发光元件、曝光头及图像形成装置.pdf

本发明提供能够以高亮度进行红色发光并同时能够实现寿命延长的发光元件、具备该发光元件的可靠性高的曝光头及图像形成装置。本发明的发光元件(74)具有：阴极(748)、阳极(741)、在阴极(748)与阳极(741)之间设置的含有发红色光的红色发光材料而构成的发光层(744)、在发光层(744)与阴极(748)之间设置的含有第1电子输送材料而构成的第1电子输送层(746)、在发光层(744)与第1电子输送层(746)之间与它们相接触地设置的含有与第1电子输送材料不同的第2电子输送材料而构成的第2电子输送层(745)。

1.  一种发光元件，其特征在于，具有：
阴极、
阳极、
在所述阴极与所述阳极之间设置的、含有发红色光的红色发光材料而构成的发光层、
在所述发光层与所述阴极之间设置的、含有第1电子输送材料而构成的第1电子输送层、以及
在所述发光层与所述第1电子输送层之间与它们相接触地设置的、含有与所述第1电子输送材料不同的第2电子输送材料而构成的第2电子输送层。

2.  根据权利要求1所述的发光元件，其中，所述红色发光材料为二茚并苝衍生物。

3.  根据权利要求2所述的发光元件，其中，所述发光层含有并四苯衍生物而构成。

4.  根据权利要求1～3中任意一项所述的发光元件，其中，所述第2电子输送层以三(8-羟基喹啉)铝为主材料而构成。

5.  根据权利要求4所述的发光元件，其中，所述第2电子输送层含有红荧烯衍生物而构成。

6.  根据权利要求5所述的发光元件，其中，所述第2电子输送层中的红荧烯衍生物的含有量为0.5wt％～20wt％。

7.  根据权利要求1～6中任意一项所述的发光元件，其中，在将所述第2电子输送层的厚度设为A、将所述第1电子输送层的厚度设为B时，A/B为10％以上且不到90％，所述A和B的单位是nm。

8.  根据权利要求1～7中任意一项所述的发光元件，其中，所述第2电子输送层的厚度为2nm～15nm。

9.  根据权利要求1～8中任意一项所述的发光元件，其中，所述第1电子输送层的厚度与所述第2电子输送层的厚度的总厚度为10nm～100nm。

10.  根据权利要求1～9中任意一项所述的发光元件，其中，所述第1电子输送层含有菲咯啉衍生物而构成。

11.  根据权利要求1～10中任意一项所述的发光元件，其中，所述第1电子输送层与所述第2电子输送层的界面附近由所述第1电子输送材料和所述第2电子输送材料的混合材料构成。

12.  一种曝光头，其特征在于，具备权利要求1～11中任意一项所述的发光元件。

13.  根据权利要求12所述的曝光头，其中，沿着一个方向排列多个所述发光元件，在所述各发光元件的光的射出侧设有使来自所述各发光元件的光成像的成像光学系统。

14.  一种图像形成装置，其特征在于，具备权利要求12或13所述的曝光头。

发光元件、曝光头及图像形成装置
技术领域
本发明涉及发光元件、曝光头及图像形成装置。
背景技术
在使用电子照相方式的复印机、打印机等图像形成装置中具备对旋转的感光体外表面进行曝光处理形成静电潜像的曝光装置。作为此种曝光装置，已知具有在感光体的旋转轴线方向排列多个发光元件的构造的曝光头(例如参照专利文献1)。
例如在专利文献1中，具有在一个方向排列多个具备多个LED(发光元件)的LED阵列芯片(array chip)的构成。
但是，由于LED(无机LED)能够在每单位面积配置的数目较少，所以如果是使用专利文献1中的曝光头的图像形成装置，则存在难以高析像度化的问题。
因此，提出了使用有机电致发光元件作为在曝光头中使用的发光元件(所谓的有机EL元件)。
有机EL元件为具有在阳极与阴极间插入至少1层发光层的构造的发光元件。如果为这样的发光元件，则通过在阴极与阳极间施加电场，在发光层中，从阴极侧注入电子，同时从阳极侧注入空穴，电子与空穴通过发光层中再结合来生成激子，在该激子返回到基态时，其能量部分以光的形式释放。
但是，作为曝光头用的发光元件，例如在使用发光的峰为600nm的波长的光的情况下，优选20000cd/m²以上的发光强度，要求寿命(直至亮度衰减10％的时间)为1000小时以上。
以往，作为高效及长寿命地发红色光的有机EL元件，已知使用并四苯衍生物及二茚并苝衍生物形成发光层的有机EL元件(例如参照专利文献2)。
但是，专利文献2中的有机EL元件对于得到如前所述的曝光头用的发光元件所要求的寿命特性是不够的。
专利文献1：特开平2-4546号公报
专利文献2：专利第4024009号公报
发明内容
本发明的目的在于提供能够以高亮度发红色光并能够实现长寿命化的发光元件、具备该发光元件的可靠性高的曝光头及图像形成装置。
这样的目的可利用下述的本发明实现。
本发明发光元件的特征在于，具有：
阴极、
阳极、
在所述阴极与所述阳极之间设置的、含有发红色光的红色发光材料而构成的发光层、
在所述发光层与所述阴极之间设置的、含有第1电子输送材料而构成的第1电子输送层、以及
在所述发光层与所述第1电子输送层之间与它们相接触地设置的、含有与所述第1电子输送材料不同的第2电子输送材料而构成的第2电子输送层。
这样，即使在阴极与阳极之间流动高电流，也可防止或抑制从阳极侧经由发光层向阴极侧穿过的空穴进一步向阴极侧移动。因此，即使发光层以高亮度发红色光，也可防止发光元件的劣化，从而实现发光元件的长寿命化。
本发明的发光元件优选所述红色发光材料为二茚并苝衍生物。
这样，可使发光层以更高亮度发红色光。
本发明的发光元件优选所述发光层含有并四苯衍生物而构成。
这样，可使发光层以更高亮度且更高效地发红色光。
本发明的发光元件优选所述第2电子输送层以三(8-羟基喹啉)铝为主材料而构成。
Alq₃具有捕获空穴的功能。因此，如果第2电子输送层含有Alq₃从而构成，则可利用第2空穴输送层(Alq₃)捕获从阳极侧经由发光层向阴极侧穿过的空穴。结果，可有效地防止或抑制该空穴进一步向阴极侧(第1电子输送层)移动。
本发明发光元件优选所述第2电子输送层含有红荧烯衍生物从而构成。
红荧烯衍生物可将空穴转换成热或光。因此，如果在含有Alq₃而构成的第2电子输送层中含有红荧烯衍生物，则红荧烯衍生物可将第2电子输送层(Alq₃)捕获的空穴转换成热或光。结果，可防止第2空穴输送层(Alq₃)的劣化及变质。
本发明的发光元件优选所述第2电子输送层中的红荧烯衍生物的含有量为0.5wt％～20wt％。
这样，可抑制驱动电压并实现发光元件的长寿命化。
本发明的发光元件优选在将所述第2电子输送层的厚度设为A[nm]、将所述第1电子输送层的厚度设为B[nm]时，A/B为10％以上不到90％。
这样，可抑制驱动电源并实现发光元件的长寿命化。
本发明的发光元件优选所述第2电子输送层的厚度为2nm～15nm。
这样，可抑制驱动电压并实现发光元件的长寿命化。
本发明的发光元件优选所述第1电子输送层的厚度与所述第2电子输送层的厚度的总厚度为10nm～100nm。
这样，可抑制驱动电压并实现发光元件的长寿命化。
本发明的发光元件优选所述第1电子输送层含有菲咯啉衍生物而构成。
这样，可使第1电子输送层的电子输送性出色。结果，可实现发光元件的高效率化。
本发明的发光元件优选所述第1电子输送层与所述第2电子输送层的界面附近由所述第1电子输送材料和所述第2电子输送材料的混合材料构成。
这样，电子从第1电子输送层向第2电子输送层的交接变得顺利。因此，可实现发光元件的高效率化。
本发明的曝光头的特征在于，具备本发明的发光元件。
这样，可提供使用有机EL元件作为发光元件的长寿命的曝光头。
本发明的曝光头优选沿着一个方向排列多个所述发光元件，在所述各发光元件的光的射出侧设有使来自所述各发光元件的光成像的成像光学系统。
这样，可以以高析像度进行曝光处理。
本发明的图像形成装置的特征在于，具备本发明的曝光头。
这样，可得到高品位的图像，可提供可靠性高的图像形成装置。
附图说明
图1是表示本发明的实施方式中的图像形成装置的全体构成的示意图。
图2是在图1所示的图像形成装置中具备的曝光头的部分截面立体图。
图3是图2中的A-A线截面图。
图4是表示对图2所示的曝光头进行俯视时的透镜与发光元件的位置关系的图。
图5是模式地表示在图2所示的曝光头中具备的发光元件的纵截面的图。
图中：1-图像形成装置，6-第2透镜阵列，6’-第1透镜阵列，60、60a、60b、60c-成像光学系统，601-光轴，62、62’、62A-透镜面，62a、62b、62c、62d、62e-区域，64、64’、64A、64a、64a’、64b、64b’、64c、64c’-透镜，65、65’-透镜支撑部，7-发光元件阵列，71-发光元件组(发光元件group)，72-支撑体(头部基板)，721-下表面，722-上表面，73-收纳部，74、74a、74b、74c、74d-发光元件，82-第1遮光构件，81-第2遮光构件，83-节流构件，811、821、831-贯通孔，84-间隔件(spacer)，9-罩(casing)，91-框构件(罩本体)，911-内腔部，915-边界部(阶梯差部)，916-肩部，92-盖构件(里盖)，922-凹部，93-夹持构件，931-爪部，932-弯曲部，10-图像形成单元，10C、10K、10M、10Y-图像形成站，11-感光鼓(感光体)，111-受光面，12-带电单元，13-曝光头，14-显影装置，15-清洁单元，151-清洁刀，20-转印单元，21-中间转印带，22-一次转印辊，23-驱动辊，24-从动辊，25-二次转印辊，26-清洁单元，261-清洁刀，30-定影单元，301-定影辊，302-加压辊，40-搬运机构，41-抗蚀剂辊对，42、43、44-搬运辊对，50-给纸单元，51-给纸盒，52-搓纸轮(pickup roller)，a-通过区域，P-记录介质，741-阳极，742-空穴注入层，743-空穴输送层，744-发光层，745-第2电子输送层，746-第1电子输送层，747-电子注入层，748-阴极，75-密封构件，750-层叠体。
具体实施方式
以下，对附图中示出本发明的发光元件、曝光头及图像形成装置的优选实施方式进行说明。
图1是表示本发明的实施方式中的图像形成装置的全体构成的示意图，图2是在图1所示的图像形成装置中具备的曝光头的部分截面立体图，图3是图2中的A-A线截面图，图4是表示对图2所示的曝光头进行俯视时的透镜与发光元件的位置关系的图，图5是模式地表示在图2所示的曝光头中具备的发光元件的纵截面的图。其中，以下为了便于说明而将图1～图3及图5中的上侧也称为“上”、将下侧也称为“下”。
(图像形成装置)
图1所示的图像形成装置1是利用包括带电工序-曝光工序-显影工序-转印工序-定影工序的一系列图像形成工艺将图像记录于记录介质P上的电子照相方式的打印机。在本实施方式中，图像形成装置1为采用所谓的串联(random)方式的彩色打印机。
如图1所示，这样的图像形成装置1具有用于带电工序-曝光工序-显影工序的图像形成单元10、用于转印工序的转印单元20、用于定影工序的定影单元30、用于搬运纸等记录介质P的搬运机构40和向该搬运机构40供给记录介质P的给纸单元50。
图像形成单元10具备形成黄的调色剂像的图像形成站10Y、形成洋红的调色剂像的图像形成站10M、形成蓝色的调色剂像的图像形成站10C和形成黑的调色剂像的图像形成站10K这4个图像形成站。
4个图像形成站10Y、10C、10M、10K分别具有作为担载静电性的潜像的潜像担载体的感光鼓(感光体)11。并且，在各感光鼓11的周围(外周侧)沿着其旋转方向配设有带电单元12、曝光头(曝光单元)13、显影装置14、清洁单元15。其中，各图像形成站10Y、10C、10M、10K除了使用的调色剂的颜色不同以外，为大致相同的构成。
感光鼓11的整体形状呈圆筒状，成为可以以图1中箭头方向围绕其轴线旋转的形状。并且，在感光鼓11的外周面(圆筒面)附近设有有机感光体(OPC)、由无定形硅(α-Si)等构成的感光层(未图示)。在这样的感光鼓11的外周面具有接受来自曝光头13的光L(射出光)的受光面111(参照图2)。
带电单元12是利用电晕带电等来使感光鼓11的受光面111一致地带电的单元。
曝光头13是从未图示的个人电脑等主机接受图像信息，与其对应地向感光鼓11的受光面111照射光L的机构。如果向已被一致地带电的感光鼓11的受光面111照射光L，则与该光L的照射图案对应的潜像(静电潜像)形成于受光面111上。此外，后面对曝光头13的构成进行详述。
显影装置14具有贮存调色剂的贮存部(未图示)，从该贮存部向担载静电性的潜像的感光鼓11的受光面111供给、赋予调色剂。这样，感光鼓11上的潜像被作为调色剂像而可见化(显影)。
清洁单元15具有与感光鼓11的受光面111抵接的橡胶制的清洁刀151，使得在后述的1次转印后的感光鼓11上残存的调色剂以残渣的形式被清洁刀151除去。
转印单元20以如下方式构成，将在如前所述的各图像形成站10Y、10M、10C、10K的感光鼓11上形成的各色的调色剂像一起转印到记录介质P上。
如果为这样的4个图像形成站10Y、10C、10M、10K，则在感光鼓11进行1次旋转期间，依次进行：利用带电单元12进行的感光鼓11的受光面111的带电、利用曝光头13进行的受光面111的曝光、利用显影装置14进行的对受光面111的调色剂的供给、利用与后述的1次转印辊22压合进行的向中间转印带21的1次转印和利用清洁单元15进行的受光面111的清洁。
转印单元20具有循环带状的中间转印带21，该中间转印带21被多个(如果为图1所示的构成，则为4个)1次转印辊22与驱动辊23与从动辊24张架，在驱动辊23的旋转下，以图1所示的箭头方向被以与感光鼓11的圆周速度大致相同的圆周速度旋转驱动。
多个1次转印辊22分别隔着中间转印带21与对应的感光鼓11相面对地配设，从而将感光鼓11上的单色的调色剂像转印至中间转印带21(1次转印)上。该1次转印辊22在1次转印时被施加与调色剂的带电极性相反的极性的1次转印电压(1次转印偏压)。
在中间转印带21上担载黄、洋红、蓝、黑中的至少1色调色剂像。例如在形成全彩图像时，在中间转印带21上依次叠加转印黄、洋红、蓝、黑的4色调色剂像，全彩的调色剂像形成中间转印像。
另外，转印单元20具有隔着中间转印带21与驱动辊23相面对地配设于的2次转印辊25和隔着中间转印带21与从动辊24的清洁单元26相面对地配设。
2次转印辊25以如下方式构成，即，将在中间转印带21上形成的单色或全彩等的调色剂像(中间转印像)转印(2次转印)至从给纸单元50供给的纸、膜、布等记录介质P。2次转印辊25在进行2次转印时向中间转印带21挤压并被施加2次转印电压(2次转印偏压)。在这样的2次转印时，驱动辊23还发挥作为2次转印辊25的支承辊的功能。
清洁单元26具有与中间转印带21的表面抵接的橡胶制的清洁刀261，从而利用清洁刀261使残存于2次转印后的中间转印带21上的调色剂以残渣的形式除去。
定影单元30以如下方式构成：具有定影辊301和压接在定影辊301的加压辊302，记录介质P通过定影辊301和加压辊302之间。另外，定影辊301在其内侧内置加热该定影辊的外周面的加热器，可加热及加压通过的记录介质P。利用这样构成的定影单元30加热及加压已接受调色剂像的2次转印的记录介质P，使调色剂像熔融粘着于记录介质P，从而定影为永久像。
搬运机构40具有边计算向前述的2次转印辊25与中间转印带21之间的2次转印部的给纸时机(timing)边搬运记录介质P的抗蚀剂辊对41和夹持搬运已在定影单元30进行了定影处理的记录介质P的搬运辊对42、43、44。
这样的搬运机构40在只在记录介质P的一个面进行图像形成的情况下，利用搬运辊对42夹持搬运一个面已被定影单元30进行了定影处理的记录介质P，向图像形成装置1的外部排出。另外，在记录介质P的两面进行图像形成时，在一旦利用搬运辊对42夹持一个面已被定影单元30进行了定影处理的记录介质P之后，翻转驱动搬运辊对42，并且驱动搬运辊对43、44，表里翻转该记录介质P，使其返回抗蚀剂辊对41，利用与前述同样的动作，在记录介质P的另一个面上形成图像。
给纸单元50具备收容未使用的记录介质P的给纸盒51和从给纸盒51将每1张记录介质P向抗蚀剂辊对41给送的搓纸轮52。
(曝光头)
在此，对曝光头13进行详述。其中，以下为了便于说明，将前述的感光鼓11的轴线方向(第1方向)称为“主扫描方向”、将与感光鼓11的受光面111的与曝光头13的对置部附近的移动方向平行的方向(第2方向)称为“副扫描方向”。
曝光头13与感光鼓11的受光面111相面对地配置。
该曝光头13具有透镜阵列(第1透镜阵列)6’、间隔件84、透镜阵列(第2透镜阵列)6、遮光构件(第1遮光构件)82、节流构件(开口节流)83、遮光构件(第2遮光构件)81和发光元件阵列7，这些构件被收纳于罩9内。
如果为该曝光头13，则从发光元件阵列7射出的光L在被节流构件83节流之后，依次通过透镜阵列6’及透镜阵列6，照射于感光鼓11的受光面111。
如图2所示，透镜阵列6及透镜阵列6’分别由外形呈长条状的板状体构成。
如图3所示，在透镜阵列6的光L入射的下表面(入射面)上形成有多个透镜面(凸曲面)62。另一方面，透镜阵列6的光L射出的上表面(射出面)成为平坦面。
即，如果为透镜阵列6，则配置多个使光L的入射侧的面成为凸曲面、使光L的射出侧的面成为平面的平凸透镜的透镜64。在此，透镜阵列6的各透镜64以外的部分构成支撑各透镜64的支撑部65。
同样，在透镜阵列6’的光L入射的下表面(入射面)，对应前述的多个透镜面62，形成多个透镜面(凸曲面)62’。另一方面，透镜阵列6’的光L射出的上表面(射出面)成为平坦面。
即，如果为透镜阵列6’，则配置多个使光L的入射侧的面成为凸曲面、使光L的射出侧的面成为平面的平凸透镜的透镜64’。在此，透镜阵列6’的各透镜64’以外的部分构成支撑各透镜64’的支撑部65’。
而且，对应的1对透镜64及透镜64’构成使从对应的发光元件组71的各发光元件74放射的光成像的成像光学系统60。
以下对透镜64的配置进行说明。此外，对于透镜64’的配置(俯视时的配置)而言，由于与透镜64的配置同样，所以省略对其说明。
如图4所示，透镜64被多列配置于主扫描方向(第1方向)，且被多行配置于与主扫描方向及透镜64的光轴方向分别正交的副扫描方向(第2方向)。
更具体而言，多个透镜64被配置成3行n列(n为2以上的整数)的行列状。此外，以下，将属于1列(透镜列)的3个透镜64中的位于中央的透镜64称为“透镜64b”，与其相对，将图3中位于左侧(图4中上侧)的透镜64称为“透镜64a”，将图3中位于右侧(图4中下侧)的透镜64称为“透镜64c”。另外，对于与透镜64成对的透镜64’而言，将与透镜64a对应的透镜64’称为“透镜64a’”，将与透镜64b对应的透镜64’称为“透镜64b’”，将与透镜64c对应的透镜64’称为“透镜64c’”。
在本实施方式中，以如下方式将曝光头13设置于图像形成装置1中，使属于1列的多个透镜64(64a～64c)中的与副扫描方向的中心侧最近的位置的透镜64b成为相对感光鼓11的受光面111最近的位置。这样，多个透镜64的光学特性的设定就变得容易。
另外，如图3及图4所示，各透镜列以透镜64a～64c依次在主扫描方向(图4中右方向)上错开等距离地配置。即，对于各透镜列而言，连结透镜64a～64c的各透镜中心之间的线分别相对于主扫描方向及副扫描方向倾斜规定角度。
在观察图3所示的截面时，如果为属于1个透镜列的3个透镜64、即透镜64a～64c，则透镜64a与透镜64c的光轴601之间以透镜64b的光轴601为对称轴配置。另外，透镜64a～64c被配置成彼此的光轴601为平行。
作为这样的透镜阵列6、6’的构成材料，只要是能够发挥如前所述的光学特性的材料即可，没有特别限定，但例如优选使用树脂材料及/或玻璃材料。
如图2、图3所示，在透镜阵列6与透镜阵列6’之间设有间隔件84。并且，透镜阵列6与透镜阵列6’隔着间隔件84接合。
间隔件84具有限制透镜阵列6与透镜阵列6’之间的距离、即间隙长度的功能。
通过调整间隔件84的厚度，可将透镜64与透镜64’的分隔距离调整成需要的值。
该间隔件84呈分别与透镜阵列6的外周部和透镜阵列6’的外周部对应的框状，分别与它们的外周部接合。此外，间隔件84只要能够发挥前述的功能，则不限定于前述的框状，例如也可利用1对构件构成，且只对应于透镜阵列6、6’的外周部中的彼此对置的1个边相对应的部分，也可为像后述的遮光构件81、83那样地在板状构件中形成与光路对应的贯通孔的构成。
作为这样的间隔件84的构成材料，只要是能够发挥如前所述的功能的材料，则没有特别限定，可使用树脂材料、金属材料、玻璃材料、陶瓷材料等。
如图3所示，在透镜阵列6的光L的入射侧隔着遮光构件82、节流构件83及遮光构件81设有发光元件阵列7。发光元件阵列7具有多个发光元件组(发光元件group)71和支撑体(头部基板)72。
支撑体72分别支撑各发光元件组71，由外形呈长条状的板状体构成。该支撑体72被配置成与透镜阵列6平行。
作为支撑体72的构成材料，没有特别限定，但像本实施方式那样在支撑体72的里面侧设置发光元件组71的情况(即作为发光元件74使用底部发光型的发光元件的情况)下，优选使用各种玻璃材料或各种塑料等具有透明性的材料。此外，在作为发光元件74使用顶部发光型的发光元件的情况下，作为支撑体72的构成材料，不限于具有透明性的材料，例如可单独或组合使用铝、不锈钢之类的各种金属材料、各种玻璃材料或各种塑料等。在由各种金属材料或各种玻璃材料构成支撑体72的情况下，可借助支撑体72使由各发光元件74的发光所产生的热有效地散热。另外，在由各种塑料构成支撑体72的情况下，有助于支撑体72的轻量化。
另外，在支撑体72的里面侧设有向支撑体72侧开放的箱状收纳部73。在该收纳部73中收纳多个发光元件组71、与这些发光元件组71(各发光元件74)电连接的导线类(未图示)、或者用于驱动各发光元件74的电路(未图示)。
多个发光元件组71对应前述的多个透镜64彼此分开，配置成3行n列(n为2以上的整数)的行列状(例如参照图4)。另外，各发光元件组71分别由多个(在本实施方式中为8个)的发光元件74构成。
构成各发光元件组71的8个发光元件74沿着图3所示的支撑体72的下表面721配置。从这8个发光元件74发出的光L分别经由对应的透镜64在感光鼓11的受光面111上聚光(成像)。
另外，如图4所示，8个发光元件74彼此分开，在主扫描方向上配置4列，在副扫描方向上配置2行。这样，8个发光元件74呈2行4列的行列状。属于1列(发光元件列)的彼此邻接的2个发光元件74之间在主扫描方向上错开配置。
接着，如果为这样地呈2行4列的行列状的8个发光元件74，则在主扫描方向上邻接的发光元件74之间的间距由下一行的1个发光元件74补充。
例如在尽可能地使8个发光元件74紧密地配置成1行时存在极限，但通过如前所述地错开配置8个发光元件74可以使这些发光元件74的配置密度更高。从而在将图像记录于记录介质P时，可进一步提高相对于该记录介质P的记录密度。因而，可得到析像度高、多灰度且担载有清晰图像的记录介质P。
此外，属于1个发光元件组71的8个发光元件74在本实施方式中配置成2行4列的行列状，但不限定于此，也可配置成例如4行2列的行列状。
如前所述，多个发光元件组71彼此分开，配置成3行n列的行列状。如图4所示，属于1列(发光元件组列)的3个发光元件组71在主扫描方向(图4中右方向)上以等间隔地错开配置。
接着，如果为这样地呈3行n列的行列状的发光元件组71，则利用下一行的发光元件组71及其下一行的发光元件组71依次补充邻接的发光元件组71之间的间隔。
例如在尽可能地使多个发光元件组71紧密地配置成1行时存在极限，但通过如前所述地错开配置多个发光元件组71可以使这些发光元件组71的配置密度更高。这样，与错开配置1个发光元件组71内的8个发光元件74结合，在将图像记录于记录介质P时，可提高相对于该记录介质P的记录密度。因而，可得到析像度高、多灰度、色再现性好且担载有更清晰图像的记录介质P。
另外，各发光元件74为底部发光构造的有机EL元件(有机电致发光元件)。此外，发光元件74不限于底部发光构造的元件，也可为顶部发光构造的元件。在这种情况下，如前所述，支撑体72不需要具有光透射性。
如果各发光元件74为有机EL元件，则可将发光元件74之间的间隔(间距)设定成较小的值。这样，在将图像记录于记录介质P时，相对于该记录介质P的记录密度变得较高。另外，可使用各种成膜法以高精度的尺寸及位置形成各发光元件74。因而，可得到担载有更清晰的图像的记录介质P。
在本实施方式中，各发光元件74均以发红色光的方式构成。此外，后面对发光元件74的构成进行详述。
如图3所示，在透镜阵列6与发光元件阵列7之间设有遮光构件82、节流构件83及遮光构件81。
遮光构件81、82分别是防止邻接的发光元件组71之间的光L的干扰(cross talk)的构件。
在这样的遮光构件81中形成有使该遮光构件81在图3中的上下方向(厚度方向)贯通的多个贯通孔(开口部)811。这些贯通孔811分别配置于与各透镜64对应的位置。
同样，在遮光构件82中形成有使该遮光构件82在图3中的上下方向(厚度方向)贯通的多个贯通孔821。这些贯通孔821分别配置于与前述的各透镜64对应的位置。
贯通孔811、821分别形成从发光元件组71直至与其对应的透镜64的光路。另外，各贯通孔811、821分别在俯视时呈圆形，在其内侧包含与该贯通孔811、821对应的发光元件组71的8个发光元件74。
其中，各贯通孔811、821如果为图3所示的构成则呈圆筒状，但不限于此，例如也可呈向上方扩展的圆锥台状。
在这样的遮光构件81、82间设有节流构件83。
节流构件83是对从发光元件组71向透镜64入射的光L限制成规定量的开口节流部件。
尤其该节流构件83设置于成像光学系统60的前侧焦点面附近。这样，成像光学系统60成为像侧远心的(telecentric)，即使受光面111与曝光头13的距离存在安装误差等引起的误差，也可防止发光元件74a、74d、74b、74c的各像的错位。
节流构件83呈板状或者层状，形成有在图3中的上下方向(厚度方向)贯通该节流构件83的多个贯通孔(开口部)831。这些贯通孔831分别配置于与各透镜64对应的位置(即前述的贯通孔811、821)。
另外，节流构件83的贯通孔831在俯视时呈圆形，其直径变得比前述的遮光构件81的贯通孔811的直径还小。
这样的遮光构件81、82及节流构件83还具有高精密度地限制透镜阵列6与支撑体72之间的距离、位置关系及姿势的功能。
各透镜64的透镜面62与对应其的发光元件组71的距离是决定后述的成像光学系统60的成像位置的图3中的上下方向的位置的重要条件(要素)。因而，如前所述，如果遮光构件81、82及节流构件83也发挥对限制透镜阵列6与发光元件阵列7间的距离的间隙长度的间隔件的功能，则可得到高精密度且可靠性高的图像形成装置1。
另外，遮光构件81、82及节流构件83分别优选至少内周面成为黑色、茶褐色、深蓝色等暗色。
作为这样的遮光构件81、82及节流构件83的构成材料，只要分别为不透过光的材料，则没有特别限定，例如可举出各种着色剂或铬、氧化铬等金属系材料、混炼了炭黑或着色剂的树脂等。
如图2、图3所示，将前述的透镜阵列6和发光元件阵列7和间隔件84和遮光构件81、82和节流构件83一起收纳于罩9中。该罩9具有框构件(罩本体)91、盖构件(里盖)92、将盖构件92固定于框构件91的多个夹持构件93(参照图3)。
如图2所示，框构件91是整体形状为长条的构件。
另外，框构件91呈框状，如图3所示，在框构件91中形成有其上侧及下侧开口的内腔部911。该内腔部911的宽度在图3中从下方向上方阶段性地减小。
在内腔部911中分别嵌入透镜阵列6’和间隔件84和透镜阵列6和遮光构件82和节流构件83和遮光构件81和发光元件阵列7，它们例如利用胶粘剂固定。这样，透镜阵列6’和间隔件84和透镜阵列6和遮光构件82和节流构件83和遮光构件81和发光元件阵列7在框构件91中被一并保持，进行透镜阵列6’和间隔件84和透镜阵列6和遮光构件82和节流构件83和遮光构件81和发光元件阵列7在主扫描方向及副扫描方向的定位。
在此，发光元件阵列7的支撑体72的上表面722分别与在内腔部911的壁面上形成的阶梯差部915和第2遮光构件81的下表面触碰(抵接)。接着，在内腔部911中从下方嵌入盖构件92。
盖构件92由在其上部具有插入收纳部73的凹部922的长条构件构成。该盖构件92的上端面在与框构件91的边界部915之间夹持发光元件阵列7的支撑体72的缘部。
进而，利用各夹持构件93将盖构件92压向上方。这样，盖构件92被固定于框构件91。另外，利用已被压的盖构件92，固定发光元件阵列7和遮光构件81、82和节流构件83和透镜阵列6在主扫描方向、副扫描方向及图3中的上下方向的各位置关系。
夹持构件93优选沿着主扫描方向以等间隔地配置多个。这样，可沿着主扫描方向均一地夹持框构件91和盖构件92。
夹持构件93是通过对金属板进行折曲加工来形成的构件。该夹持构件93的两端部(在图3中为左右的端部)分别形成爪部931，各爪部931分别与框构件91的肩部916卡合。
另外，在夹持构件93的中间部中形成向上弯曲成弓状的弯曲部932。如前所述，在各爪部931与肩部916卡合的状态下，该弯曲部932的顶部与盖构件92的下表面压接。这样，在弯曲部932已弹性变形的状态下，对盖构件92向上方加力。
此外，在分别卸下夹持框构件91和盖构件92的各夹持构件93的情况下，可从框构件91卸下盖构件92。这样，可实施发光元件阵列7的替换、修理等维护。
另外，作为框构件91及盖构件92的构成材料，没有特别限定，可使用例如与支撑体72相同的构成材料。作为夹持构件93的构成材料，没有特别限定，例如可举出铝、不锈钢。另外，夹持构件93也可由硬质树脂材料构成。
进而，以下未图示：在框构件91的纵向上的两端部分别设有向上方突出的间隔件。该间隔件是限制受光面111与透镜阵列6的距离的构件。
(发光元件)
接着，对发光元件74进行详述。
图5所示的发光元件(电致发光元件)74是发红色光的元件。
这样的发光元件74是依次层叠阳极741和空穴注入层742和空穴输送层743和发光层(红色发光层)744和第2电子输送层745和第1电子输送层746和电子注入层747和阴极748而成的元件。
换言之，发光元件74在2个电极间(阳极741与阴极748之间)插入层叠体749而构成，所述层叠体是从阳极741侧向阴极748侧依次层叠空穴注入层742和空穴输送层743和发光层744和第2电子输送层745和第1电子输送层746和电子注入层747而成。
接着，发光元件74在支撑体72上设置其整体，并且用密封构件75密封。
对于这样的发光元件74，从阴极748侧向发光层744供给(注入)电子，同时从阳极741侧向发光层744供给(注入)空穴。接着，在发光层744中，空穴与电子再结合，利用该再结合时释放的能量生成激子(exciton)，在激子返回到基态时释放(发光)能量(荧光或磷光)。这样，发光元件74进行红色发光。
尤其由于发光元件74具有2层电子输送层(第1电子输送层746及第2电子输送层745)，所以即使在阴极748与阳极741间流动高电流，也可防止或抑制从阳极741侧经由发光层744向阴极748侧穿过的空穴进一步向阴极748侧移动。因此，即使使发光层以高亮度发红色光，也可防止发光元件74的劣化，从而实现发光元件74的长寿命化。
以下依次说明构成发光元件74的各部分。
(阳极)
阳极741是经由后述的空穴注入层742向空穴输送层743注入空穴的电极。作为该阳极741的构成材料，优选使用功函数大、导电性出色的材料。
作为阳极741的构成材料，例如可举出ITO(Indium TinOxide)、IZO(Indium Zinc Oxide)、In₃O₃、SnO₂、含Sb的SnO₂、含Al的ZnO等氧化物、Au、Pt、Ag、Cu或者含有它们的合金等，可组合使用它们中的1种或者2种以上。
对这样的阳极741的平均厚度没有特别限定，优选为10～200nm左右，更优选为50～150nm左右。
(阴极)
另一方面，阴极748是经由后述的电子注入层747向第1电子输送层746注入电子的电极。作为该阴极748的构成材料，优选使用功函数小的材料。
作为阴极748的构成材料，例如可举出Li、Mg、Ca、Sr、La、Ce、Er、Eu、Sc、Y、Yb、Ag、Cu、Al、Cs、Rb或者含有它们的合金等，可组合(例如多层的层叠体等)使用它们中的1种或者2种以上。
尤其在作为阴极748的构成材料使用合金的情况下，优选使用含有Ag、Al、Cu等稳定的金属元素的合金，具体而言，优选使用MgAg、AlLi、CuLi等合金。通过使用此种合金作为阴极748的构成材料，可实现阴极748的电子注入效率及稳定性的提高。
对这样的阴极748的平均厚度没有特别限定优选为100～10000nm左右，更优选为100～500nm左右。
此外，本实施方式的发光元件74由于为底部发光型，所以不特别要求阴极748具有光透过性。
(空穴注入层)
空穴注入层742是具有使从阳极741的空穴注入效率提高的功能的层。
作为该空穴注入层742的构成材料(空穴注入材料)，没有特别限定，例如可举出由下述化1表示的化合物(N，N，N’，N’-四苯基-p-二氨基苯)或者其衍生物等胺系化合物，可单独使用它们中的1种或组合使用2种以上。
【化学式1】

作为由上述化学式1表示的化合物的衍生物，例如可举出由下述化学式2～10表示的化合物。
【化学式2】

【化学式3】

【化学式4】

【化学式5】

【化学式6】

【化学式7】

【化学式8】

【化学式9】

【化学式10】

对这样的空穴注入层742的平均厚度没有特别限定，优选为5～150nm左右，更优选为10～100nm左右。
其中，可省略该空穴注入层742。
(空穴输送层)
空穴输送层743是具有将从阳极741经由空穴注入层742注入的空穴输送至发光层744的功能的层。
作为该空穴输送层743的构成材料，没有特别限定，例如可举出由下述化学式11表示的化合物(N，N，N’，N’-四苯基联苯胺)或者其衍生物等胺系化合物，可单独使用其中的1种或者组合使用2种以上。
【化学式11】

另外，作为由上述化学式11表示的化合物的衍生物，例如可举出由下述化学式12～16表示的化合物等。
【化学式12】

【化学式13】

【化学式14】

【化学式15】

【化学式16】

对这样的空穴输送层743的平均厚度没有特别限定，优选为10～150nm左右，更优选为10～100nm左右。
其中，可省略该空穴输送层743。
(发光层)
该发光层744含有发红色光的(发出在600nm以上的波长区域具有峰的光)红色发光材料而构成。
作为红色发光材料，没有特别限定，可使用1种或组合使用2种以上各种红色荧光材料、红色磷光材料。
作为红色荧光材料，只要是发红色的荧光的材料，则没有特别限定，例如可举出由下述化学式17表示的化合物(二茚并苝衍生物)等苝衍生物、铕配合物、苯并吡喃衍生物、若丹明衍生物、苯并噻吨衍生物、卟啉衍生物、尼罗红、2-(1，1-二甲基乙基)-6-(2-(2，3，6，7-四氢-1，1，7，7-四甲基-1H，5H-苯并(ij)喹嗪-9-基)乙烯基)-4H-吡喃-4H-叉)丙二腈(DCJTB)、4-(二氰基亚甲基)-2-甲基-6-(p-二甲胺基苯乙烯基)-4H-吡喃(DCM)等。
【化学式17】

其中，作为红色发光材料，优选使用二茚并苝衍生物。这样，可使发光层744以更高亮度发红色光。
作为红色磷光材料，只要是发红色的磷光的材料，则没有特别限定，例如可举出铱、钌、铂、锇、铼、钯等金属配合物，还可举出在这些金属配合物的配位体中的至少1个具有苯基吡啶骨架、联吡啶骨架、卟啉骨架等的金属配合物。更具体而言，可举出三(1-苯基异喹啉)铱、双[2-(2’-苯并[4，5-α]噻吩基)吡啶-N，C³’]铱(乙酰丙酮化物)(btp2Ir(acac))、2，3，7，8，12，13，17，18-八乙基-12H，23H-卟啉-铂(II)、双[2-(2’-苯并[4，5-α]噻吩基)吡啶-N，C³’]铱、双(2-苯基吡啶)铱(乙酰丙酮化物)。
另外，除了前述的红色发光材料以外，也可在发光层744中含有以红色发光材料为客体材料的主体材料。
主体材料具有使空穴与电子再结合生成激子并使该激子的能量向红色发光材料转移(转移或Dexter转移)从而激发红色发光材料的功能。在使用这样的主体材料的情况下，例如可将作为客体材料的红色发光材料作为掺杂剂在主体材料中掺杂使用。
作为这样的主体材料，只要是对使用的红色发光材料发挥如前所述的功能的主体材料，则没有特别限定，在红色发光材料含有红色荧光材料的情况下，例如可举出由下述化学式18表示的化合物等并四苯衍生物、二苯乙烯基亚芳基衍生物、苝衍生物、二苯乙烯基苯衍生物、二苯乙烯基胺衍生物、三(8-喹啉)铝配合物(Alq₃)等喹啉系金属配合物、三苯胺的4聚体等三苯胺衍生物、噁二唑衍生物、噻咯(silole)衍生物、二咔唑衍生物、寡聚噻吩衍生物、苯并吡喃衍生物、三唑衍生物、苯并噁唑衍生物、苯并噻唑衍生物、喹啉衍生物、4，4’-双(2，2’-二苯基乙烯基)联苯(DPVBi)等，可单独使用其中的1种或者组合使用2种以上。
【化学式18】

其中，作为发光层744的主体材料，优选使用并四苯衍生物。尤其在使用二茚并苝衍生物作为红色发光材料的情况下，如果发光层744含有并四苯衍生物而构成，则可以更高亮度且高效地使发光层744进行红色发光。
另外，在红色发光材料含有红色磷光材料的情况下，作为主体材料，例如可举出3-苯基-4-(1’-萘基)-5-苯基咔唑、4，4’-N，N’-二咔唑联苯(CBP)等咔唑衍生物等，可单独使用其中的1种或者组合使用2种以上。
在使用如前所述的红色发光材料(客体材料)及主体材料的情况下，发光层744中的红色发光材料的含有量(掺杂量)优选为0.01～10wt％，更优选为0.1～5wt％。通过使红色发光材料的含有量在这样的范围内，可将发光效率最优化。
对这样的发光层744的平均厚度没有特别限定，优选为10～150nm左右，更优选为10～100nm左右。
(第1电子输送层)
第1电子输送层746是具有将从阴极748经由电子注入层747注入的电子输送至第2电子输送层745的功能的层。
这样的第1电子输送层746含有电子输送材料(以下也称为“第1电子输送材料”)而构成。
作为第1电子输送层746的构成材料(第1电子输送材料)，例如可举出由下述化学式19表示的化合物(BPhen)等胺系材料(菲咯啉衍生物)、由下述化学式20表示的化合物(三(8-喹啉)铝(Alq₃))等将8-羟基喹啉或其衍生物作为配位体的有机金属配合物等喹啉衍生物、噁二唑衍生物、苝衍生物、吡啶衍生物、嘧啶衍生物、喹喔啉衍生物、联苯醌衍生物、硝基取代芴衍生物等，可单独使用其中的1种或者组合使用2种以上。
【化学式19】

【化学式20】

另外，第1电子输送层746的构成材料的电子输送性优选高于后述的第2电子输送层745的构成材料的电子输送性。这样，即使第2电子输送层745的构成材料的电子输送性低，也可顺利地从阴极748侧向发光层744输送电子。
从这样的观点出发，优选第1电子输送层746含有菲咯啉衍生物而构成。这样，可使第1电子输送层746的电子输送性出色。结果，可实现发光元件74的高效率化。
对第1电子输送层746的平均厚度没有特别限定，优选为8～80nm左右，更优选为10～50nm左右。
(第2电子输送层)
第2电子输送层745是具有将从前述的第1电子输送层746注入的电子输送至发光层744的功能的层。
另外，第2电子输送层745在发光层744与第1电子输送层746之间与它们相接触地设置。
这样的第2电子输送层745含有与前述的第1电子输送层746的构成材料(第1电子输送材料)不同的电子输送材料(以下也称为“第2电子输送材料”)而构成。
作为第2电子输送层745的构成材料(第2电子输送材料)，只要是具有电子输送性而且与前述的第1电子输送层746的构成材料(第1电子输送材料)不同的材料，则没有特别限定，可使用与前述的第1电子输送层746同样的构成材料。
另外，第2电子输送层745优选捕获空穴的功能比前述的第1电子输送层746出色。这样，可利用第2电子输送层745捕获空穴，从而防止或抑制空穴向阴极748侧移动。
在这种情况下，第2电子输送层745的构成材料优选相对空穴的耐性比前述的第1电子输送层746的构成材料高。这样，可防止或者抑制第2电子输送层745的劣化-变质。
从这样的观点出发，第2电子输送层745优选将前述的由化学式20表示的化合物(Alq₃)作为主材料而构成。
Alq₃具有捕获空穴的功能。因此，如果第2电子输送层745含有Alq₃而构成，则可利用第2电子输送层745(Alq₃)捕获从阳极741侧经由发光层744向阴极748侧穿过的空穴。结果，可有效地防止或抑制该空穴进一步向阴极748侧(第1电子输送层746)移动。
另外，在第2电子输送层745含有Alq₃而构成的情况下，第2电子输送层745优选含有由下述化学式21表示的化合物等红荧烯衍生物而构成。
【化学式21】

红荧烯衍生物可将空穴转换成热或者光。因此，如果在含有Alq₃而构成的第2电子输送层745中含有红荧烯衍生物，则红荧烯衍生物可将第2电子输送层745(Alq₃)捕获的空穴转换成热或者光。结果，可防止第2电子输送层745(Alq₃)的劣化及变质进而实现发光元件74的长寿命化。
此外，在第2电子输送层745中含有的红荧烯衍生物可利用第2电子输送层745中的电子与空穴的再结合进行发光，但该发光的亮度低至不能观测的程度，即使在曝光头中使用也没有问题。
另外，第2电子输送层745中的红荧烯衍生物的含有量优选为0.5wt％～20wt％，更优选为1wt％～10wt％，进而优选为2wt％～5wt％。这样，可抑制驱动电压并实现发光元件74的长寿命化。
与此相对，如果第2电子输送层745中的红荧烯衍生物的含有量小于所述下限值，则难以通过在第2电子输送层745中含有红荧烯衍生物来得到发光元件74的长寿命化的效果。另一方面，如果第2电子输送层745中的红荧烯衍生物的含有量超过所述上限值，则根据构成发光元件74的各层的层厚或构成材料等不同，而发光元件74的驱动电压变高，随之显现发光元件74的寿命变短的趋势。
另外，在将第2电子输送层745的厚度设为A[nm]、将第1电子输送层746的厚度设为[nm]时，A/B优选为10％以上不到90％，更优选为10％以上不到50％，进而优选为10％以上不到40％。这样，可抑制驱动电压并实现发光元件74的长寿命化。
与此相对，如果所述A/B不到所述下限值，则根据第1电子输送层745的厚度等不同，而第2电子输送层745变得难以成膜，或者，不能发挥出因设置第2电子输送层745而带来的效果(例如前述的空穴的捕获功能)从而存在发光元件74的寿命降低的趋势。另一方面，如果所述A/B超过所述上限值，则根据第1电子输送层745的厚度等不同，而发光元件74的驱动电压变高，随之显示发光元件74的寿命变短的趋势。
另外，第2电子输送层745的厚度优选为2nm～15nm，更优选为2nm～10nm，进而优选为5nm～8nm。这样，可抑制驱动电压并实现发光元件74的长寿命化。
与此相对，如果第2电子输送层745的厚度小于所述下限值，则第2电子输送层745变得难以成膜，或者，不能发挥出因设置第2电子输送层745而带来的效果(例如前述的空穴的捕获功能)从而成为发光元件74的寿命降低的趋势。另一方面，如果第2电子输送层745的厚度超过所述上限值，则发光元件74的驱动电压变高，随之显示发光元件74的寿命变短的趋势。
另外，第1电子输送层746的厚度与第2电子输送层745的厚度的总厚度优选为10nm～100nm，更优选为15nm～50nm。这样，可抑制驱动电压并实现发光元件的长寿命化。
与此相对，如果该总厚度小于所述下限值，则第2电子输送层745变得难以成膜或者不能发挥出因设置第2电子输送层745而带来的效果(例如前述的空穴的捕获功能)从而成为发光元件74的寿命降低的趋势。另一方面，如果该总厚度超过所述上限值，则发光元件74的驱动电压变高，随之显示发光元件74的寿命变短的趋势。
另外，在图5中，为了便于说明，明确地图示了第1电子输送层746与第2电子输送层745的界面，但该界面附近优选由第1电子输送材料和第2电子输送材料的混合材料构成。这样，从第1电子输送层746向第2电子输送层745的电子的交接变得顺利。因此，可实现发光元件74的高效率化。
在这种情况下，为了使从第1电子输送层746侧向第2电子输送层745侧，第1电子输送材料的含有量渐减而第2电子输送材料的含有量渐增，也可由该混合材料的倾斜材料构成。
(电子注入层)
电子注入层747是具有提高从阴极748的电子注入效率的功能的层。
作为该电子注入层747的构成材料(电子注入材料)，例如可举出各种无机绝缘材料、各种无机半导体材料。
作为这样的无机绝缘材料，例如可以举出碱金属硫属化合物(氧化物、硫化物、硒化物、碲化物)、碱土金属硫属化合物、碱金属的卤化物和碱土金属的卤化物等，可以使用它们中的一种或者将两种以上组合使用。通过将它们作为主材料来构成电子注入层，能够更进一步使电子注入性提高。尤其是碱金属化合物(碱金属硫属化合物、碱金属的卤化物等)的功函数非常小，通过使用其构成电子注入层747，发光元件74可得到高亮度。
作为碱金属硫属化合物，例如可举出Li₂O、LiO、Na₂S、Na₂Se、NaO等。
作为碱土金属氧属化物，例如可举出CaO、BaO、SrO、BeO、BaS、MgO、CaSe等。
作为碱金属的卤化物，例如可举出CsF、LiF、NaF、KF、LiCl、KCl、NaCl等。
作为碱土金属的卤化物，例如可举出CaF₂、BaF₂、SrF₂、MgF₂、BeF₂等。
另外，作为无机半导体材料，例如可举出含有Li、Na、Ba、Ca、Sr、Yb、Al、G a、In、Cd、Mg、Si、Ta、Sb及Zn中的至少1个元素的氧化物、氮化物或者氧化氮化物等，可使用其中的1种或者组合使用2种以上。
对电子注入层747的平均厚度没有特别限定，优选为0.1～1000nm左右，更优选为0.2～100nm左右，进而优选为0.2～50nm左右。
(密封构件)
密封构件75以覆盖阳极741、层叠体749、及阴极748的方式设置，具有气密地密封它们从而隔绝氧或水分的功能。通过设置密封构件75，可得到发光元件74的可靠性提高，防止变质、劣化(耐久性提高)等效果。
作为密封构件75的构成材料，例如可举出Al、Au、Cr、Nb、Ta、Ti或者含有它们的合金、氧化硅、各种树脂材料等。此外，在使用具有导电性的材料作为密封构件75的构成材料的情况下，为了防止短路，优选在密封构件75与阳极741、层叠体749、及阴极748之间根据需要设置绝缘膜。
另外，密封构件75也可制成平板状，使其与支撑体72对置，将它们之间用例如热固性树脂等密封材料进行密封。
如果利用如上所述地构成的发光元件74，则由于具有如前所述的2层的电子输送层(第1电子输送层746及第2电子输送层745)，所以即使在阴极748与阳极741间流动高电流，也可防止或抑制从阳极741侧经由发光层744向阴极748侧穿过的空穴进一步向阴极748侧移动。因此，即使使发光层以高亮度发红色光，也可防止发光元件74的劣化从而实现发光元件74的长寿命化。
另外，具备这样的发光元件74的曝光头13为长寿命，能以高析像度进行曝光处理。
另外，具备这样的曝光头13的图像形成装置1可得到高品位的图像，可靠性出色。
如上所述的发光元件74例如可如下所述地进行制造。
[1]首先，准备支撑体72，在该支撑体72上形成阳极741。
阳极741可使用例如等离子CVD、热CVD之类的化学蒸镀法(CVD)、真空蒸镀等干式镀敷法、电镀等湿式镀敷法、喷镀法、溶胶-凝胶法、MOD法、金属箔的接合等形成。
[2]接着，在阳极741上形成空穴注入层742。
空穴注入层742可以通过例如CVD法或使用了真空蒸镀、溅射等干式镀敷法等的气相加工而形成。
另外，空穴注入层742可以通过下述方法形成：例如将空穴注入材料溶解于溶剂中或者分散于分散介质中而成的空穴注入层形成用材料供给至阳极741上后进行干燥(脱溶剂或者脱分散介质)而形成。
作为空穴注入层形成用材料的供给方法，例如也可使用旋涂法、辊涂法、喷墨印刷法等各种涂布法。通过使用该涂布法，可较容易地形成空穴注入层742。
作为制备空穴注入层形成用材料时使用的溶剂或者分散介质，例如可举出各种无机溶剂、各种有机溶剂或含有它们的混合溶剂等。
此外，干燥例如可以通过在大气压或者减压气氛气中进行放置、加热处理、喷吹惰性气体等而进行。
另外，也可在本工序之前，在阳极741的上表面实施氧等离子体处理。这样，可以对阳极741的上表面赋予亲液性，除去(洗涤)附着于阳极741的上表面的有机物，调整阳极741的上表面附近的功函数等。
在此，作为氧等离子体处理的条件，例如优选等离子功率100～800W左右，氧气流量50～100mL/min左右，被处理构件(阳极741)的搬运速度0.5～10mm/sec左右，支撑体72的温度70～90℃左右。
[3]接着，在空穴注入层742上形成空穴输送层743。
空穴输送层743可以通过例如使用了CVD法或真空蒸镀、溅射等干式镀敷法等的气相加工而形成。
另外，也可通过将空穴输送材料溶解于溶剂或者分散于分散介质成为空穴输送层形成用材料，在将其供给到空穴注入层742上之后进行干燥(脱溶剂或者脱分散介质)来形成。
[4]接着，在空穴输送层743上形成发光层744。
发光层744可以通过例如CVD法或使用了真空蒸镀、溅射等干式镀敷法等的气相加工而形成。
[5]接着，在发光层744上形成第2电子输送层745。
第2电子输送层745可以通过例如CVD法或使用了真空蒸镀、溅射等干式镀敷法等的气相加工而形成。
另外，第2电子输送层745也可通过例如将电子输送材料溶解于溶剂或者分散于分散介质成为电子输送层形成用材料，在将其供给到发光层744上之后进行干燥(脱溶剂或者脱分散介质)而形成。
[6]接着，在第2电子输送层745上形成第1电子输送层746。
第1电子输送层746可以通过例如CVD法或使用了真空蒸镀、溅射等干式镀敷法等的气相加工而形成。
另外，第1电子输送层746也可通过例如将电子输送材料溶解于溶剂或者分散于分散介质成为电子输送层形成用材料，在将其供给到第2电子输送层745上之后进行干燥(脱溶剂或者脱分散介质)来形成。
[7]接着，在第1电子输送层746上形成电子注入层747。
在使用无机材料作为电子注入层747的构成材料的情况下，电子注入层747可利用例如使用了CVD法或真空蒸镀、溅射等干式镀敷法等的气相加工、无机微粒墨液的涂布及煅烧等来形成。
[8]接着，在电子注入层747上形成阴极748。
阴极748可使用例如真空蒸镀法、溅射法、金属箔的接合、金属微粒墨液的涂布及煅烧等形成。
经过如上所述的工序就能得到发光元件74。
最后，以被覆所得发光元件74的方式覆盖密封构件75，与支撑体72接合。
以上基于图示的实施方式对本发明的发光元件、曝光头及图像形成装置进行了说明，但本发明不限定于这些。
例如在相对发光层的阳极侧的各层间增加任意的层，在相对第1电子输送层的阴极侧的各层间增加任意的层。
【实施例】
接着，对本发明的具体的实施例进行说明。
1.发光元件的制造
(实施例1)
<1>首先，准备平均厚度0.5mm的透明的玻璃基板。接着，在该基板上，利用溅射法，形成平均厚度100nm的ITO电极(阳极)。
接着，依次将基板浸渍于丙酮、2-丙醇，进行超声波洗涤，然后实施氧等离子体处理。
<2>接着，利用真空蒸镀法使前述的由化学式7表示的化合物蒸镀在ITO电极上，形成平均厚度40nm的空穴注入层。
<3>然后，利用真空蒸镀法使前述的由化学式16表示的化合物蒸镀在空穴注入层上，形成平均厚度20nm的空穴输送层。
<4>接着，利用真空蒸镀法使发光层的构成材料蒸镀在空穴输送层上，形成平均厚度40nm的发光层(红色发光层)。
在此，作为发光层的构成材料，使用前述的由化学式17表示的化合物(二茚并苝衍生物)作为红色发光材料(客体材料)，使用前述的由化学式18表示的化合物(并四苯衍生物)作为主体材料。另外，发光层中的红色发光材料(掺杂剂)的含有量(掺杂浓度)为2.0w t％。
<5>接着，利用真空蒸镀法将第2电子输送层的构成材料成膜在发光层上，形成平均厚度5nm的第1电子输送层。
在此，作为第2电子输送层的构成材料，使用前述的由化学式20表示的化合物(Alq₃)和前述的由化学式21表示的化合物(红荧烯衍生物)的混合材料。另外，第2空穴输送层中的红荧烯衍生物(掺杂剂)的含有量(掺杂浓度)为5.0w t％。
<6>接着，在第2电子输送层上，利用真空蒸镀法将第1电子输送层的构成材料成膜，形成平均厚度25nm的第1电子输送层。
在此，作为第1电子输送层的构成材料，使用前述的由化学式19表示的化合物(BPhen)。
<7>接着，在第1电子输送层上，利用真空蒸镀法将氟化锂(LiF)成膜，形成平均厚度1nm的电子注入层。
<8>接着，在电子注入层上，利用真空蒸镀法将Al成膜。这样，形成由Al构成的平均厚度100nm的阴极。
<9>接着，以覆盖所形成的各层的方式盖上玻璃制的护罩(密封构件)，利用环氧树脂固定、密封。
利用以上的工序制造如图1所示的发光元件。
(实施例2)
除了用前述的由化学式20表示的化合物(Alq₃)构成第2电子输送层以外，其余与前述的实施例2同样地进行，制造发光元件。即，除了在第2电子输送层形成时省略红荧烯衍生物的掺杂以外，其余与实施例1同样地进行，制造发光元件。
(比较例1)
除了省略第2电子输送层的形成并使第1电子输送层的厚度为30nm以外，其余与前述的实施例1同样地进行，制造发光元件。
(比较例2)
除了省略第1电子输送层的形成并使第2电子输送层的厚度为30nm以外，其余与前述的实施例1同样地进行，制造发光元件。
2.评价
对各实施例及各比较例，分别在发光元件中流动电流，使得亮度达到20000cd/m²，测定此时的电流密度(必要电流密度)及电压(必要电压)。
另外，对各实施例及各比较例，分别在发光元件中流动200mA/cm²的恒定电流，测定直至成为初期亮度的90％为止的时间(LT90)。
将这些结果示于表1。此外，对于寿命而言，用将比较例1的发光元件的寿命作为基准(1)的相对的值表示。
【表1】

从表1可知，各实施例的发光元件可得到对于曝光感光体而言所必需的亮度的光并实现长寿命化。
与此相对，各比较例的发光元件成为耐久性(寿命特性)低的发光元件。