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1、(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 202180059423.9(22)申请日 2021.05.26(30)优先权数据10-2020-0063020 2020.05.26 KR(85)PCT国际申请进入国家阶段日2023.01.19(86)PCT国际申请的申请数据PCT/KR2021/006563 2021.05.26(87)PCT国际申请的公布数据WO2021/242013 KO 2021.12.02(71)申请人 LG伊诺特有限公司地址 韩国首尔(72)发明人 金南宪金昌济林成焕(74)专利代理机构 北京鸿元知识产权代理有限公司。
2、 11327专利代理师 李琳陈英俊(51)Int.Cl.H01L 23/498(2006.01)(54)发明名称封装基板(57)摘要根据实施例的封装基板包括：第一基板；以及第一芯片，安装在第一基板上；其中第一基板包括：第一绝缘层，具有在垂直方向上与第一芯片重叠的第一区域和除第一区域之外的第二区域；电路图案，设置在第一绝缘层的第一区域和第二区域上，电路图案包括：焊盘部，具有设置在第一绝缘层的第二区域的上表面上的第一部分、埋设在第一绝缘层的第一区域中的第二部分和第三部分，第三部分的至少一部分埋设在第一绝缘层的第一区域中并连接第一部分和第二部分，第一绝缘层的第一区域围绕第一芯片的下表面和侧表面的底部。
3、填充物，并且第一绝缘层的第一区域和第二区域是包括彼此相同的绝缘材料的单一绝缘层。权利要求书2页 说明书16页 附图10页CN 116157919 A2023.05.23CN 116157919 A1.一种封装基板，包括：第一基板；以及第一芯片，所述第一芯片安装在所述第一基板上；其中，所述第一基板包括：第一绝缘层，所述第一绝缘层包括在垂直方向上与所述第一芯片重叠的第一区域以及除所述第一区域之外的第二区域；以及电路图案，所述电路图案设置在所述第一绝缘层的所述第一区域和所述第二区域上，其中，所述电路图案包括：焊盘部，所述焊盘部包括第一部分、第二部分以及第三部分，所述第一部分设置在所述第一绝缘层的所述。
4、第二区域的上表面上，所述第二部分埋设在所述第一绝缘层的所述第一区域中，所述第三部分的至少一部分埋设在所述第一绝缘层的所述第一区域中并且所述第三部分将所述第一部分和所述第二部分连接，其中，所述第一芯片的至少一部分设置在所述第一绝缘层的所述第一区域中，其中，所述第一绝缘层的所述第一区域围绕所述第一芯片的下表面和侧表面，并且其中，所述第一绝缘层的所述第一区域和所述第二区域是单一绝缘层。2.根据权利要求1所述的封装基板，其中，在所述第一绝缘层的所述第一区域中，所述焊盘部的所述第三部分相对于所述第一绝缘层的下表面以预定的倾斜角设置。3.根据权利要求1所述的封装基板，其中，所述焊盘部的所述第三部分包括彼此。
5、间隔开的多条分支线，所述多条分支线将所述焊盘部的所述第一部分与所述第三部分连接。4.根据权利要求1所述的封装基板，其中，所述焊盘部的所述第三部分以将所述第一绝缘层的所述第一区域的中心区域为基准所述焊盘部的所述第二部分的设置位置所对应的方向性而设置。5.根据权利要求1所述的封装基板，其中，所述第一基板包括设置在所述第一绝缘层的下表面的下方的第二绝缘层；并且其中，所述第二绝缘层包括已固化的环氧树脂或玻璃转移温度比所述第一绝缘层的玻璃转移温度高的热塑性树脂。6.根据权利要求5所述的封装基板，其中，所述焊盘部的所述第二部分设置在所述第二绝缘层的上表面上。7.根据权利要求1所述的封装基板，其中，设有多个。
6、所述焊盘部，其中，所述电路图案包括虚设焊盘，所述虚设焊盘设置在所述多个焊盘部的第三部分之间并且与所述第一芯片电绝缘。8.根据权利要求1所述的封装基板，还包括：凸块，所述凸块设置在所述第一芯片的下表面的下方；并且其中，所述凸块埋设在所述第一绝缘层的所述第一区域中，并与所述焊盘部的所述第三部分的上表面直接接触。9.根据权利要求1所述的封装基板，还包括：第二基板，所述第二基板设置在第一基板上，第二芯片安装在所述第二基板上；并且其中，所述第二基板的绝缘层的玻璃转移温度比所述第一基板的所述第一绝缘层的玻璃转移温度低。权利要求书1/2 页2CN 116157919 A210.根据权利要求1所述的封装基板，。
7、其中，所述第一绝缘层包括聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、液晶聚合物(LCP)、聚醚醚酮(PEEK)、聚四氟乙烯(PTFE)、聚苯硫醚(PPS)、和光各向同性聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)中的至少一种热塑性树脂，或者，包括在所述第一区域中的晶向与在所述第二区域中的晶向不同的液晶聚合物(LCP)。权利要求书2/2 页3CN 116157919 A3封装基板技术领域0001实施例涉及一种封装基板。背景技术0002在信息和通信的发展以及有效克服设备的复杂性的维度上，对半导体器件的集成化以及集成器件的小型化和轻量化的需求逐渐增加，并且相应地，在单个空间内安装多个芯片，即一般使用封装半导体。0003封装是通。
8、过将芯片安装在形成有外部端子的基板上并额外成型来完成。0004这里，外部端子是指形成在基板上的端子，该端子将基板和芯片电连接，根据外部端子与芯片之间的连接类型，封装可分为线粘合(bonding)、倒装芯片粘合等。0005为了详细说明一般描述，线粘合方法是将芯片放置在形成有引线的基板上，并使用细线连接半导体芯片的外部端子和电极图案的方法。倒装芯片粘合方法是指在电极图案上形成由诸如Sn/Pb的材料制成的称为焊球的突起并在芯片安装在基板上时通过该突起进行电连接的方法。0006这里，与线粘合方法不同，倒装芯片型封装方法是安装其上形成有焊球或凸块的芯片，使其翻转面面向基板方向的方法，其是半导体封装中可以。
9、实现最小形态的技术。0007即，倒装芯片粘合方法是指在半导体器件的输入/输出端子电极上形成导电凸块，并在凸块与作为包括在基板中的电极端子的焊盘之间形成电连接的方法。0008然而，如上所述的倒装芯片粘合方法具有下述问题：在如上所述连接焊盘和凸块的过程中，凸块的焊盘之间的粘附可靠性被削弱。0009为了改善这个问题并加强凸块与焊盘之间的粘合力，对凸块的焊盘之间的空间涂覆环氧树脂等，这被称为底部填充物(underfill)。0010也就是说，在如上所述的应用以往倒装芯片粘合方法的封装基板中必须包括用于形成底部填充物的工序，并且存在为了底部填充物的形状而需要单独时间的问题。0011此外，在如上所述的倒装。
10、芯片粘合方法的封装基板中需要用于形成底部填充物的单独空间，并且存在用于确保该空间的基板的尺寸增加的问题。0012因此，存在对应用新结构的底部填充物的封装基板的需求。发明内容0013技术问题0014实施例提供了一种具有新结构的封装基板及制造该封装基板的方法。0015此外，实施例提供了一种能够省略形成底部填充物的工艺或固化底部填充物的工艺的封装基板以及该封装基板的制造方法。0016此外，实施例提供了一种能够通过使用构成基板的绝缘层来形成围绕芯片的底部填充物的封装基板及该封装基板的制造方法。0017所提出的实施例所要解决的技术问题并不限于上述技术问题，其他未提及的技术说明书1/16 页4CN 116。
11、157919 A4问题可以被从以下描述中提出的实施例所属的技术人员清楚地理解。0018技术方案0019根据实施例的封装基板包括：第一基板；以及第一芯片，所述第一芯片安装在所述第一基板上；其中，所述第一基板包括：第一绝缘层，所述第一绝缘层包括在垂直方向上与所述第一芯片重叠的第一区域以及除所述第一区域外的第二区域；以及电路图案，所述电路图案设置在所述第一绝缘层的所述第一区域和所述第二区域上；其中，所述电路图案包括：焊盘部，所述焊盘部包括设置在所述第一绝缘层的所述第二区域的上表面上的第一部分、埋设在所述第一绝缘层的所述第一区域中的第二部分以及至少一部分埋设在所述第一绝缘层的所述第一区域中并且将所述第。
12、一部分和所述第二部分连接的第三部分；其中，所述第一芯片的至少一部分设置在所述第一绝缘层的所述第一区域中；其中，所述第一绝缘层的所述第一区域围绕所述第一芯片的下表面和侧表面，并且其中所述第一绝缘层的所述第一区域和所述第二区域是单一绝缘层。0020此外，在所述第一绝缘层的所述第一区域中，所述焊盘部的所述第三部分相对于所述第一绝缘层的下表面以预定的倾斜角设置。0021此外，所述焊盘部的所述第三部分包括将所述焊盘部的所述第一部分与所述第三部分连接并且彼此间隔开的多条分支线。0022此外，所述焊盘部的所述第三部分以将所述第一绝缘层的所述第一区域的中心区域为基准所述焊盘部的所述第二部分的设置位置所对应的方。
13、向性而设置。0023此外，所述第一基板包括设置在所述第一绝缘层的下表面下的第二绝缘层；并且其中所述第二绝缘层包括已固化的环氧树脂或热塑性树脂，所述热塑性树脂的玻璃转移温度(glass transition temperature)比所述第一绝缘层的玻璃转移温度高。0024此外，所述焊盘部的所述第二部分设置在所述第二绝缘层的上表面上。0025此外，所述焊盘部包括多个焊盘部，并且其中所述电路图案包括设置在所述多个焊盘部的第三部分之间并且与所述第一芯片电绝缘的虚设焊盘。0026此外，所述封装基板还包括设置在所述第一芯片的下表面下的凸块；并且其中所述凸块埋设在所述第一绝缘层的所述第一区域中并且与所述焊。
14、盘部的所述第三部分的上表面直接接触。0027此外，所述封装基板还包括设置在所述第一基板上的第二基板，并且第二芯片安装在所述第二基板上；并且其中所述第二基板的绝缘层的玻璃转移温度比所述第一基板的所述第一绝缘层的玻璃转移温度低。0028此外，所述第一绝缘层包括聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、液晶聚合物(LCP)、聚醚醚酮(PEEK)、聚四氟乙烯(PTFE)、聚苯硫醚(PPS)、光各向同性聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或液晶聚合物(LCP)中的至少一种热塑性树脂，或者，包括在所述第一区域中的晶向与在所述第二区域中的晶向不同的液晶聚合物(LCP)。0029此外，所述第一绝缘层包括具有特定方向的晶粒的液晶。
15、聚合物(LCP)，其中所述第一绝缘层的所述第一区域中的晶向与所述第一绝缘层的所述第二区域中的晶向不同。0030此外，所述第一绝缘层的所述第一区域的硬度与所述第一绝缘层的所述第二区域的硬度不同。0031此外，所述第一绝缘层的所述第一区域的上表面比所述第一绝缘层的所述第二区说明书2/16 页5CN 116157919 A5域的上表面高。0032另一方面，根据实施例的封装基板的制造方法包括：制备第一绝缘层；在所述第一绝缘层上形成电路图案；以及在使芯片在电路图案上对准的同时施加热量和压力，以使芯片的至少一部分埋设在所述第一绝缘层中，其中所述第一绝缘层包括在垂直方向上与对准的所述芯片重叠的第一区域以及除。
16、所述第一区域外的第二区域，其中所述电路图案的形成包括形成焊盘部，所述焊盘部包括设置在所述第一绝缘层的所述第二区域的上表面上的第一部分、设置在所述第一绝缘层的所述第二区域的上表面上的第二部分以及设置在所述第一绝缘层的所述第二区域的上表面上并连接所述第一部分和所述第二部分的第三部分，其中所述芯片的埋设包括：通过热量软化所述第一绝缘层的所述第一区域；将所述芯片的下部区域、所述焊盘部的所述第二部分和所述第三部分埋设在软化的所述第一绝缘层的第一区域中；以及固化所述第一绝缘层的所述第一区域；其中，固化后的所述第一绝缘层的所述第一区域形成围绕所述芯片的下表面和侧表面的底部填充物，并且其中所述第一绝缘层的所述。
17、第一区域和所述第二区域是包括相同绝缘材料的单一绝缘层。0033此外，固化后的所述焊盘部的所述第三部分在所述第一绝缘层的所述第一区域中设置为相对于所述第一绝缘层的下表面具有预定的倾斜角。0034此外，所述焊盘部的所述第三部分包括连接在所述焊盘部的所述第一部分与所述第三部分之间并且彼此间隔开的多条分支线。0035此外，所述焊盘部的所述第三部分以与所述焊盘部的所述第二部分基于所述第一绝缘层的所述第一区域的中心区域被设置的位置相对应的方向性设置。0036此外，所述制造方法还包括在埋设所述芯片之前在所述第一绝缘层的下表面下形成第二绝缘层，其中所述第二绝缘层是固化的环氧树脂或热塑性树脂，所述固化环氧树脂或。
18、所述热塑性树脂的玻璃转移温度比所述第一绝缘层的玻璃转移温度高。0037此外，所述焊盘部包括多个焊盘部，并且其中形成所述电路图案包括形成设置在所述多个焊盘部的第三部分之间并且与所述第一芯片电绝缘的虚设焊盘。0038此外，所述第一绝缘层包括具有特定方向的晶粒的液晶聚合物(LCP)，并且其中固化后的所述第一绝缘层的所述第一区域的晶向与固化后的所述第一绝缘层的所述第二区域的晶向不同。0039有益效果0040根据本实施例，封装基板的绝缘层包括埋设有芯片的第一区域和除第一区域外的第二区域。此外，第一区域可以包括围绕芯片的下表面的第一部分。该第一部分可以与芯片的下表面接触。第一部分可以与芯片的凸块的侧表面接。
19、触。第一部分可以与电路图案的与凸块连接的侧表面接触。也就是说，第一部分可以形成为围绕芯片的下表面、凸块的侧表面和电路图案的侧表面。此外，绝缘层的第一区域可以包括从第一部分延伸的第二部分。第二部分可以形成围绕芯片侧表面的带状物(fillet)或底部填充物。也就是说，第一区域的第二部分可以保持平坦表面，并且当芯片被埋设在第一区域中时，第一区域的第二部分可以具有向上突出的凸出形状。相应地，本实施例可以通过在芯片的粘合过程中使用安装有芯片的绝缘层来形成围绕芯片的底部填充物。相应地，本实施例可以省略形成单独的底部填充物的工序，从而简化制造工序并缩短制造时间。0041此外，实施例允许芯片的下部区域被埋设在。
20、绝缘层的第一区域中。因此，本实施例说明书3/16 页6CN 116157919 A6可以减少封装基板的整体厚度至与芯片的埋设程度对应。0042此外，根据实施例的电路图案包括多个焊盘部，所述多个焊盘部包括第一部分至第三部分。在这种情况下，多个焊盘部中的每个第二部分可以在绝缘层的第一区域内具有径向形状，并且可以设置为彼此间隔开预定距离。相应地，本实施例可以解决当焊盘部的第二部分移动时可能发生的可靠性问题。0043也就是说，在芯片的粘合过程中，每个焊盘部的第二部分可以向特定方向移动(例如，弹性地延伸)。在这种情况下，当每个焊盘部的第二部分的布置方向与移动方向不同时，可能会发生可靠性问题，例如在移动过。
21、程中第二部分的断裂等。因此，通过使实施例的每个焊盘部的第二部分在芯片的粘合过程中布置在与移动方向相对应的方向上，即使在芯片130被粘合后，也可以提高第二部分的可靠性。0044此外，实施例可以包括设置在绝缘层的第一区域中的虚设焊盘。虚设焊盘是不与焊盘部和芯片电连接的虚设图案。并且，实施例的芯片的粘合在设置有虚设焊盘的状态下进行。因此，实施例可以通过虚设焊盘增加绝缘层的第一区域的突出程度，即底部填充物的高度，从而可以进一步提高芯片的粘合强度。附图说明0045图1示出了比较例的封装基板。0046图2是示出根据第一实施例的封装基板的视图。0047图3是图2中所示的封装基板的平面图。0048图4示出了图。
22、2中所示的封装基板的修改例。0049图5至图9是用于以处理顺序说明根据实施例的封装基板的制造方法的视图。0050图10是示出根据第二实施例的封装基板的视图；0051图11是示出根据第三实施例的封装基板的视图；0052图12的(A)示出了在粘合芯片之前的焊盘部，并且图12的(B)示出了粘合芯片之后的焊盘部。0053图13示出了根据实施例的焊盘部的修改例；0054图14是示出由图13所示的焊盘部显示的底部填充物的高度变化的视图。具体实施方式0055下面，将参考附图详细描述本发明的实施例。然而，本发明的精神和范围并不限于所描述的实施例的一部分，可以以各种其他形式实现，在本发明的精神和范围内，可以有选。
23、择地组合和替换实施例中的一个或多个元件来使用。由于这种天线和AP模块被图案化或安装在印刷电路板上，所以印刷电路板上的低损耗非常重要。这意味着构成有源天线系统的多个基板，即天线基板、天线馈电基板、收发器基板和基带基板应当集成到一个紧凑的单元中。0056此外，除非明确地另行定义和描述，本发明实施例中使用的术语(包括技术术语和科学术语)可以被解释为与本发明所属技术的普通技术人员通常理解的含义相同，并且诸如常用字典中定义的术语可以被解释为具有与其在相关技术的上下文中的含义一致的含义。说明书4/16 页7CN 116157919 A70057此外，本发明实施例中使用的术语用于描述实施例，而不是为了限制本。
24、发明。在本说明书中，单数形式也可以包括复数形式，除非在短语中特别说明，并且可以包括在“A(和)、B和C中的至少一个(或多个)”中描述时可以在A、B和C中组合的所有组合中的至少一个。0058此外，在描述本发明实施例的元件时，可以使用诸如第一、第二、A、B、(a)和(b)等术语。这些术语仅用于将元件与其他元件区分开来，并且这些术语不限制元件的本质、顺序或次序。0059此外，当一个元件被描述为“连接”、“结合”或“接触”到另一元件时，它不仅可以包括该元件直接“连接”、“结合”或“接触”到其他元件的情况，还包括该元件通过该元件与其他元件之间的另一元件“连接”、“结合”或“接触”的情况。0060此外，当。
25、描述为形成或设置在每个元件“上(上方)”或“下(下方)”时，“上(上方)”或“下(下方)”不仅可以包括两个元件彼此直接连接的情况，还包括一个或多个其他元件形成或设置在两个元件之间的情况。0061此外，当表述为“上(上方)”或“下(下方)”时，它可以不仅包括基于一个元件的上方向，还包括基于一个元件的下方向。0062图1示出了比较例的封装基板。0063参考图1，比较例的封装基板包括绝缘层10、电路图案20、粘合层30、芯片40、凸块50和底部填充物60。0064也就是说，比较例的封装基板包括绝缘层10以及设置在绝缘层10上的电路图案20。电路图案20包括用于安装芯片40的焊盘。0065然后，包括凸。
26、块50的芯片40被设置在电路图案20上。此时，粘合层30被设置在芯片40的凸块50与电路图案20之间，以增加凸块50与电路图案20之间的粘合力。0066此外，如上所述的比较例的封装基板包括设置在芯片40的侧表面上以及芯片40与绝缘层10之间的空间中的底部填充物60。0067在比较例的封装基板中，通过将形成有凸块50的芯片40和形成有电路图案20的基板对齐，涂覆粘合层30，并经回流焊执行熔接工序，从而将芯片粘附在基板上。0068此后，比较例在诸如助焊剂等物质的清洗步骤之后，进行以使用由于表面张力引起的毛细管现象的方式涂覆底部填充物60的工序，并且最后进行固化底部填充物60的工序。0069如上所述。
27、，当通过应用倒装芯片粘合方法将芯片安装到比较例的封装基板时，必须包括形成底部填充物的工序，因此制造时间增加或制造工序变得复杂。0070此外，当芯片与绝缘层之间的空间没有得到充分保证时，比较例的封装基板的问题在于底部填充物通常不会渗透到绝缘层与芯片之间的空间，因此粘合强度下降。0071此外，比较例的封装基板的芯片的厚度、包括绝缘层和电路图案的基板的厚度、凸块的厚度以及粘合层的厚度直接影响整体体积，从而增加产品尺寸。0072同时，最近，已经努力开发改进的5G(第五代)通信系统或预5G通信系统，以满足对无线数据流量的需求。这里，5G通信系统使用超高频(毫米波)频段(6GHz以下、28GHz、38GH。
28、z或更高频率)来实现高数据传输率。0073此外，为了减少无线电波的路径损耗并增加无线电波在超高频段的传输距离，在说明书5/16 页8CN 116157919 A85G通信系统中开发了诸如波束形成(beamforming)、大规模多输入多输出(massive MIMO)和阵列天线(array antenna)等集成技术。考虑到天线系统可以由这些频段的波长的数百个有源天线组成，因此天线系统相对较大。0074由于这样的天线和AP模块被图案化或安装在印刷电路板上，所以印刷电路板上的低损耗是非常重要的。这意味着构成有源天线系统的数个基板，即天线基板、天线馈电基板、收发器基板和基带基板，应该被集成到一个紧。
29、凑单元中。0075然而，这样的用于5G的封装基板可能无法根据射频带宽涂覆底部填充物，并且具有因为无法形成底部填充物而存在芯片安装强度降低的问题。0076因此，本实施例允许底部填充物在芯片安装工序中自然地形成，而无需单独的底部填充物形成工序。具体而言，实施例允许在将芯片安装在基板的绝缘层上的粘合工序中通过软化或改变绝缘层的相而在所安装的芯片周围形成带状物。换句话说，实施例能够利用安装有芯片的基板形成围绕芯片外围的底部填充物。0077下面，将详细描述根据实施例的封装基板。0078图2是示出根据第一实施例的封装基板的视图，并且图3是图2中所示的封装基板的平面图。具体而言，图2是沿图3的平面图中的AA。
30、 方向截取的剖视图。0079参考图2和图3，根据第一实施例的封装基板100包括绝缘层110、电路图案120、芯片130和凸块140。0080在描述图2和图3之前，根据实施例的封装基板可以具有基于绝缘层的多层结构。也就是说，图2中的封装基板被示出为包括单一绝缘层，但不限于此。例如，本实施例中的封装基板可以包括具有多个绝缘层的堆叠结构的基板。例如，封装基板100中的绝缘层110可以具有多层结构。然而，本实施例将主要针对在具有多层堆叠结构的绝缘层中在其上安装芯片的部分中的绝缘层进行描述。0081绝缘层110是在其上形成能够改变布线的电路的基板，并且可以包括印刷电路板、布线板和由能够在表面上形成电路图。
31、案的绝缘材料制成的绝缘基板。0082例如，绝缘层110可以是刚性的或柔性的。例如，绝缘层110可以包括玻璃或塑料。具体而言，绝缘层110可以包含化学回火/半回火玻璃(例如碱石灰玻璃、铝硅酸盐玻璃等)、回火或柔性塑料(例如聚酰亚胺(PI)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、丙二醇(PPG)、聚碳酸酯(PC)等)或者蓝宝石。0083此外，绝缘层110可以包括光各向同性膜。例如，绝缘层110可以包含环烯烃共聚物(COC)、环烯烃聚合物(COP)、光各向同性PC、光各向同性聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)等。0084此外，绝缘层110可以在具有弯曲表面的同时部分地弯曲。也就是说，绝缘层110可以部分地具有平。
32、面，并且可以在具有弯曲表面的同时部分地弯曲。具体而言，绝缘层110的端部可以在具有弯曲表面的同时弯曲，或者在包括具有随机曲率的表面的同时弯曲或弯折。0085此外，绝缘层110可以是具有柔性的柔性基板。此外，绝缘层110可以是弯曲的基板或弯折的基板。此时，绝缘层110可以形成用于根据电路设计连接电路元件的电气布线的布线布局，并且电导体可以被设置在绝缘材料上。此外，绝缘层110可以形成用于安装电气元件并在电路中连接电气元件的布线，并且可以机械地固定除元件的电气连接功能以外的元件。说明书6/16 页9CN 116157919 A90086然而，实施例的绝缘层110可以由绝缘材料制成，该绝缘材料在用于。
33、安装芯片130的粘合过程中被施加热量而软化或改变相(Phase)。0087例如，绝缘层110可以由能够进行形状(或相)转变(玻璃转变相/相)的环氧树脂形成。0088例如，绝缘层110可以由在预定温度下软化(或熔化)的热塑性树脂制成。具体而言，绝缘层110可以由具有特定玻璃转移温度(Tg)的聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、液晶聚合物(LCP)和聚醚醚酮(PEEK)聚四氟乙烯(PTFE)、聚苯硫醚(PPS)和光各向异性聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)中的至少一种热塑性树脂组成。0089如上所述的热塑性树脂具有在超过特定温度的温度下软化和熔化的特性。相应地，实施例的绝缘层110由热塑性树脂制成，相应地，。
34、绝缘层110在芯片130的粘合过程中被施加的热量软化，从而允许芯片130穿透到绝缘层110中。0090同时，本实施例的绝缘层110可以由液晶聚合物(LCP)形成。液晶聚合物(LCP)具有低介电常数，因此在诸如5G环境的RF通信环境中可以提高RF性能。此外，当绝缘层110由液晶聚合物(LCP)形成并且使用绝缘层110形成底部填充物时，可以最小化由于底部填充物而导致的使用毫米波的5G等的RF性能的退化。0091绝缘层110可以被划分为多个区域。0092例如，绝缘层110可以包括第一区域111和第二区域112。0093第一区域111可以与安装有芯片130的区域相对应。例如，第一区域111可以是在垂直。
35、方向上与芯片130重叠的区域。例如，第一区域111可以是向其提供在芯片130的粘合过程中施加的热量的区域。例如，第一区域111可以是在芯片130的粘合过程中被软化(或融化)的区域。0094第二区域112可以是第一区域111以外的区域。0095第一区域111的上表面可以位于比第二区域112的上表面高的位置。例如，第一区域111的上表面可以位于比第二区域112的上表面更接近芯片130的上表面的位置。例如，与第二区域112的上表面的高度相比，第一区域111的上表面的高度可以接近芯片130的上表面的高度。0096也就是说，在芯片130被安装之前的第一区域111和第二区域112的上表面可以位于同一平面上。
36、。此外，在芯片130被安装后，芯片130的一部分被压低或埋设在绝缘层110的第一区域111中。因此，第一区域111可以向上扩展与芯片130的被压低或埋设的体积相对应的量。此外，扩展的第一区域111的一部分可以形成围绕芯片130的侧表面的带状物(fillet)。0097换言之，绝缘层110的第一区域111可以包括围绕芯片130的下表面的第一部分。第一部分可以与芯片130的下表面接触。第一部分可以与芯片130的凸块140的侧表面接触。第一部分可以与连接到凸块140的电路图案120的侧表面接触。也就是说，第一部分可以形成为围绕芯片130的下表面、凸块140的侧表面和电路图案120的侧表面。0098绝。
37、缘层110的第一区域可以包括从第一部分延伸的第二部分111P。第二部分111P可以形成围绕芯片130的侧表面的带状物。也就是说，第一区域111的第二部分111P在保持平面的状态下，随着芯片130被压入第一区域111，可以具有向上突出的凸起形状。此外，第一区域111的第二部分111P形成为围绕芯片130的侧表面，并用于提高安装的芯片130的粘说明书7/16 页10CN 116157919 A10合强度。0099换言之，实施例中的绝缘层110包括第一区域111和第二区域112。在这种情况下，第一区域111作为芯片130的底部填充物发挥作用。然而，第一区域111和第二区域112是指同一个单一绝缘层。。
38、也就是说，实施例在安装芯片130的同时，使用安装有芯片130的基板的绝缘层来形成围绕芯片130的底部填充物。0100同时，绝缘层110的第一区域111和第二区域112可以具有不同的特性。这里，特征可以指绝缘层110的特性，或者替代地，可以指与绝缘层110的类型对应的独特特征。0101也就是说，第一区域111和第二区域112是单一绝缘层。然而，与第二区域112不同的是，第一区域111在用于安装芯片130的粘合过程中经历了诸如形状变形或软化和硬化的状态变化。0102相应地，第一区域111和第二区域112可以具有不同的硬度。例如，与第二区域112不同，第一区域111随着其再次经历软化和硬化，可以具有。
39、比第二区域112更高的硬度。0103此外，当绝缘层110由液晶聚合物(LCP)形成时，可在绝缘层110内部形成晶粒。优选地，绝缘层110可以具有向列结构(nematic structure)。向列结构可以指所有分子具有相同方向性的状态。相应地，绝缘层110可以通过向列结构而具有与分子的方向性相对应的晶粒。0104优选地，绝缘层110可以是属于对羟基苯甲酸(对位上有OH的苯甲酸)和基于对羟基苯甲酸和相关单体的结晶芳香族聚酯一类的聚合物。0105优选地，绝缘层110可以包括聚合物材料，例如Vectron(由熔融纺丝Vectra获得的产品)或Kevlar。0106例如，绝缘层110可以是如上所述的液。
40、晶聚合物(LCP)，或者可以是各向异性的膜，例如高密度聚乙烯(HDPE)。换句话说，绝缘层110随着其具有向列结构而可以是包含分子以相同的方向性排列的高分子材料的各种膜中的任一种。0107相应地，在芯片130被安装之前，绝缘层110的分子可以设置为具有相同的方向性。0108此时，当在芯片130被安装的同时向绝缘层110的第一区域111施加压力时，第一区域111中的分子的方向性(例如，晶向)可能会改变。例如，在芯片130被安装之前，绝缘层110的第一区域111和第二区域112的晶向可能具有与绝缘层110的上表面或下表面平行的第一方向性。0109并且，当在芯片130被安装之后向绝缘层110的第一区。
41、域111施加压力时，第一区域111的晶向改变。例如，第一区域111的晶向可以具有基于第一方向性呈预定倾斜角的第二方向性。0110如上所述，实施例在如上所述的安装芯片130的过程中使用绝缘层110来形成围绕芯片130的底部填充物，相应地，可以省略用于形成底部填充物的单独工序。0111同时，绝缘层110可以具有特定的玻璃转移温度(Tg)。例如，绝缘层110可以具有与在用于安装芯片130的粘合过程中施加到芯片130或绝缘层110的温度对应的玻璃转移温度(Tg)。一般来说，在安装芯片130的粘合过程中，施加到芯片130或绝缘层110的温度(以下称为粘合温度)约为260。0112相应地，实施例中绝缘层1。
42、10的玻璃转移温度(Tg)可以具有近似260的值。例如，绝缘层110的玻璃转移温度(Tg)可以是240至300。然而，当绝缘层110的玻璃转移温度说明书8/16 页11CN 116157919 A11(Tg)比粘合温度高时，绝缘层110在粘合过程中可能不会被软化。因此，本实施例的绝缘层110的玻璃转移温度(Tg)可以比粘合温度低。例如，绝缘层110的玻璃转移温度(Tg)可以是200至259，但不限于此。并且，当绝缘层110的玻璃转移温度(Tg)比上述的粘合温度低时，具有高热膨胀系数的绝缘层110随后被固化并收缩，从而稳定地固定在安装的芯片130的凸块140与电路图案120之间。0113电路图案。
43、120设置在绝缘层110的表面上。例如，电路图案120设置在绝缘层110的上表面上。此时，尽管图中示出了电路图案120仅设置在绝缘层110的上表面上，但本实施例不限于此。例如，电路图案不仅可以设置在绝缘层110的上表面上，而且可以设置在绝缘层110的下表面下。0114电路图案120包括与芯片130电连接的焊盘。0115具体而言，电路图案120包括设置在绝缘层110的第二区域112上的第一部分121。第一部分121可以设置在绝缘层110的上表面上。例如，第一部分121可以设置在与绝缘层110的上表面平行的方向上。0116电路图案120可以包括埋设在绝缘层110中的第二部分122。0117第二部分。
44、122可以被埋设在绝缘层110的第一区域111中。例如，第二部分122可以是与芯片130的凸块140接触的焊盘。此外，芯片130粘合之前第二部分122的位置可以与芯片130粘合之后第二部分122的位置不同。例如，第二部分122可以在芯片130粘合之前设置在绝缘层110的第一区域111的上表面上。此外，第二部分122可以通过在芯片130粘合期间施加的压力而埋设在绝缘层110的第一区域111中。0118电路图案120可以包括连接第一部分121和第二部分122的第三部分123。0119第三部分123可以设置为相对于绝缘层110的上表面或下表面倾斜。也就是说，第三部分123可以埋设在绝缘层110中。具。
45、体来说，第三部分123可以埋设在绝缘层110的第一区域111中。此外，第三部分123可以在绝缘层110的第一区域111中连接电路图案120的第一部分121和第二部分122。具体而言，第三部分123可以在第一区域111中以斜线连接电路图案120的第一部分121和第二部分122。第三部分123在芯片130粘合之前和之后可以具有不同的位置。例如，第三部分123可以在粘合芯片130之前被设置在绝缘层110的第二区域112的上表面上。此外，第三部分123可以通过在粘合芯片130期间施加的压力而埋设在绝缘层110的第一区域111中。0120如图3所示，电路图案120可以包括多个焊盘部。焊盘部可以指设置在绝。
46、缘层110的上表面上的电路图案120中的连接到芯片130的图案。在这种情况下，图3是图2中所示的封装基板的平面图。0121焊盘部可以包括第一焊盘部至第八焊盘部120a、120b、120c、120d、120e、120f、120g和120h。焊盘部的数量可以与在芯片130上形成的凸块140的数量对应。或者，焊盘部的数量可以大于或小于在芯片130上形成的凸块140的数量。然而，尽管图中示出焊盘部包括第一焊盘部至第八焊盘部120a、120b、120c、120d、120e、120f、120g和120h，但本实施例不限于此。例如，焊盘部的数量可以少于八个，或者，焊盘部的数量可以大于九个。0122同时，如上。
47、所述，电路图案120的第一部分121可以设置在绝缘层110的第二区域112上。例如，第一部分121可以设置为在与绝缘层110的第二区域112垂直的方向上重叠。例如，第一部分121可以被设置在绝缘层110的第二区域112的上表面上。说明书9/16 页12CN 116157919 A120123电路图案120的第二部分122可以埋设在绝缘层110的第一区域111中。例如，第二部分122可以设置为被绝缘层110的第一区域111包围。0124例如，电路图案120的第三部分123可以埋设在绝缘层110的第一区域111中。另外，电路图案120的第三部分123的至少一部分可以与第一部分121一起设置在绝缘层。
48、110的第二区域112的上表面上。0125然而，实施例的第三部分123可以以特定的方向性设置。例如，第三部分123的长度可以通过在芯片130的粘合过程中施加的压力来增加。例如，第三部分123在粘合芯片130之前可以具有第一长度，并且在粘合芯片130之后可以具有比第一长度长的第二长度。例如，实施例的电路图案120具有可拉伸或柔性的特性。在这种情况下，第三部分123的方向性可以从设置芯片130的区域的中心与每个焊盘部的第二部分122设置的位置对应。0126例如，实施例的焊盘部可以从设置芯片130的区域的中心位于第一方向至第四方向1D、2D、3D和4D中的任意一个上。0127例如，第一焊盘部120a。
49、的第二部分可以从设置芯片的区域的中心第一对角线方向4D设置。例如，第二焊盘部120b的第二部分可以设置在第一方向1D上，该第一方向1D是与中心垂直的方向。例如，第三焊盘部120c的第二部分可以从设置芯片的区域的中心沿第二对角线方向3D设置。例如，第四焊盘部120d的第二部分可以设置在第二方向2D上，该第二方向2D是从设置芯片的区域的中心开始的水平方向。例如，第五焊盘部120e的第二部分可以从设置芯片的区域的中心沿第一对角线方向4D设置。例如，第六焊盘部120f的第二部分可以设置在第一方向1D上，该第一方向1D是与设置芯片的区域的中心垂直的方向。例如，第七焊盘部120g的第二部分可以从设置芯片的。
50、区域的中心沿第二对角线方向3D设置。例如，第八焊盘部120h的第二部分可以设置在第一方向1D上，该第一方向1D是从设置芯片的区域的中心开始的水平方向。0128此外，每个焊盘部的第三部分可以从设置芯片的区域的中心以与设置第二部分的方向相对应的方向性来设置。0129即，第一焊盘部120a的第二部分从设置芯片的区域的中心沿第一对角线方向4D设置，并且相应地，第一焊盘部120a的第三部分可以沿第一对角线方向4D设置在绝缘层110上。0130此外，第二焊盘部120b的第二部分设置在第一方向1D上，该第一方向1D是与中心垂直的方向，并且相应地，第二焊盘部120b的第三部分可以沿第一方向1D设置在绝缘层11。