像素结构 【技术领域】
本发明是有关于一种像素结构，且特别是有关于一种像素结构中共享配线的设计。
背景技术
现今社会多媒体技术相当发达，多半受惠于半导体组件与显示装置的进步。就显示器而言，具有高画质、空间利用效率佳、低消耗功率、无辐射等优越特性的薄膜晶体管液晶显示器(Thin film transistor liquid crystal display，TFT-LCD)已逐渐成为市场的主流。一般而言，薄膜晶体管液晶显示器是由一主动组件数组基板、一彩色滤光基板与夹于两者之间的液晶层所构成。其中，主动组件数组基板会具有多个像素结构。
图1是公知像素结构的上视图。请参考图1，公知像素结构100包括一基板110、一扫描线120、一数据线130、一共享配线140、一薄膜晶体管150与一像素电极160。其中，位于基板110上的薄膜晶体管150可与扫描线120与数据线130电性连接。实务上，开关讯号可以透过扫描线120的传递而将薄膜晶体管150开启。在薄膜晶体管150开启后，显示讯号可以透过数据线130而传递至与薄膜晶体管150电性连接的像素电极160中。
值得注意的是，位于共享配线140旁的区域A很容易因研磨(Rubbing)不良而有漏光现象。详言之，共享配线140会使覆盖于其上方的膜层较为凸出，且共享配线140的延伸方向与配向制程的研磨方向R具有相当的差异。如此一来，当配向用的刷毛(未绘示)沿着研磨方向R进行研磨时，配向用的刷毛并不易有效地对区域A进行研磨，因此区域A很容易有研磨不良的问题。这会造成公知的像素结构100会产生漏光以及对比降低的问题，实有改进的必要。
【发明内容】
有鉴于此，本发明提供一种像素结构，其可有效改善漏光问题且能具有良好的对比。
本发明提出一种像素结构，其包括一基板、一扫描线、一图案化共享配线、一主动组件、一数据线、一保护层与一像素电极。扫描线、图案化共享配线与主动组件皆配置于基板上。其中，主动组件具有一向外延伸的绝缘层，以覆盖扫描线与图案化共享配线。此外，图案化共享配线至少具有一第一侧边与一第二侧边。第一侧边的延伸方向与第二侧边的延伸方向夹一第一角度。另外，数据线配置于绝缘层上，且主动组件电性连接扫描线与数据线。本发明的保护层覆盖主动组件。上述的像素电极配置于保护层上，且与主动组件电性连接。
在本发明的一实施例中，上述的第一角度介于15度～60度之间。
在本发明的一实施例中，上述的图案化共享配线更包括二分支，分别连接于图案化共享配线的两端，以呈现出H形。
在本发明的一实施例中，上述的图案化共享配线更包括一分支，此分支的一端连接至图案化共享配线的一端，以呈现出反L形。
在本发明的一实施例中，上述的扫描线具有一第三侧边与一第四侧边，第三侧边的延伸方向与第四侧边的延伸方向夹一第二角度。
在本发明的一实施例中，上述的像素结构，其中第二角度介于度15～60度之间。
本发明图案化共享配线的第一侧边与第二侧边的延伸方向会夹一第一角度。通过改变所形成的第一角度，以避免图案化共享配线的延伸方向与研磨(Rubbing)方向差异过大，进而可改善配向不良的问题。此外，扫描线的第三侧边与第四侧边亦可形成一第二角度，以进一步改善配向不良的问题。因此，本发明的像素结构可有效改善因配向不良而产生的漏光现象，进而能有良好的对比。
【附图说明】
图1是公知像素结构的上视图；
图2A是本发明第一实施例的像素结构示意图；
图2B是图2A中沿着I-I’剖面线的剖面示意图；
图3是本发明第二实施例的像素结构示意图；
图4是本发明第二实施例的像素结构示意图。
为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合所附图式，作详细说明如下。
【具体实施方式】
第一实施例
图2A是本发明第一实施例的像素结构示意图，而图2B是图2A中沿着I-I’剖面线的剖面示意图。为了图式的简明，图2A中省略了保护层与绝缘层的绘示，而保护层与绝缘层可清楚见于图2B中。请同时参考图2A与图2B，本发明像素结构200包括一基板210、一扫描线220、一数据线230、一图案化共享配线240、一主动组件250、一保护层260与一像素电极270。详言之，如图2B所示的主动组件250可包括一栅极250g、一绝缘层252、一通道层250c、一奥姆接触层250m、一源极250s与一漏极250d。栅极250g配置于基板210上，且此栅极250g可以是图2A中扫描线220地一部分。当然，所属技术领域中具有通常知识者应知栅极250g也可以是扫描线220向外凸出的部分所形成，在此仅举例说明并不刻意局限。
此外，绝缘层252会覆盖此栅极250g以及图2A中配置于基板210上的扫描线220与图案化共享配线240。为了降低金属材料与半导体材料之间的接触阻抗，奥姆接触层250m会配置于源极250s与通道层250c之间，以及漏极250d与通道层250c之间。这里要说明的是，图2B所示的主动组件250为底栅极(Bottom gate)结构的薄膜晶体管，当然主动组件250也可以是双载子晶体管或其它具有三端子的主动组件250，在此并不刻意限制。
此外，保护层260会覆盖此主动组件250。其中，保护层260具有一接触窗开口(Contact window)C。位于保护层260上的像素电极270可透过接触窗开口C，而与主动组件250的漏极250d电性连接。值得注意的是，图案化共享配线240、像素电极270以及夹于两者之间的膜层可构成一储存电容Cst。实务上，开关讯号可以透过扫描线220的传递而将主动组件250开启。在主动组件250开启后，显示讯号可依序透过数据线230、源极250s与漏极250d而传递至像素电极270中。此外，像素结构200可通过其储存电容Cst的辅助，而维持正常的显示功能。
特别的是，如图2A所示的图案化共享配线240至少具有一第一侧边240a与一第二侧边240b。第一侧边240a的延伸方向与第二侧边240b的延伸方向会夹一第一角度θ1。在一实施例中，上述的第一角度θ1可介于15度～60度之间。如此一来，本发明可通过改变第一角度θ1，便能有效缩小第二侧边240b的延伸方向与研磨方向R的差异，以使配向刷毛(未绘示)能有效地对区域B进行配向。因此，图案化共享配线240旁的区域B便不会有因配向不良而产生的漏光现象，进而能使像素结构200能有良好的对比。在一实施例中，第二侧边240b的延伸方向也可藉由调整第一角度θ1，而与研磨方向R完全一致。为了进一步改善配向不良的问题，本发明的扫描线220具有一第三侧边220a与一第四侧边220b。第三侧边220a的延伸方向与第四侧边220b的延伸方向夹一第二角度θ2。在一实施例中，此第二角度θ2可介于15度～60度之间。
值得一提的是，在开口率(Aperture ratio)不变的情况下，图案化共享配线240的面积可以藉由增加第一侧边240a与第二侧边240b之间的第一角度θ1而适当增加，而扫描线220的面积可相对减小。如此一来，如图2B所示的储存电容值便能有效提升，进而提高本发明像素结构200的显示质量。
第二实施例
第二实施例与第一实施例类似，相同之处不再赘述。两者主要不同之处在于：图案化共享配线的布局(Layout)。图3是本发明第二实施例的像素结构示意图。请参考图3，本实施例的像素结构300中图案化共享配线240更包括二分支242、244。分支242、244可分别连接于图案化共享配线240的两端以呈现出H形，进而可有效提高像素结构300的储存电容。
第三实施例
图4是本发明第二实施例的像素结构示意图。请参考图4，本实施例的像素结构400至少包括一基板410、一扫描线420、一数据线430、一图案化共享配线440、一主动组件450与一像素电极470。其中，扫描线420与数据线430会与位于基板410上的主动组件450电性连接，而主动组件450会透过接触窗开口C’而与像素电极270电性连接。
特别的是，图案化共享配线440的布局也可如图4所示。图案化共享配线440至少具有一第一侧边440a与一第二侧边440b，且第一侧边440a的延伸方向与第二侧边440b的延伸方向会夹一第一角度θ1。在一实施例中，上述的第一角度θ1可介于15度～60度之间。如此一来，通过改变第一角度θ1，便能有效缩小第二侧边440b的延伸方向与研磨方向R的差异，进而有效改善配向不良的问题。此外，图案化共享配线440更可包括一分支446。此分支446的一端连接于图案化共享配线440的一端，以呈现出反L形。这同样可提高像素结构400的储存电容。
综上所述，本发明图案化共享配线的第一侧边与第二侧边的延伸方向会夹第一角度。藉由改变所形成的第一角度，以避免图案化共享配线的延伸方向与研磨制程的方向差异过大，进而改善配向不良的问题。此外，扫描线的第三侧边与第四侧边亦可形成第二角度，以进一步改善配向不良的问题。本发明的像素结构可有效改善因配向不良而产生的漏光现象，进而能有良好的对比。
虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然其并非用以限定本发明，任何所属技术领域中具有通常知识者，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许的更动与润饰，因此本发明的保护范围当视申请专利范围所界定者为准。