具有静电防护的封装模具 【技术领域】
本发明涉及一种封装模具，具体地说，本发明涉及一种具有静电防护的封装模具。背景技术
如图1所示为目前现有的封装模具的下模具1，该下模具1需与一上模具(图未示出)合模使用以封装芯片。该现有的封装下模具1包括：一套筒区(potblock)11及二承载部12、13。该套筒区11具有五个套筒(pot)111、112等，每一个套筒承接一压注杆(图未示出)，该压注杆将封胶注入套筒，每一个套筒111分支连通至二流道116、117，封胶由各该等套筒分别压注至该等流道。
二承载部12、13用以承载具有芯片的基底，一个承载部12承载五个基底，该等承载部12、13连接至该等流道116、117，接收来自流道的封胶，以封装承载部12、13上所承载的基底及芯片。该现有的承载部12、13分别具有承载面121、131与基底接触，且该承载面121、131的表面均为光滑的镜面。
由于不同材质间物体接触后再分离时，通常在两者的接触面间会产生静电。因此，当封胶封装后，要与该下模具1分离时，基底与该承载部的承载面121、131间会产生极大的静电，通常分离时产生的静电约为1KV/in。且若两者的接触面积越大，则分离时所产生的静电就越大。
同样地，在流道内的封胶与该模具1的流道116、117分离时，也会在两者地接触面产生静电，通常该静电约为2KV/in。
因此，有必要提供一种创新且富进步性的具有静电防护的封装模具，以解决上述问题。发明内容
本发明的目的在于提供一种具有静电防护的封装模具，包括：一套筒区及至少一承载部。该套筒区具有多个套筒及流道，每一个套筒分支连通至该等流道，封胶由各该等套筒压注至该等流道。承载部用以承载多个基底，承载部连接至该等流道，接收来自流道的封胶，以封装该等基底上的芯片，各该等承载部具有一承载面与该等基底接触，该承载面具有表面粗糙化处理，从而减少封装后离模时该等基底与该承载面间的静电，使封装后的芯片不致因静电过高而损坏。
本发明的另一目的在于提供一种具有静电防护的封装模具，该封装模具的该等流道具有表面粗糙化处理，从而减少封装后离模时流道内的封胶与流道间的静电。附图说明
图1为现有的封装模具的立体示意图；
图2为本发明的封装模具的立体示意图；
图3为粗糙化表面的中心线平均粗糙度的求法示意图；
图4为粗糙化表面的中心线平均粗糙度的近似求法示意图；
图5为过高中心线平均粗糙度的粗糙化表面与封胶关系的示意图；
图6为适当中心线平均粗糙度的粗糙化表面与封胶关系的示意图；及
图7为本发明第二实施例的封装模具的示意图。【图号说明】1：现有的封装模具 11：套筒区111、112：套筒 116、117：流道12、13：承载部 121、131：承载面2：具有静电防护的封装模具 21：套筒区211、212：套筒 216、217：流道22、23：承载部 221、231：承载面51：封胶 52：粗糙化表面61：封胶 62：粗糙化表面7：具有静电防护的封装模具 71：套筒区711、712：套筒具体实施方式
如图2所示，本发明具有静电防护的封装模具2包括：一套筒区21及二承载部22、23。该套筒区21具有五个套筒211、212等，每一个套筒承接一压注杆(图未示出)，该压注杆将封胶注入套筒。每一个套筒211分支连通至二流道216、217，封胶即由各该等套筒分别压注至该等流道。
二承载部22、23用以承载具有芯片的基底(图未示出)，每一个承载部22或23承载五个基底，该等承载部22、23连接至该等流道，接收来自流道的封胶，以封装承载部22、23上所承载的基底及芯片。该等承载部22、23分别具有一承载面221、231，分别用以与基底接触。
为减少与该等基底接触的面积，将承载面221、231的表面施以粗糙化处理(roughing)。因此，当封胶封装后，基底与该封装模具2分离时，基底与该承载部的承载面间的接触面积大大地降低，而使得分离时基底与该承载面间产生的静电大幅地降低。经实验量测所得的结果，该静电可降低至25V/in以下。相较于现有的封装模具1(如图1所示)于分离时所产生的静电通常约为1KV/in，本发明的封装模具2对于基底与承载面221、231间静电的改善相当显著。
同样地，本发明将封装模具2的流道216、217等的表面作粗糙化处理，以减少流道内的封胶与流道216、217表面的接触面积，使在流道内的封胶与流道216、217分离时，在封胶与流道216、217表面的静电能被降低。经实验量测所得的结果，该静电可降低至400V/in以下。相较于现有的封装模具1于其分离时所产生的静电约为2KV/in，本发明的封装模具2对于封胶与流道216、217间静电的改善也相当显著。
为使承载部的承载面及流道的表面粗糙化处理数据化，兹以中心线平均粗糙度(Ra)表示该表面粗糙化的处理程度，参考图3，该中心线平均粗糙度的定义为：若从加工面的粗糙曲线上，截取一段测量长度L，并以该长度内粗糙深的中心线为x轴，取中心线的垂直线为y轴，则粗糙曲线可用y＝f(x)表示。以中心线为基准将下方曲线反折。然后计算中心线上方经反折后的全部曲线所涵盖面积(图中的斜线部份)，再以测量长度除之。所得数值以μm为单位，即为该加工面测量长度范围内的中心线平均粗糙度值，其公式定义如下式(1)所示：Ra=1L∫0t|f(x)|dx---(1)]]>
参考图4，将图3的粗糙曲线y＝f(x)沿中心线方向细分等间隔后取各分段点所对应的y值，利用下列式(2)可得到Ra的近似值：Ra≅y1+y2+y3+···+ynnΣt=1ytn---(2)]]>
依据上述中心线平均粗糙度的定义，现有的封装模具1承载部12的承载面121为光滑如镜的表面，其中心线平均粗糙度的范围为0.010至0.20之间。本发明的最佳表面粗糙化处理的中心线平均粗糙度的范围为0.25至1.6之间。实际上，并非该表面粗糙化处理的中心线平均粗糙度的范围值越高就越好，若该中心线平均粗糙度的值过高，参考图5所示，则软化的热封胶51将顺着该粗糙化表面52的起伏流动，并依该表面的粗糙化形状逐渐硬化，故若该中心线平均粗糙度的值很高，反而将加大封胶51与粗糙化表面52的接触面积，将造成更差的结果。
参考图6所示，若该中心线平均粗糙度适当，则封胶61不会顺着该粗糙化表面62的起伏流动，封胶61与粗糙化表面62的接触面积由面的接触减少至点的接触，因而减少两者分离时所产生的静电。经多次实验的结果，本发明的最佳表面粗糙化处理的中心线平均粗糙度的范围为0.25至1.6之间，且可利用喷砂等方式完成该表面粗糙化处理。
如图7所示，本发明第二实施例的具有静电防护的封装模具7的套筒区71除了套筒711、712所在位置外，其余均做表面粗糙化处理。亦即，不仅该封装模具7的流道做粗糙化处理，该套筒区71的所有表面均做粗糙化处理。无论流道的形状如何(流道的形状由封装模具的上模具决定)，本发明的第二实施例封装模具7均可适用，以达到降低静电的功效。
上述实施例仅为说明本发明的原理及其功效，而非限制本发明。因此，本领域普通技术人员可在不违背本发明的精神的情况下，对上述实施例进行修改及变化。本发明的保护范围应以权利要求为准。