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金属斜角蚀刻结构、<em>源</em><em>极</em>/<em>漏</em><em>极</em>与栅极结构及其制造方法.pdf
FINFET中的鳍间隔件保护的<em>源</em><em>极</em>和<em>漏</em><em>极</em>区.pdf
<em>源</em><em>极</em>和<em>漏</em><em>极</em>上具有不同硅化物的纳米线MOSFET.pdf
形成凹陷式<em>源</em><em>极</em>/<em>漏</em><em>极</em>接面的半导体元件的方法.pdf
垫高<em>源</em>/<em>漏</em><em>极</em>区的半导体组件制造方法.pdf
绝缘<em>源</em><em>漏</em><em>极</em>MOS晶体管及其制造方法.pdf
具有包括多段的<em>源</em><em>极</em>/<em>漏</em><em>极</em>区的集成电路器件.pdf
FINFET器件的<em>源</em><em>极</em>区和<em>漏</em><em>极</em>区中的位错形成.pdf
<em>源</em><em>极</em>及<em>漏</em><em>极</em>中聚含掺质金属的晶体管.pdf
以凹陷<em>漏</em><em>极</em>及<em>源</em><em>极</em>区降低晶体管结电容值.pdf
具有非分立的<em>源</em><em>极</em>区和<em>漏</em><em>极</em>区的纳米线结构.pdf
避免<em>漏</em><em>极</em>/<em>源</em><em>极</em>延伸的超浅层接面发生漏电流的方法.pdf
具有应变纳米线沟道及嵌入式SIGE<em>源</em><em>极</em>和<em>漏</em><em>极</em>应力<em>源</em>的PFET.pdf
用于制造TFT的掩膜及制造TFT的<em>源</em><em>极</em>/<em>漏</em><em>极</em>的方法.pdf
具有抬高的<em>源</em><em>极</em>/<em>漏</em><em>极</em>结构的MOS晶体管及其制造方法.pdf
具有用于<em>源</em><em>极</em>和<em>漏</em><em>极</em>的支撑结构的纳米线MOSFET.pdf
具有不同的<em>源</em><em>极</em>和<em>漏</em><em>极</em>延伸部分间隔的互补晶体管.pdf
具有浅<em>源</em><em>极</em>/<em>漏</em><em>极</em>结区的MOS晶体管的制造方法.pdf
具有并联供电的<em>源</em><em>极</em>和<em>漏</em><em>极</em>的使用FN隧穿的NVM器件.pdf
具有准自对准<em>源</em><em>极</em>/<em>漏</em><em>极</em>FINFET的半导体器件及其形成方法.pdf
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