讯号传输线结构 【技术领域】
本发明涉及一种讯号传输线。
背景技术
传统习用的讯号线，该传输讯号的导体大致上可分为单支导体或多芯导体绞合而成，以单支导体为例，如图1所示的同轴电缆线构造，其特征是在：该导体1所包覆的绝缘体，是以PE挤出成型的圆管状体2，使与铝泊麦拉带3、铜线编织遮蔽层4及PVC包覆体6组合成一同轴电缆。
上述的同轴电缆是藉挤出成型的固状PE管，以使电容量得以降低、衰减量能较小。然而由于PE的绝缘效果并非最好，且该遮蔽层亦无法达成百分之百遮蔽，因此，磁场、射频及静电相互干扰的程度仍旧偏高，且传输时该传输讯号会产生折射或反射现象，均是极待决解的问题。
【发明内容】
本发明所要解决的技术问题是，针对现有技术的上述不足，而提供一种将讯号的高、频频分开传送，以降低集肤效应的讯号传输线，该讯号传输线传输速度快、衰减低、失真小以及高品质，并具有降低静电、减少射频与磁场干扰等功效。
本发明的上述技术问题是由如下技术方案来实现的。
一种讯号传输线结构，由芯材部、中间材料层以及外披覆层所构成，其特征是：
该芯材部，包括二输送媒质，二输送媒质各自设有绝缘层；
该外披覆层，至少设有一层；以及
该中间材料层，介置于芯材与外披覆层之间，由PVC导电层、至少一层的金属线编织层与包纸层合作构成，藉多芯导体将讯号的高、低频各自传送。
除上述必要技术特征外，在具体实施过程中，还可补充如下技术内容：
该芯材部的一输送媒体是纯银导体，其外包覆有PE绝缘层。
该芯材部地另一输送媒体是漆包单结晶单方向纯铜导体，其外包覆有PE发泡层。
该至少一层的金属线编织层是镀银线。
该中间材料层为PVC导电层、金属线编织层以及包纸层以构成吉他线。
该中间材料层为PVC导电层、金属线编织层、PTFE层以及金属线编织层以构成视讯线结构。
该麦克风线结构是由二独立芯材部构成。
该中间材料层为PVC导电层、棉纱填充层、金属线编织层以及包纸层。
本发明的优点在于：
藉多芯导体将讯号的高、低频分开各自传送，不致相互干扰，可降低集肤效应(skin effect)，同时藉由一层以上的遮蔽层，降低磁场、射频及静电的干扰，故可得衰减低、失真小、品质高的传输特性。
以下藉由具体实例，配合附图对本发明，做一详细的说明如后：
【附图说明】
图1是传统习用讯号线的立体外观图。
图2是本发明的第一实施例的整体构造分解图。
图3是本发明的第二实施例的整体构造分解图。
图4是本发明的第三实施例的整体构造分解图。
【具体实施方式】
如图2所示，本发明第一较佳实施例一吉他线的立体外观图，该芯材部20，是由纯银导体21外覆PE绝缘层22，该PE绝缘层22外再设一漆包单结晶单方向纯铜导体23，其外再包覆一PE发泡层24，使二导体各自绝缘，而PE发泡层24外再依序包覆由PVC导电层41、镀银线编织层42、包纸层43构成的中间材料40，最后再由聚氯乙烯组成的第一外披覆层30及第二外披覆层31将其一并包覆，而构成一完整的讯号传输线结构。
如图3所示，是本发明的第二较佳实施例一视讯线结构，该芯材部20，是由纯银导体21外覆PE绝缘层22，该PE绝缘层22外再设一漆包单结晶单方向纯铜导体23，其外再包覆一PE发泡层24，使二导体各自绝缘，而FE发泡层24外再依序也覆由PVC导电层41、镀银线编织层42、PTFE层44(发泡铁氟龙带卷包)以及镀银线编织层45构成的中间材料40，最后再由聚氯乙烯组成的第一外披覆层30及第二外披覆层31将其一并包覆，而构成一完整的讯号传输线结构。
请参图4，是本发明的第三较佳实施例一麦克风线结构，是由二支独立芯材部20组成，该芯材部20同样由纯银导体21外覆PE绝缘层22，该PE绝缘层22外再设一漆包单结晶单方向纯铜导体23，其外再包覆一PE发泡层24，使二导体各自绝缘，而PE发泡层24外再依序包覆由PVC导电层41，再以棉纱填充层46将上述二支芯材部20包裹住，令线体更具柔软度及更易成型，并再以镀银线编织层45以及包纸层43包覆构成的中间材料40，最后再由聚氯乙烯所组成第一外披覆层30将其一并包覆，而构成一完整的讯号传输线结构。
而由上述各实施例可得知，芯材部的多芯导体(纯银导体及漆包单结晶单方向纯铜导体)各自以PE绝缘层以及FE发泡层作为绝缘，使二导体之间被适当隔开，令讯号的高、低频由上述二导体区分传送，使高、低频率不会相互干扰，故可降低集肤效应；再者，中间材料层(PVC导电层、镀银线编织层、PTFE层)是均具有遮蔽作用，放可有效防止磁场、射频以及静电干扰，而棉纱填充层或包纸层是可增加线体的柔软度与外观成型度，故可使衰减降低、失真小，而更具有高品质。
本发明的多芯导体各自绝缘，不仅可使芯材间的集肤效应降低，同时可使讯号的高、低频率各自传送，不致相互干扰，且中间材料层的遮蔽效果，使静电、射频与磁场干扰均下降，对于现有此类电线而言，确属前所未有的创新，且功效上的增进显而易见，确具有产业上利用价值。