通过使用一组哑元填充单元来执行哑元填充的方法和设备.pdf

一个实施方式在设计布局中执行哑元填充，从而实现在窄的目标密度范围中的目标密度。在操作期间，系统接收一个设计布局，该设计布局包括密度不在目标密度所期望的范围中的区域。接下来，所述系统接收可以用于放置哑元填充阵列从而填充任意大小的矩形的哑元填充单元组。该哑元填充单元可以包括使该哑元形状正确地印刷，而不管该哑元填充阵列的大小的辅助特征和光学邻近校正。该系统于是确定该设计布局中的多边形以用哑元填充单元填充。接下来，该系统断裂该多边形成一组矩形。该系统使用该哑元填充单元组以放置填充矩形的哑元填充阵列。

1.  一种用于在设计布局中执行哑元填充，从而实现在窄的目标密度范围中的目标密度的方法，该方法包括：
接收定义窄的目标密度范围的低目标密度和高目标密度；
接收包括密度小于所述低目标密度的区域的设计布局，其中哑元形状被期望放置该设计布局中，其中该哑元形状要求辅助特征和光学邻近校正以正确地印刷，并且其中在所述设计布局中放置该哑元形状后执行辅助特征放置和光学邻近校正是不切实际的；
接收用于放置哑元填充阵列以填充任意大小的矩形的哑元填充单元组，其中该哑元填充单元组包括使该哑元形状正确地印刷而不管该哑元填充阵列的大小的辅助特征和光学邻近校正；
确定该设计布局中的多边形以用哑元填充单元填充；
将该多边形断裂成一组矩形；以及
使用该哑元填充单元组来在该设计布局中放置第一哑元填充阵列，其中该第一哑元填充阵列填充矩形组中第一矩形。

2.  根据权利要求1所述的方法，其中该哑元填充单元组包括：
顶部左单元；
顶部右单元；
底部左单元；
底部右单元；
顶部中心单元；
右中心单元；
底部中心单元；
左中心单元；以及
中心单元。

3.  根据权利要求1所述的方法，进一步包括选择该第一矩形，其中该第一矩形在该矩形组中具有最大面积。

4.  根据权利要求1所述的方法，其中使用该哑元填充单元组以放置该第一哑元填充阵列包括：
确定在该第一哑元填充阵列中一些列；以及
确定在该第一哑元填充阵列中一些行。

5.  根据权利要求1所述的方法，其中确定该多边形包括：
在所述设计布局中放置块网格；
移除与该设计布局中的形状冲突的块；以及
合并块以得到多边形。

6.  根据权利要求1所述的方法，其中该哑元填充单元组包括：
角单元；
边单元；以及
中心单元。

7.  根据权利要求1所述的方法，其中使用该哑元填充单元组以放置该第一哑元填充阵列包括：
确定角单元位置；
确定边单元位置；以及
确定中心单元位置。

8.  一种存储指令的计算机可读存储介质，其中当计算机执行该指令时可使计算机执行一种用于在设计布局中执行哑元填充，从而实现在窄的目标密度范围中的目标密度的方法，该方法包括：
接收定义窄的目标密度范围的低目标密度和高目标密度；
接收包括密度小于所述低目标密度的区域的设计布局，其中哑元形状被期望放置该设计布局中，其中该哑元形状要求辅助特征和光学邻近校正以正确地印刷，并且其中在所述设计布局中放置该哑元形状后执行辅助特征放置和光学邻近校正是不切实际的；
接收用于放置哑元填充阵列以填充任意大小的矩形的哑元填充单元组，其中该哑元填充单元组包括使该哑元形状正确地印刷而不管该哑元填充阵列的大小的辅助特征和光学邻近校正；
确定该设计布局中的多边形以用哑元填充单元填充；
将该多边形断裂成一组矩形；以及
使用该哑元填充单元组来在该设计布局中放置第一哑元填充阵列，其中该第一哑元填充阵列填充矩形组中第一矩形。

9.  根据权利要求8所述的计算机可读存储介质，其中该哑元填充单元组包括：
顶部左单元；
顶部右单元；
底部左单元；
底部右单元；
顶部中心单元；
右中心单元；
底部中心单元；
左中心单元；以及
中心单元。

10.  根据权利要求8所述的计算机可读存储介质，该方法进一步包括选择该第一矩形，其中该第一矩形在该矩形组中具有最大面积。

11.  根据权利要求8所述的计算机可读存储介质，其中使用该哑元填充单元组以放置该第一哑元填充阵列包括：
确定在该第一哑元填充阵列中一些列；以及
确定在该第一哑元填充阵列中一些行。

12.  根据权利要求8所述的计算机可读存储介质，其中确定该多边形包括：
在所述设计布局中放置块网格；
移除与该设计布局中的形状冲突的块；以及
合并块以得到多边形。

13.  根据权利要求8所述的计算机可读存储介质，其中该哑元填充单元组包括：
角单元；
边单元；以及
中心单元。

14.  根据权利要求8所述的计算机可读存储介质，其中使用该哑元填充单元组以放置该第一哑元填充阵列包括：
确定角单元位置；
确定边单元位置；以及
确定中心单元位置。

15.  一种用于在设计布局中执行哑元填充，从而实现在窄的目标密度范围中的目标密度的设备，该设备包括：
密度接收机制配置成接收定义窄的目标密度范围的低目标密度和高目标密度；
布局接收机制配置成接收包括密度小于所述低目标密度的区域的设计布局，其中哑元形状被期望放置该设计布局中，其中该哑元形状要求辅助特征和光学邻近校正以正确地印刷，并且其中在所述设计布局中放置该哑元形状后执行辅助特征放置和光学邻近校正是不切实际的；
单元接收机制配置成接收用于放置哑元填充阵列以填充任意大小的矩形的哑元填充单元组，其中该哑元填充单元组包括使该哑元形状正确地印刷而不管该哑元填充阵列的大小的辅助特征和光学邻近校正；
确定机制配置成确定该设计布局中的多边形以用哑元填充单元填充；
断裂机制配置成将该多边形断裂成一组矩形；以及
阵列放置机制配置成使用该哑元填充单元组来在该设计布局中放置第一哑元填充阵列，其中该第一哑元填充阵列填充矩形组中第一矩形。

16.  根据权利要求15所述的设备，其中该哑元填充单元组包括：
顶部左单元；
顶部右单元；
底部左单元；
底部右单元；
顶部中心单元；
右中心单元；
底部中心单元；
左中心单元；以及
中心单元。

17.  根据权利要求15所述的设备，进一步包括选择机制配置成选择该第一矩形，其中该第一矩形在该矩形组中具有最大面积。

18.  根据权利要求15所述的设备，其中该阵列放置机制配置成：
确定在该第一哑元填充阵列中一些列；以及
确定在该第一哑元填充阵列中一些行。

19.  根据权利要求15所述的设备，其中该确定机制配置成：
在所述设计布局中放置块网格；
移除与该设计布局中的形状冲突的块；以及
合并块以得到多边形。

20.  根据权利要求15所述的设备，其中该哑元填充单元组包括：
角单元；
边单元；以及
中心单元。

21.  根据权利要求15所述的设备，其中该阵列放置机制配置成：
确定角单元位置；
确定边单元位置；以及
确定中心单元位置。

通过使用一组哑元填充单元来执行哑元填充的方法和设备
技术领域
本发明涉及半导体设计和制造。更具体地，本发明涉及在设计布局中执行哑元填充用于达到窄的目标密度范围内的一个目标密度。
背景技术
计算技术的飞速发展使得在数据集上每秒执行数万亿次的计算操作成为可能，其中该数据集有时有万亿字节那么大。这些发展可以归因于半导体制造技术的显著进步，目前的半导体制造技术使得在单一芯片上集成数千万个器件成为可能。
布局的特征密度可以影响一些制造过程的行为。具体地，相比较于高密度区域，制造过程可以在低密度区域表现不同。特征密度的非一致性可以通过执行哑元填充来降低，即，通过向所述布局中空闲区域添加哑元特征。
如果所述哑元特征小(相对于曝光波长而言)，则它们可能需要辅助特征和光学邻近校正(OPC)以正确地印刷。然而，在该填充哑元的布局上执行辅助特征放置和光学邻近校正可能由于哑元特征数量巨大而非常耗时。此外，如果制造过程对特征密度变化高度敏感，则哑元填充过程可能需要创建特征密度在窄的密度值范围内的填充哑元布局。
发明内容
本发明的实施方式提供用于在设计布局中执行哑元填充的系统和技术。一些半导体制造技术需要该哑元填充技术来放置哑元特征，以便得到的布局达到严格的目标密度要求。一个实施方式可以执行哑元填充，以便填充哑元的布局具有在窄的目标特征密度范围内的特征密度。所期望的是哑元填充技术不应该大幅度增加用于执行光学邻近校正和辅助特征放置所需要的时间。一个实施方式可以执行哑元填充而不大幅度增加在填充哑元的布局上执行分辨率增强技术所需要的时间。
在操作期间，一个实施方式可以接收包括其密度不在窄的目标密度范围内的区域的设计布局。接下来，系统可以接收一组哑元填充单元，其可以被用于放置哑元填充阵列以填充任意大小的矩形。例如，所述哑元填充单元组可以包括角单元、边单元和中心单元。所述哑元填充单元组可以包括辅助特征和光学邻近校正，它们能够使所述哑元形状正确地印刷，而不管利用所述哑元填充单元组创建的哑元填充阵列的大小。所述系统于是可以确定用于放置哑元填充阵列的一组矩形，并且放置所述哑元填充阵列到一个或多个这些矩形中。注意较小的阵列可能比较大的阵列具有较低的特征密度，因为角单元和边单元可能比中心单元具有较低的密度。
在一个实施方式中，所述系统可以在所述设计布局上安置块网格。接下来，所述系统可以选择该网格中那些不与该设计布局中其它形状冲突的块。所述系统于是可以通过合并所选块形成多边形。接下来，所述系统可以断裂该多边形以得到一组矩形，于是可以利用哑元填充阵列来填充这些矩形。
注意由于所述系统可以使用已经具有光学邻近校正和/或辅助特征的哑元填充单元组，所述系统可以在放置哑元填充阵列后不执行这些耗时的分辨率增强技术。此外，由于所述系统可以一次填充一个矩形，可以实现在窄的目标密度范围内的目标密度。
附图说明
图1示出了根据本发明的一个实施方式在集成电路的设计和制造中的各个步骤；
图2示出了根据本发明的一个实施方式的过程加载效应；
图3呈现了示出了根据本发明的一个实施方式用于在设计布局中执行哑元填充的过程的流程图；
图4示出了根据本发明的一个实施方式的一组哑元填充单元；
图5示出了根据本发明的一个实施方式系统如何可以确定多边形以及然后将其断裂为一组矩形；
图6示出了根据本发明的一个实施方式的如何可以使用一组哑元填充单元来创建一个哑元填充阵列；以及
图7示出了根据本发明的一个实施方式的计算机系统。
具体实施方式
集成电路(IC)设计流
图1示出了根据本发明的一个实施方式在集成电路的设计与制造中的各个步骤。
该方法通常以该产品概念(步骤100)开始，其利用EDA软件设计过程(步骤110)实现。当设计完成，便可以进行投片(tape-out)(事件140)，并进行制造过程(步骤150)以及封装和组装过程(步骤160)，从而产生成品芯片(结果170)。
该EDA软件设计过程(步骤110)包括步骤112-130，如下文所述。注意该设计流程描述仅作说明用途，并不意味着对本发明进行限制。例如，实际的集成电路设计可能需要设计者以与下文描述的顺序不同的顺序来执行设计步骤。
系统设计(步骤112)：在这一步骤，设计者描述其想要实现的功能。他们也可以执行假设规划来细化功能、检查成本等。在这个阶段可以发生硬件软件架构划分。可以用于这个步骤的来自Synopsys公司的示例性的EDA软件产品包括Model Architect、SystemStudio和Design产品。
逻辑设计与功能验证(步骤114)：在这一阶段，编写用于系统内模块的VHDL或Verilog代码，并且针对功能准确性进行检查。更具体地，对设计进行检查以确保产生正确的输出。可以用于这个步骤的来自Synopsys公司的示例性的EDA软件产品包括DesignMagellan^TM、ESP和产品。
用于测试的合成和设计(步骤116)：这里，VHDL/Verilog被转译为网表。可以针对目标技术优化该网表。另外，可以设计并且执行测试用来检查成品芯片。可以用于这个步骤的来自Synopsys公司的示例性的EDA软件产品包括DesignPhysicalTest Compiler、Power Compiler^TM、FPGA Compiler、Tetra和Design产品。
网表验证(步骤118)：在这一步骤，针对与时间约束的兼容和与VHDL/Verilog源代码的对应对网表进行检查。可以用于这个步骤的来自Synopsys公司的示例性的EDA软件产品包括Prime和产品。
设计规划(步骤120)：这里，针对定时和顶层路由构建和分析芯片的总体平面布置图。可以用于这个步骤的来自Synopsys公司的示例性的EDA软件产品包括Astro ^TM和IC Compiler产品。
物理实现(步骤122)：在这一步骤发生放置(电路元件的定位)和路由(电路元件的连接)。可以用于这个步骤的来自Synopsys公司的示例性的EDA软件产品包括Astro ^TM和IC Compiler产品。
分析和提取(步骤124)：在这一步骤，在晶体管级验证电路功能，这则允许假设细化。可以用于这个步骤的来自Synopsys公司的示例性的EDA软件产品包括AstroRail^TM、PrimeRail、Prime和Star-RCXT^TM产品。
物理验证(步骤126)：在这一步骤，为确保制造、电的问题、光刻问题和电路的正确性对设计进行检查。可以用于这个步骤的来自Synopsys公司的示例性的EDA软件产品包括Hercules^TM产品。
分辨率增强(步骤128)：这一步骤涉及布局的几何操作以提高设计的可制造能力。可以用于这个步骤的来自Synopsys公司的示例性的EDA软件产品包括Proteus/Progen、ProteusAF和PSMGen产品。
掩模数据准备(步骤130)：这一步骤为掩模的生产提供“投片”数据以生产成品芯片。可以用于这个步骤的来自Synopsys公司的示例性的EDA软件产品包括产品族。
可以在一个或多个上述步骤期间使用本发明的实施方式。具体地，可以在所述物理验证步骤126期间使用本发明的一个实施方式。
哑元填充
哑元填充通常用于确保CMP(化学机械抛光)后表面状况中的变化处于给定容限内。例如，一种铸造可以将非功能性的结构放置到设计布局中空闲的区域，以便所述布局在CMP后产生大致上平的表面。哑元填充也可以用于降低受特征密度变化影响的其它制造过程的处理变化。
图2示出了根据本发明的一个实施方式的过程加载效应。
制造期间，抗蚀剂层202可以放置在二氧化硅层204上，该二氧化硅层204可以放置在晶片206上。在深度蚀刻处理期间可以使用反应离子208以创建沟槽。在一个位置的蚀刻率可以依赖该位置附近的特征密度。例如，低特征密度区域例如区域210中的蚀刻率可以比高特征密度区域例如区域212中的蚀刻率高。可以使用哑元填充来确保蚀刻率变化在可以接收的范围内。
芯片制造通常可以容忍一定范围的处理变化。如果该处理变化比可接受的范围大，所产生的芯片可能完全不工作或它们可能具有很差的性能量度。在当前集成密度，处理回旋余地是非常小的，即，所能接收的处理变化可能是非常小的。
对于深度蚀刻处理，我们可能需要确保沟槽深度在窄的值范围内。注意沟槽深度可以对该沟槽附近的反应离子浓度高度敏感。所述反应离子浓度，反过来，可以对特征密度高度敏感。因此，为确保高产量，可以要求特征密度在窄的值范围中。遗憾的是，传统的哑元填充技术通常没有设计为用于满足如此严格的特征密度约束。
此外，一旦哑元填充结构被放置到所述布局，则它们可能需要光学邻近校正和辅助特征以正确地印刷。然而，放置在布局中的哑元填充特征的数量可以是非常巨大的。因此，由于哑元填充特征的巨大数量，执行光学邻近校正和/或辅助特征放置可能是不切实际的。
本发明的一个实施方式提供用于放置哑元填充特征的系统和技术，以便特征密度在窄的密度值范围中。例如，所述窄的密度值范围可以是0.1％，其中0％密度值对应完全空闲的区域，而100％密度值对应完全占据的区域。此外，一个实施方式放置已经具有光学邻近校正和辅助特征的哑元填充结构，因此排除用于在哑元特征上执行光学邻近校正和/或辅助特征放置的需求。
用于执行哑元填充的过程
图3呈现了示出了根据本发明的一个实施方式用于在设计布局中执行哑元填充的过程的流程图。
所述过程可以从接收定义窄的目标密度范围的一个低目标密度和一个高目标密度开始(步骤302)。
接下来，所述系统可以接收设计布局，其包括密度小于所述低目标密度的区域(步骤304)。
在所述设计布局放置哑元填充形状可以增加密度，以便该密度在所述窄的目标密度范围中。在当前集成密度，哑元形状可以小到它们可能需要辅助特征和光学邻近校正以正确地印刷。然而，在所述设计布局放置哑元形状后，执行辅助特征放置和光学邻近校正可能是不切实际的或甚至计算上不可行的，原因是设计布局中要求的哑元特征的数量巨大。例如，DRAM(动态随机访问存储器)布局可能要求巨大数量的哑元填充结构，并且因此，在填充哑元的DRAM布局上应用分辨率增强技术是不切实际的。
本发明的一个实施方式使用一组已经具有光学邻近校正和辅助特征的哑元填充单元，以便所述实施方式不需要在放置哑元填充结构后应用分辨率增强技术。
继续图3中的流程图，继而，系统可以接收一组哑元填充单元(步骤306)。所述系统也可以接收所述哑元填充单元的相对位置。这些哑元填充单元可以用于创建可以填充任何大小矩形的哑元填充阵列。所述哑元填充单元组可以包括辅助特征和光学邻近校正，其可以使哑元形状正确地印刷，而不管所述哑元阵列的大小。注意哑元填充单元在填充哑元的阵列中可以或可以不互相邻接。
一般来说，所述哑元填充单元组可以包括一个或多个用于创建哑元填充阵列的单元。在一个实施方式中，所述哑元填充单元组可以包括三种单元：角单元、边单元和中心单元。在另一个实施方式中，所述哑元填充单元组可以包括九种单元：顶部左单元、顶部右单元、底部左元件、底部右单元、顶部中心单元、右中心单元、底部中心单元、左中心单元和中心单元。注意，在一些情况中，可能使用简单的几何操作(例如，旋转和/或映射)用于从三种单元组创建九种单元组。在另一个实施方式中，所述系统可以仅接收一种单元，其可以被复制从而形成任意大小的阵列。
图4示出了根据本发明的一个实施方式的一个哑元填充单元组。
一个哑元填充单元组可以包括顶部左单元402、顶部右单元406、底部左单元414、底部右单元418、顶部中心单元404、右中心单元412、底部中心单元416、左中心单元408和中心单元410。所述单元可以包括不同的形状和光学邻近校正和/或辅助特征。例如，在边单元例如右中心单元412(见放大图)中的结构、光学邻近校正和辅助特征，可以与在角单元例如底部右单元418(见放大图)中的结构、光学邻近校正和辅助特征不同。该哑元填充单元组可以具有以下重要特性：它们可以用于创建不要求任何附加的光学邻近校正或辅助特征放置以正确地印刷的任意大小的阵列。
接下来，所述系统可以确定在所述设计布局中用于用哑元填充单元填充的多边形(步骤308)。
在一个实施方式中系统在设计布局中放置块网格。块可以是正方形或矩形，其可以容纳九单元的阵列。网格中的每个块可以邻接邻居块。接下来，系统可以移除与设计布局中形状冲突的块。所述系统可以合并所述剩余块以得到多边形。
继而，系统可以断裂该多边形成一组矩形(步骤310)。在一个实施方式中，每个矩形的尺寸可以是网格块尺寸的整数倍。
在一个实施方式中，系统可以以如下方式将所述多边形断裂成一组矩形：其中没有矩形具有比上限更大的面积。这对于确保系统在执行哑元填充同时没有超过所述高密度值是所期望的。如果系统超过该高密度值，所述系统可以移除造成布局超过该高密度值的哑元填充阵列。
图5示出了根据本发明的一个实施方式系统如何可以确定多边形和将其断裂为一组矩形。
设计布局的区域502、区域504和区域506可以包括功能结构。所述系统可以在设计布局中放置网格508。网格508中的每个块可以大到足以包含九个或更多单元组。接下来，系统可以选择与所述设计布局中结构不相冲突的块。如果在块中放置单元违反设计规则，那么该块可能会与结构冲突。例如，系统可以选择网格508中阴影块。系统于是可以合并所选块以形成多边形。例如，所述系统可以合并网格508中阴影块以形成多边形。另外，系统可以移除与设计布局中结构冲突的块，并且合并剩余块以得到多边形。接下来，系统可以断裂该多边形以得到一组矩形，例如，矩形510、矩形512、矩形514、矩形516和矩形518。
接下来，系统可以使用哑元填充单元组用于在设计布局中放置哑元填充阵列，以填充所述矩形组中的矩形(步骤312)。在一个实施方式中，系统可以放置在顶部单元中哑元填充阵列。注意哑元填充阵列可能不能完全填充矩形，即，哑元填充阵列填充的面积可能比该矩形的面积小。
在一个实施方式中，系统可以选择具有最大面积的矩形。具体地，系统可以以矩形面积递减的顺序排列矩形，并且从最大的矩形开始填充矩形，直到布局的特征密度在低目标密度和高目标密度之间为止。
图6示出了根据本发明的一个实施方式的如何使用一组哑元填充单元来创建一个哑元填充阵列。
矩形602可以利用图4中所示的单元组填充。具体地，矩形602可以通过在角中放置角单元402、角单元406、角单元414和角单元418，沿着边放置边单元404、边单元408、边单元412和边单元416并利用中心单元410填充该矩形剩余部分。显而易见上述技术可以用于填充任意大小的矩形。在每个单元中的辅助特征和光学邻近校正设计为不管矩形大小，该辅助特征和光学邻近校正是有效的。
注意较小阵列可能具有较低密度，以及较大阵列可能具有较高密度。角单元和边单元可以包括亚分辨率辅助特征(SRAF)。因此，角单元和边单元的密度可能小于中心单元的密度，因为中心单元可能没有任何辅助特征，或它可能比角单元和边单元具有较少的辅助特征。例如，图4中所示的3×3阵列的密度可能小于图6中所示的4×7阵列的密度。在一个实施方式中，系统可以在填充较小的矩形前填充较大的矩形以便该系统尽快增加特征密度。
在一个实施方式中，系统可以分两步骤放置哑元填充阵列：首先，系统可以利用哑元填充单元组创建哑元填充阵列，然后所述系统可以在设计布局中放置哑元填充阵列。
具体地，系统可以首先确定在矩形中单元的相对位置。例如，图6中，系统可以确定阵列中所有单元关于底部左单元414位置的相对位置。接下来，系统可以在矩形602的底部左角604放置底部左单元414。该阵列中的其它单元于是可以利用它们关于底部左单元414的位置的相对位置而进行放置。在一个实施方式中，最小阵列大小可以是3×3。
注意：所述流程可以利用全局方法或基于窗口的方法执行哑元填充操作。在全局方法中，系统可以针对整个设计布局执行哑元填充。另一方面，在基于窗口的方法中，系统可以针对每个窗口执行哑元填充。
在一个实施方式中，系统可以以反复的方式执行哑元填充。例如，系统可以以它们面积的递减顺序排列矩形。接下来，系统可以通过填充最大面积的矩形和然后逐渐地填充较小面积的矩形来反复执行哑元填充。系统可以在该反复过程期间计算特征密度若干次(例如，系统可以在填充每个矩形后计算特征密度)，并且一旦布局(或窗口)的特征密度在可接受的密度范围中，所述系统可以结束该过程。
图7示出了根据本发明的一个实施方式的计算机系统。
计算机系统702包括处理器704、存储器706和存储设备708。计算机系统702可以与显示器714、键盘710和指点设备712耦合。存储设备708可以存储应用716和可以包括模块720的应用718。应用716和应用718可以包括当计算机执行时会使该计算机执行用于执行哑元填充的流程的指令。
在操作期间，计算机系统702可以加载应用716到存储器706。接下来，该系统可以利用应用716来执行哑元填充。备选地，哑元填充操作可以通过模块720来执行，其中模块720可以是用于执行IC设计流程中其它步骤的应用718的一部分。
结论
在该详细说明中描述的数据结构和代码通常存储在计算机可读存储介质上，其可以是任何可存储用于计算机系统使用的代码和/或数据的设备或介质。这包括但不限于：易失性存储器、非易失性存储器、磁和光存储设备例如磁盘驱动器、磁带、CD(压缩光盘)、DVD(数字多功能光盘或数字视频光盘)或其它的已知或将来开发的可以存储计算机可读介质的介质。
此外，前文已经给出的关于本发明的实施方式的描述仅出于说明和描述的目的。其并非意在于穷尽或者将本发明限制在所公开的形式。因此，许多修改和变化对本领域技术人员来说是显而易见的。此外，上述公开的内容并不试图限制本发明。本发明的范围由附加的权利要求来限定。