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用于沉积的FET沟道的自对准到栅极的外延<em>源</em><em>极</em>/<em>漏</em><em>极</em>接触.pdf
嵌入式<em>源</em>/<em>漏</em><em>极</em>MOS晶体管的制造方法.pdf
<em>源</em><em>漏</em><em>极</em>离子注入偏差的监控结构和监控方法.pdf
晶体管内与先进的硅化物形成结合的凹槽式<em>漏</em><em>极</em>和<em>源</em><em>极</em>区.pdf
具有晕圈<em>源</em><em>极</em>/<em>漏</em><em>极</em>扩散的芯片上的无晕圈非整流接触.pdf
具有双金属层<em>源</em><em>极</em>和<em>漏</em><em>极</em>的液晶显示器及其制造方法.pdf
埋入式<em>源</em>/<em>漏</em><em>极</em>区的存储器组件的制造方法.pdf
一种SRAM<em>源</em><em>漏</em><em>极</em>尺寸的光学临近修正建模方法.pdf
具有抬升的<em>源</em><em>极</em>和<em>漏</em><em>极</em>结构的金氧半晶体管及其制造方法.pdf
<em>源</em><em>极</em>和<em>漏</em><em>极</em>区的外延形成机制的非对称循环沉积和蚀刻工艺.pdf
电性程序化的金属氧化半导体晶体管<em>源</em><em>极</em>/<em>漏</em><em>极</em>串联电阻.pdf
用以定义TFT的<em>源</em><em>极</em>、<em>漏</em><em>极</em>与半导体层的图案的灰阶光罩.pdf
带<em>源</em><em>极</em>和<em>漏</em><em>极</em>绝缘区域的单晶体管存储装置及其制造方法.pdf
通过部分熔化升高的<em>源</em><em>极</em><em>漏</em><em>极</em>的晶体管的脉冲激光退火工艺.pdf
提高晶圆上<em>源</em><em>漏</em><em>极</em>退火时工作电流均匀性的方法.pdf
具有减小的栅极到<em>源</em><em>极</em>与栅极到<em>漏</em><em>极</em>重叠电容的金属栅极MOS晶体管.pdf
监测<em>源</em>/<em>漏</em><em>极</em>与栅极接合处漏电流和结电容的结构.pdf
形成在<em>源</em><em>漏</em><em>极</em>上具有金属硅化物的晶体管的方法.pdf
在窄隔离有界的<em>源</em><em>极</em>/<em>漏</em><em>极</em>区上形成改善的EPI填充的方法及由此形成的结构.pdf
在应变薄膜上植入有冷和/或分子碳的升起式<em>源</em><em>极</em>/<em>漏</em><em>极</em>的形成方法.pdf
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