彩色滤光触控基板 【技术领域】
本发明涉及一种电容式触控面板，且特别涉及一种电容式触控面板的彩色滤光触控基板。
背景技术
随着触控式液晶面板制造技术的发展，电容触控液晶面板已经广泛应用于各种电子设备中。目前电容式触控液晶面板采用的彩色滤光触控基板，一般由双面工艺形成，包括玻璃基底、电容式感测器件、黑色矩阵、彩色滤光片以及共同电极等。传统的电容触控面板，是通过将电容式感测器件设于彩色滤光片的玻璃基底背面，而后在该玻璃基底另一面形成铬金属组成的黑色矩阵、彩色滤光片与共同电极等。
然而，尽管上述方法可以解决电容式触控液晶技术中的耦合电容现象，且可以较容易地设计触控电极图样，但却导致玻璃基底无法薄化，这成为制造现有彩色滤光触控基板的一个瓶颈。现有的玻璃基底的厚度一般而言不得小于0.5毫米，当电容式感测器件设于玻璃基底背面时，其也需要高硬度材料、性能稳定的结构才能提升彩色滤光触控基板的生产品质，因此在材料开发上具有较大难度。此外，将触控电极设于玻璃基底背面，容易在制造彩色滤光触控基板的过程中形成静电效应，以及刮伤该玻璃基底，造成不必要的损失。
【发明内容】
有鉴于此，有必要提供一种新型的彩色滤光触控基板，以解决上述材料厚度无法薄化，而影响彩色滤光触控基板品质的问题。
根据本发明的一个实施例，提供了一种彩色滤光触控基板，其对应于电容式触控液晶面板的薄膜晶体管基板而设置，包括：玻璃基底，具有面向所述薄膜晶体管基板的一侧及背向所述薄膜晶体管基板的另一侧；黑色矩阵，形成于所述玻璃基底面向薄膜晶体管基板的一侧，并暴露出部分所述玻璃基底；第一平坦层，形成于所述玻璃基底与所述黑色矩阵之上；电容式感测层，形成于所述第一平坦层上；第二平坦层，形成于所述电容式感测层上；及彩色滤光片，形成于所述第二平坦层上。
根据本发明的另一个实施例，提供了一种彩色滤光触控基板，其对应于电容式触控液晶面板的薄膜晶体管基板而设置，薄膜晶体管基板包含液晶层、阵列层及共用电极层，所述彩色滤光触控基板包括：玻璃基底，具有面向所述薄膜晶体管基板的一侧及背向所述薄膜晶体管基板的另一侧；黑色矩阵，形成于所述玻璃基底面向薄膜晶体管基板的一侧，并暴露出部分所述玻璃基底；电容式感测层，形成于所述黑色矩阵之间所述玻璃基底面向薄膜晶体管基板的一侧之上；第一平坦层，形成于所述电容式感测层与所述黑色矩阵上；彩色滤光片，形成于所述第一平坦层上；及第二平坦层，形成于所述彩色滤光片上。
根据本发明的又一实施例，提供了一种彩色滤光触控基板，用于触控式液晶面板中，对应于电容式触控液晶面板的薄膜晶体管基板而设置，包括：玻璃基底，具有面向所述薄膜晶体管基板的一侧及背向所述薄膜晶体管基板的另一侧；黑色矩阵，形成于所述玻璃基底面向薄膜晶体管基板的一侧，并暴露出部分所述玻璃基底；第一平坦层，形成于所述玻璃基底与所述黑色矩阵之上；第一电容式感测层，形成于所述第一平坦层上；第二平坦层，形成于所述第一电容式感测层上；彩色滤光片，形成于所述第二平坦层上；及第二电容式感测层，形成于所述玻璃基底背向所述薄膜晶体管基板的另一侧。
根据本发明的再一实施例，提供了一种彩色滤光触控基板，用于触控式液晶面板中，对应于电容式触控液晶面板的薄膜晶体管基板而设置，所述薄膜晶体管基板包含液晶层、阵列层及共用电极层，所述彩色滤光触控基板包括：玻璃基底，具有面向所述薄膜晶体管基板的一侧及背向所述薄膜晶体管基板的另一侧；黑色矩阵，形成于所述玻璃基底面向薄膜晶体管基板的一侧，并暴露出部分所述玻璃基底；第一电容式感测层，形成于所述黑色矩阵之间所述玻璃基底面向薄膜晶体管基板的一侧之上；第一平坦层，形成于所述第一电容式感测层上；彩色滤光片，形成于所述第一平坦层上；第二平坦层，形成于所述彩色滤光片上；及第二电容式感测层，形成于所述玻璃基底背向所述薄膜晶体管基板的另一侧。
通过本发明所示的彩色滤光触控基板，可以解决玻璃基板无法薄化的问题，并通过设置第一平坦层、彩色滤光片与第二平坦层形成一个三文治(sandwich)结构，增加电容式感测层与共用电极层之间的距离，有效减少寄生电容的产生，从而提高了彩色滤光触控基板的品质。
【附图说明】
为让本发明上述目的和其它特征、优点与实施例能更明显易懂，所附附图的详细说明如下：
图1是本发明一实施例的彩色滤光触控基板的结构方框示意图；
图2是本发明另一实施例的彩色滤光触控基板的结构方框示意图；
图3是本发明又一实施例的彩色滤光触控基板的结构方框示意图；及
图4是本发明又一实施例的彩色滤光触控基板的结构方框示意图。
【主要组件符号说明】
1、2、3、4：彩色滤光触控基板 108、210、308、410：第二平坦层
10、20、30、40：薄膜晶体管基板 110、208、310、408：彩色滤光片
100、200、300、400：玻璃基底 112、26、312：46共用电极层
102、202、302、402黑色矩阵 1061、2041、3061、4041：第一电极
104、206、304、406：第一平坦层 1063、2043、3062、4042：第一电桥
106、204：电容式感测层 1062、2042、3141、4121：第二电极
306、404：第一电容式感测层 1064、2044、3142、4122：第二电桥
314、412：第二电容式感测层 22、42：液晶层
24、44：阵列层
【具体实施方式】
图1为本发明一实施例的彩色滤光触控基板的结构方框示意图。在本实施例中，彩色滤光触控基板1的结构适用于各种触控式显示面板，如垂直配向型(VA)显示面板、水平切换型(IPS)显示面板、多域垂直配向型(MVA)显示面板、扭曲向型显示面板、图案垂直配向型(PVA)显示面板、边缘电场切换型(FFS)显示面板以及各种等离子体显示器(PDP)等装置。在本实施例中，即以垂直配向型(VA)显示面板结构为例予以说明。
请参阅图1，所示的触控式液晶显示面板包括彩色滤光触控基板1，其对应于电容式触控液晶面板的薄膜晶体管基板10而设置，包括：玻璃基底100，具有面向所述薄膜晶体管基板10的一侧及背向所述薄膜晶体管基板10的另一侧；黑色矩阵102，形成于所述玻璃基底100面向薄膜晶体管基板10的一侧，并暴露出部分所述玻璃基底100；第一平坦层104，形成于所述玻璃基底100与所述黑色矩阵102之上；电容式感测层106，形成于所述第一平坦层104上；第二平坦层108，形成于所述电容式感测层106上；彩色滤光片110，形成于所述第二平坦层108上；以及共用电极层112，形成于所述彩色滤光片110上。
在本实施方式中，玻璃基底100具有两侧，其中一侧面向薄膜晶体管基板10。黑色矩阵102形成于所述玻璃基底100面向薄膜晶体管基板10的一侧上，并暴露出部分所述玻璃基底100。其中黑色矩阵102可以是单层或者多层结构，且其材料可以是由绝缘材料所构成。在本实施方式中，黑色矩阵102更可以形成于所述玻璃基底100面向薄膜晶体管基板10的一侧的两端，并暴露出部分所述玻璃基底100，以便优化空间结构。
第一平坦层104形成于所述玻璃基底100与所述黑色矩阵102之上。在本实施方式中，第一平坦层104的厚度约为3微米左右，用以提供平坦化的表面，可以使得后续形成于其上的电容式感测层106具有平坦的结构，但并不限于本实施方式的第一平坦层104的厚度。在本实施方式中，所述第一平坦层104的材料可以是聚碳酸酯类的塑料材料，或者是其他涂层(overcoat)材料。如可以是有机材料如光致抗蚀剂、苯并环丁烯、环烯类、聚苯类、树脂类、聚醚类、聚酮类或其他可使用的材料；也可以是无机材料如氧化硅、氮氧化硅、碳化硅、氧化铝或是上述材料的组合，以及其他涂层材料，或是上述材料的组合。从而可通过第一平坦层104，使后续形成于其上的电容式感测层106各处的地势相同，以便产生均匀的电场。
电容式感测层106形成于所述第一平坦层104上，面向薄膜晶体管基板10，从而形成触控彩色滤光基板1的内建式(in-cell)结构。在本实施方式中，电容式感测层106可以是单层者多层结构，可包含任何具有良好导电性的材料。在本实施方式中，电容式感测层106主要可以包括采用氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)等透明导电材料，但并不仅限于此。在其他实施方式中，电容式感测层106可以包括非透明导电物质材料，如：金、银、铜、铝、钛、镉或是上述氮化物或氧化物，或上述合金或组合；还可以是非透明导电材料与透明导电材料的组合所构成。且，所述电容式感测层106的地势根据第一平坦层104的地势改变而改变，以便具有均匀电势。
电容式感测层106包括至少两个图案化第一电极1061以及至少两个图案化第二电极1062，且所述至少两个第一电极1061形成第一电桥1063，所述至少两个第二电极1062形成第二电桥1064，其中第一电桥1063与第二电桥1064绝缘。其中，用于使所述第一电桥1063与所述第二电桥1064绝缘的材料可以是无机材料如氧化硅、氮氧化硅、碳化硅、氧化铝或是上述材料的组合，以及其他绝缘材料；也可以是有机材料如苯并环丁烯、环烯类、聚苯类、树脂类、聚醚类、聚酮类或其他可使用的材料。在本实施方式中，电容式感测层106可通过蚀刻等工艺，被黑色矩阵层102部分覆盖，从而防止所述第一电桥1063与第二电桥1064发生短路现象。
第二平坦层108形成于所述电容式感测层106上，面向薄膜晶体管基板10，且具有均匀电势。用于进一步产生均匀的电场。在本实施方式中，第二平坦层108的材料可以是聚碳酸酯类的塑料材料，或者是其他涂层(overcoat)材料。如可以是有机材料如光致抗蚀剂、苯并环丁烯、环烯类、聚苯类、树脂类、聚醚类、聚酮类或其他可使用的材料；也可以是无机材料如氧化硅、氮氧化硅、碳化硅、氧化铝或是上述材料的组合，以及其他涂层材料，或是上述材料的组合。从而可通过第二平坦层108使所述彩色滤光片110具有平坦的地势结构，可以使其各处的地势相同，以便产生均匀的电场。
彩色滤光片110形成于所述第二平坦层108上，其厚度可以为3微米左右，可包含红色滤光片R、绿色滤光片G以及蓝色滤光片B。在本发明其他实施方式中，彩色滤光片还可包括白色滤光片W。本实施例中仅以彩色滤光片110包括红色滤光片R、绿色滤光片G以及蓝色滤光片B为例予以说明，但并不限于上述数值或上述颜色。
共用电极层112形成于彩色滤光片110上，面向薄膜晶体管基板10设置。在本实施方式中，所述共用电极层112为所述彩色滤光触控基板1的共用电极，可以具有单层或者多层的结构，可以是透明的导电材料如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)等，但并不仅限于此。在本发明的其他实施方式中，共用电极层112的材料可以根据其适用的电容式触控液晶面板的需求而选择。
图2为本发明另一实施例的彩色滤光触控基板的结构方框示意图。在本实施例中，彩色滤光触控基板2的结构适用于各种触控式显示面板，如垂直配向型(VA)显示面板、水平切换型(IPS)显示面板、多域垂直配向型(MVA)显示面板、扭曲向型显示面板、图案垂直配向型(PVA)显示面板、边缘电场切换型(FFS)显示面板以及各种等离子体显示器(PDP)等装置。在本实施例中，即以水平切换型(IPS)显示面板及边缘电场切换型(FFS)显示面板结构为例予以说明。
请参阅图2，在本实施方式中，彩色滤光触控基板2对应于电容式触控液晶面板的薄膜晶体管基板20设置，其中所述薄膜晶体管基板20包含液晶层22、阵列层24及共用电极层26。所述液晶层22可以是非自发光材料、自发光材料、自发光无机材料、自发光有机材料或者是上述材料的组合。如可以包含等离子体材料、荧光材料、磷光材料、发光二极管、有机发光二极管等。所述阵列层24可包含呈阵列排列的像素结构，用于显示图像，其中可包括薄膜晶体管、电性连接薄膜晶体管漏极的像素电极、电性连接薄膜晶体管栅极的扫描线以及电性连接薄膜晶体管源极的数据线等像素控制结构(图2未显示)。所述共用电极层26可作为所述彩色滤光触控基板2的共用电极，具有单层或者多层的结构，可以是透明的导电材料如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)等，但并不仅限于此。在本发明的其他实施方式中，共用电极层26的材料可以根据其适用的电容式触控液晶面板的需求而选择。在此，本发明并不对薄膜晶体管基板20的工作原理予以赘述。
在本实施方式中，彩色滤光触控基板2包括：玻璃基底200，具有面向所述薄膜晶体管基板20的一侧及背向所述薄膜晶体管基板20的另一侧；黑色矩阵202，形成于所述玻璃基底200面向薄膜晶体管基板20的一侧，并暴露出部分所述玻璃基底200；电容式感测层204，形成于所述黑色矩阵202之间所述玻璃基底面200向薄膜晶体管基板20的一侧之上；第一平坦层206，形成于所述电容式感测层上204与所述黑色矩阵202上，用于覆盖所述黑色矩阵202及电容式感测层204；彩色滤光片208，形成于所述第一平坦层上206；及第二平坦层210，形成于所述彩色滤光片208上。
玻璃基底200具有两侧，其中一侧面向薄膜晶体管基板20。黑色矩阵202形成于所述玻璃基底200面向薄膜晶体管基板20的一侧，并暴露出部分所述玻璃基底200。其中黑色矩阵202可以是单层或者多层结构，且其材料是由绝缘材料所构成。
电容式感测层204，形成于所述黑色矩阵202之间所述玻璃基底面200向薄膜晶体管基板20的一侧之上，从而形成内建式(in-cell)触控彩色滤光基板。在本实施方式中，电容式感测层204可以是单层者多层结构，可包含任何具有良好导电性的材料。在本实施方式中，电容式感测层204主要可以包括采用氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)等透明导电材料，但并不仅限于此。在其他实施方式中，电容式感测层204可以包括非透明导电物质材料，如：金、银、铜、铝、钛、镉或是上述氮化物或氧化物，或上述合金或组合；还可以是非透明导电材料与透明导电材料的组合所构成。
电容式感测层204包括至少两个图案化第一电极2041以及至少两个图案化第二电极2042，且所述至少两个第一电极2041形成第一电桥2043，所述至少两个第二电极2042形成第二电桥2044，其中第一电桥2043与第二电桥2044绝缘。其中，用于使所述第一电桥2043与所述第二电桥2044绝缘的材料可以是无机材料如氧化硅、氮氧化硅、碳化硅、氧化铝或是上述材料的组合，以及其他绝缘材料；也可以是有机材料如苯并环丁烯、环烯类、聚苯类、树脂类、聚醚类、聚酮类或其他可使用的材料。在本实施方式中，电容式感测层204可通过蚀刻等工艺，被黑色矩阵层102部分覆盖，从而防止所述第一电桥2043与第二电桥2044发生短路现象。
第一平坦层206设置在所述电容式感测层204与所述黑色矩阵202上，面向薄膜晶体管基板20。在本实施方式中，第一平坦层204的厚度约为3微米左右，用以提供平坦化的表面，可以使得所述电容式感测层204以及后续形成于其上的彩色滤光片208具有平坦的结构，但并不限于本实施方式的第一平坦层206的厚度。在本实施方式中，所述第一平坦层206的材料可以是聚碳酸酯类的塑料材料，或者是其他涂层(overcoat)材料。如可以是有机材料如光致抗蚀剂、苯并环丁烯、环烯类、聚苯类、树脂类、聚醚类、聚酮类或其他可使用的材料；也可以是无机材料如氧化硅、氮氧化硅、碳化硅、氧化铝或是上述材料的组合，以及其他涂层材料，或是上述材料的组合。从而可通过第一平坦层206，使所述电容式感测层204与所述黑色矩阵202各处的地势相同，以便产生均匀的电场。在本实施方式中，所述电容式感测层204与所述黑色矩阵202的地势根据第一平坦层206的地势改变而改变。
彩色滤光片208形成于所述第一平坦层上206上，面向薄膜晶体管基板20，其厚度可以为3微米左右，可包含红色滤光片R、绿色滤光片G以及蓝色滤光片B。在本发明其他实施方式中，彩色滤光片还可包括白色滤光片W。本实施例中仅以彩色滤光片210包括红色滤光片R、绿色滤光片G以及蓝色滤光片B为例予以说明，但并不限于此数值或上述颜色。本实施方式中，所述彩色滤光片208的地势根据第一平坦层206的地势改变而改变，以便具有均匀的电势。
第二平坦层210形成于所述彩色滤光片208上，面向薄膜晶体管基板20，且具有均匀电势，用于进一步产生均匀的电场。在本实施方式中，第二平坦层210的材料可以是聚碳酸酯类的塑料材料，或者是其他涂层(overcoat)材料。如可以是有机材料如光致抗蚀剂、苯并环丁烯、环烯类、聚苯类、树脂类、聚醚类、聚酮类或其他可使用的材料；也可以是无机材料如氧化硅、氮氧化硅、碳化硅、氧化铝或是上述材料的组合，以及其他涂层材料，或是上述材料的组合。从而可通过第二平坦层210使所述彩色滤光片208具有平坦的地势结构，可以使其各处的地势相同，以便进一步产生均匀的电场。
在本实施方式中，所述第一平坦层206与第二平坦层210中间设置彩色滤光片208，则三者组成了一个三文治(sandwich)结构，该结构可有效增加电容式感测层204与所述共用电极层26之间的距离，从而可以有效减小电容式感测层204与共用电极层26因距离较近而产生的寄生耦合电容现象，提高其所适用的触控式液晶面板的品质。
图3为本发明又一实施例的彩色滤光触控基板的结构方框示意图。在本实施例中，彩色滤光触控基板3的结构适用于各种触控式显示面板，如垂直配向型(VA)显示面板、水平切换型(IPS)显示面板、多域垂直配向型(MVA)显示面板、扭曲向型显示面板、图案垂直配向型(PVA)显示面板、边缘电场切换型(FFS)显示面板以及各种等离子体显示器(PDP)等装置。在本实施例中，即以垂直配向型(VA)显示面板结构为例予以说明。
请参阅图3，所示为一种彩色滤光触控基板3，用于触控式液晶面板中，对应于电容式触控液晶面板的薄膜晶体管基板30而设置，包括：玻璃基底300，具有面向所述薄膜晶体管基板30的一侧及背向所述薄膜晶体管基板30的另一侧；黑色矩阵302，形成于所述玻璃基底300面向薄膜晶体管基板30的一侧，并暴露出部分所述玻璃基底300；第一平坦层304，形成于所述玻璃基底300与所述黑色矩阵302上；第一电容式感测层306，形成于所述第一平坦层304上；第二平坦层308，形成于所第一述第一电容式感测层306上；彩色滤光片310，形成于所述第二平坦层308上；第二电容式感测层314，形成于所述玻璃基底300背向所述薄膜晶体管基板30的另一侧；以及共用电极层312，形成于所述彩色光片310上。
在本实施方式中，玻璃基底300具有两侧，一侧面向所述薄膜晶体管基板30，一侧背向所述薄膜晶体管基板30。黑色矩阵302，形成于所述玻璃基底300面向薄膜晶体管基板30的一侧，并暴露出部分所述玻璃基底300。在本实施方式中，黑色矩阵302更可以形成于所述玻璃基底300面向薄膜晶体管基板30的一侧的两端，以便优化空间结构。其中黑色矩阵302可以是单层或者多层结构，且其材料是由绝缘材料所构成，。
第一平坦层304形成于所述玻璃基底300与所述黑色矩阵302上。在本实施方式中，第一平坦层304的厚度约为3微米左右，用以提供平坦化的表面，可以使得后续形成于其上的电容式感测层具有平坦的结构，但并不限于本实施方式的第一平坦层304的厚度。在本实施方式中，所述第一平坦层304的材料可以是聚碳酸酯类(PC)的塑料材料，或者是其他涂层(overcoat)材料。如可以是有机材料如光致抗蚀剂、苯并环丁烯、环烯类、聚苯类、树脂类、聚醚类、聚酮类或其他可使用的材料；也可以是无机材料如氧化硅、氮氧化硅、碳化硅、氧化铝或是上述材料的组合，以及其他涂层材料，或是上述材料的组合。从而可通过第一平坦层304，使所述第一电容式感测层306各处的地势相同，以便产生均匀的电场。
第一电容式感测层306形成于所述第一平坦层304上，面向薄膜晶体管基板30，从而形成内建式(in-cell)触控彩色滤光基板。在本实施方式中，所述第一电容式感测层306可以是单层或者多层膜结构，可包含任何具有良好导电性的材料。本实施方式中，第一电容式感测层306主要可以包括采用氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)等透明导电材料，但并不仅限于此。在其他实施方式中，电容式感测层306可以包括非透明导电物质材料，如：金、银、铜、铝、钛、镉或是上述氮化物或氧化物，或上述合金或组合；还可以是非透明导电材料与透明导电材料的组合所构成。在本实施方式中，所述第一电容式感测层306的地势根据第一平坦层304的地势改变而改变，以便产生均匀的电场。
第一电容式感测层306包括至少两个图案化第一电极3061且所述至少两个第一电极3061形成第一电桥3062。在本实施方式中，第一电容式感测层306可通过蚀刻等工艺，被黑色矩阵层302覆盖，从而防止所述第一电桥3062发生短路现象。
第二平坦层308形成于所述第一电容式感测层306上，面向薄膜晶体管基板30，且具有均匀电势，用于进一步产生均匀的电场。在本实施方式中，第二平坦层308的材料可以是聚碳酸酯类的塑料材料，或者是其他涂层(overcoat)材料。如可以是有机材料如光致抗蚀剂、苯并环丁烯、环烯类、聚苯类、树脂类、聚醚类、聚酮类或其他可使用的材料；也可以是无机材料如氧化硅、氮氧化硅、碳化硅、氧化铝或是上述材料的组合，以及其他涂层材料，或是上述材料的组合。从而可通过第二平坦层308使后续形成于其上的彩色滤光片310具有平坦的地势结构，可以使其各处的地势相同，以便产生均匀的电场。
彩色滤光片310，形成于所述第二平坦层308上，面向薄膜晶体管基板30，其厚度可以为3微米左右，可包含红色滤光片R、绿色滤光片G以及蓝色滤光片B。在本发明其他实施方式中，彩色滤光片还可包括白色滤光片W。本实施例中仅以彩色滤光片310包括红色滤光片R、绿色滤光片G以及蓝色滤光片B为例予以说明，但并不限于此数值或上述颜色。
共用电极层312形成于彩色滤光片310上，面向薄膜晶体管基板30设置。在本实施方式中，所述共用电极层312为所述彩色滤光触控基板3的共用电极，可以具有单层或者多层的结构，可以是透明的导电材料如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)等，但并不仅限于此。在本发明的其他实施方式中，共用电极层312的材料可以根据其适用的电容式触控液晶面板的需求而选择。
第二电容式感测层314，形成于所述玻璃基底300背向薄膜晶体管基板30的一侧。在本实施方式中，所述第二电容式感测层314可以是单层或者多层膜结构，且可以包含任何导电材料。可以通过金属掩膜溅射(metal mask sputtering)形成于所述玻璃基底300背向薄膜晶体管基板30的一侧。第二电容式感测层314包括至少两个图案化第二电极3141，且所述至少两个第二电极3141形成第二电桥3142。在本实施方式中，第二电容式感测层314主要可以包括采用氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)等透明导电材料，但并不仅限于此。在其他实施方式中，第二电容式感测层314可以包括非透明导电物质材料，如：金、银、铜、铝、钛、镉或是上述氮化物或氧化物，或上述合金或组合；还可以是非透明导电材料与透明导电材料的组合所构成。第一电容式感测层306与所述第二电容式感测层314分别形成于所述玻璃基底300的两侧，可以有效减少使得所述第一电桥3062与第二电桥3142之间绝缘的材料损耗。
由此，所述第一电容式感测层306与所述第二电容式感测层314分别形成于所述玻璃基底300的两侧，既实现了内建式的触控方式，减少了寄生电容的产生，又可以有效解决现有玻璃基底无法薄化的问题。
图4为本发明再一实施例的彩色滤光触控基板的结构方框示意图。在本实施例中，彩色滤光触控基板4的结构适用于各种触控式显示面板，如垂直配向型(VA)显示面板、水平切换型(IPS)显示面板、多域垂直配向型(MVA)显示面板、扭曲向型显示面板、图案垂直配向型(PVA)显示面板、边缘电场切换型(FFS)显示面板以及各种等离子体显示器(PDP)等装置。在本实施例中，即以水平切换型(IPS)显示面板及边缘电场切换型(FFS)显示面板结构为例予以说明。
请参阅图4，所示为一种彩色滤光触控基板4，对应于电容式触控液晶面板的薄膜晶体管基板40而设置，所述薄膜晶体管基板40包含液晶层42、阵列层44及共用电极层46。所述液晶层42可以是非自发光材料、自发光材料、自发光无机材料、自发光有机材料或者是上述材料的组合。如可以包含等离子体材料、荧光材料、磷光材料、发光二极管、有机发光二极管等。所述阵列层44可包含呈阵列排列的像素结构，用于显示图像，其中可包括薄膜晶体管、电性连接薄膜晶体管漏极的像素电极、电性连接薄膜晶体管栅极的扫描线以及电性连接薄膜晶体管源极的数据线等像素控制结构(图4未显示)。所述共用电极层46可作为所述彩色滤光触控基板4的共用电极，具有单层或者多层的结构，可以是透明的导电材料如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)等，但并不仅限于此。在本发明的其他实施方式中，共用电极层46的材料可以根据其适用的电容式触控液晶面板的需求而选择。在此，本发明并不对薄膜晶体管基板40的工作原理予以赘述。
在本实施方式中，彩色滤光触控基板4包括：玻璃基底400，具有面向所述薄膜晶体管基板40的一侧及背向所述薄膜晶体管基板40的另一侧；黑色矩阵402，形成于所述玻璃基底400面向薄膜晶体管基板40的一侧，并暴露出部分所述玻璃基底400；第一电容式感测层404，形成于所述黑色矩阵402之间所述玻璃基底400面向薄膜晶体管基板40的一侧之上；第一平坦层406，形成于所述第一电容式感测层上404，用于覆盖所述黑色矩阵402及第一电容式感测层404；彩色滤光片408，形成于所述第一平坦层406上；第二平坦层410，形成于所述彩色滤光片408上；及第二电容式感测层412，形成于所述玻璃基底400背向所述薄膜晶体管基板40的另一侧。
在本实施方式中，玻璃基底400具有两侧，一侧面向所述薄膜晶体管基板40，一侧背向所述薄膜晶体管基板40。黑色矩阵402，形成于所述玻璃基底400面向薄膜晶体管基板40的一侧，并暴露出部分所述玻璃基底400。其中黑色矩阵402可以是单层或者多层结构，且其材料是由绝缘材料所构成。
第一电容式感测层404，形成于所述黑色矩阵402之间所述玻璃基底400面向薄膜晶体管基板40的一侧之上，从而形成内建式(in-cell)触控彩色滤光基板。在本实施方式中，所述第一电容式感测层404可以是单层或者多层膜结构，可包含任何具有良好导电性的材料。本实施方式中，第一电容式感测层404主要可以包括采用氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)等透明导电材料，但并不仅限于此。在其他实施方式中，第一电容式感测层404可以包括非透明导电物质材料，如：金、银、铜、铝、钛、镉或是上述氮化物或氧化物，或上述合金或组合；还可以是非透明导电材料与透明导电材料的组合所构成。
第一电容式感测层404包括至少两个图案化第一电极4041，且所述至少两个第一电极4041形成第一电桥4042。在本实施方式中，第一电容式感测层404可通过蚀刻等工艺，被黑色矩阵层402覆盖，从而防止所述第一电桥4042发生短路现象。
第一平坦层406设置在所述第一电容式感测层404上。在本实施方式中，第一平坦层406的厚度约为3微米左右，用以提供平坦化的表面，可以使得后续形成于其上的彩色滤光片408具有平坦的结构，但并不限于本实施方式的第一平坦层406的厚度。在本实施方式中，所述第一平坦层406的材料可以是聚碳酸酯类(PC)的塑料材料，或者是其他涂层(overcoat)材料。如可以是有机材料如光致抗蚀剂、苯并环丁烯、环烯类、聚苯类、树脂类、聚醚类、聚酮类或其他可使用的材料；也可以是无机材料如氧化硅、氮氧化硅、碳化硅、氧化铝或是上述材料的组合，以及其他涂层材料，或是上述材料的组合。在本实施方式中，第一电容式感测层404的地势随着第一平坦层406的地势变化而变化。从而可通过第一平坦层406，使所述第一电容式感测层404各处的地势相同，以便产生均匀的电场。
彩色滤光片408，形成于所述第一平坦层406上，面向薄膜晶体管基板40，可包含红色滤光片R、绿色滤光片G以及蓝色滤光片B。在本发明其他实施方式中，彩色滤光片还可包括白色滤光片W。本实施例中仅以彩色滤光片408包括红色滤光片R、绿色滤光片G以及蓝色滤光片B为例予以说明。其厚度可以为3微米左右，但并不限于此数值或上述颜色。
第二平坦层410形成于所述彩色滤光片408上，面向薄膜晶体管基板40，且具有均匀电势，用于进一步产生均匀的电场。在本实施方式中，第二平坦层410的材料可以是聚碳酸酯类的塑料材料，或者是其他涂层(overcoat)材料。如可以是有机材料如光致抗蚀剂、苯并环丁烯、环烯类、聚苯类、树脂类、聚醚类、聚酮类或其他可使用的材料；也可以是无机材料如氧化硅、氮氧化硅、碳化硅、氧化铝或是上述材料的组合，以及其他涂层材料，或是上述材料的组合。从而可通过第二平坦层410使所述彩色滤光片408进一步具有平坦的地势结构，以便产生均匀的电场。
第二电容式感测层412，形成于所述玻璃基底400背向薄膜晶体管基板40的一侧。在本实施方式中，所述第二电容式感测层412可以是单层或者多层膜结构，且可以包含任何导电材料。可以通过金属掩膜溅射(metal mask sputtering)形成于所述玻璃基底400背向薄膜晶体管基板40的一例。第二电容式感测层412包括至少两个图案化第二电极4121，且所述至少两个第二电极4121形成第二电桥4122。在本实施方式中，第二电容式感测层412主要可以包括采用氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)等透明导电材料，但并不仅限于此。在其他实施方式中，第二电容式感测层412可以包括非透明导电物质材料，如：金、银、铜、铝、钛、镉或是上述氮化物或氧化物，或上述合金或组合；还可以是非透明导电材料与透明导电材料的组合所构成。第一电容式感测层404与所述第二电容式感测层412分别形成于所述玻璃基底400的两侧，可以有效减少使得所述第一电桥4042与第二电桥4122之间绝缘的材料损耗。
由此，所述第一电容式感测层404与所述第二电容式感测层412分别形成于所述玻璃基底400的两侧，既实现了内建式的触控方式，减少了寄生耦合电容的产生，又可以有效解决现有玻璃基底无法薄化的问题。
虽然本发明内容已以实施方式揭露如上，然其并非用以限定本发明内容，任何本领域的技术人员，在不脱离本发明内容的精神和范围内，当可作各种的变更与修饰，因此本发明内容的保护范围应当以权利要求所界定的范围为准。