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具有高介电常数栅极绝缘层和与衬底形成肖特基接触的<em>源</em><em>极</em>和<em>漏</em><em>极</em>的晶体管.pdf

具有高介电常数栅极绝缘层和与衬底形成肖特基接触的源极和漏极的晶体管.pdf

时间: 2018-04-01 页数: 32

一种制作阶梯型<em>源</em><em>漏</em><em>极</em>欧姆接触氮化镓场效应管的方法.pdf

一种制作阶梯型源漏极欧姆接触氮化镓场效应管的方法.pdf

时间: 2018-06-19 页数: 11

使用氧化硅衬垫的离子注入以防止掺杂剂自<em>源</em><em>极</em>/<em>漏</em><em>极</em>延伸部向外扩散的方法.pdf

使用氧化硅衬垫的离子注入以防止掺杂剂自源极/漏极延伸部向外扩散的方法.pdf

时间: 2018-03-04 页数: 16

使用用于<em>源</em><em>极</em>/<em>漏</em>极限域的间隔物的半导体器件的制作方法.pdf

使用用于源极/漏极限域的间隔物的半导体器件的制作方法.pdf

时间: 2018-03-02 页数: 14

具有高掺杂<em>源</em>/<em>漏</em><em>极</em>和应变增强器的N型场效应晶体管.pdf

具有高掺杂源/漏极和应变增强器的N型场效应晶体管.pdf

时间: 2018-03-31 页数: 20

具有与应变半导体基片形成肖特基或肖特基类接触的<em>源</em><em>极</em>和/或<em>漏</em><em>极</em>的场效应晶体管.pdf

具有与应变半导体基片形成肖特基或肖特基类接触的源极和/或漏极的场效应晶体管.pdf

时间: 2018-03-05 页数: 13

组态及制造具有沿着<em>源</em><em>极</em>/<em>漏</em><em>极</em>区带的带有经裁制袋部的非对称场效应晶体管的半导体结构.pdf

组态及制造具有沿着源极/漏极区带的带有经裁制袋部的非对称场效应晶体管的半导体结构.pdf

时间: 2018-09-13 页数: 312

具有引发应力的<em>源</em><em>极</em>/<em>漏</em><em>极</em>形成用间隔件的鳍式场效晶体管结构及用以制造该鳍式场效晶体管结构的方法.pdf

具有引发应力的源极/漏极形成用间隔件的鳍式场效晶体管结构及用以制造该鳍式场效晶体管结构的方法.pdf

时间: 2018-09-13 页数: 20

形成存储器单元阵列的方法、形成多个场效应晶体管的方法、形成<em>源</em><em>极</em>/<em>漏</em><em>极</em>区域及隔离沟槽的方法及在衬底中形成一系列间隔沟槽的方法.pdf

形成存储器单元阵列的方法、形成多个场效应晶体管的方法、形成源极/漏极区域及隔离沟槽的方法及在衬底中形成一系列间隔沟槽的方法.pdf

时间: 2018-09-13 页数: 23

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