体)  λem (固体)1.6  6141.7  5971.8  6041.10  6261.11  5961.12  5861.1  5471.13  5591.14  5431.15  6051.16    500  6351.17  596 #    λmax   (固体)   λem  (固体) 1.18    617 1.19    435    531 1.4    599 1.20    596 19.1    475    564 19.4    460    598 1.5    465    582 1.21    495    625 19.5    612 1.23    573 1.24    564 1.25    605 #   λmax   (固体)    λem   (固体) 1.26    602 19.3    582 1.6    623 19.6    592 1.28    588 1.3    595 1.24    612 19.8    453    583 1.2    558 1.5    496    622

    λmax：吸光度最大值

    λem：发射最大值

    λell：场致发光最大值

    表4

    所选发射体物质的吸光度系数 #λmax(nm)ε(l·mol-1cm-1)    溶剂 1.16    489    6000    CHCl3 1.5    469    6640    CHCl3 1.34    403    4744    NMP 19.6    452    5250    CHCl3 19.5    474    4670    CHCl3 19.7    433    5450    NMP 1.17    472    6410    CHCl3 1.15    486    5930    CHCl3 1.12    460    5930    CHCl3 1.11    481    6840    CHCl3 1.8    472    6450    CHCl3 1.7    474    6550    CHCl3 19.1    434    4700    NMP 1.30    493    5450    NMP 1.27    482    6800    CHCl3

    表5

    所选发射体物质在溶液中的吸光度最大值 # λmax(NMP) 1.6    482 1.7    476 1.8    463 1.9    652 1.10    509 #λmax(NMP) 1.11    475 1.12    445 1.1    413 1.13    427 1.14    428 # λmax(NMP) 1.15    482 1.16    494 1.17    464 1.18    464 1.19    417 # λmax(NMP) 1.4    468 1.20    461 19.1    435 19.4    458 1.5    451 1.21    479 1.22    505 19.5    472 # λmax(NMP) 1.23    432 1.24    446 1.25    487 1.26    482 19.3    447 1.6    481 19.6    452 1.28    473 #λmax(NMP) 1.3    451 1.24    480 1.30    493 1.34    403 1.5    461 1.43    496

    表6

    所选发射体物质的DSC值 #在℃下DSC峰 19.3    260,0 1.6    269,1 1.7    171,3 1.8    227,8 1.11    192,1 1.12    172,2 1.15    232,0 1.17    166,5 19.1    325,7 1.16    183,3 1.34    254,7 19.1    325,7 1.27    182,5

    制剂和测量条件

    a)基底：125nm ITO，约13Ω/平方和85％透射，50×50mm2玻璃基底(1.1mm厚磨光的碱石灰浮法玻璃，具有SiO2层和8个单独的ITO阳极(活性表面积：2×2mm2))

    在含有Aceton selectopur和Methanol selectopur的超声浴中纯化2×20min，

    3x雪喷射清洗(CO2冰晶)。

    O2等离子体处理(在450W和0.12毫巴下5min)

    b)在沉积过程中压力(2-4)×10-5毫巴

    氧化铝陶瓷坩锅

    沉积速率：0.06nm/s

    使用压电微量天平测量装置检查层的厚度

    改变淀积室的壳(mask)和中间的通气，首先用氮气，然后用空气。

    阴极，每个0.5nm氟化锂(绝缘的)和100nm铝

    c)将按照图2的器件导入手套箱，活性OLED表面位于暗测量器件中校准的V硅光电二极管上，并且使阳极(ITO-)和阴极(Al-)接头与镀金的弹簧电极接触

    在PC中通过GPIB-BUS和LabView程序记录和处理OLED曲线的可编程电压供应(SMU)和数字万用表

    -10V和+15V之间(0.5V增量)的电压脉冲操作(脉冲持续ls)：电流密度-电压曲线和发光度(发射强度)-电压曲线以及校准的光测效率值(cd/A)和工作效率值(lm/W)，其为U的函数

    d)通过使用Xdap二极管阵列分光计记录电致发光光谱的最大波长。