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GAN基半导体光器件、GAN基半导体光器件的制作方法、<em>外延</em>晶片及GAN基半导体膜的生长方法.pdf
采用金属有机化合物气相<em>外延</em>技术生长高抗静电能力发光二极管的方法.pdf
在4H型单晶碳化硅<em>外延</em>层上制备的基区渐变PSUP/SUPNNSUP/SUP型SIC超快恢复二极管及工艺.pdf
III族氮化物半导体激光器元件、制作III族氮化物半导体激光器元件的方法及<em>外延</em>基板.pdf
采用金属有机化合物气相<em>外延</em>技术生长非对称电子储蓄层高亮度发光二极管的方法.pdf
<em>外延</em>生长用基板、GAN类半导体膜的制造方法、GAN类半导体膜、GAN类半导体发光元件的制造方法以及GAN类半导体发光元件.pdf
一种CARUOSUB3/SUB/LASUB2/3/SUBCASUB1/3/SUBMNOSUB3/SUB/CARUOSUB3/SUB三明治结构<em>外延</em>薄膜及其制备方法和应用.pdf
第Ⅲ族氮化物半导体生长基板、第Ⅲ族氮化物半导体<em>外延</em>基板、第Ⅲ族氮化物半导体元件、第Ⅲ族氮化物半导体自立基板及它们的制造方法.pdf
一种用于形成如图5所示具有衬底2、带有至少一个沟槽52的电压维持<em>外延</em>层1、以及邻接并环绕该沟槽的掺杂区（5A）的功率半导体器件的方法.pdf
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