发光器件和发光器件封装 相关申请的交叉引用
本申请要求 2009 年 11 月 30 提交的韩国专利申请 No.10-2009-0116993 的优先权， 其全部内容通过引用结合于此。
技术领域
实施例涉及一种发光器件和发光器件封装。背景技术 发光二极管 (LED) 是将电流转换为光的半导体发光器件。最近， 随着发光二极管 的亮度逐渐地增加， 发光二极管被广泛地用作用于显示器、 车辆以及照明器件的光源。此 外， 使用磷光体或者组合各种颜色的发光二极管以形成发射有效率的白光的发光二极管。
发光二极管的亮度取决于包括有源层的结构、 用于将光有效地提取到外部的光提 取结构、 发光二极管的半导体材料、 芯片尺寸以及包封发光二极管的制模构件的类型的各 种条件。
发明内容
实施例提供一种具有改进的结构的发光器件以及发光器件封装。
实施例还提供一种具有改进的光提取效率的发光器件以及发光器件封装。
在一个实施例中， 发光器件包括 ： 第二导电类型半导体层 ； 有源层， 所述有源层在 第二导电类型半导体层上 ； 第一导电类型半导体层， 所述第一导电类型半导体层在有源层 上； 以及中间折射层， 所述中间折射层在第一导电类型半导体层上， 其中， 中间折射层具有 的折射率小于第一导电类型半导体层的折射率并且大于空气的折射率。
在另一实施例中， 发光器件封装包括 ： 主体 ； 第一电极层和第二电极层， 所述第一 电极层和第二电极层在主体中 ； 以及发光器件， 所述发光器件在主体中， 发光器件被电连接 到第一和第二电极层， 其中， 所述发光器件包括 ： 第二导电类型半导体层 ； 有源层， 所述有 源层在第二导电类型半导体层上 ； 第一导电类型半导体层， 所述第一导电类型半导体层在 有源层上 ； 以及中间折射层， 所述中间折射层在第一导电类型半导体层上， 其中， 所述中间 折射层具有的折射率小于所述第一导电类型半导体层的折射率并且大于空气的折射率。
在附图和下面的描述中阐述一个或者多个实施例的细节。 根据说明书和附图以及 根据权利要求， 其他的特征将是显而易见的。 附图说明
图 1 是示出根据第一实施例的发光器件的横截面图。 图 2 和 3 是示出根据第二实施例的发光器件的横截面图。 图 4 至图 8 是示出制造根据第二实施例的发光器件的方法的横截面图。 图 9 是示出根据第三实施例的发光器件的横截面图。图 10 是示出包括根据实施例的发光器件的发光封装的横截面图。 图 11 是示出包括根据实施例的发光器件的背光单元的透视图。 图 12 是示出包括根据实施例的发光器件封装的照明系统的透视图。具体实施方式
在实施例的描述中， 将理解的是， 当层 ( 或膜 )、 区域、 图案或结构被称为在另一层 ( 或者膜 )、 区域、 垫或者图案 “上” 或者 “下” 时， “上” 和 “下” 的术语包括 “直接地” 和 “间 接地” 的意义。此外， 将会基于附图进行关于在每层 “上” 和 “下” 的参考。
在附图中， 为了便于描述和清晰， 每层的厚度或者尺寸被夸大、 省略或示意性示 出。此外， 每个元件的尺寸没有完全反映实际尺寸。
在下文中， 将参考附图来描述根据实施例的发光器件和制造发光器件的方法。
< 第一实施例 >
图 1 是示出根据第一实施例的发光器件 1 的横截面图。
参考图 1， 第一发光器件 1 可以包括衬底 110 ； 中间反射层 116， 该中间折射层 116 被设置在衬底 110 上 ； 第一半导体层 130， 该第一半导体层 130 被设置在中间折射层 116 上 ； 有源层 140， 该有源层 140 被设置在第一半导体层 130 上 ； 第二导电类型半导体层 150， 该第 二导电类型半导体层 150 被设置在有源层 140 上 ； 电极层 160， 该电极层 160 被设置在第二 导电类型半导体层 150 上 ； 第一电极 170， 该第一电极 170 被设置在电极层 160 上 ； 以及第 二电极 180， 该第二电极 180 被设置在第一半导体层 130 上。 衬底 110 可以由蓝宝石 (Al2O3)、 SiC、 Si、 GaAs、 GaN、 ZnO、 Si、 GaP、 InP 以及 Ge 中 的至少一种形成， 但是本公开不限于此。
衬底 110 具有第一折射率 n1。例如， 当衬底 110 由蓝宝石 Al2O3 形成时， 第一折射 率可以在从大约 1.7 到大约 1.8 的范围内。
中间折射层 116 可以被设置在衬底 110 上。
中间折射层 116 可以具有处于衬底 110 的第一折射率 n1 和第一半导体层 130 的 第三折射率 n3 之间的第二折射率 n2。
即， 中间折射层 116 的第二折射率 n2 可以大于衬底 110 的第一折射率 n1， 并且小 于第三折射率 n3。
在衬底 110 和第一半导体层 130 之间的界面中用于全反射的临界角小， 其具有大 的折射率差， 并且界面中的被吸收和损耗的光的数量增加。
因此， 在当前实施例中， 具有第二折射率 n2 的中间折射层 116 被设置在衬底 110 和第一半导体层 130 之间， 以使由于衬底 110 和第一半导体层 130 之间的折射率差而造成 的光损耗最小化。
中间折射层 116 可以包括诸如 AlN、 GaN、 AlGaN、 InGaN、 AlInGaN、 AlInN 以及 InN 之 一的半导体材料， 以具有第二折射率 n2 并且允许第一半导体层 130 被有效地形成在其上。
可以以高温形成中间折射层 116， 以具有第二折射率 n2。例如， 当中间折射层 116 包括 AlN 时， 可以以从大约 1000℃至大约 1100℃的范围中的温度， 特别是以大约 1050℃的 温度来生长 A1N。因此， 第二折射率 n2 可以位于从大约 2.1 到大约 2.2 的范围内。
中间折射层 116 可以具有从大约 0.05μm 到大约 0.1μm 的范围的厚度 D1。
中间折射层 116 可以减少衬底 110 和第一半导体层 130 之间的晶格常数差， 并且 减少第一半导体层 130 的位错和缺陷。
第一半导体层 130 可以被设置在中间折射层 116 上。
第一半导体层 130 可以具有第三折射率 n3， 并且仅包括第一导电类型半导体层， 或者包括第一导电类型半导体层和在第一导电类型半导体层下方的未掺杂的半导体层， 但 是本公开不限于此。
例如， 第一导电类型半导体层可以包括 n 型半导体层。n 型半导体层可以由诸 如 AlN、 GaN、 AlGaN、 InGaN、 AlInGaN、 AlInN 或 者 InN 的、 具 有 InxAlyGa1-x-yN(0 ≤ x ≤ 1， 0 ≤ y ≤ 1， 0 ≤ x+y ≤ 1) 的组成式的半导体材料来形成， 并且被掺杂有诸如 Si、 Ge 或者 Sn 的 n 型掺杂剂。
例如， 当第一半导体层 130 包括 GaN 时， 第三折射率 n3 可以在从大约 2.45 到大约 2.55 的范围内。
例如， 未掺杂的半导体层可以是未掺杂的 GaN 层， 但是本公开不限于此。
有源层 140 可以被设置在第一半导体层 130 上。
在有源层 40 中， 通过第一导电类型半导体层注入的电子 ( 或者空穴 ) 与通过第二 导电类型半导体层 150 注入的空穴 ( 或者电子 ) 相遇， 以根据有源层 140 的材料、 通过能带 的带隙来发射光。
有源层 140 可以具有单量子阱结构或者多量子阱 (MQW) 结构、 量子线结构以及量 子点结构中的至少一种， 但是本公开不限于此。
被掺杂有 n 型或者 p 型掺杂剂的包覆层 ( 未示出 ) 可以被设置在有源层 140 的上 侧和 / 或下侧处， 并且被形成作为 AlGaN 或者 InAlGaN 层。
第二导电类型半导体层 150 被设置在有源层 140 上。例如， 第二导电类型半导 体层 150 可以被形成为 p 型半导体层。p 型半导体层可以由诸如 AlN、 GaN、 AlGaN、 InGaN、 AlInGaN、 AlInN 或者 InN 的、 具有 InxAlyGa1-x-yN (0 ≤ x ≤ 1， 0 ≤ y ≤ 1， 0 ≤ x+y ≤ 1) 的 组成式的半导体材料来形成， 并且被掺杂有诸如 Mg、 Zn、 Ca、 Sr 以及 Ba 的 p 型掺杂剂。
第一导电类型半导体层、 有源层 140 以及第二导电类型半导体层 150 是用于形成 发光结构的基本元件。
第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层 150 可以分别被掺杂有 p 型掺杂 剂和 n 型掺杂剂， 但是本公开不限于此。尽管未示出， 第三导电类型半导体层 ( 未示出 ) 可 以被设置在第二导电类型半导体层 150 上。因此， 发光器件 100 可以具有带有 pn、 np、 pnp 以及 npn 之一的结合结构。
使用诸如金属有机化学气相沉积 (MOCVD)、 化学气相沉积 (CVD)、 等离子体增强化 学气相沉积 (PECVD)、 分子束外延 (MBE) 或者氢化物气相外延 (HVPE) 的方法， 可以形成中间 折射层 116、 第一导电半导体层 130、 有源层 140 以及第二导电类型半导体层 150， 但是本公 开不限于此。
电极层 160 可以被设置在第二导电类型半导体层 150 上。电极层 160 可以由透 明材料来形成， 该透明材料可以包括例如 ITO、 IZO(In-ZnO)、 GZO(Ga-ZnO)、 AZO(Al-ZnO)、 AGZO(Al-Ga ZnO)、 IGZO(In-Ga ZnO)、 IrOx、 RuOx、 RuOx/ITO、 Ni/IrOx/Au 以及 Ni/IrOx/Au/ ITO 中的至少一种。可替选地， 第二电极层 160 可以是反射电极， 并且包括具有高反射率的银 (Ag)、 铝 (Al)、 铂 (Pt) 或者钯 (Pd) 中的至少一种。
第一电极 170 可以被设置在电极层 160 上， 并且第二电极 180 可以被设置在第一 半导体层 130 上。在对发光器件 1 执行台面蚀刻以暴露第一半导体层 130 之后， 可以形成 第二电极 180。第一电极 170 和第二电极 180 将电力提供到发光器件 1。
可替选地， 第一电极 170 可以被形成在不具有电极层 160 的第二导电类型半导体 层 150 上， 但是本公开不限于此。
< 第二实施例 >
在下文中， 将描述根据第二实施例的发光器件 2 和制造发光器件 2 的方法。在这 里， 将主要描述第一和第二实施例之间的不同部分， 并且将省略对其相同部分的描述。
图 2 是示出根据第二实施例的发光器件 2 的横截面图。
参考图 2， 发光器件 2 包括导电支撑构件 270 ； 反射层 260， 该反射层 260 被设置在 导电支撑构件 270 上 ； 第二导电类型半导体层 250， 该第二导电类型半导体层 250 被设置在 反射层 260 上 ； 有源层 240， 该有源层 240 被设置在第二导电类型半导体层 250 上 ； 第一半 导体层 230， 该第一半导体层 230 被设置在有源层 240 上 ； 第二中间折射层 227， 该第二中间 折射层 227 被设置在第一半导体层 230 上 ； 以及第三电极 280， 该第三电极 280 被设置在第 一半导体层 230 上。 导电支撑构件 270 可以由钛 (Ti)、 铬 (Cr)、 镍 (Ni)、 铝 (Al)、 铂 (Pt)、 金 (Au)、 钨 (W)、 铜 (Cu)、 钼 (Mo)、 铜 - 钨 (Cu-W) 以及诸如 Si、 Ge、 GaAs、 ZnO、 SiC、 SiGe 以及 GaN 的载 具晶片来形成。第三电极 280 和导电支撑构件 270 将电力提供到发光器件 2。
反射层 260 可以被设置在导电支撑构件 270 上。
反射层 260 可以包括具有高反射率的银 (Ag)、 铝 (Al)、 铂 (Pt) 或者钯 (Pd) 中的 至少一种。
结合层 ( 未示出 ) 可以被设置在第二导电支撑构件 270 和反射层 260 之间， 以提 高其界面耦合力。
第二导电类型半导体层 250 可以被设置在反射层 260 上。例如， 第二导电类型 半导体层 250 可以包括 p 型半导体层。p 型半导体层可以由诸如 AlN、 GaN、 AlGaN、 InGaN、 AlInGaN、 AlInN 或者 InN 的、 具有 InxAlyGa1-x-yN(0 ≤ x ≤ 1， 0 ≤ y ≤ 1， 0 ≤ x+y ≤ 1) 的组 成式的半导体材料来形成， 并且被掺杂有诸如 Mg、 Zn、 Ca、 Sr 或者 Ba 的 p 型掺杂剂。
欧姆层 ( 未示出 ) 可以被设置在第二导电类型半导体层 250 和反射层 260 之间， 用于其间的欧姆接触。
有源层 240 可以被设置在第二导电类型半导体层 250 上。在有源层 240 中， 通过 第一半导体层 230 注入的电子 ( 或者空穴 ) 与通过稍后要被形成的第二导电类型半导体层 250 注入的空穴 ( 或者电子 ) 相遇， 以根据有源层 240 的材料、 通过能带的带隙来发射光。
有源层 240 可以具有单量子阱结构或者多量子阱 (MQW) 结构、 量子线结构以及量 子点结构中的至少一种， 但是本公开不限于此。
被掺杂有 n 型或者 p 型掺杂剂的包覆层 ( 未示出 ) 可以被设置在有源层 240 的上 侧和 / 或下侧处， 并且被形成为 AlGaN 或者 InAlGaN 层。
第一半导体层 230 可以被设置在有源层 240 上。
第一半导体层 230 可以具有第三折射率 n3， 并且仅包括第一导电类型半导体层， 或者包括第一导电类型半导体层和在第一导电类型半导体层下方的未掺杂的半导体层， 但 是本公开不限于此。
例如， 第一导电类型半导体层可以包括 n 型半导体层。n 型半导体层可以由诸 如 AlN、 GaN、 AlGaN、 InGaN、 AlInGaN、 AlInN 或 者 InN 的、 具 有 InxAlyGa1-x-yN(0 ≤ x ≤ 1， 0 ≤ y ≤ 1， 0 ≤ x+y ≤ 1) 的组成式的半导体材料来形成， 并且被掺杂有诸如 Si、 Ge 或者 Sn 的 n 型掺杂剂。
例如， 当第一半导体层 230 包括 GaN 时， 第三折射率 n3 可以在从大约 2.45 到大约 2.55 的范围内。
第二中间折射层 227 可以被设置在第一半导体层 230 上。第二中间折射层 227 可 以具有处于第一半导体层 230 的第三折射率 n3 和空气的第四折射率 n4 之间的第二折射率 n2。
空气的第四折射率 n4 大约是 1.0， 并且第二中间折射层 227 的第二折射率 n2 可以 小于第一半导体层 230 的第三折射率 n3 并且大于空气的第四折射率 n4。
在空气和第一半导体层 230 之间的界面中用于全反射的临界角小， 其具有大的折 射率差， 并且界面中的被吸收和损耗的光的数量增加。 因此， 在当前实施例中， 具有第二折射率 n2 的第二中间折射层 227 被设置在第一 半导体层 230 上， 以使由于从第一半导体层 230 发射到空气的光的折射率差所造成的光损 耗最小化。
第二中间折射层 227 可以包括诸如 AlN、 GaN、 AlGaN、 InGaN、 AlInGaN、 AlInN 以及 InN 之一的、 具有第二折射率 n2 并且有效率地形成第一半导体层 130 的半导体材料， 但是本 公开不限于此。然而， 在当前实施例中， 第二中间折射层 227 包括 AlN。
可以以高温形成第二中间折射层 227， 以具有第二折射率 n2。例如， 当第二中间折 射层 227 包括 AlN 时， 可以以从大约 1000℃至大约 1100℃的范围中的温度， 特别是以大约 1050℃的温度来生长 AlN。因此， 第二折射率 n2 可以在从大约 2.1 到大约 2.2 的范围内。
图 3 是示出根据第二实施例的发光器件 2 的第二中间折射层 227 的平面图。
参考图 3， 当第二中间折射层 227 包括 AlN 并且具有从大约 0.5μm 到大约 1.0μm 范围的第二厚度 D2 时， 第二中间折射层 227 可以具有相互分隔开的多个图案， 例如， 多个多 边形柱。
然而， 第二中间折射层 227 可以包括多个圆柱体或者平坦的层， 但是本公开不限 于此。
对于具有多个多边形柱的第二中间折射层 227， 掩模图案 ( 未示出 ) 被形成在第一 半导体层 230 上， 并且使用掩模图案 ( 未示出 )， 可以形成第二中间折射层 227。掩模图案 ( 未示出 ) 可以包括 SiO2 和 MgN， 但是本公开不限于此。
当第二中间折射层 227 包括多个多边形柱或者多个圆柱体时， 第二中间折射层 227 发射以各种角度从有源层 240 发射的光， 以提高发光器件 2 的光提取效率。
第三电极 280 可以被设置在第一半导体层 230 上。第三电极 280 被设置在第二中 间折射层 227 上， 并且被电连接到第二中间折射层 227 的图案之间的第一半导体层 230。 通 过去除第二中间折射层 227 的一部分， 可以形成第三电极 280， 但是本公开不限于此。
在下文中， 现在将参考图 4 至图 8 来描述制造发光器件 2 的方法。为了便于描述， 在制造发光器件 2 的方法中， 图 2 中所示的发光器件 2 被颠倒。
参考图 4， 第一中间折射层 216 可以被形成在衬底 210 上， 并且未掺杂的半导体层 220 可以被形成在第一中间折射层 216 上。
第一中间折射层 216 可以包括与稍后要被形成的第二中间折射层 227( 参考图 6) 的材料相同的材料。例如， 第一中间折射层 216 可以包括 AlN、 GaN、 AlGaN、 InGaN、 AlInGaN、 AlInN 以及 InN 中的一个。
第一中间折射层 216 可以具有从 0.05μm 至大约 0.1μm 范围内的第一厚度 D1。
第一中间折射层 216 可以减少衬底 210 和未掺杂的半导体层 220 之间的晶格常数 差， 并且减少未掺杂的半导体层 220 的缺陷和位错。
由于未掺杂的半导体层 220 没有被掺杂有导电掺杂剂， 所以未掺杂的半导体层 220 的导电性比第一和第二半导体层 230 和 250 的导电性显著地低。 例如， 未掺杂的半导体 层 220 可以是未掺杂的 GaN 层， 但是本公开不限于此。
未掺杂的半导体层 220 的上部可以包括第一导电类型半导体层， 但是本公开不限 于此。 参考图 5， 第二中间折射层 227 可以被形成在未掺杂的半导体层 220 上。
第二中间折射层 227 可以具有处于第一半导体层 230 的第三折射率 n3 和空气的 第四折射率 n4 之间的第二折射率 n2。
具有第二折射率 n2 的第二中间折射层 227 被设置在第一半导体层 230 上， 以使由 于从第一半导体层 230 发射到空气的光的折射率差所造成的损耗最小化。
第二中间折射层 227 可以包括诸如 AlN、 GaN、 AlGaN、 InGaN、 AlInGaN、 AlInN 以及 InN 之一的、 具有第二折射率 n2 并且有效率地形成第一半导体层 230 的半导体材料， 但是本 公开不限于此。然而， 在当前实施例中， 第二中间折射层 227 包括 AlN。
可以以高温形成第二中间折射层 227， 以具有第二折射率 n2。例如， 当第二中间折 射层 227 包括 AlN 时， 可以以从大约 1000℃至大约 1100℃的范围中的温度， 特别是以大约 1050℃的温度来生长 AlN。因此， 第二折射率 n2 可以在从大约 2.1 到大约 2.2 的范围内。
参考图 8， 当第二中间折射层 227 包括 AlN 并且具有从大约 0.5μm 到大约 1.0μm 范围内的第二厚度 D2 时， 第二中间折射层 227 可以具有多个多边形柱。
然而， 第二中间折射层 227 可以包括多个圆柱体或者平坦的层， 但是本公开不限 于此。
对于具有多个多边形柱的第二中间折射层 227， 掩模图案 ( 未示出 ) 被形成在第一 半导体层 230 上， 并且使用掩模图案 ( 未示出 )， 可以形成第二中间折射层 227。掩模图案 ( 未示出 ) 可以包括 SiO2 和 MgN， 但是本公开不限于此。
当第二中间折射层 227 包括多个多边形柱或者多个圆柱体时， 第二中间折射层 227 发射以各种角度从有源层 240 发射的光， 以提高发光器件 2 的光提取效率。
参考图 6， 第一半导体层 230 可以被形成在第二中间折射层 227 上， 并且有源层 240 可以被形成在第一半导体层 230 上， 并且第二导电类型半导体层 250 可以被形成在有源 层 240 上。
第一半导体层 230、 有源层 240 以及第二导电类型半导体层 250 组成发光结构。
使用诸如金属有机化学气相沉积 (MOCVD)、 化学气相沉积 (CVD)、 等离子体增强化 学气相沉积 (PECVD)、 分子束外延 (MBE) 或者氢化物气相外延 (HVPE) 的方法， 可以形成发光 结构， 但是本公开不限于此。
通过外延横向生长 (ELO) 工艺， 发光结构可以被水平地和 / 或垂直地生长。通过 适当地调整诸如 ELO 工艺的压力或者温度的条件， 发光结构可以被形成在第二中间折射层 227 上。
然而， 虽然发光结构被形成， 但是部分发光结构可以被生长在第二中间折射层 227 的多边形柱之间的间距 228 中， 但是本公开不限于此。
由于第一半导体层 230 被形成在第二中间折射层 227 上， 第一半导体层 230 的缺 陷或者位错被减少， 使得能够提高第一半导体层 230 的晶体特性。
第一半导体层 230 可以仅包括第一导电类型半导体层， 或者包括第一导电类型半 导体层和在第一导电类型半导体层下方的未掺杂的半导体层， 但是本公开不限于此。
在第二中间反射层 227 下方形成的未掺杂的半导体层 220 可以与在第二中间折射 层 227 上形成的第一半导体层 230 相同。即， 第一半导体层 230 可以被形成， 然后第二中间 折射层 227 可以被形成在第一半导体层 230 上， 然后第一半导体层 230 可以被再次形成在 第二中间折射层 227 上， 但是本公开不限于此。
参考图 7， 折射层 260 可以被形成在第二导电类型半导体层 250 上， 并且导电支撑 构件 270 可以被形成在反射层 260 上。
导电支撑构件 270 将电力提供到发光器件 2， 并且支撑发光结构。
参考图 7 和图 8， 可以去除衬底 210、 第一中间折射层 216 以及未掺杂的半导体层 220。
通过激光剥离 (LLO) 工艺和蚀刻工艺， 可以去除衬底 210， 但是本公开不限于此。
通过诸如电感耦合等离子体 / 反应离子蚀刻 (ICP/RIE) 的蚀刻工艺， 可以去除第 一中间折射层 216 和未掺杂的半导体层 220。
在这种情况下， 第二中间折射层 227 可以用作用于停止蚀刻工艺的蚀刻停止层。
第一中间折射层 216 和未掺杂的半导体层 220 被去除， 以暴露第一半导体层 230 和第二中间折射层 227。
参考图 2 和图 8， 第三电极 280 可以被形成在第一半导体层 230 上。此时， 第二中 间折射层 227 可以被部分地去除， 然后第三电极 280 可以被形成， 但是本公开不限于此。
< 第三实施例 >
在下文中， 将描述根据第三实施例的发光器件 3 和制造发光器件 3 的方法。在这 里， 将主要描述第二和第三实施例之间的不同部分， 并且将省略对其相同部分的描述。
除了第二中间折射层被去除并且粗糙图案被形成之外， 发光器件 3 与发光器件 2 相类似。
图 9 是示出根据第三实施例的发光器件 3 的横截面图。
参考图 9， 发光器件 3 包括导电支撑构件 370 ； 反射层 360， 该反射层 360 被设置在 导电支撑构件 370 上 ； 第二导电类型半导体层 350， 该第二导电类型半导体层 350 被设置在 反射层 360 上 ； 有源层 340， 该有源层 340 被设置在第二导电类型半导体层 350 上 ； 第一导 电类型半导体层 330， 该第一导电类型半导体层 330 被设置在有源层 340 上并且包括粗糙图案 332 ； 以及第三电极 380， 该第三电极 380 被设置在第一导电类型半导体层 330 上。
第一导电类型半导体层 330 在其上部中包括粗糙图案 332。
例如， 使用图 7 的第二中间折射层 227 作为掩模， 通过对第一导电类型半导体层 330 执行蚀刻工艺， 可以形成粗糙图案 332。
即， 对第一导电类型半导体层 330 执行使用图 7 的第二中间折射层 227 作为掩模 的蚀刻工艺， 以形成粗糙图案 332， 然后第二中间折射层 227 被去除， 然后第三电极 380 被形 成在第一导电类型半导体层 330 上， 以形成发光器件 3。
粗糙图案 332 提高从发光器件 3 发射的光的提取效率。
图 10 是示出包括根据实施例的发光器件的发光器件封装的横截面图。
参考图 10， 根据实施例的发光器件封装包括 ： 主体 20、 在主体 20 中设置的第一电 极层 32 和第二电极层 33、 在主体 20 中设置的并且电连接到第一电极层 32 和第二电极层 33 的发光器件 1 以及包围发光器件 1 的制模构件 40。在图 10 中， 发光器件封装包括根据 第一实施例的发光器件 1， 但是本公开不限于此， 并且因此， 发光器件封装包括根据其他实 施例的其他发光器件。
主体 20 可以由硅材料、 合成树脂材料或者金属材料来形成。倾斜表面可以被设置 在发光器件 1 的周围。 第一电极层 32 和第二电极层 33 被相互电分离， 以将电力提供给发光器件 1。此 外， 第一电极层 32 和第二电极层 33 可以反射在发光器件 100 中产生的光， 以增加光效率， 并且可以将在发光器件 1 中产生的热释放到外部。
发光器件 1 可以被设置在主体 20 上或者在第一电极层 32 或第二电极层 33 上。
发光器件 1 通过图 10 中的引线被电连接到第一电极层 32 和第二电极层 33， 但是 本公开不限于此。例如， 可以使用倒装芯片方法或者管芯结合方法， 将发光器件 1 电连接到 第一电极层 32 和第二电极层 33。
制模构件 40 可以包围发光器件 1， 以保护发光器件 1。制模构件 40 可以包括磷光 体， 以改变从发光器件 1 发射的光的波长。
发光器件封装可以包括根据上述实施例的发光器件中的至少一个， 但是本公开不 限于此。多个发光器件封装被提供在衬底上， 并且光导板、 棱镜片、 扩展片以及荧光片可以 作为光学构件被设置在从发光器件封装发射的光的路径中。发光器件封装、 衬底以及光学 构件可以用作诸如背光单元、 照明系统、 指示装置、 灯以及路灯的照明系统。
图 11 是示出包括根据实施例的发光器件或者发光器件封装的背光单元的透视 图。图 11 的背光单元 1100 是照明系统的示例， 并且因此， 本公开不限于此。
参考图 11， 背光单元 1100 可以包括底盖 1140、 在底盖 1140 内设置的光导构件 1120 以及在光导构件 1120 的至少一个表面或者下表面上的发光模块 1110。反射片 1130 可以被设置在光导构件 1120 下方。
底盖 1140 可以具有盒子形状， 该盒子形状具有开口的上表面， 以接收光导构件 1120、 发光模块 1110 以及反射片 1130， 以及底盖 1140 可以由金属或者树脂来形成， 但是本 公开不限于此。
发光模块 1110 可以包括 ： 基板 700 和在基板 700 上安装的多个发光器件封装 600。 发光器件封装 600 将光提供给光导构件 1120。 在根据当前实施例的发光模块 1110 中， 发光
器件封装 600 被安装在基板 700 上， 但是根据实施例的发光器件可以被直接安装基板 700 上。
可以将发光模块 1110 设置在底盖 1140 的至少一个内表面上， 以将光提供到光导 构件 1120 的至少一个表面。
然而， 发光模块 1110 可以被设置在底盖 1140 内的光导构件 1120 下方， 以将光提 供到光导构件 1120 的底表面。 即， 可以根据设计， 以各种形式来改变发光模块 1110 的位置， 并且因此本公开不限于此。
光导构件 1120 被设置在底盖 1140 内。 光导构件 1120 可以接收来自发光模块 1110 的光， 并且形成表面光源， 然后将表面光源导向显示面板 ( 未示出 )。
例如， 光导构件 1120 可以是光导板 (LGP)。 例如， 光导板可以由诸如聚甲基丙烯酸 甲酯 (PMMA) 的丙烯酸类树脂、 聚对苯二甲酸乙二醇酯 (PET)、 聚碳酸酯 (PC)、 环烯烃共聚合 物 (COC) 以及聚萘二甲酸乙二醇酯 (PEN) 之一来形成。
光学片 1150 可以被设置在光导构件 1120 上方。
例如， 光学片 1150 可以包括扩展片、 聚光片、 增亮片以及荧光片中的至少一种。例 如， 通过堆叠扩展片、 聚光片、 增亮片以及荧光片， 可以形成光学片 1150。在这样的情况下， 扩展片可以均匀地扩展从发光模块 1110 发射的光， 并且聚光片将扩展光聚集在显示面板 ( 未示出 ) 上。在这一点上， 从聚光片发射的光是任意偏振的光。增亮片可以增强从聚光片 发射的光的偏振的程度。例如， 聚光片可以是水平和 / 或垂直的棱镜片。例如， 增亮片可以 是双增亮膜 (dual brightness enhancement film)。 荧光片可以是包括磷光体的光透射板 或膜。 反射板 1130 可以被设置在光导构件 1120 下方。反射板 1130 可以将通过光导构 件 1120 的底表面发射的光反射到光导构件 1120 的发光表面。
反射板 1130 可以由例如 PET、 PC 或者 PVC 的、 具有高反射率的树脂来形成， 但是本 公开不限于此。
图 12 是示出包括根据实施例的发光器件或者发光器件封装的照明系统的透视 图。然而， 图 12 中所示的照明系统 1200 是照明系统的示例， 并且因此， 本公开不限于此。
参考图 12， 照明系统 1200 可以包括 ： 壳体 1210、 在壳体 1210 中设置的发光模块 1230 以及设置在壳体 1210 中以接收来自外部电源的电力的连接端子 1220。
壳体 1210 可以由具有改进的散热性能的材料来形成。例如， 壳体 1210 可以由金 属材料或者树脂材料来形成。
发光模块 1230 可以包括 ： 基板 700 和在基板 700 上安装的至少一个发光器件封装 600。在根据当前实施例的发光模块 1110 中， 发光器件封装 600 被安装在基板 700 上， 但是 发光器件 100 可以被直接地安装在基板 700 上。
电路图案可以被印刷在绝缘材料上， 以形成基板 700。例如， 基板 700 可以包括印 刷电路板 (PCB)、 金属核心 PCB、 柔性 PCB 或者陶瓷 PCB。
此外， 基板 700 可以由有效反射光的材料来形成。基板 700 的表面可以涂覆有通 过此有效反射光的例如白色或银色材料的彩色材料。
至少一个发光器件封装 600 可以被安装在基板 700 上。每个发光器件封装 600 可 以包括至少一个发光二极管 (LED)。LED 可以包括发射红色、 绿色、 蓝色或者白色的光的彩
色 LED 以及发射紫外 (UV) 光的 UV 发光 LED。
发光模块 1230 可以具有发光二极管的各种组合， 以获得想要的颜色和亮度。例 如， 白光发光二极管、 红光发光二极管、 绿光发光二极管可以被设置成相互组合， 以确保高 的显色指数。荧光片可以被设置在从发光模块 1230 发射的光的路径中， 并且改变从发光模 块 1230 发射的光的波长。例如， 当从发光模块 1230 发射的光具有蓝色波长带时， 荧光片可 以包括黄磷光体， 并且因此， 从发光模块 1230 发射的光经过荧光片被最终感知为白光。
连接端子 1220 可以被电连接到发光模块 1230， 以将电力提供给发光模块 1230。 参 考图 12， 将连接端子 1220 以插座的形式旋拧到外部电源， 但是本公开不限于此。 例如， 连接 端子 1220 可以以插头的形式被插入到外部电源中， 或者通过电线被连接到外部电源。
在上述照明系统中， 光导构件、 扩展片、 聚光片、 增亮片以及荧光片中的至少一个 可以被设置在从发光模块发射的光的路径中， 以获得想要的光学效果。
如上所述， 根据本实施例的照明系统包括具有改进的光提取效率的发光器件或者 发光器件封装， 从而改进其特性。
在本说明书中对于 “一个实施例” 、 “实施例” 、 “示例性实施例” 等的任何参考意味 着与实施例结合描述的特定特征、 结构或特性被包括在本发明的至少一个实施例中。在说 明书中， 在各处出现的这类短语不必都表示相同的实施例。 此外， 当结合任何实施例描述特 定特征、 结构或特性时， 认为结合实施例中的其他一些实施例实现这样的特征、 结构或特性 也是本领域技术人员所能够想到的。 虽然已经参照本发明的多个示例性实施例描述了实施例， 但是应该理解， 本领域 的技术人员可以想到的多个其他修改和实施例也将落入本发明原理的精神和范围内。 更具 体地， 在本公开、 附图和所附权利要求的范围内的主题组合布置的组件部件和 / 或布置中， 各种变化和修改都是可能的。除了组件部件和 / 或布置中的变化和修改之外， 对于本领域 的技术人员来说， 替代的使用也将是显而易见的。