用于光致抗蚀剂的剥离剂组合物及剥离光致抗蚀剂的方法.pdf

本发明涉及一种光致抗蚀剂剥离剂组合物。更具体而言，通过包含一种基于苯并咪唑的化合物和一种基于三唑的化合物，本发明的光致抗蚀剂剥离剂组合物具有极好的光致抗蚀剂剥离能力，以及当光致抗蚀剂的下层膜含有钼(Mo)时对光致抗蚀剂的下层膜的极好的防腐蚀效果。

1.  一种光致抗蚀剂剥离剂组合物，包括：
1)一种有机胺化合物；
2)一种溶剂；及
3)一种防腐蚀剂，其包含一种基于苯并咪唑的化合物和一种基于三唑的化合物。

2.  权利要求1的光致抗蚀剂剥离剂组合物，其中1)有机胺化合物包括一种或多种选自以下的物质：伯氨基醇化合物、仲氨基醇化合物和叔氨基醇化合物。

3.  权利要求1的光致抗蚀剂剥离剂组合物，其中1)有机胺化合物包括一种或多种选自以下的物质：单乙醇胺(MEA)、1-氨基异丙醇(AIP)、2-氨基-1-丙醇、N-甲基氨基乙醇(N-MAE)、3-氨基-1-丙醇、4-氨基-1-丁醇、2-(2-氨基乙氧基)-1-乙醇(AEE)、2-(2-氨基乙基氨基)-1-乙醇、二乙醇胺(DEA)、三乙醇胺(TEA)、1-咪唑烷乙醇和羟乙基哌嗪(HEP)。

4.  权利要求1的光致抗蚀剂剥离剂组合物，其中以所述组合物总重量计，1)有机胺化合物的含量在0.5至50重量％的范围内。

5.  权利要求1的光致抗蚀剂剥离剂组合物，其中2)溶剂包括一种或多种选自以下的物质：N-甲基吡咯烷酮(NMP)、1，3-二甲基-2-咪唑啉酮(DMI)、二甲基亚砜(DMSO)、二甲基乙酰胺(DMAc)、二甲基甲酰胺(DMF)、N-甲基甲酰胺(NMF)、环丁砜、丁基二乙二醇(BDG)、乙基二乙二醇(EDG)、甲基二乙二醇(MDG)、三乙二醇(TEG)、二乙二醇单乙醚(DEM)、二乙二醇单丁醚、及其混合物。

6.  权利要求1的光致抗蚀剂剥离剂组合物，其中以所述组合物总重量计，2)溶剂的含量在49至99重量％的范围内。

7.  权利要求1的光致抗蚀剂剥离剂组合物，其中所述基于苯并咪唑的化合物可由下式3表示：
[式3]

其中R1为氢、具有1至12个碳原子的烷基、硫羟基或羟基，
R2为氢、具有1至12个碳原子的烷基、烷氧基或具有6至20个碳原子的芳基，及
R3为氢、具有1至12个碳原子的烷基、烷氧基或羟基。

8.  权利要求1的光致抗蚀剂剥离剂组合物，其中所述基于苯并咪唑的化合物包括一种或多种选自以下的物质：苯并咪唑、2-羟基苯并咪唑、2-甲基苯并咪唑、2-(羟甲基)苯并咪唑和2-巯基苯并咪唑。

9.  权利要求1的光致抗蚀剂剥离剂组合物，其中所述基于三唑的化合物可由下式4、5或6表示：
[式4]

其中R4为氢或具有1至4个碳原子的烷基，
R5和R6彼此相同或不同，且各自独立地为具有1至4个碳原子的羟烷基，
[式5]

其中R7为氢或具有1至4个碳原子的烷基，
[式6]

其中R8为氢或具有1至4个碳原子的烷基。

10.  权利要求1的光致抗蚀剂剥离剂组合物，其中以所述组合物总重量计，3)所述防腐蚀剂的含量在0.01至5重量％的范围内。

11.  权利要求1的光致抗蚀剂剥离剂组合物，其中所述光致抗蚀剂剥离剂组合物用于Al-Nd/Mo双层膜或Cu/Mo双层膜的剥离剂。

12.  一种用于剥离光致抗蚀剂的方法，所述方法包括以下步骤：
1)将光致抗蚀剂涂布于导电金属膜或绝缘膜上；
2)在基底上形成光致抗蚀剂图案；
3)使用其上形成所述图案的光致抗蚀剂作为掩模蚀刻所述导电金属膜或绝缘膜；以及
4)使用权利要求1至11之一的光致抗蚀剂剥离剂组合物剥离所述光致抗蚀剂。

13.  权利要求12的剥离光致抗蚀剂的方法，其中步骤1)的导电金属膜或绝缘膜为Al-Nd/Mo双层膜或Cu/Mo双层膜。

14.  一种用于剥离光致抗蚀剂的方法，所述方法包括以下步骤：
1)将所述光致抗蚀剂涂布于基底的整个表面上；
2)在所述基底上形成光致抗蚀剂图案；
3)在其上形成所述光致抗蚀剂图案的基底上形成导电金属膜或绝缘膜；以及
4)使用权利要求1至11之一的光致抗蚀剂剥离剂组合物剥离所述光致抗蚀剂。

15.  权利要求14的剥离光致抗蚀剂的方法，其中步骤1)的导电金属膜或绝缘膜为Al-Nd/Mo双层膜或Cu/Mo双层膜。

用于光致抗蚀剂的剥离剂组合物及剥离光致抗蚀剂的方法
技术领域
本发明涉及一种光致抗蚀剂剥离剂组合物和一种使用所述光致抗蚀剂剥离组合物来剥离光致抗蚀剂的方法。本申请要求于2009年9月25日和2009年9月28提交至KIPO的韩国专利申请10-2009-0091184和10-2009-0092072的优先权，所述文本的公开内容以引用的方式全文纳入本文。
背景技术
半导体集成电路或液晶显示器件的微电路制造方法通过以下步骤进行：将一种光致抗蚀剂均匀地涂布在一个形成于基底上的绝缘膜上，所述绝缘膜例如导电金属膜(如铝、铝合金、铜、铜合金、钼、钼合金等)、氧化硅膜、氮化硅膜等；将所述光致抗蚀剂选择性地曝光并显影，以形成光致抗蚀剂图案；使用形成图案的光致抗蚀剂膜作为掩模来湿蚀刻或干蚀刻所述导电金属膜或绝缘膜，以将所述微电路图案转印至光致抗蚀剂的下层；以及使用一种剥离剂(剥离溶液)除去不需要的光致抗蚀剂层。
用于除去用以制造半导体器件和液晶显示器件的光致抗蚀剂的剥离剂所需的基本性质将在下文进行描述。
首先，光致抗蚀剂应当能够在低温下于短时间内剥离，并且其应当具有极好的剥离能力，以使冲洗后基底上不存在光致抗蚀剂残余物质。另外，光致抗蚀剂应当具有低腐蚀性，以防止光致抗蚀剂下层的金属膜或绝缘膜受损坏。另外，如果构成剥离剂的溶剂之间发生相互作用，则剥离剂的储存稳定性会出现问题，而且可能会由于剥离剂制造时混合顺序的不同而表现出不同的性质，因此，光致抗蚀剂的混合的溶剂之间应当具有惰性和高温稳定性。另外，考虑到工作人员的安全或废物处理造成的环境问题，光致抗蚀剂还应当低毒性。另外，当光致抗蚀剂在高温过程中进行剥离时，如果出现大量挥发，则构成组成比例会迅速变化，从而使剥离剂的过程稳定性和工作重现性降低。因此，光致抗蚀剂应当具有低挥发性。另外，预定量的剥离剂所能处理的基底数量应当较高，组成剥离剂的组分应当容易获得，组分应当廉价，并且废弃的剥离剂应当可通过再处理而再利用，从而应当能够确保经济效率。
为了满足上述条件，已开发了多种用于光致抗蚀剂的剥离剂组合物。然而，需要开发一种更加优良的光致抗蚀剂剥离剂组合物，所述光致抗蚀剂剥离剂组合物不与组合物中的其他组分反应，不产生不必要的副产品，并且具有不损坏光致抗蚀剂下层的金属膜或绝缘膜的低腐蚀性。
发明内容
[技术问题]
本发明的一个目标是提供一种光致抗蚀剂剥离剂组合物，其能够在光致抗蚀剂反复剥离时具有极好的光致抗蚀剂剥离效果，并且不会腐蚀光致抗蚀剂的下层膜。具体而言，本发明的一个目标是提供一种如下的光致抗蚀剂剥离剂组合物，其能够在使用Cu膜/Mo膜多层膜作为光致抗蚀剂的下层膜时有效地剥离光致抗蚀剂，而不腐蚀下层膜。
[技术方案]
为实现上述目标，本发明提供一种光致抗蚀剂剥离剂组合物，其包含：1)一种有机胺化合物；2)一种溶剂；及3)一种含有一种基于苯并咪唑的化合物和一种基于三唑的化合物的防腐蚀剂。
另外，本发明还提供一种使用所述光致抗蚀剂剥离剂组合物来剥离光致抗蚀剂的方法。此处，光致抗蚀剂的下层膜可为一种Cu/Mo双层膜。
[有益效果]
本发明的光致抗蚀剂剥离剂组合物具有极好的光致抗蚀剂剥离效果，不会造成诸如当光致抗蚀剂的下层膜含有Mo时的尘粒污染问题，并且不会造成当Mo层的厚度为10nm或更小时的电化现象。因此，当使用一种含有Mo的膜、例如Cu/Mo双层膜作为光致抗蚀剂的下层膜时，本发明的光致抗蚀剂剥离剂组合物是有益的。
附图说明
图1至3为示出使用本发明实施方案的光致抗蚀剂剥离剂组合物和已知的光致抗蚀剂剥离剂组合物后下层膜的腐蚀状态的视图；
图4为示出使用本发明实施方案的光致抗蚀剂剥离剂组合物后下层膜腐蚀状态的视图；及
图5和6为示出使用比较例5和比较例6的光致抗蚀剂剥离剂组合物后下层膜腐蚀状态的视图。
具体实施方式
下文将对本发明进行详细描述。
由于显示器的高分辨率和大屏幕，必然需要具有低电阻的铜(Cu)线。对于Cu而言，由于其对玻璃的粘着强度低并且严重向下层膜扩散，因此需要其他金属膜作为防扩散膜。目前一般使用一种使用钼(Mo)合金的Cu/Mo合金双层膜结构。
然而，对于Mo合金而言，由于在沉积设备中的尘粒污染现象、例如Ti颗粒的尘粒污染现象经常发生，故收率低并且目标成本昂贵。
当将Mo用于下层膜以代替Mo合金时，由于Mo可与Cu一同形成电偶，故当使用作为高温原因的光致抗蚀剂剥离剂时会产生大量腐蚀。因此，由于所述光致抗蚀剂剥离剂的腐蚀问题，所有公司均未采用Cu/Mo作为光致抗蚀剂的下层膜。
然而，本发明用以除去光致抗蚀剂的组合物可通过同时包含一种基于苯并咪唑的化合物和一种基于三唑的化合物而解决光致抗蚀剂的下层膜的腐蚀问题。所述电化腐蚀不可能仅通过使用相关领域中所使用的四氢甲苯并三唑(tetrahydrotolutriazole)来抑制，但本发明人已发现以下事实并由此完成本发明，即下层膜的腐蚀可通过同时使用一种基于苯并咪唑的化合物和一种基于三唑的化合物而抑制。对于Cu和Mo而言，由于还原电位差不大，故根据防腐蚀剂的类型会出现诸如Cu被腐蚀或Mo被腐蚀等多种问题。也就是说，还原电位存在反转，选择一种合适的防腐蚀剂以使得在一侧不会产生还原电位差，并且通过合适量的防腐蚀剂可抑制电化腐蚀问题。由于苯并三唑衍生物广为所知，故其容易想到，但尚未得知有通过同时加入苯并咪唑来抑制Cu/Mo电化腐蚀的实例。
在本发明中，当下层膜包含Mo时，下层膜的腐蚀可得到抑制。因此，本发明的光致抗蚀剂剥离剂组合物可施用于一种含有Mo的下层膜，优选一种含有Mo的下层膜，且更优选一种含有Cu膜和Mo膜的下层膜。由于所述Cu膜具有低电阻，故其可用于确保高分辨率和大屏幕，并且虽然Mo膜充当Cu膜的防扩散膜，但不会像已知的Mo合金膜一样出现尘粒污染。
在相关领域中，当Mo膜的厚度为10nm或更小时，由于电化现象非常严重，因此不可能施用光致抗蚀剂剥离剂组合物；但在本发明中，由于所述电化现象可被抑制，故当Mo膜的厚度为10nm或更小时，可以施用光致抗蚀剂剥离剂组合物。
另外，如果过程中出现缺陷、进行再加工、且由于光致抗蚀剂剥离过程的次数而使腐蚀变得更为严重，则应当进行废物处理。然而，在本发明中，在光致抗蚀剂的剥离过程重复数次的情况下，由于不会出现腐蚀问题，故仍可进行再加工。
本发明的光致抗蚀剂剥离剂组合物包含：1)一种有机胺化合物；2)一种溶剂；及3)一种含有一种基于苯并咪唑的化合物和一种基于三唑的化合物的防腐蚀剂。
在本发明的光致抗蚀剂剥离剂组合物中，更优选地，1)所述有机胺化合物包括一种或多种以下物质：伯氨基醇化合物、仲氨基醇化合物和叔氨基醇化合物。
优选地，氨基醇化合物的具体实例选自单乙醇胺(MEA)、1-氨基异丙醇(AI P)、2-氨基-1-丙醇、N-甲基氨基乙醇(N-MAE)、3-氨基-1-丙醇、4-氨基-1-丁醇、2-(2-氨基乙氧基)-1-乙醇(AEE)、2-(2-氨基乙基氨基)-1-乙醇、二乙醇胺(DEA)、三乙醇胺(TEA)、1-咪唑烷乙醇(1-imidazolidine ethanol)和羟乙基哌嗪(HEP)。
以整个组合物总重量计，1)有机胺化合物的含量在优选0.5至50重量％、且更优选0.5至20重量％的范围内。当1)有机胺化合物的含量低于0.5重量％时，对形状受损的光致抗蚀剂的剥离能力不足；而当所述含量高于50重量％时，粘度值会增加，光致抗蚀剂的渗透能力低，故使得剥离时间增加并且对光致抗蚀剂下层的导电金属膜的腐蚀性增加。
在本发明的光致抗蚀剂剥离剂组合物中，2)溶剂具有与水和有机化合物极好的相容性，并充当一种溶解光致抗蚀剂的溶剂。另外，所述溶剂还能够降低剥离剂的表面张力，从而增强对光致抗蚀剂膜的润湿性。
对2)溶剂而言，可以使用本领域已知的溶剂。其具体实例可包括N-甲基吡咯烷酮(NMP)、1，3-二甲基-2-咪唑啉酮(DMI)、二甲基亚砜(DMSO)、二甲基乙酰胺(DMAc)、二甲基甲酰胺(DMF)、N-甲基甲酰胺(NMF)、丁基二乙二醇(BDG)、乙基二乙二醇(EDG)、甲基二乙二醇(MDG)、三乙二醇(TEG)、二乙二醇单乙醚(DEM)、二乙二醇单乙醚、或其混合物，但不限于此。
另外，2)溶剂还可包括一种或多种选自下式1表示的基于N-乙酰基吗啉的化合物和下式2表示的基于N-乙酰基哌啶的化合物的物质。
[式1]

其中R为氢，或具有1至4个碳原子的烷基，
[式2]

其中R’为氢，或具有1至4个碳原子的烷基。
由于本发明的光致抗蚀剂剥离剂组合物可包含基于N-乙酰基吗啉的化合物和/或基于N-乙酰基哌啶的化合物作为溶剂，故不具有对有机胺化合物的反应活性。因此，由于不会产生带来刺激性气味的甲胺，故当施用剥离剂时具有可使工作人员安全操作的优点。另外，由于与有机胺化合物没有反应活性，故具有在剥离剂组合物中，有机胺化合物可容易地再次使用的优点。
另外，由于基于N-乙酰基吗啉的化合物和/或基于N-乙酰基哌啶的化合物与已知溶剂例如DMAc相比具有低挥发性，故其可稳定地用于60℃或更高的高温过程中。因此，不存在由于低温过程而使过程时间增加的问题，从而与已知技术相比可提高生产率。
以整个组合物的总重量计，2)溶剂的含量在优选49至99重量％、且更优选70至90重量％的范围内。如果溶剂的含量低于49重量％，则剥离剂的粘度会增加，从而会出现剥离剂的剥离能力降低的问题。
本发明的光致抗蚀剂剥离剂组合物包含基于苯并咪唑的化合物和基于三唑的化合物作为3)防腐蚀剂。
所述基于苯并咪唑的化合物可由下式3表示，但不限于此。
[式3]

其中R1为氢、具有1至12个碳原子的烷基、硫羟基或羟基，
R2为氢、具有1至12个碳原子的烷基、烷氧基或具有6至20个碳原子的芳基，并且
R3为氢、具有1至12个碳原子的烷基、烷氧基或羟基。
对于基于苯并咪唑的化合物而言，苯并咪唑、2-羟基苯并咪唑、2-甲基苯并咪唑、2-(羟甲基)苯并咪唑和2-巯基苯并咪唑可作为示例，并且优选苯并咪唑或2-(羟甲基)苯并咪唑，但不限于此。
基于三唑的化合物可由下式4、5或6表示，但不限于此。
[式4]

其中R4为氢或具有1至4个碳原子的烷基，
R5和R6彼此相同或不同，且各自独立地为具有1至4个碳原子的羟烷基，
[式5]

其中R7为氢或具有1至4个碳原子的烷基，
[式6]

其中R8为氢或具有1至4个碳原子的烷基。
在本发明的光致抗蚀剂剥离剂组合物中，以整个组合物的总重量计，3)防腐蚀剂的含量在优选0.01至5重量％、且更优选0.1至1重量％的范围内。当防腐蚀剂的含量低于0.01重量％时，在待剥离的基底与剥离溶液长时间接触的情况下，金属线中可能会出现部分腐蚀现象；而当所述含量高于5重量％时，剥离能力可能会因粘度的增加而降低，并且性价比可能会因组合物成本的增加而变差。
本发明的光致抗蚀剂剥离剂组合物具有极好的光致抗蚀剂剥离能力和对作为光致抗蚀剂的下层膜的导电金属膜或绝缘膜的极好的防腐蚀能力，而不损坏作为光致抗蚀剂的下层膜的导电金属膜或绝缘膜。
所述导电金属膜或绝缘膜可为单层膜或具有两层或更多层的多层膜，所述膜包含金属例如铝、铜、钕或钼，或所述金属的合金。更优选地，所述导电金属膜或绝缘膜可为含有铝、铜、或其合金的单层膜或具有两层或多层的多层膜，或者为含有铜或其合金以及钕、钼、或其合金的单层膜或具有两层或多层的多层膜。
本发明的光致抗蚀剂的剥离方法的特征在于其使用本发明的光致抗蚀剂剥离剂组合物。
一种本发明一个实施方案的剥离光致抗蚀剂的方法，包括以下步骤：1)将光致抗蚀剂涂布于导电金属膜或绝缘膜上；2)在基底上形成光致抗蚀剂图案；3)使用其上形成图案的光致抗蚀剂作为掩模蚀刻所述导电金属膜或绝缘膜；以及4)使用本发明的光致抗蚀剂剥离剂组合物剥离所述光致抗蚀剂。
一种本发明一个实施方案的剥离光致抗蚀剂的方法，包括以下步骤：1)将光致抗蚀剂涂布于基底的整个表面上；2)在所述基底上形成光致抗蚀剂图案；3)在其上形成光致抗蚀剂图案的基底上形成导电金属膜或绝缘膜；以及4)使用本发明的光致抗蚀剂剥离剂组合物剥离所述光致抗蚀剂。
在本发明一个实施方案的剥离光致抗蚀剂的方法中，所述导电金属膜或绝缘膜可为单层膜或具有两层或多层的多层膜，所述膜包含金属例如铝、铜、钕或钼，或者所述金属的合金。具体而言，其优选为Al-Nd/Mo双层膜和Cu/Mo双层膜。
使用本发明的光致抗蚀剂剥离剂组合物从其上形成微电路图案的基底上剥离光致抗蚀剂的方法可使用将多个待剥离的基底同时浸渍于大量剥离溶液中的浸渍法，以及将剥离溶液逐个喷洒至各基底上以除去光致抗蚀剂的单个法。
对于能通过使用本发明的光致抗蚀剂剥离剂组合物剥离的光致抗蚀剂的类型，有正性光致抗蚀剂、负性光致抗蚀剂和正/负双性(dual tone)光致抗蚀剂，并且其构成组分并不限于此。然而，使用特别有效的光致抗蚀剂是一种含有基于酚醛基酚树脂和重氮萘醌的光敏性化合物的光致抗蚀剂。
使用本发明的光致抗蚀剂剥离剂组合物剥离光致抗蚀剂而制造的液晶显示器件或半导体器件具有少量的残余光致抗蚀剂，而在剥离所述光致抗蚀剂时具有微图案的基底不会被腐蚀或损坏。
如上所述，根据本发明，在蚀刻过程中形状受损的光致抗蚀剂膜可容易地在高温和低温下于短时间内除去，并且本发明可提供一种对导电膜和绝缘膜例如铝或铝合金、铜或铜合金或者钼或钼合金具有低腐蚀性的光致抗蚀剂剥离剂组合物。
[发明实施方式]
下文将对优选的实施例进行说明，以帮助理解本发明。然而，以下实施例是为了说明本发明而列出，而本发明的范围并不限于此。
<实施例>
<实施例1至16>
使用如下表1中所列的组分和组成比例，将所述组分常温搅拌2小时，并使用0.1μm的过滤器将其过滤，以制备剥离剂溶液。
<比较例1至8>
使用如下表1中所列的组分和组成比例，通过与实施例1至10相同的方法制备剥离剂溶液。
[表1]


AEE：氨基乙氧基乙醇
HEP：羟乙基哌嗪
DEA：二乙醇胺
TEA：三乙醇胺
AEAE：氨基乙基氨基乙醇
IME：1-咪唑烷乙醇
NMEA：N-甲基乙醇胺
NMF：N-甲基甲酰胺
DMAc：甲基乙酰胺
BDG：二乙二醇单丁醚
EDG：二乙二醇单乙醚
MDG：二乙二醇单甲醚
NMP：N-甲基吡咯烷酮
MG：没食子酸甲酯
THTTA：四氢甲苯并三唑
THBTA：四氢苯并三唑
BzI：苯并咪唑
MBzI：2-巯基苯并咪唑
HMBzI：2-(羟甲基)苯并咪唑
IM：2，2’-[[甲基-1H-苯并三唑-1-基)甲基]亚氨基]二乙醇
<实验例>腐蚀程度评估
通过使用实施例1至16和比较例1至8制备的光致抗蚀剂剥离剂组合物观察了样品的表面、侧面和截面的腐蚀程度，其结果列于下表2中。这里，腐蚀程度根据以下标准评估：
：表面和侧面未腐蚀
○：表面和侧面少量腐蚀
△：表面和侧面部分腐蚀
×：整个表面和侧面严重腐蚀
[表2]


图1至3为示出使用本发明实施方案的光致抗蚀剂剥离剂组合物和已知的光致抗蚀剂剥离剂组合物重复光致抗蚀剂剥离过程1次、2次和3次时下层膜腐蚀状态对比情况的视图。
由图1至3的结果可看出，本发明的光致抗蚀剂组合物具有极好的光致抗蚀剂剥离效果，并对光致抗蚀剂的下层膜的具有极好的防腐蚀能力。
评估条件更具体而言，在将剥离剂加热至50℃之后，将Cu(200nm)/Mo(10nm)玻璃浸渍2分钟，用去离子水洗涤，并使用空气枪干燥，以获得FE-SEM图像。在已知技术(1)中，存在一种仅含有苯并三唑衍生物的组合物，并且下部的Mo的腐蚀度随剥离次数的增加而迅速增加；在已知技术(2)中，与已知技术(1)相比有了改善，但未能实现对电化腐蚀的抑制。图1是通过使用IM和BzI的混合防腐蚀剂组合物而评估的图像；图2的已知技术(1)示出了使用THBTA、THTTA或仅IM作为已知的市售三唑衍生物时的腐蚀概貌；图3的已知技术(2)是使用四氢丁基苯并三唑的实施例，所述四氢丁基苯并三唑并非市售材料，而是合成材料。对通过引入作为疏水烷基的丁基而进一步改善防腐蚀能力进行了尝试，但其不可能解决Mo的电化腐蚀问题。
另外，图4至6为示出使用作为本发明实施方案的光致抗蚀剂剥离剂组合物和已知光致抗蚀剂剥离剂组合物的比较例5和6进行光致抗蚀剂剥离过程时下层膜腐蚀状态对比情况的视图。比较例5为仅包含苯并咪唑作为防腐蚀剂的情形，比较例6为仅包含2-巯基苯并咪唑作为防腐蚀剂的情形。如图5和6所示结果，可发现在仅包含基于苯并咪唑的化合物、例如苯并咪唑或2-巯基苯并咪唑作为防腐蚀剂的情况下，在10分钟时出现了非常严重的Cu腐蚀现象，使得难以将其用作光致抗蚀剂剥离剂。
然而，本发明同时使用基于苯并咪唑的化合物和基于三唑的化合物，因而可完全地抑制Mo的电化腐蚀。