电子源和图像显示装置.pdf

本发明提供电子源和图像显示装置。所述电子源包括：与衬底上的扫描线和调制线的矩阵布线连接的多个电子发射器件，其中，电子发射器件中的每一个包含与扫描线连接的阴电极、与调制线连接的栅电极、和多个电子发射构件，阴电极被配置成用于向多个电子发射构件施加阴极的电势的第一梳齿状结构，栅电极被配置成用于向多个电子发射构件施加栅极的电势的第二梳齿状结构，并且第一和第二梳齿状结构中的每一个具有多个梳齿；和与第一和第二梳齿状结构中的至少一个中的多个齿体电连接的连接电极。

1.  一种电子源，包括：
与衬底上的扫描线和调制线的矩阵布线连接的多个电子发射器件，其中，电子发射器件中的每一个包含与扫描线连接的阴电极、与调制线连接的栅电极和多个电子发射构件，阴电极被配置成用于向所述多个电子发射构件施加阴极的电势的第一梳齿状结构，栅电极被配置成用于向所述多个电子发射构件施加栅极的电势的第二梳齿状结构，并且第一和第二梳齿状结构中的每一个具有多个梳齿；和
与第一和第二梳齿状结构中的至少一个中的多个齿体电连接的连接电极。

2.  根据权利要求1的电子源，其中，所述连接电极在从与所述连接电极电连接的梳齿状结构中的齿体的中心起的端侧处与齿体电连接。

3.  根据权利要求1的电子源，其中，所述连接电极使得在第一梳齿状结构中的所述多个齿体之间进行相互的电连接。

4.  根据权利要求3的电子源，其中，在对于衬底表面的投影中与所述连接电极交迭的第二梳齿状结构中的齿体的一部分的宽度比在对于衬底表面的投影中不与所述连接电极交迭的第二梳齿状结构中的齿体的一部分的宽度窄。

5.  根据权利要求1的电子源，其中，第二梳齿状结构被设置在第一梳齿状结构之上。

6.  根据权利要求1的电子源，其中，第一梳齿状结构被设置为在对于衬底表面的投影中不与第二梳齿状结构交迭。

7.  一种具有根据权利要求1的电子源的图像显示装置。

电子源和图像显示装置
技术领域
本发明涉及电子源和具有该电子源的图像显示装置。
背景技术
在欧洲专利No.0354750中，已知这样的电子发射器件，其中冷阴极和栅电极形成为具有梳齿状形状并且形成为使得梳齿状形状相互接合。
具有这种电子发射器件的图像显示装置使得电子发射器件发射电子、使得被施加高电压的阳电极加速电子，使得电子与荧光体碰撞，并使得荧光体发光。电子发射器件与扫描线和调制线的矩阵布线连接，并且，多个电子发射器件发射电子以使得图像显示装置显示图像。
发明内容
具有电子发射器件的图像显示装置的内部一般保持较高的真空度。如上所述，对于阳电极施加高电压。出于这种原因，诸如扫描线和信号线的线和电子发射器件暴露于高的电场。因此，当在电子发射器件或线中存在电场容易会聚的三重点和异物时，电场会聚于这些点和异物上，这有时候导致在图像显示装置内部的真空中放电。
当出现放电时，在阳电极中蓄积的电荷流入电子发射器件和线中，并且，电流甚至有时候流入已与线连接的驱动电路中。作为结果，电流有时候会破坏驱动电路。
另外，当大的电流流入诸如扫描线和信号线的线中并增加布线的电势时，过大的电压因此被施加到已与这些线连接的电子发射器件上。作为结果，过大的电压破坏与一条线连接的多个电子发射器件，并且有时候会导致像素连续性的缺陷。
本发明旨在提供可防止由于放电破坏电子发射器件的电子源和图像显示装置。
根据本发明的电子源或图像显示装置为或包括一种电子源，该电子源包括：与衬底上的扫描线和调制线的矩阵布线连接的多个电子发射器件，其中，电子发射器件中的每一个包含与扫描线连接的阴电极、与调制线连接的栅电极、和多个电子发射构件，阴电极被配置成用于向多个电子发射构件施加阴极的电势的第一梳齿状结构，栅电极被配置成用于向多个电子发射构件施加栅极的电势的第二梳齿状结构，并且第一和第二梳齿状结构中的每一个具有多个梳齿；和与第一和第二梳齿状结构中的至少一个中的多个齿体电连接的连接电极。
根据本发明的电子发射器件在被用作图像显示装置的情况下意味着构成一个子像素的器件。根据本发明的电子发射器件包含多个电子发射构件。当向阴电极施加阴极的电势并向栅电极施加栅极的电势时，电子发射构件发射电子。根据本发明的电子源包含与扫描线和调制线的矩阵布线连接的多个电子发射器件。
根据本发明的这种构成可防止由于放电破坏电子发射器件。
通过参照附图阅读示例性实施例的以下说明，本发明的其它特征将变得明显。
附图说明
图1是示出根据本发明的图像显示装置的结构的一个例子的透视图。
图2是示出根据本发明的电子源的示意图。
图3是示出第一实施例中的电子发射器件的示意图。
图4是沿图3的线A-A′截取的截面图。
图5A、图5B和图5C是示出第一实施例中的电子发射构件的视图。
图6A和图6B是表示根据本发明的连接电极的效果的视图。
图7是示出第二实施例中的电子发射器件的示意图。
图8A、图8B和图8C是示出第二实施例中的电子发射构件的视图。
图9是示出第三实施例中的电子发射器件的示意图。
图10是沿图9的线A-A′截取的截面图。
图11是示出第四实施例中的电子发射器件的示意图。
图12是示出第五实施例中的电子发射器件的示意图。
图13是示出第六实施例中的电子发射器件的示意图。
图14是沿图13的线A-A′截取的截面图。
图15A、图15B、图15C、图15D、图15E和图15F是示出电子发射构件的制造过程的示意性截面图。
具体实施方式
以下将参照附图说明根据本发明的实施例。
<第一实施例>
(图像显示装置的配置)
现在，将参照图1和图2说明根据本发明的具有电子源的图像显示装置，所述电子源具有多个电子发射器件。
图1是示出根据本发明的图像显示装置的配置的一个例子的透视图，其中，为了示出内部结构，装置的一部分被切掉。在图中，衬底1、扫描线32、调制线33和电子发射器件34被示出。后板41上固定衬底1，并且面板46具有在玻璃衬底43的内面上形成的荧光体44和用作阳电极的金属背(metal back)45。通过支撑框架42，并且通过经由烧结玻璃附接到支撑框架42上的后板41和面板46，构成外封壳47。这里，设置后板41主要是出于增强衬底1的强度的目的，所以，当衬底1本身具有足够的强度时无需附加的后板41。图像显示装置还可具有在面板46和后板41之间安装未示出的被称为隔体的支撑构件以对装置给予抵抗大气压力的足够强度的配置。
m条扫描线32与端子Dx1和Dx2～Dxm连接；并且，n条调制线33与端子Dy1和Dy2～Dyn连接(这里，m和n均为正整数)。未示出的层间绝缘层被设置在m条扫描线32和n条调制线33之间，并将两者相互电气分开。
高电压端子与金属背45连接，并且向金属背45供给例如10[kv]的DC电压。DC电压是用于对从电子发射器件发射的电子束给予用于激发荧光体的足够能量的加速电压。
图2是示出根据本发明的电子源的示意图。根据本发明的电子源具有与扫描线32和调制线33的矩阵布线连接的多个电子发射器件34。
扫描电路(未示出)与扫描线32连接，并向这些线施加用于选择沿X方向排列的电子发射器件34的行的扫描信号。另一方面，调制电路(未示出)与调制线33连接，并且根据输入信号调制沿Y方向排列的电子发射器件34的各列。向电子发射器件中的每一个施加的驱动电压以向电子发射器件施加的扫描信号和调制信号之间的差值电压的形式被供给。
(电子发射器件的配置)
图3是示出根据本发明的电子发射器件的示意图。
阴电极2与扫描线32连接。从扫描线32向阴电极2施加阴极的电势。栅电极5与调制线33连接。从调制线33向栅电极5施加栅极的电势。
根据本发明的电子发射器件具有多个电子发射构件12。多个电子发射构件中的每一个与阴电极2和栅电极5连接。当已被施加到扫描线32上的扫描信号作为阴极的电势经由阴电极2被施加到电子发射构件12上，并且已被施加到调制线33上的调制信号作为栅极的电势经由栅电极5被施加到电子发射构件12上时，从多个电子发射构件12发射电子。
如图所示，根据本发明的阴电极2具有梳齿状结构(与根据本发明的“第一梳齿状结构”对应)。特别地，阴电极2的梳齿状结构至少具有齿体2a、2b和2c。本实施例中的阴电极2的梳齿状结构还具有柄部(handle part)2d。
类似地，根据本发明的栅电极5具有梳齿状结构(与根据本发明的“第二梳齿状结构”对应)。特别地，栅电极5的梳齿状结构至少具有齿体5a、5b和5c。本实施例中的栅电极5的梳齿状结构还具有柄部5d。
并且，根据本发明的电子发射器件具有与多个齿体电连接的连接电极10。本实施例中的连接电极10与包含于阴电极2的梳齿状结构中的多个齿体2a、2b和2c电连接。
图4示出沿图3的线A-A′截取的截面图。
在本实施例中，连接电极10被设置在衬底1上，并且阴电极的齿体2a、2b和2c被设置在连接电极10上。另一方面，绝缘构件3被设置在连接电极10和栅电极的齿体5b和5c之间。由此，连接电极10仅与阴电极2电连接。
(电子发射构件的配置)
图5A、图5B和图5C示出由图3的B表示的部分中的电子发射构件的配置。图5A是由图3的B表示的部分的平面图。图5B是沿图5A的线A-A′截取的截面图。图5C是图5A的右侧视图。
从图可以清楚地看出，在本实施例中，多个电极6A、6B、6C和6D与阴电极的齿体2a连接。多个电极90A、90B、90C和90D与栅电极的齿体5a连接。通过绝缘层3a和3b构成绝缘构件3。
(由于连接电极导致的电阻值的变化)
图6A和图6B是表示根据本发明的连接电极10的效果的视图。这里，现在将以电极具有6条齿体的情况为例说明实施例。如图6A所示，在本实施例中，齿体由Mo形成为具有160μm的长度、4μm的宽度和20nm的厚度。连接电极10由Mo膜形成为具有40μm的长度、8μm的宽度和20nm的厚度。
图6B是表示连接电极10中的位置A和B之间的电阻的变化的视图。横轴表示作为连接电极10和齿体的尖端之间的距离的连接位置yμm。纵轴表示图6A中的A和B之间的电阻。当横轴的值y为160μm时，距离等于不存在连接电极10的情况。当连接电极10被连接于齿体的尖端上时(y＝0μm)，电阻为93Ω。通过以这种方式设置连接电极10，与不设置连接电极的情况下的400Ω的电阻相比，阴电极的电阻可大大降低。为了充分地降低电阻值，连接电极10可被布置在与齿体的中心相比更接近齿体的端侧的位置(y≤80μm)上。
在本实施例中说明的配置具有一个连接电极10，但是可以采用对于梳齿状结构具有多个连接电极的配置。
如后面的实施例将说明的那样，连接电极10可与栅电极5电连接。除了与阴电极2电连接的连接电极以外，还可采用具有与栅电极5电连接的连接电极的配置。但是，在当向阴电极2和栅电极5施加电势时电流在阴电极2和栅电极5之间流动的电子发射构件的情况下，扫描线32的电阻可被控制为比调制线33的电阻小。当一个扫描线被选择时，多个电子发射器件同时被选择，并且，当栅极的电势经由调制线被施加到多个电子发射器件上时，电流从已同时选择的多个电子发射器件流入扫描线中。因此，当扫描线的电阻大时，根据扫描线的位置出现电压降，并且，导致在扫描线内形成扫描电势的分布。出于这种原因，需要减小扫描线的电阻。
当由放电导致的电流经由阳电极流入电子发射器件时，该放电电流流入扫描线和调制线之间的具有较小的电阻的线中。因此，在当向阴电极2和栅电极5施加电势时电流在阴电极2和栅电极5之间流动的电子发射构件的情况下，连接电极10可与阴电极2电连接。
这样，通过安装连接电极10，阴电极的电阻可大大降低。因此，即使当由放电导致的大量的电流经由阴电极流入扫描线时，也可防止扫描线的电势升高。由此，连接电极10可防止向与放电电流流动的扫描线连接的多个电子发射器件施加过大的电压，并可防止这些电子发射器件被破坏。
<第二实施例>
图7是示出本实施例中的电子发射器件的示意图。除了栅电极5具有与第一实施例不同的形状以外，本实施例具有与第一实施例相同的配置。
图8A、图8B和图8C示出由图7的B表示的部分中的电子发射构件的配置。图8A是由图7的B表示的部分的平面图。图8B是沿图8A的线A-A′截取的截面图。图8C是图8A的右侧视图。
在第一实施例中，多个电极90A、90B、90C和90D与栅电极的齿体5a连接，但在本实施例中不存在多个电极，这一点与第一实施例不同。该配置的其它部分与第一实施例类似。
在本实施例中，分别向栅电极的齿体5a和多个电极6A、6B、6C和6D施加栅极的电势和阴极的电势，并且从多个电子发射构件发射电子。
本发明可应用于采用在本实施例中说明的电子发射器件的情况。
<第三实施例>
图9是示出本实施例中的电子发射器件的示意图。在本实施例中，连接电极10与包含于栅电极5的梳齿状结构中的多个齿体5a、5b和5c电连接，这一点与第一实施例不同。该配置的其它部分与第一实施例类似。
图10示出沿图9的线A-A′截取的截面图。
在本实施例中，在衬底1上设置连接电极10，并且经由绝缘层8a和8b在连接电极10上设置阴电极的齿体2a和2b。另一方面，在连接电极10和栅电极的齿体5a、5b和5c之间设置绝缘构件3。在绝缘构件3中设置接触孔5e、5f和5g。由此，连接电极10仅与栅电极5电连接。
在当向阴电极2和栅电极5施加电势时电流很难在阴电极2和栅电极5之间流动的电子发射器件的情况下，调制线33的电阻有时候可比扫描线32的电阻小。如在本实施例中说明的那样，通过安装连接电极10，栅电极的电阻可大大降低。因此，即使当由放电导致的大量的电流经由栅电极流入调制线时，也可防止调制线的电势升高。由此，连接电极10可防止向与放电电流流动的调制线连接的多个电子发射器件施加过大的电压，并可防止这些电子发射器件被破坏。
<第四实施例>
图11是示出本实施例中的电子发射器件的示意图。
根据本实施例的阴电极2没有柄部2d，这一点与第一实施例不同。特别地，本实施例中的阴电极2的梳齿状结构由齿体2a、2b和2c构成。齿体2a、2b和2c直接与扫描线32连接。该配置的其它部分与第一实施例类似。
在本实施例的情况下，连接电极10也可防止向与放电电流流动的扫描线连接的多个电子发射器件施加过大的电压，并可防止这些电子发射器件被破坏。
<第五实施例>
图12是示出本实施例中的电子发射器件的示意图。
在本实施例中，在栅电极的齿体5b和5c中，在对于衬底表面的投影中与连接电极10交迭的部分中的齿体的宽度比不与连接电极10交迭的部分中的齿体的宽度小，这一点与第一实施例不同。在本实施例中，在对于衬底表面的投影中与连接电极10交迭的部分中的齿体的宽度被设为不与连接电极10交迭的部分中的齿体的宽度的一半。该配置的其它部分与第一实施例类似。当采用这种配置时，可减小连接电极10和栅电极5之间的交点上的电容。因此，该配置可防止向栅电极5施加的栅极的电势导致波形畸变和振铃(ringing)。
在图12中，在对于衬底表面的投影中与连接电极10交迭的部分中的齿体的上述宽度意味着连接电极10与齿体5b和5c交迭的部分中的宽度的平均值。另外，不与连接电极10交迭的部分中的齿体的宽度意味着连接电极10与齿体5b和5c交迭的部分以外的部分的宽度的平均值。
另外，在本实施例中，齿体5a不与连接电极10交迭，使得齿体5a的宽度本身未必需要具有不同的宽度。但是，当齿体5a具有与齿体5b和5c不同的形状时，考虑向多个电子发射构件施加的栅极的电势被分散，使得齿体5a、5b和5c可具有相同的形状。
电子发射器件可具有栅电极5的梳齿状结构层叠于阴电极2的梳齿状结构上的配置。但是，当阴电极2的梳齿状结构在对于衬底表面的投影中与栅电极5的梳齿状结构交迭时，由于阴电极2和栅电极5导致的电容增加。
为了防止由于阴电极2和栅电极5导致的电容增加，阴电极2的梳齿状结构可在对于衬底表面的投影中被布置在不与栅电极5的梳齿状结构交迭的位置中。
并且，与在以上的实施例中说明的电子发射器件类似，电子发射器件可具有栅电极5的梳齿状结构被布置在阴电极2的梳齿状结构上的配置。特别地，栅电极5的梳齿状结构可被布置在比阴电极2的梳齿状结构更加远离衬底的位置中。
<第六实施例>
图13是示出本实施例中的电子发射器件的示意图。图14示出沿图13的线A-A′截取的截面图。在本实施例中，使用Spindt型电子发射构件12作为电子发射构件，这一点与上述的实施例不同。该配置的其它部分与上述的实施例类似。
从该图清楚地看出，在栅电极的齿体5a上设置栅极孔，从Spindt型电子发射构件12发射的电子从栅电极孔中穿过。本发明可应用于使用Spindt型电子发射构件12的电子发射器件。
本发明还可应用于已采用了表面传导型电子发射构件或阴电极2和栅电极5被布置在同一平面上的水平电场发射型电子发射构件的电子发射器件。
[示例性实施例1]
现在将参照图15A、15B、15C、15D、15E和15F详细说明在以上的第一到第五实施例中说明的电子发射构件的制造方法。
衬底1是用于机械支撑器件的绝缘衬底。例如，绝缘衬底可采用石英玻璃、包含少量的诸如Na的杂质的玻璃、蓝板玻璃和硅衬底。衬底1不仅需要具有高的机械强度，而且需要对于干蚀刻处理、湿蚀刻处理、诸如液体显影剂的碱溶液、和酸溶液具有抵抗力。当被用作诸如显示面板的一体化产品时，衬底1可在其自身和成膜材料或另一层叠构件之间具有小的热膨胀差。衬底1还可以是碱元素等很难由于热处理从玻璃内部经由其扩散的材料。
首先，如图15A所示，在衬底1上层叠绝缘层73、绝缘层74和导电层75。绝缘层73和74是由具有优异的加工性的材料制成的绝缘膜，例如为SiN(Si_xN_y)或SiO2；并且，通过诸如溅射方法、CVD方法和汽相淀积方法的一般真空成膜方法形成。绝缘层73和74的厚度分别被设在5nm与50μm之间的范围内，并且可选自在50nm与500nm之间的范围。用于绝缘层73和绝缘层74的材料可被选择为当被蚀刻时具有相互不同的蚀刻速度。绝缘层73与绝缘层74的选择比可以为10或更大，并且，如果可能的话，为50或更大。特别地，例如，绝缘层73可采用Si_xN_y，并且绝缘层74可采用诸如SiO₂的绝缘材料，例如，具有高的磷浓度的PSG膜或具有高的硼浓度的BSG膜。
用诸如汽相淀积方法和溅射方法的一般真空成膜技术形成导电层75。用于导电层75的材料除了导电性以外还可具有高的热导率并且具有高的熔点。例如，该材料包含：诸如Be、Mg、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Mo、W、Al、Cu、Ni、Cr、Au、Pt和Pd的金属，或它们的合金材料；和诸如TiC、ZrC、HfC、TaC、SiC和WC的碳化物。该材料还包含：诸如HfB₂、ZrB₂、CeB₆、YB₄和GdB₄的硼化物；诸如TiN、ZrN、HfN和TaN的氮化物；诸如Si和Ge的半导体；以及有机聚合物材料。该材料还包含无定形碳、石墨、金刚石类碳、具有分散于其中的金刚石的碳和碳化合物。从以上的材料中适当地选择该材料。
导电层75的厚度被设为在5nm～500nm的范围内；并且可选自从50nm到500nm的范围。
在层叠以上各层之后，如图15B所示，用光刻技术在导电层75上形成抗蚀图案，并然后用蚀刻技术依次处理导电层75、绝缘层74和绝缘层73。由此，可以获得栅电极5以及由绝缘层3b和绝缘层3a形成的绝缘构件3。
一般对于这种蚀刻处理所采用的方法是RIE(反应离子蚀刻)，该RIE可通过用已经由蚀刻气体的转变形成的等离子照射材料，精确地蚀刻材料。当要处理的目标构件形成氟化物时，此时选择的处理气体是诸如CF₄、CHF₃和SF₆的基于氟的气体。当目标构件如Si和Al那样形成氯化物时，选择诸如Cl₂和BCl₃的基于氯化物的气体。为了给予以上各层关于抗蚀剂的选择比、确保获取蚀刻面的平滑性或增加蚀刻速度，必要情况下随时添加气态的氢、氧或氩等。
随后，如图15C所示，仅通过使用蚀刻技术在层叠体的一个侧面上部分去除绝缘层3b的侧面，并且形成凹陷部分7。
例如，当绝缘层3b是由SiO₂形成的材料时，蚀刻技术可使用称为缓冲氢氟酸(BHF)的氟化铵和氢氟酸的混合溶液。当绝缘层3b是由Si_xN_y形成的材料时，可通过使用基于磷酸的热蚀刻溶液，蚀刻绝缘层3b。
凹陷部分7的深度具体而言是凹陷部分7中的绝缘层3b的侧面与绝缘层3a和栅极5的侧面之间的距离；可形成为约30nm～200nm。
顺便说一句，本实施例表示绝缘构件3是绝缘层3a和绝缘层3b的层叠体的形式，但本发明不限于这种形式。可通过去除一个绝缘层的一部分形成凹陷部分7。
随后，如图15D所示的那样，在栅电极5的表面上形成剥离层81。形成剥离层是出于使将在下一步骤中淀积于栅电极5上的阴极材料82与栅电极5分离的目的。出于这种原因，例如，通过经由氧化在栅电极5上形成氧化物膜或通过用电解电镀方法淀积剥离金属，形成剥离层81。
如图15E所示，在衬底1和绝缘构件3的侧面上淀积阴电极材料82。此时，阴电极材料82还淀积于栅极5上。
阴极材料82可以为具有导电性并发射电场的材料，并且一般可以为具有2000℃或更高的高熔点、具有5eV或更小的功函数并且很难在上面形成诸如氧化物的化学反应层或者可容易地从中去除反应层的材料。这种材料包含：诸如Hf、V、Nb、Ta、Mo、W、Au、Pt和Pd的金属，或它们的合金材料；诸如TiC、ZrC、HfC、TaC、SiC和WC的碳化物；和诸如HfB₂、ZrB₂、CeB₆、YB₄和GdB₄的硼化物。这种材料还包含：诸如TiN、ZrN、HfN和TaN的氮化物；和无定形碳、石墨、金刚石类碳、具有分散于其中的金刚石的碳、和碳化合物。
要采用的阴极材料82的淀积方法是诸如汽相淀积方法和溅射方法的一般真空成膜方法，并且可以为EB汽相淀积方法。
随后，如图15F所示，通过用蚀刻技术去除剥离层81，去除栅电极5上的阴极材料82。另外，通过用光刻方法在衬底1和绝缘构件3的侧面上对阴极材料82进行构图，形成电极6(图6A～6D)。
然后，形成阴电极2，以使得电极6进入导电状态(图8B)。该阴电极2与电极6类似地具有导电性，并且用光刻技术和诸如汽相淀积方法和溅射方法的一般成膜技术形成。例如，用于电极2的材料例如包含：诸如Be、Mg、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Mo、W、Al、Cu、Ni、Cr、Au、Pt和Pd的金属，或它们的合金材料；和诸如TiC、ZrC、HfC、TaC、SiC和WC的碳化物。这些材料还包含：诸如HfB₂、ZrB₂、CeB₆、YB₄和GdB₄的硼化物；诸如TiN、ZrN和HfN的氮化物；诸如Si和Ge的半导体；和有机聚合物材料。这些材料还包含无定形碳、石墨、金刚石类碳、具有分散于其中的金刚石的碳、和碳化合物。从以上的材料适当地选择该材料。
阴电极2和栅电极5可由相同的材料或不同的材料制成，并且可由相同的形成方法或不同的方法形成。
为了形成在第一实施例中说明的图5A、图5B和图5C中的电子发射构件，省略图15D中的剥离层81的制备步骤，并且，还在栅电极5上直接淀积阴极材料82。然后，在图15F的步骤中，可以对衬底1和绝缘构件3的侧面上的阴极材料82进行构图以形成电极6，同时可对栅电极5上的阴极材料82进行构图以形成电极90(90A～90D)。
虽然已参照示例性实施例说明了本发明，但应理解，本发明不限于公开的示例性实施例。以下的权利要求的范围应被赋予最宽的解释以包含所有的这些变型以及等同的结构和功能。