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本发明涉及半导体器件制造技术领域,具体涉及一种基于氮化处理的纳米晶浮栅存储器的制备方法,所述方法包括在硅衬底上生长遂穿介质层,并在遂穿介质层上表面生长硅纳米晶;对硅纳米晶进行氮化处理,在氮化处理后的硅纳米晶表面淀积控制栅介质层,控制栅介质层上淀积多晶硅;刻蚀多层结构到硅衬底,形成制作栅侧墙和源电极、漏电极的区域;制作栅侧墙、栅极、源极和漏极,形成浮栅存储器。本发明可用于非挥发性存储器的存储单元,具。