一种智能手机睡眠唤醒SD卡优化处理方法.pdf

本发明公开一种智能手机睡眠唤醒SD卡(Secure Digital Memory Card)优化处理方法。睡眠唤醒时，不再模拟拔插卡，而只发出复位卡的命令和SD存储层特殊处理，确保修改后SD卡睡眠唤醒时能正常及时进行读写访问。本发明所提供的有益效果是，极大地减少SD驱动在睡眠唤醒的耗时，睡眠唤醒耗时只有1秒，这样确保修改后SD卡睡眠唤醒时能迅速进行读写访问，同时可以解决插SD卡睡眠唤醒冻屏死机的问题和快速运行之前在SD的应用程序，这样给用户即醒即用的实时体验，即醒后可以立即访问SD和其他应用。

1、  一种智能手机睡眠唤醒SD卡优化处理方法，其特征在于，睡眠唤醒时，不再模拟拔插卡，而只发出复位卡的命和SD存储层特殊处理。

2、  根据权利要求1所述的一种智能手机睡眠唤醒SD卡优化处理方法，其特征在于，SD驱动架构包含SD存储层、SD总线驱动层、SD控制器层。

一种智能手机睡眠唤醒SD卡优化处理方法
技术领域
适合于采用英特尔中央处理器310/320系列平台和英特尔中央处理器270系列平台的智能手机
背景技术
目前随着人们生活水平提高和沟通的需要，智能手机越来越普及。各个手机制造商为了吸引更多人的眼球，增加产品的卖点。在智能手机上加入了许许多多的功能。比如要求支持更快、容量更大的SD卡，是一种基于半导体快闪记忆器的新一代记忆设备，SD卡是松下、晟碟和东芝在MMC卡(MultiMedia Card)的基础上联合开发的。它的大小跟邮票相当，重约两克。与SD卡兼容的存储卡还有MiniSD卡(Mini SeCure Digital Memory Card)和MicroSD卡(Micro Secure Digital Memory Card)，后两者在协议层与SD卡兼容，只是在大小和重量上更小，以适应手持设备便携化的需要。
但是在当前英特尔中央处理器270系列平台以及最新的英特尔中央处理器310/320上系列平台，插入SD睡眠，睡眠唤醒后，存在卡槽中的卡不能马上访问，至少需要6秒以上的时间。这样存在如下典型问题：
1、睡眠唤醒后，在文件目录下，存储卡图标需要6秒，才能显示出来，也就是只能6秒后才能访问SD卡中的文件
2、如果睡眠前打开SD中的某个应用程序，比如全球定位系统，唤醒后，应用程序自动断开，不能保持之前连接的状态。
3、睡眠后，低优先级的线程被阻塞而导致不能及时运行，会导致睡眠后智能手机不能正常唤醒，严重的问题导致智能手机冻屏死机。比如有外界的中断(视频电话呼入)唤醒系统，这时SD卡优先级较高，抢占中央处理器)资源，视频电话线程的优先级比较低，导致视频电话等其他类似低优先级的线程处理明显延后，严重时会导致视频电话不能正常工作，甚至出现冻屏死机。
发明内容
针对上述缺陷，本发明定义了一种智能手机睡眠唤醒SD卡优化处理方法，睡眠唤醒时，不再模拟拔插卡，而只发出复位卡的命和SD存储层特殊处理，确保修改后SD卡睡眠唤醒时能正常及时进行读写访问。
本发明公开一种智能手机睡眠唤醒SD卡优化处理方法，所提供的有益效果是，极大地减少SD驱动在睡眠唤醒的耗时，睡眠唤醒耗时只有1秒，这样确保修改后SD卡睡眠唤醒时能迅速进行读写访问，同时可以解决睡眠唤醒冻屏死机的问题和快速运行之前在SD的应用程序，这样给用户即醒即用的实时体验，即醒后可以立即访问SD和其他应用。
附图说明
图1SD卡驱动架构；
图2修改前流程；
图3修改后流程。
具体实施方式
英特尔中央处理器310/320系列平台提供的SD驱动架构如图1所示，包含SD存储层、SD总线驱动层、SD控制器层。
1、发明前的处理，见图1，图2：
电源管理模块201睡眠唤醒后，SD控制器层104模拟了SD卡的拔卡操作202，用以通知SD总线驱层103和SD存储层102SD卡已经从卡槽中拔出。之后再模拟插卡动作204，用以通知SD总线驱层103和SD存储层102已有SD卡插入卡槽中。SD总线驱动层103拔卡操作耗时5-6秒，并且优先级较高，之后SD总线驱动层103插卡的动作耗时1-2秒。这样，在插SD卡睡眠唤醒后，SD总线驱动层103模拟拔出、插入卡耗时6-8秒。SD驱动优先级较高，低优先级的线程在此过程中无法得到运行的机会。同时，之前在SD卡中的应用程序因模拟拔插卡的动作，不能得以继续运行。
2、本发明的处理，见图1，图3：
插SD睡眠唤醒时，SD控制器层104不再模拟拔插卡，而只发出复位卡的命和SD存储层特殊处理。即电源管理模块301睡眠唤醒后，复位卡动作模块303给总线驱层103和SD存储层102发出卡槽中的SD卡复位命，而SD总线驱动层103处理复位动作只耗时1秒左右。这样，极大地减少系统睡眠唤醒的耗时，同时有效避免本发明前的存在的问题。
本发明的上述方案实例只用于说明的目的，未能涵盖全部，并非用以限定本发明。应当指出，对于本领域的技术人员来说，可以在不脱离本发明的前提下做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。