覆晶薄膜封装结构以及覆晶薄膜封装方法 【技术领域】
本发明涉及一种覆晶薄膜封装结构以及覆晶薄膜封装方法，并且特别地，本发明涉及一种可增加耐折度的覆晶薄膜封装结构以及完成该覆晶薄膜封装结构的覆晶薄膜封装方法。
背景技术
由于现在电子产品不断朝小型化、高速化以及高脚数等特性发展，IC的封装技术也朝此方向不断演进，液晶显示器(Liquid CrystalDisplay，LCD)上的驱动IC也不例外。其中，覆晶薄膜封装工艺可以提供上述功能并且可用于软性电路板，适合使用于液晶显示器的驱动IC封装。
覆晶封装技术泛指将芯片翻转后，以面朝下的方式透过金属导体与基板进行接合。当应用于软性基板时，其芯片可固定于薄膜上，仅靠金属导体与软性基板电性连接，因此称为覆晶薄膜封装(ChipOn Film，COF)。
请参阅图1，图1示出了现有技术中覆晶薄膜封装结构1的侧视图。如图1所示，覆晶薄膜封装结构1的基板10上设置导线层12，并且导线层12上进一步设置绝缘层14。芯片16通过金属凸块18与导线层12电性连接。芯片16以及金属凸块18的周围填充绝缘材料19，用以固定芯片16以及金属凸块18，并且对固定芯片16以及金属凸块18进一步绝缘。
以覆晶薄膜封装的驱动IC趋向高接脚数以及更精细的导线宽度。然而，在导线宽度越来越窄的状况下，软性基板弯曲时，导线有可能受损或断裂，而降低甚至失去传输功能。换言之，覆晶薄膜封装结构的耐折度将随接脚数以及导线线宽发展而降低。上述情况将对驱动IC的良率以及可靠度造成严重影响。另一方面，由于单位面积内的接脚数以及导线数目提高，产生的热量将更不容易逸散，因此，散热问题也成为覆晶薄膜封装结构的研究重点。
【发明内容】
因此，本发明的一个目的在于提供一种覆晶薄膜封装结构，可增加其结构的耐折度，以解决上述问题。
根据一个具体实施例，本发明的覆晶薄膜封装结构包括软性基板、导线层、绝缘层以及弹性层。导线层形成于软性基板的表面上，并且其包括多条导线。绝缘层形成于导线层上，弹性层则进一步形成于绝缘层上，并且进一步对应至少一条导线的位置。
在本具体实施例中，当软性基板受到外力而弯曲时，弹性层可缓冲导线因弯曲而产生的形变，使导线不致因过度形变而断裂，因此，本具体实施例的弹性层可增加覆晶薄膜封装结构的耐折度。
根据本发明所述的覆晶薄膜封装结构，进一步包含设置于该表面上并电性连接该导线层的芯片。
根据本发明所述的覆晶薄膜封装结构，在一种实施方式中，该弹性层延伸覆盖该芯片。
根据本发明所述的覆晶薄膜封装结构，在一种实施方式中，该芯片通过导电凸块电性连接该导线层。
根据本发明所述的覆晶薄膜封装结构，在一种实施方式中，该芯片是液晶显示器驱动芯片。
根据本发明所述的覆晶薄膜封装结构，在一种实施方式中，该弹性层通过网板印刷方式形成于该绝缘层上。
根据本发明所述的覆晶薄膜封装结构，在一种实施方式中，该弹性层由高传导性材料制成。
根据本发明所述的覆晶薄膜封装结构，在一种实施方式中，该绝缘层上具有至少一个孔洞，并且该高传导性材料填充于该至少一个孔洞中以接近或接触该导线层。
根据本发明所述的覆晶薄膜封装结构，在一种实施方式中，该高传导性材料是银胶(silver epoxy)。
根据本发明所述的覆晶薄膜封装结构，在一种实施方式中，该弹性层接地。
根据另一具体实施例，弹性层可为高传导性(高导热性或高导电性)材料。在本具体实施例中，弹性层可以形成于覆晶薄膜结构上热量较不易逸散的区域，例如芯片或是接脚及导线密集的区域。借助于弹性体的高导热性，可帮助覆晶薄膜封装结构进行散热。
本发明的另一目的在于提供一种覆晶薄膜封装方法，可增加覆晶薄膜封装结构的耐折度，以解决现有技术的问题。
根据一个具体实施例，本发明的覆晶薄膜封装方法包含下列步骤：首先，制备软性基板；接着，在软性基板的表面上形成导线层，其中导线层包含多条导线；之后，在导线层上形成绝缘层；最后，在绝缘层上形成对应至少一条导线的弹性层。
根据本具体实施例的覆晶薄膜封装方法所完成的覆晶薄膜封装结构，当软性基板受到外力而弯曲时，弹性层可缓冲导线因弯曲而产生的形变，使导线不致因过度形变而断裂，因此，本具体实施例所形成的弹性层可增加覆晶薄膜封装结构的耐折度。
根据本发明的覆晶薄膜封装方法，进一步包含以覆晶薄膜工艺将芯片封装于该表面上并电性连接该导线层的步骤。
根据本发明的覆晶薄膜封装方法，在一种实施方式中，该弹性层延伸覆盖该芯片。
根据本发明的覆晶薄膜封装方法，在一种实施方式中，该芯片通过导电凸块电性连接该导线层。
根据本发明的覆晶薄膜封装方法，在一种实施方式中，该芯片是液晶显示器驱动芯片。
根据本发明的覆晶薄膜封装方法，在一种实施方式中，该弹性层通过网板印刷方式形成于该绝缘层上。
根据本发明的覆晶薄膜封装方法，在一种实施方式中，该弹性层由高传导性材料制成。
根据本发明的覆晶薄膜封装方法，进一步包含下列步骤：在该绝缘层上形成至少一个孔洞；以及将该高传导性材料填充于该至少一个孔洞中以接近或接触该导线层。
根据本发明的覆晶薄膜封装方法，在一种实施方式中，该高传导性材料是银胶。
根据本发明的覆晶薄膜封装方法，在一种实施方式中，该弹性层接地。
根据另一具体实施例，上述的覆晶薄膜封装方法所形成的弹性层可为高传导性(高导热性或高导电性)材料。在本具体实施例中，弹性层可以设置于覆晶薄膜封装结构上热量较不易逸散的区域，例如，芯片或是接脚及导线密集地区域。借助于弹性体的高导热性，可帮助覆晶薄膜封装结构进行散热。
关于本发明的优点与精神可以通过以下的发明详述及附图得到进一步的了解。
【附图说明】
图1示出了现有技术中覆晶薄膜封装结构的侧视图。
图2示出了根据本发明的一个具体实施例的覆晶薄膜封装结构的示意图。
图3示出了根据本发明另一具体实施例的覆晶薄膜封装结构的示意图。
图4示出了根据本发明的另一具体实施例的覆晶薄膜封装结构的示意图。
图5示出了根据本发明的一个具体实施例的覆晶薄膜封装方法的步骤流程图。
图6示出了根据本发明的另一具体实施例的覆晶薄膜封装方法的步骤流程图。
【具体实施方式】
请参阅图2，图2示出了根据本发明的一个具体实施例的覆晶薄膜封装结构2的示意图。如图2所示，覆晶薄膜封装结构2用以将芯片3封装于软性基板20上，并且，覆晶薄膜封装结构2包含软性基板20、导线层22、绝缘层24以及弹性层26。
在本具体实施例中，导线层22可设置于软性基板20的表面200上，其包含多条导线。请注意，导线层22在实际应用中可为多条导线组成，并不限于其层状结构，在本具体实施例中的导线层22之所以应用“层”这个字，是为了方便解释图标，而非限制导线层22为层状结构。此外，绝缘层24形成于导线层22之上，用以保护整体电路架构并对其绝缘。
在本具体实施例中，弹性层26形成于绝缘层24之上，并且其在绝缘层24上的位置对应导线层22中的至少一条导线。在实际应用中，弹性层26的形成位置可对应导线中较容易因弯曲形变而断裂的部位。因此，当软性基板20受到外力作用而弯曲时，弹性层26可缓冲对应导线的弯曲形变，由此，弹性层26可增加覆晶薄膜封装结构2的耐折度，使对应导线不至于因过度的弯曲形变而断裂。此外，弹性层26可通过网板印刷或是其他适合工艺形成于绝缘层24之上。
在本具体实施例中，芯片3的功能面朝向软性基板20，并且，芯片3的功能面通过导电凸块30与导线层22电性连接，进而使软性基板20可通过导电凸块30和导线层22与芯片3沟通。此外，在实际应用中，芯片3与导电凸块30周围可填充绝缘材料28，以固定芯片3与导电凸块30，并进一步提供绝缘功能。在实际应用中，芯片3可为液晶显示器的驱动芯片，用以驱动液晶显示器面板的液晶分子旋转的角度。
请参阅图3，图3示出了根据本发明的另一具体实施例的覆晶薄膜封装结构2的示意图。如图3所示，本具体实施例与上一具体实施例不同处在于，本具体实施例的覆晶薄膜封装结构2的弹性层26可延伸覆盖整个覆晶薄膜封装结构2。由此，当软性基板20受到外力作用而弯曲时，弹性层26可缓冲覆晶薄膜封装结构2的各部分的弯曲形变，使覆晶薄膜封装结构2的各部分不至于因弯曲形变而断裂，由此，弹性层26可增加覆晶薄膜封装结构2的耐折度。
请参阅图4，图4出了根据本发明的另一具体实施例的覆晶薄膜封装结构2的示意图。如图4所示，本具体实施例与上述具体实施例不同处在于，本具体实施例的覆晶薄膜封装结构2的绝缘层24可具有孔洞240。在实际应用中，孔洞240的数量根据使用者或是设计者需求而定，并不限于本说明书所列举的具体实施例。此外，在实际应用中，孔洞240可选择性地贯穿绝缘层24。
在本具体实施例中，当弹性层26形成于绝缘层24以及孔洞240上时，弹性层26可被填充进入孔洞240。此外，弹性层26在本具体实施例中是高传导性(高导热性或高导电性)材料。当弹性层26被填充入孔洞240而接近或接触导线层22时，由于其高导热性从而可帮助导线层22散热。更进一步地，在另一具体实施例中，弹性层26也可覆盖芯片3以及覆晶薄膜封装结构2的其余部分，以增加覆晶薄膜封装结构2的散热效率。
在实际应用中，弹性层26也可具有高导电性，当弹性层26接触导线层22并且弹性层26本身接地时，可进一步增强覆晶薄膜封装结构2的电性屏蔽。
上述具有高传导性(高导热性或高导电性)的弹性层26，在实际应用中可使用软性金属以同时达到其高传导性以及缓冲导线层22的弯曲形变的功能。举例而言，弹性层26可利用银胶(silver epoxy)或是金来制成。
综上所述，本发明的覆晶薄膜封装结构可形成弹性层于绝缘层上的导线易断裂的位置，当覆晶薄膜封装结构的软性基板受力而弯曲时，弹性层可缓冲导线的弯曲形变以避免导线因过度形变而断裂，进而增加覆晶薄膜封装结构的耐折度。此外，弹性层若具有高传导性，也可更进一步增强覆晶薄膜封装结构的散热效果以及电性屏蔽效应。
请参阅图5，图5示出了根据本发明的一个具体实施例的覆晶薄膜封装方法的步骤流程图。本具体实施例的覆晶薄膜封装方法可完成耐折度较高的覆晶薄膜封装结构。
如图5所示，本具体实施例的覆晶薄膜封装方法包含下列步骤：在步骤S40中，制备软性基板；在步骤S42中，在软性基板的表面上形成导线层，其中，导线层包含多条导线；在步骤S44中，在导线层上形成绝缘层；以及，在步骤S46中，在绝缘层上对应至少一条导线的位置形成弹性层，以完成覆晶薄膜封装结构。
在实际应用中，本具体实施例所形成的导线层可由多条导线组成，并不受限于层状结构。绝缘层可保护整体电路架构并进一步对其绝缘。此外，弹性层可通过网板印刷或是其他适合的工艺形成于绝缘层上。另一方面，在另一具体实施例中，覆晶薄膜封装方法可进一步包含将芯片封装于软性基板的表面上并电性连接芯片与导线层的步骤。上述封装芯片于软性基板表面的步骤在实际应用中可进一步包含以导电凸块电性连接芯片以及导线层的步骤，以及在芯片与导电凸块周围填充绝缘材料的步骤。此外，在实际应用中芯片可为液晶显示器的驱动芯片，用以驱动液晶显示器面板的液晶分子旋转的角度。
在本具体实施例中，在绝缘层上形成弹性层的位置可对应导线层中较易受弯曲应力的位置。当本具体实施例所完成的覆晶薄膜封装结构的软性基板受力而弯曲时，弹性体可缓冲导线层的对应位置的弯曲形变，使导线层不至于因过度的弯曲形变而断裂，进而增加覆晶薄膜封装结构的耐折度。
请参阅图6，图6示出了根据本发明的另一具体实施例的覆晶薄膜封装方法的步骤流程图。如图6所示，本具体实施例与上一具体实施例不同处在于，本具体实施例的覆晶薄膜封装方法进一步包含下列步骤：在步骤S440中，在绝缘层上形成至少一个孔洞，其中，孔洞可选择性地贯穿绝缘层；以及，在步骤S460中，将弹性层填充至孔洞中以接近或接触导线层。
在实际应用中，步骤S440与步骤S44可在同一工艺(或步骤)中完成，也就是，绝缘层以及绝缘层的孔洞同时形成于导线层上。另一方面，步骤S460与步骤S46也可在同一工艺(或步骤)中完成，也就是，在绝缘层上以及孔洞中同时形成弹性体。上述具体实施例的各步骤顺序可根据使用者或设计者需求而定，并不限于本说明书所列举的具体实施例。
在本具体实施例中，弹性层可为高导热性材料，因此，当弹性层被填充进入孔洞中以接近或接触导线层时，其高导热特性可帮助导线层散热。更进一步地，若弹性层同时形成于芯片以及覆晶薄膜封装结构的其余部分，也可进一步增加覆晶薄膜封装结构整体的散热效率。
在另一具体实施例中，弹性层也可为高导电性材料。当弹性层被填充进入孔洞中以接触导线层并且弹性层本身接地时，覆晶薄膜封装结构的电性屏蔽也可进一步被加强。
在实际应用中，上述具有高传导性(高导电性或高导热性)的弹性层可使用软性金属制成，以同时达到其高传导性以及缓冲导线层形变的功能。举例而言，弹性层可利用银胶或是金来制成。
综上所述，本发明的覆晶薄膜封装方法可在绝缘层上对应易断裂的导线的位置形成弹性层，以完成覆晶薄膜封装结构。当软性基板受力而弯曲时，弹性层可缓冲导线的弯曲形变以避免导线因过度形变而断裂，进而增加覆晶薄膜封装结构的耐折度。此外，弹性层若具有高传导性，也可更进一步增强覆晶薄膜封装结构的散热效果以及电性屏蔽效应。
相比于现有技术，本发明的覆晶薄膜封装结构以及覆晶薄膜封装方法可以通过弹性层缓冲导线受力产生的形变，进而增加覆晶薄膜封装结构整体的耐折度，使其不因弯曲而造成导线断裂甚至影响其良率。此外，若弹性层具有高传导性，可更进一步增强覆晶薄膜封装结构的散热效率以及电性屏蔽效应。
通过以上优选具体实施例的详述，希望能更加清楚描述本发明的特征与精神，而并非以上述所披露的优选具体实施例来对本发明的范围加以限制。相反地，其目的是希望能将各种改变及等同替代涵盖于本发明的权利要求的范围内。因此，本发明的权利要求的范围应该根据上述的说明作最宽广的解释，以致使其涵盖所有可能的改变以及等同替代。
主要组件符号说明
1：覆晶薄膜封装结构 10：基板
12：导线层 14：绝缘层
16：芯片 18：金属凸块
19：绝缘材料 2：覆晶薄膜封装结构
20：软性基板 22：导线层
24：绝缘层 26：弹性层
28：绝缘材料 200：表面
240：孔洞 3：芯片
30：导电凸块 S40～S46：流程步骤
S440、S460：流程步骤。