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即使在1个芯片内形成IGBT和续流二极管,也能良好地控制IGBT和二极管的二种电特性(导通电压)。在续流二极管内置型IGBT中,将研磨后的晶片厚度D设定为小于等于200m,将阴极N+层8的厚度T8和P+集电极层9的厚度T9都设定为小于等于2m。再者,将关于宽度方向X的阴极N+层8和P+集电极层9的宽度的和设定为大于等于50m至小于等于200m的范围内。此时,界面IF中P+集电极层9与集电极10的界。