太阳能电池模块和太阳能电池模块的制造方法 技术领域 本发明涉及具有叠层在透光性基板上的第一电极、 叠层在第一电极上的光电变换 层、 和叠层在光电变换层上的第二电极， 第二电极由透光性导电膜和金属膜构成的太阳能 电池模块和太阳能电池模块的制造方法。
背景技术
近年来， 为了兼顾太阳能电池的低成本化和高效率化， 全力进行原材料的使用量 较少的薄膜类的太阳能电池模块的开发。图 1 表示现有的薄膜类的太阳能电池模块的截面 图的一个例子。
如图 1 所示， 现有的薄膜类的太阳能电池模块 10， 在玻璃等透光性基板 11 上， 通 过激光照射图案化并依次叠层有第一透光性导电膜 12、 光电变换层 13 和背面电极 14 而形 成。 另外， 在太阳能电池模块 10 中， 在背面电极 14 上， 隔着 Ethylene Vinyl Acetate(EVA， 乙烯 - 醋酸乙烯脂 ) 等填充件 15 配置有 Poly Ethylene Terephthalate(PET ： 聚对苯二甲 酸乙二醇酯 ) 等保护件 16。
这里， 提出了在第二透光性导电膜 14a 上叠层金属薄膜 14b 而形成背面电极 14 的 方法 ( 例如， 参照专利文献 1)。根据这种方法， 能够有效地利用在通过激光照射使背面电 极 14 图案化时产生的第二透光性导电膜 14a 的激光烧蚀 (Laser Ablation) 现象， 从而能 够容易地进行利用激光照射的图案化。即， 通过同时对第二透光性导电膜 14a 和金属薄膜 14b 照射激光， 进行背面电极 14 的图案化。
专利文献 1 ： 日本特开平 8-56004 号公报 发明内容 一般太阳能电池模块 10 在室外长时间使用。因此， 太阳能电池模块 10 必须具有 即使在其内部例如渗入水分， 太阳能电池模块 10 也能够维持稳定的高发电能力的充分的 耐湿性。
然而， 在太阳能电池模块 10 中， 如图 1 所示， 第二透光性导电膜 14a 的一部分没有 被金属薄膜 14b 覆盖而露出。从而， 如果渗透保护件 16 和填充件 15 的水分到达第二透光 性导电膜 14a， 则会容易地使第二透光性导电膜 14a 劣化。结果， 存在不能够维持太阳能电 池模块 10 的稳定的高发电能力的问题。
于是， 本发明是鉴于上述问题而提出的， 其目的在于提供一种即使渗入水分， 也能 够维持高发电能力的太阳能电池模块和太阳能电池模块的制造方法。
本发明的第一特征的太阳能电池模块的要点是， 包括 ： 透光性基板、 叠层在上述透 光性基板上的第一电极、 叠层在上述第一电极上的光电变换层、 叠层在上述光电变换层上 的第二电极、 和分离上述第二电极的槽部， 上述第二电极由叠层在上述光电变换层上的透 光性导电膜和叠层在上述透光性导电膜上的金属膜构成， 上述金属膜， 在上述槽部中， 以比 上述透光性导电膜被分离的宽度窄的宽度被分离。
根据第一特征的太阳能电池模块， 因为透光性导电膜被金属膜覆盖而没有露出， 所以即使渗入的水分到达背面电极， 被金属膜密封的透光性导电膜也不会由于水分而劣 化， 能够维持稳定的高发电能力。
本发明的第二特征与本发明的第一特征相关联， 要点是一种太阳能电池模块， 其 特征在于， 上述透光性导电膜， 在上述槽部中， 覆盖上述光电变换层的侧壁并且与上述第一 电极相接， 上述金属膜， 在上述槽部中， 覆盖上述透光性导电膜的侧壁并且与上述第一电极 相接。
本发明的第三特征与本发明的第一特征相关联， 要点是一种太阳能电池模块， 其 特征在于， 上述金属膜， 在上述槽部中， 覆盖上述透光性导电膜的侧壁并且与上述光电变换 层相接。
本发明的第四特征的要点是， 一种太阳能电池模块的制造方法， 该太阳能电池模 块包括 ： 透光性基板、 叠层在上述透光性基板上的第一电极、 叠层在上述第一电极上的光电 变换层、 叠层在上述光电变换层上的透光性导电膜、 和叠层在上述透光性导电膜上的金属 膜， 并具有分离上述光电变换层、 上述透光性导电膜、 和上述金属膜的槽部， 该太阳能电池 模块的制造方法的特征在于， 包括 ： 通过向上述槽部照射激光， 除去上述光电变换层的一部 分的步骤 A ； 在上述光电变换层上叠层透光性导电膜的步骤 B ； 通过向上述槽部照射激光， 除去上述透光性导电膜的一部分的步骤 C ； 在上述透光性导电膜上叠层金属膜的步骤 D ； 和 通过向上述槽部照射激光， 除去上述金属膜的一部分的步骤 E， 在步骤 E 中， 除去上述金属 膜的一部分的宽度， 比在步骤 C 中除去上述透光性导电膜的一部分的宽度窄。 附图说明 图 1 是表示现有的太阳能电池模块的结构的截面图。
图 2 是实施方式的太阳能电池模块的俯视图。
图 3 是实施方式的太阳能电池模块的图 2 的 A-A 截面的放大截面图 ( 之一 )。
图 4 是实施方式的太阳能电池模块的图 2 的 B-B 截面的放大截面图 ( 之二 )。
图 5(A) 是用于在图 2 的 A-A 截面， 说明实施方式的太阳能电池模块的制造方法的 图 ( 之一 )。图 5(B) 是用于在图 2 的 B-B 截面， 说明实施方式的太阳能电池模块的制造方 法的图 ( 之一 )。
图 6(A) 是用于在图 2 的 A-A 截面， 说明实施方式的太阳能电池模块的制造方法的 图 ( 之二 )。图 6(B) 是用于在图 2 的 B-B 截面， 说明实施方式的太阳能电池模块的制造方 法的图 ( 之二 )。
图 7 是用于在图 2 的 A-A 截面， 说明实施方式的太阳能电池模块的制造方法的图 ( 之三 )。
图 8(A) 是用于在图 2 的 A-A 截面， 说明实施方式的太阳能电池模块的制造方法的 图 ( 之四 )。图 8(B) 是用于在图 2 的 B-B 截面， 说明实施方式的太阳能电池模块的制造方 法的图 ( 之三 )。
图 9(A) 是用于在图 2 的 A-A 截面， 说明实施方式的太阳能电池模块的制造方法的 图 ( 之五 )。图 9(B) 是用于在图 2 的 B-B 截面， 说明实施方式的太阳能电池模块的制造方 法的图 ( 之四 )。
图 10(A) 是用于在图 2 的 A-A 截面， 说明实施方式的太阳能电池模块的制造方法 的图 ( 之六 )。图 10(B) 是用于在图 2 的 B-B 截面， 说明实施方式的太阳能电池模块的制造 方法的图 ( 之五 )。 具体实施方式
下面， 使用附图， 说明本发明的实施方式。在以下的附图的记载中， 对相同或类似 的部分标注相同或类似的编号。 但是， 附图是示意性的， 应该注意的是各尺寸的比例等与实 际的情况不同。因此， 具体的尺寸等应该参照以下的说明而进行判断。另外， 在附图相互之 间当然也包括相互的尺寸关系或者比例不同的部分。
< 第一实施方式 >
( 太阳能电池模块 10 的结构 )
图 2 表示本发明的第一实施方式的太阳能电池模块 10 的俯视图。
太阳能电池模块 10， 在透光性基板 11 上具有 ： 包括多个光敏元件 20 的发电区域 21、 设置在发电区域 21 的周围的非发电区域 22、 第一槽部 30、 和第二槽部 40。
透光性基板 11 是太阳能电池模块 10 的单一基板。透光性基板 11 由玻璃等具有 透光性、 防水性的部件构成。
光敏元件 20 通过依次叠层第一透光性导电膜 12、 光电变换层 13、 和背面电极 14 而形成。 一个光敏元件 20 的第一透光性导电膜 12， 在第一槽部 30 中， 与邻接的其它光敏元 件 20 的背面电极 14 连接。由此， 光敏元件 20 彼此电串联连接。
第一槽部 30 是使一个光敏元件 20 的光电变换层 13 和背面电极 14 与邻接的其它 光敏元件 20 的光电变换层 13 和背面电极 14 电分离的槽。
发电区域 21 通过使多个光敏元件 20 电串联连接而形成。发电区域 21 是用于发 电的区域。
非发电区域 22 隔着第二槽部 40 设置在发电区域 21 的周围。非发电区域 22 是对 发电没有贡献的区域。非发电区域 22 与光敏元件 20 同样， 是通过依次叠层第一透光性导 电膜 12、 光电变换层 13、 和背面电极 14 而形成的叠层体。
第二槽部 40 是使发电区域 21 与非发电区域 22 电分离的槽。
图 3 是图 2 的 A-A 截面图， 放大了图 2 的下部 ( 以 α 包围的部分 )。
如图 3 所示， 太阳能电池模块 10 包括 ： 透光性基板 11 ； 叠层在透光性基板 11 上的 第一透光性导电膜 12( 第一电极 ) ； 叠层在第一透光性导电膜 12 上的光电变换层 13 ； 和叠 层在光电变换层 13 上的背面电极 14( 第二电极 )。
第一透光性导电膜 12 叠层在透光性基板 11 上。第一透光性导电膜 12 形成为长 方形 ( 细长条 ) 状。第一透光性导电膜 12 由选自在 ZnO、 In2O3、 SnO2、 CdO、 TiO2、 CdIn2O4、 Cd2SnO4、 Zn2SnO4 中掺杂有 Sn、 Sb、 F、 Al、 B 或 Ga 的金属氧化物中的一种、 或者多种的叠层体 构成。其中， ZnO 因为具有高透光性、 低电阻性、 可塑性而且价格低， 所以作为透光性导电膜 材料是优选的。
光电变换层 13 叠层在第一透光性导电膜 12 上。 通过在第一槽部 30 中除去光电变 换层 13 的一部分， 光电变换层 13 形成为长方形状。光电变换层 13 由非晶硅半导体构成。 具体地说， 光电变换层 13 通过在非晶硅半导体上叠层微晶硅半导体而形成。非晶硅和微晶硅各自的光吸收波长不同， 因此这种串接 (tandem) 型太阳能电池模块能够有效地利用太 阳光谱。另外， 在本说明书中， “微晶” 的用语意味着包括多个微小的晶粒， 也意味着部分包 括非晶状态的状态。
背面电极 14 具有在第二透光性导电膜 14a 上叠层有金属膜 14b 的二层构造。
第二透光性导电膜 14a 叠层在光电变换层 13 上。通过在第一槽部 30 中除去第二 透光性导电膜 14a 的一部分， 第二透光性导电膜形成为长方形状。如图 3 所示， 令被除去的 第二透光性导电膜 14a 的一部分的宽度为 A。
金属膜 14b 叠层在第二透光性导电膜 14a 上。通过在第一槽部 30 中除去金属膜 14b 的一部分， 金属膜 14b 形成为长方形状。如图 3 所示， 令被除去的金属膜 14b 的一部分 的宽度为 B。
此处， 在本实施方式的太阳能电池模块 10 中， 被除去的金属膜 14b 的一部分的宽 度 B 比被除去的第二透光性导电膜 14a 的一部分的宽度 A 窄。
即， 金属膜 14b， 在第一槽部 30 中， 以比第二透光性导电膜 14a 被分离的宽度 A 窄 的宽度 B 被分离。
具体地说， 如图 3 所示， 在第一槽部 30 中， 第二透光性导电膜 14a 覆盖光电变换层 13 的侧壁， 并且与第一透光性导电膜 12 相接。 另外， 金属膜 14b 覆盖第二透光性导电膜 14a 的侧壁， 并且与第一透光性导电膜 12 相接。另外， 金属膜 14b， 在第一槽部 30 中， 覆盖形成 在光电变换层 13 上的第二透光性导电膜 14a 的侧壁， 并且与光电变换层 13 相接。 这样， 在第一槽部 30 中， 第二透光性导电膜 14a 处于被金属膜 14b 覆盖的状态， 没 有露出于外部。
第二透光性导电膜 14a 与第一透光性导电膜 12 同样， 由选自在 ZnO、 In2O3、 SnO2、 CdO、 TiO2、 CdIn2O4、 Cd2SnO4、 Zn2SnO4 中掺杂有 Sn、 Sb、 F、 Al、 B 或 Ga 的金属氧化物中的一种、 或者多种的叠层体构成。
金属膜 14b 由选自 Ag、 Al、 Ti、 Pt、 Mo、 Ta 等中的一种、 或者多种的叠层体构成。
图 4 是图 2 的 B-B 截面图， 放大了图 2 的右部 ( 以 β 包围的部分 )。
第二透光性导电膜 14a 叠层在光电变换层 13 上。在第二槽部 40 中除去第二透光 性导电膜 14a 的一部分。如图 4 所示， 令被除去的第二透光性导电膜 14a 的一部分的宽度 为 A’ 。
金属膜 14b 叠层在第二透光性导电膜 14a 上。在第二槽部 40 中除去金属膜 14b 的一部分。如图 4 所示， 令被除去的金属膜 14b 的一部分的宽度为 B’ 。
此处， 在本实施方式的太阳能电池模块 10 中， 被除去的金属膜 14b 的一部分的宽 度 B’ 比被除去的第二透光性导电膜 14a 的一部分的宽度 A’ 窄。
即， 金属膜 14b， 在第二槽部 40 中， 以比第二透光性导电膜 14a 被分离的宽度 A’ 窄 的宽度 B’ 被分离。
具体地说， 如图 4 所示， 金属膜 14b， 在第二槽部 40 中， 覆盖形成在光电变换层 13 上的第二透光性导电膜 14b 的侧壁， 并且与光电变换层 13 相接。
这样， 在第二槽部 40 中， 第二透光性导电膜 14a 处于被金属膜 14b 覆盖的状态， 没 有露出于外部。
( 太阳能电池模块 10 的制造方法 )
使用图 5 ～图 10 说明本实施方式的太阳能电池模块 10 的制造方法。
在透光性基板 11 上， 通过溅射等形成第一透光性导电膜 12。如图 5(A) 所示， 通 过照射 YAG 激光， 第一透光性导电膜 12 被图案化为长方形状。由此， 第一透光性导电膜 12 在各光敏元件 20 之间被电分离。另外， 如图 5(B) 所示， 第一透光性导电膜 12 被反复多次 照射 YAG 激光， 被电分离至发电区域 21 一侧和非发电区域 22 一侧。即， 第一透光性导电膜 12 的一部分在第二槽部 40 中被除去。YAG 激光的照射能够从光入射侧或者从与光入射侧 相反的背面侧进行。
接着， 通过等离子体 CVD 法， 形成光电变换层 13。具体地说， 如图 6(A) 和 (B) 所 示， 在第一透光性导电膜 12 上依次叠层 p-i-n 型的非晶硅半导体之后， 依次叠层 p-i-n 型 的微晶硅半导体， 从而形成光电变换层 13。
通过在从第一透光性导电膜 12 的图案化位置离开规定间隔的位置从光入射侧照 射 YAG 激光， 光电变换层 13 被图案化为长方形状。即， 光电变换层 13 的一部分在第一槽部 30 中被除去。由此， 如图 7 所示， 光电变换层 13 按照每个光敏元件 20 被电分离。
接着， 如图 8(A) 和 (B) 所示， 在光电变换层 13 上通过溅射等形成第二透光性导电 膜 14a。通过在从光电变换层 13 的图案化位置离开规定间隔的位置从背面侧照射 YAG 激 光， 第二透光性导电膜 14a 被图案化为长方形状。即， 透光性导电膜 14a 的一部分在第一槽 部 30 中被除去。由此， 如图 9(A) 所示， 透光性导电膜 14a 按照每个光敏元件 20 被电分离。 另外， 如图 9(B) 所示， 第二透光性导电膜 14a 被从背面侧反复多次照射 YAG 激光， 被电分离至发电区域 21 一侧和非发电区域 22 一侧。即， 第二透光性导电膜 14a 的一部分 在第二槽部 40 中被除去。
接着， 如图 10(A) 和 (B) 所示， 通过溅射等在第二透光性导电膜 14a 上形成金属膜 14b。
接着， 如图 3 所示， 通过在从第二透光性导电膜 14a 的图案化位置离开规定间隔的 位置从光入射侧照射 YAG 激光， 光电变换层 13 和金属膜 14b 被图案化为长方形状。即， 金 属膜 14b 的一部分在第一槽部 30 中被除去。特别是， 金属膜 14b， 在第一槽部 30 中， 以比第 二透光性导电膜 14a 被除去的宽度 A 窄的宽度 B 被除去。
另外， 如图 4 所示， 光电变换层 13 和金属膜 14b 被从光入射侧照射 YAG 激光， 被电 分离至发电区域 21 一侧和非发电区域 22 一侧。即， 金属膜 14b 的一部分在第二槽部 40 中 被除去。特别是， 金属膜 14b， 在第二槽部 40 中， 以比第二透光性导电膜 14a 被除去的宽度 A’ 窄的宽度 B’ 被除去。
接着， 在背面侧依次配置由树脂构成的填充件 15 和保护件 16( 未图示 )， 使用层压 装置进行真空加热压接。然后， 通过加热处理使填充件 15 交联并稳定化。
作为填充件 15， 在 EVA 以外， 也可以使用 EEA 等乙烯类树脂、 PVB、 硅、 聚氨酯、 丙烯 酸、 环氧树脂。另外， 作为保护件 16， 也可以使用氟类树脂 (ETFE、 PVDF、 PCTFE 等 )、 PC、 玻 璃等夹着金属箔的构造、 SUS、 钢板。
通过以上过程， 制作本实施方式的太阳能电池模块 10。 另外， 在该太阳能电池模块 10 上， 也能够连接端子盒和取出电极， 利用丁基橡胶等安装铝框。
( 作用和效果 )
在本实施方式的太阳能电池模块 10 中， 第二透光性导电膜 14a， 在第一槽部 30 中，
覆盖光电变换层 13 的侧壁并且与第一透光性导电膜 12 相接。金属膜 14b， 在第一槽部 30 中， 覆盖第二透光性导电膜 14a 的侧壁并且与第一透光性导电膜 12 相接。 另外， 金属膜 14b， 在第一槽部 30 中， 覆盖形成在光电变换层 13 上的第二透光性导电膜 14a 的侧壁并且与光 电变换层 13 相接。
这样， 在第一槽部 30 中， 第二透光性导电膜 14a 处于被金属膜 14b 覆盖的状态， 不 会露出到外部。
从而， 即使渗入到保护件 16 和填充件 15 的水分到达背面电极 14， 被金属膜 14b 覆 盖的第二透光性导电膜 14a 也不会由于水分而劣化。因此， 太阳能电池模块 10 能够维持稳 定的高发电能力。
这种太阳能电池模块 10 适合应用于将容易由于水分而劣化的 ZnO 用作第二透光 性导电膜材料的情况。
< 其它实施方式 >
利用上述的实施方式记述了本发明， 但是构成该公开内容的一部分的论述以及附 图并不应该理解为对本发明的限定。 本领域的技术人员能够根据该公开内容明确各种替代 实施方式、 实施例以及应用技术。 例如， 在上述实施方式中， 使用依次叠层有非晶硅半导体和微晶硅半导体的光电 变换层 13， 但使用微晶或非晶硅半导体的单层、 或将它们叠层三层以上的叠层体也能够得 到同样的效果。
另外， 在上述实施方式中， 将第二透光性导电膜 14a 叠层在光电变换层 13 上之后， 利用 YAG 激光进行图案化， 但第二透光性导电膜 14a 也可以使用期望的图案的光掩模而形 成。
这样， 本发明当然包括没有在此记述的各种实施方式等。 因此， 本发明的技术范围 仅由基于上述的说明的与适当的权利要求的范围相关的发明特定事项决定。
< 实施例 >
以下举出实施例具体说明本发明的太阳能电池模块， 但本发明并不限定于以下实 施例所表示的内容， 在不变更其主旨的范围内， 能够适当地进行变更并实施。
( 实施例 )
作为本发明的实施例的太阳能电池模块， 如以下所述制造图 3 和图 4 所示的太阳 能电池模块 10。
在 4mm 厚的玻璃基板 11 上， 通过热 CVD 形成 600nm 厚的 SnO2 电极 12。
接着， 从玻璃基板 11 的光入射侧照射 YAG 激光， 使 SnO2 电极 12 被图案化为长方形 状。在该激光分离加工中， 使用波长约 1.06μm、 能量密度 3×105W/cm2 的 Nd:YAG 激光。此 处， 针对发电区域 21 和非发电区域 22 的边界部分， 反复多次施加 YAG 激光， 形成 3mm 宽的 槽。
接着， 通过等离子体 CVD 法， 形成由非晶硅半导体层和微晶硅半导体层构成的光 电变换层 13。具体地说， 非晶硅半导体层通过等离子体 CVD 法， 依次利用 SiH4、 CH4、 H2、 和 B2H6 的混合气体形成膜厚 10nm 的 p 型非晶硅半导体层， 利用 SiH4、 和 H2 的混合气体形成膜 厚 300nm 的 i 型非晶硅半导体层， 利用 SiH4、 H2、 和 PH3 的混合气体形成膜厚 20nm 的 n 型非 晶硅半导体层。另外， 微晶硅半导体层通过等离子体 CVD 法， 依次利用 SiH4、 H2、 和 B2H6 的混
合气体形成膜厚 10nm 的 p 型微晶硅半导体层， 利用 SiH4、 和 H2 的混合气体形成膜厚 2000nm 的 i 型微晶硅半导体层， 利用 SiH4、 H2、 和 PH3 的混合气体形成膜厚 20nm 的 n 型微晶硅半导 体层。表 1 表示等离子体 CVD 法的各条件的详情。
[ 表 1]
等离子体 CVD 条件
另外， 通过在从 SnO2 电极 12 的图案化位置离开 50μm 的位置从光入射侧照射 YAG 激光， 使由非晶硅半导体层和微晶硅半导体层构成的光电变换层 13 图案化为长方形状。在 该激光分离加工中， 使用波长约 1.06μm、 能量密度 1×105W/cm2 的 Nd:YAG 激光。
接着， 在微晶硅半导体层上通过溅射形成 90nm 厚的 ZnO 膜 14a。
接着， 通过在从光电变换层 13 的图案化位置离开 50μm 的位置从背面侧照射 YAG 激光， 使 ZnO 膜 14a 图案化为长方形状。此处， 除去 ZnO 膜 14a 的一部分的宽度为 140μm。 在该激光分离加工中， 使用波长约 1.06μm、 能量密度 1×105W/cm2 的 Nd:YAG 激光。
接着， 在 ZnO 膜 14a 上通过溅射形成 200nm 厚的 Ag 膜 14b。
接着， 通过从光入射侧照射 YAG 激光， 使光电变换层 13 和 Ag 电极 14 图案化为长 方形状。此处， 除去 Ag 膜 14b 的一部分的宽度为 100μm。在该激光分离加工中， 使用波长 5 2 约 1.06μm、 能量密度 1×10 W/cm 的 Nd:YAG 激光。
接着， 依次配置 EVA15 和 PET 膜 16， 使用层压装置， 在 150℃下进行 30 分钟加热处 理。由此， 使 EVA15 交联并稳定化。
最后， 安装端子盒， 连接取出电极， 完成本发明的实施例的太阳能电池模块。
( 现有例 )
作为现有例， 制作图 1 所示的太阳能电池模块 10。在现有例中， 在光电变换层 13 上依次连续地叠层 ZnO 膜 14a 和 Ag 膜 14b 之后， 除了在从光电变换层 13 的图案化位置离 开 100μm 的位置从光入射侧照射 YAG 激光以外， 进行与上述实施例相同的工序。
从而， 在第一槽部 30 中， ZnO 膜 14a 的一部分未被 Ag 膜 14b 覆盖而露出。
< 热退火处理后的特性评价 >
为了比较实施例的太阳能电池模块和现有例的太阳能电池模块的可靠性， 在进行 热退火处理后， 进行它们的特性评价。具体地说， 在温度 200℃的大气气氛中进行使各模块 暴露 3 小时的处理。
( 结果 ) 热退火处理后的特性评价结果如下。 [ 表 2] 由热退火处理引起的特性变化在进行了热退火处理之后， 现有例的太阳能电池模块的变换效率与处理前相比较 降低了约 20％。
另一方面， 实施例的太阳能电池模块的变换效率， 即使在进行了热退火处理后也 没有观察到变化， 维持了高的发电能力。
为了确认成为表 2 所示的结果的原因， 测定了热退火处理后的现有例的太阳能电 池模块的 ZnO 膜 14a 的电阻。该 ZnO 膜 14a 的电阻值成为热退火处理前的 2 倍。即， 确认 了由于大气中的水分， ZnO 膜 14a 劣化。
这样， 判明了现有例的太阳能电池模块的变换效率降低的理由是 ： 渗入到第一槽 部 30 的水分使 ZnO 膜 14a 劣化。
另一方面， 在实施例的太阳能电池模块中， ZnO 膜 14a， 在第一槽部 30 中， 覆盖光电 变换层 13 的侧壁并且与 SnO2 电极 12 相接。另外， Ag 膜 14b， 覆盖 ZnO 膜 14a 的侧壁并且
与 SnO2 电极 12 相接。而且， Ag 膜 14b， 在第一槽部 30 中， 覆盖形成在光电变换层 13 上的 ZnO 膜 14a 的侧壁并且与光电变换层 13 相接。
这样， 在实施例的太阳能电池模块中， Ag 电极 14b 覆盖在 ZnO 膜 14a 上， 水分与 ZnO 膜 14a 不接触。因此， 实施例的太阳能电池模块能够维持稳定的高输出。
另外， ZnO 虽然作为透光性导电膜材料具有很大的优点， 但是因为其容易由于水分 而劣化的特性所以不能够实用， 可知通过采用实施例的结构能够使其充分地实用化。
另外， 作为参考， 在本申请的说明书中引入日本国专利申请第 2006-324599 号 (2006 年 11 月 30 日申请 ) 的全部内容。
产业上的可利用性
如以上所述， 本发明的太阳能电池模块， 即使渗入水分也能够维持高发电能力， 因 此在太阳光发电中是有用的。