用于清洁探针板接点的设备与方法 【技术领域】
本发明涉及集成电路(IC)测试设备的清洁设备。更具体地说，本发明涉及用于清洁集成电路电气测试设备探针的清洁设备及其使用方法。背景技术
在集成电路(IC)制造过程中，对切割为芯片之前的人造的晶片进行验收测试的传统测试方法，通常使用安装在测试探针设备上的探针板。在探针板接近待测晶片时，探针板上外伸的多个电“针”中的每个电“针”分别与在晶片上的单独IC芯片上形成的唯一衬垫(电极)实现紧密电接触。
由于对探针施加针压力从而与每个IC衬垫的铝材部分实现满意电接触，所以容易在晶片表面上刮擦出或形成碎屑和残渣，例如氧化铝颗粒。这种碎屑和残渣会粘附在芯片和探针上，经过多次连续测试后，在探针上会累积数量可观的这种碎屑和残渣。通常，累积的碎屑和残渣的电导率低，妨碍了在测试针与待测IC衬垫之间实现良好电接触。所以，为了提供满意测试，需要周期性地对探针进行清洁以去除探针上的这种碎屑和残渣。
在传统清洁设备中，使用弹性磨料衬垫40来清洁测试探针。如图1所示，测试探针20插入衬垫40，这样，附着在针尖22上的碎屑和残渣101被位于衬垫40内部地弹性衬底41内的磨料颗粒42去除。在探针20从衬垫40退出时，表面护封43收集静电粘附在针尖20上的更小残余颗粒(灰尘薄膜)。该清洁方法的显著缺陷是，清洁衬垫40昂贵，而且由于衬垫上载满/充满碎屑颗粒和残渣101，所以必须经常更换。发明内容
根据本发明优选实施例，廉价测试探针清洁设备优先包括用作缓冲衬底或砧面衬底的槽形硅片。当缓冲衬底以类似待测人造晶片方式，安装在测试探针设备的测试座上时，利用运动控制装置给测试探针施加正常运动和压力，可以在针与缓冲衬底之间碾碎和磨去多个测试探针中的任一探针上粘附的碎屑和残渣。碾碎过程产生的更小颗粒，优先在重力作用下从测试针上脱离并落入槽形。尽管测试探针上残留的任何碎屑和残渣颗粒不产生阻抗问题，但是仍利用指定流量的压缩气体选择性地将其去除或吹除。
由于未加工硅片成本低，与待测晶片的尺寸相同，所以优先选择它们作为缓冲衬底，从而在进行清洁时就不必特地调整测试探针。此外，采用晶片，通过简单磨削过程就可以容易地在其上表面上形成槽形或脊形。槽形的优先图形为锯齿形轮廓，它形成带角状的硬表面，可碾碎任何碎屑，但是会使测试探针脚稍许桡曲，然而并不暴露探针，所以不会象使用平整表面那样导致探针损坏。
在脊形表面上的第一峰与第二相邻峰之间的间距在0.1至1微米范围内情况下，脊形表面上脊顶到脊谷底部的优选距离在0.5至5微米范围内。对于上述尺寸，测试探针接触断裂表面之前的优选位移在500微米左右。运动控制装置包括位移装置(例如：马达、齿轮箱、皮带和/或杠杆)以及从包括：光学传感器，压力传感器以及位移传感器的组中选择的一个或多个部件。
使用这种清洁器具的方法包括：1)将脊形断裂设备放置在IC测试探针设备的晶片支撑座上；2)施加作用力来移动探针从而使其与脊形断裂设备表面接触；3)以这样的方式施加预定辅助力来移动探针从而使其通过脊形断裂设备的最外表面，以致利用针脚对于脊形断裂设备的相对运动产生的碾碎作用，可以将粘附在多个探针尖上的任何碎屑断裂成更小残渣；4)去除探针上的那些小残渣；以及5)从IC测试探针设备的晶片支撑座上拆卸脊形断裂设备。探针尖接触缓冲衬底之前的运动可沿缓冲衬底顶面的法线方向，或以相对于该缓冲衬底的顶面约90度至约135度之间的角的方向，即刮擦/磨蚀角，更优先为103度左右。
在变换实施例中，方法特征在于，断裂设备相对于多个静止探针移动。该运动可沿缓冲衬底顶面的法线方向，或以相对于该顶面约90度至约135度的角方向，更优先为103度左右。
在研究了以下详细说明之后，本技术领域内的普通技术人员可以容易地理解本发明的这些以及其它特点。附图说明
图1示出由于清洁集成电路测试探针的传统设备。
图2示出根据本发明的探针清洁器具的剖视图。
图3示出图2所示探针清洁器具的磨蚀面的剖视图。
图4示出本发明实施例所采用的各步骤的流程图。具体实施方式
在根据本发明的优选实施例中，测试探针清洁器具包括在其上表面上具有锯齿槽的传统硅片。在测试探针的探针板与硅片的槽形面作压力接触时，粘附在测试探针的多个电导体(即测试针)上的材料残渣被碾碎和/或磨蚀成更小颗粒，随后从测试针脚上脱落。
图2示出根据本发明的探针清洁器具48的实施例的剖视图。为了构造探针清洁器具48，对传统硅片50表面埋置槽形52，以产生优选锯齿形轮廓，如图2所示。选择与待测人造晶片具有相同厚度和直径的传统硅片50可以生产廉价清洁器具48，无需对施加的压力或测试定位器作特别调整。利用简单磨削过程可以产生槽形52从而形成如图2所示的锯齿形“断裂”面。该锯齿槽形52的典型尺寸包括范围在0.1至1微米之间的锯齿峰间横向距离，优先尺寸为0.3至0.5微米。锯齿槽形的相关深度在0.5至5微米范围内，优先尺寸为1至4微米。此外，对典型直径在10至30微米范围内的探针尖，接触槽形52之前的位移距离优先在500微米左右。在对探针执行该位移时探针以相对锯齿形晶片顶面大约90度至大约135度之间的角方向运动，更优先为103度左右。
为了将对探针尖56的磨损降低到最小，所施加的断裂力优先小于磨蚀探针尖56所需的力。此外，为保证粘附在测试探针尖56上的任何晶片材料都被碾碎和/或被磨蚀以及去除，探针尖(针脚)优先采用硬材料制造，如钨合金；晶片50可硬化至这样的程度，即可更显著容易地碾碎任何碎屑或残渣(即传统硅片材料)，而不露出晶片50的锯齿形尖。
如图2所示，在探针清洁器具48的运行过程中，探针尖56与锯齿形硅片50作压力接触。粘附或粘固在探针尖56上的任何碎屑颗粒和残渣54，受到在测试探针设备60探针板58的探针尖56与清洁晶片50槽形锯齿形断裂表面之间存在的碾碎和/或磨蚀压力的作用。
优先以类似于所测试的人造集成电路方式，将锯齿形硅片50设置在测试探针设备的测试座上。测试探针设备60优先将在其上安装了具有待清除碎屑和残渣的探针尖56的探针板58移动到锯齿形硅片50的断裂面。利用包括压力传感器、光学传感器以及横向运动传感器在内的多个传感器件，对碾碎/磨蚀碎屑和残渣颗粒的所需压力大小进行控制。正如在本技术领域内众所周知的那样，可以利用传统机械移动装置和电气移动装置使探针板58移动，例如：马达、齿轮箱、皮带以及杠杆的适当组合。在变换实施例中，移动断裂设备使其与静止探针尖接触。在又一个实施例中，根据所使用晶片材料以及所产生残渣颗粒的性质，探针尖重复接触断裂面(例如：10次)。
此外，为了改善电接触，可以对探针尖进行粗糙化处理，但是此步骤不能影响断裂和清洁操作。尽管上述附图和描述的特征在于，垂直运动探针板，但是根据本发明也可以满意地使用各种其它传统探针类型，例如：悬臂式探针和针形探针。
本发明优势在于，通过使用具有简单槽形的传统晶片，可以采用传统测试探针设备的所有操作过程，而无需对其进行调整。这就提供了一种用于清洁任何累积碎屑的廉价装置。此外，若清洁器具48磨损过度，可以方便、经济地更换为新器具。
图3示出图2所示的探针清洁器具磨蚀面的剖视图。利用传统磨削技术，可以实现角状锯齿形轮廓。与利用化学处理过程，例如刻蚀产生的锯齿相比，机械磨削过程的优势在于可以使锯齿锐化。虽然可以将刻蚀过程用作槽形的制做过程，但是难以获得断裂面要求的锐棱。
图4示出使用根据本发明的清洁器具48的流程图。在对人造IC晶片进行多次测试之后，周期性地将清洁过程60插入正常制造测试过程。在步骤62、64以及66分别对人造IC晶片进行装载、测试以及卸载后，在步骤68，将包括图2所示锯齿形硅片50在内的探针清洁器具48装载到测试探针设备上。在步骤70，进行压力接触以碾碎和去除碎屑和残渣，此后，在步骤72，从测试探针设备上卸载清洁器具48。如果在步骤74和76分别装载和测试了下一个晶片，则重新开始晶片测试过程。
尽管在此采用特定术语对根据本发明的优选实施例进行了说明，但是仅以一般说明性意义来使用和解释这些术语，而没有限制性意义。因此，显然，在所附权利要求所述本发明实质范围内，本技术领域内的普通技术人员，可以在形式和细节方面对其进行各种变更。