曝光装置、曝光方法以及器件制造方法.pdf

在载台(WST2)上搭载2个X读头(EX1、EX2)与1个Y读头(EY)，并将与这些读头对应的X标尺(SX2)与Y标尺(SY2)以连结曝光区域与对准区域的方式与载台(WST2)相对设置。一边使用3个编码器读头(EX1、EX2、EY)进行位置测量、一边使载台(WST2)沿着标尺(SX2、SY2)的设置路径在曝光区域与对准区域之间来回移动。如此，无需XZ干涉仪(116、117)间、及XZ干涉仪(126、127)间的切换处理，且能使用测量区域相异的2个位置测量系统稳定且高精度地测量于XY平面内移动的载台的位置。

1、  一种曝光装置，用能量束使物体曝光，具备：
移动体，在其上保持该物体并且能够在包含第1、第2、第3区域的预定范围的区域内基本上沿预定平面移动，其中第1区域包含至少对所装载的该物体进行曝光的曝光位置，第2区域位于该第1区域的第1方向的一侧、至少进行该物体的更换，第3区域位于该第1区域与该第2区域之间；
第1光栅部，配置在与该移动体的基本上平行于该预定平面的表面相对的、与该预定平面平行的平面上的与该第3区域对应的位置上；以及
测量装置，包括：具有设在该移动体的表面上的编码器读头、根据与该第1光栅部相对的该编码器读头的输出来测量该移动体在该预定平面内的位置信息的编码器系统；以及对设于该移动体上的反射面照射测量光束、测量该移动体至少在该第1区域与该第2区域中的位置信息的干涉仪系统，
其中，该第3区域包含该测量光束脱离该反射面的该移动体的移动路径。

2、  如权利要求1所述的曝光装置，其中，该第1光栅部沿着该移动体在该第1区域与该第2区域之间移动时的该编码器读头的移动轨迹配置。

3、  如权利要求1或2所述的曝光装置，进一步具备：
分别配置在与该预定平面平行的平面上的与该第1及第2区域对应的位置上的第2及第3光栅部；
该测量装置根据与该第2及第3光栅部相对的该编码器读头的输出，分别进一步测量该第1及第2区域中的该移动体在该预定平面内的位置信息。

4、  如权利要求3所述的曝光装置，其中，该测量装置具有多个设于该移动体的表面上的编码器读头，根据该多个编码器读头的输出，测量该移动体在该预定平面内的位置信息。

5、  如权利要求4所述的曝光装置，其中，通过按照该移动体的移动切换下述状态来进行状态设定：该多个编码器读头中的2个同时与该第1、第2及第3光栅部中的1个相对的状态，以及该2个编码器读头个别地且同时与该第1、第2及第3光栅部中的任意2个相对的状态。

6、  如权利要求4或5所述的曝光装置，其中，该多个编码器读头包括以该第1方向以及在该预定平面内垂直于该第1方向的第2方向中的至少一方为测量方向、并且分别配置在该移动体的表面上的不同位置上的多个第1读头；
该多个第1读头同时与在该第1、第2及第3光栅部的至少1个中具有以该测量方向为周期方向的光栅的部分相对。

7、  如权利要求6所述的曝光装置，其中，该测量装置根据该多个第1读头的输出，测量该移动体在该预定平面内的旋转方向的位置信息。

8、  如权利要求6或7所述的曝光装置，其中，该测量装置根据该多个第1读头的输出，取得该第1、第2及第3光栅部中至少1个的第1部分与第2部分之间的位置关系。

9、  如权利要求1至8中任一项所述的曝光装置，其中，具备多个该移动体。

10、  如权利要求9所述的曝光装置，进一步具备：
移动体驱动系统，该系统驱动该多个移动体中的2个移动体，且在使该2个移动体中的一方位于该第1区域的第1状态迁移至该2个移动体中的另一方位于该第1区域的第2状态时，维持该2个移动体在该预定平面内的预定方向上接近或接触的并列状态的情形下，将该2个移动体同时在该预定方向上驱动。

11、  如权利要求10所述的曝光装置，其中，在与该预定平面平行的表面上处于该并列状态的该2个移动体中的至少一方所具备的编码器读头能够相对的位置上，进一步配置第4光栅部；
该测量装置根据与该第4光栅部相对的编码器读头的输出，测量处于该并列状态的该2个移动体中的至少一方在该预定平面内的位置信息。

12、  如权利要求10或11所述的曝光装置，其中，该预定方向是该第1方向以及垂直于该第1方向的第2方向中的一个。

13、  如权利要求10至12中任一项所述的曝光装置，其中，该2个移动体中的一方在第1范围内移动，该第1范围在该预定平面内包含该第1、第2、第3区域；
该2个移动体中的另一方在该第1区域以外的、至少一部分不同于该第1范围的第2范围内移动。

14、  一种曝光装置，用能量束使物体曝光，具备：
移动体，在其上保持该物体并且能够在包含第1、第2、第3区域的预定范围的区域内基本上沿预定平面移动，其中第1区域包含至少对所装载的该物体进行曝光的曝光位置，第2区域位于该第1区域的第1方向的一侧、至少进行该物体的更换，第3区域位于该第1区域与该第2区域之间；
第1、第2及3光栅部，分别配置在与该移动体的基本上平行于该预定平面的表面相对的、与该预定平面平行的平面上的与该第1、第2及第3区域对应的位置上；以及
测量装置，包括编码器系统，该编码器系统具有设在该移动体的表面上的编码器读头，根据与该第1、第2及第3光栅部中的任一者相对的该编码器读头的输出，测量该移动体在该预定平面内的位置信息。

15、  如权利要求14所述的曝光装置，其中，该第3光栅部沿着该移动体在该第1区域与该第2区域之间移动时的该编码器读头的移动轨迹配置。

16、  如权利要求14或15所述的曝光装置，其中，该第1光栅部与该第2光栅部彼此分离配置。

17、  如权利要求16所述的曝光装置，其中，该第1光栅部与该第2光栅部经由该第3光栅部配置。

18、  如权利要求14至17中任一项所述的曝光装置，其中，该测量装置进一步包括对设于该移动体上的反射面照射测量光束以测量该移动体的至少在该预定平面内的位置信息；
该第3区域包含该测量光束脱离该反射面的该移动体的移动路径。

19、  如权利要求14至18中任一项所述的曝光装置，其中，该测量装置具有多个设于该移动体的表面上的编码器读头，根据该多个编码器读头的输出，测量该移动体在该预定平面内的位置信息。

20、  如权利要求19所述的曝光装置，其中，按照该移动体的移动切换下述状态以进行状态设定：该多个编码器读头中的2个同时与该第1、第2及第3光栅部中的任1个相对的状态，以及该2个编码器读头个别且同时与该第1、第2及第3光栅部中的任2个相对的状态。

21、  如权利要求19或20所述的曝光装置，其中，该多个编码器读头包括以该第1方向以及在该预定平面内垂直于该第1方向的第2方向中的至少一方为测量方向、并且分别配置在该移动体的表面上不同位置上的多个第1读头；
该多个第1读头同时与在该第1、第2及第3光栅部的至少1个中具有以该测量方向为周期方向的光栅的部分相对。

22、  如权利要求21所述的曝光装置，其中，该测量装置根据该多个第1读头的输出，测量该移动体在该预定平面内的旋转方向的位置信息。

23、  如权利要求21或22所述的曝光装置，其中，该测量装置根据该多个第1读头的输出，取得该第1、第2及第3光栅部中的至少1个的第1部分与第2部分之间的位置关系。

24、  如权利要求14至23中任一项所述的曝光装置，其中，具备多个该移动体。

25、  如权利要求24所述的曝光装置，进一步具备移动体驱动系统，该系统驱动该多个移动体中的2个移动体，并且在使该2个移动体中的一方位于该第1区域的第1状态迁移至该2个移动体中的另一方位于该第1区域的第2状态时，在维持该2个移动体在该预定平面内的预定方向接近或接触的并列状态的情况下，将该2个移动体同时在该预定方向上驱动。

26、  如权利要求25所述的曝光装置，其中，在与该预定平面平行的表面上处于该并列状态的该2个移动体中的至少一方所具备的编码器读头能够相对的位置上，进一步配置有第4光栅部；
该测量装置根据与该第4光栅部相对的编码器读头的输出，测量处于该并列状态的该2个移动体中的至少一方在该预定平面内的位置信息。

27、  如权利要求25或26所述的曝光装置，其中，该预定方向是该第1方向以及垂直于该第1方向的第2方向中的一个。

28、  如权利要求25至27中任一项所述的曝光装置，其中，该2个移动体中的一方在第1范围内移动，该第1范围在该预定平面内包含该第1、第2、第3区域；
该2个移动体中的另一方在该第1区域以外的、至少一部分不同于该第1范围的第2范围内移动。

29、  一种曝光装置，用能量束使物体曝光，具备：
第1移动体，在其上保持该物体并且能够在包含第1、第2、第3区域的第1范围内基本上沿预定平面移动，第1区域包含至少对所装载的该物体进行曝光的曝光位置，第2区域位于该第1区域的第1方向的一侧、至少进行该物体的更换，第3区域则位于该第1区域与该第2区域之间；
第2移动体，在其上保持该物体，并且能在包含该第1区域、位于该第1区域的第1方向一侧的至少进行该物体的更换的第4区域、以及该第1区域与该第4区域之间的第5区域的第2范围内，基本上沿预定平面移动；
第1、第2光栅部，分别配置在与该第1及第2移动体的基本上平行于该预定平面的表面相对的、与该预定平面平行的平面上的对应于该第3及第5区域的位置上；以及
测量装置，包括编码器系统，该编码器系统具有分别设在该第1移动体的表面上以及该第2移动体的表面上的第1及第2编码器读头，根据与该第1光栅部相对的该第1编码器读头的输出、以及与该第2光栅部相对的该第2编码器读头的输出，分别测量该第1及第2移动体在该预定平面内的位置信息。

30、  如权利要求29所述的曝光装置，其中，该第1范围与该第2范围部分重迭。

31、  如权利要求29或30所述的曝光装置，其中，该编码器系统具有多个作为该第1、第2编码器读头中的至少一方的特定编码器读头，根据该多个特定编码器读头的输出，测量该第1及第2移动体中的、设置有该特定编码器读头的特定移动体在该预定平面内的位置信息。

32、  如权利要求31所述的曝光装置，其中，通过按照该移动体的移动切换下述状态来进行状态设定：该多个特定编码器读头中的2个同时与该第1及第2光栅部中的1个相对的状态，以及该2个特定编码器读头个别地且同时与该第1及第2光栅部相对的状态。

33、  如权利要求31或32所述的曝光装置，其中，该多个特定编码器读头包括以该第1方向以及在该预定平面内垂直于该第1方向的第2方向中的至少一方为测量方向、并且分别配置在该移动体的表面上的不同位置上的多个第1读头；
该多个第1读头同时与在该第1、及第2光栅部的至少1个中具有以该测量方向为周期方向的光栅的部分相对。

34、  如权利要求33所述的曝光装置，其中，该测量装置根据该多个第1读头的输出，测量该特定移动体在该预定平面内的旋转方向的位置信息。

35、  如权利要求33或34所述的曝光装置，其中，该测量装置根据该多个第1读头的输出，取得该第1及第2光栅部中的至少1个的第1部分与第2部分之间的位置关系。

36、  如权利要求1至35中任一项所述的曝光装置，进一步具备：
设于该曝光位置处的光学系统；以及
对该光学系统与位于该曝光位置处的移动体之间的空间供应液体，以形成液浸区域的液浸装置。

37、  一种曝光方法，用能量束使物体曝光，包括：
在包含第1、第2及第3区域的预定范围内，根据编码器读头的输出，测量移动体在该第3区域的预定平面内的位置信息的测量步骤，其中，该移动体在其上保持该物体并且能够基本上沿预定平面移动，该编码器读头设于该移动体的与第1光栅部相对的表面上，该第1光栅部位于与该移动体的基本上平行于该预定平面的表面相对的、与该预定平面平行的平面上的与该第3区域对应的位置上，并使用对设于该移动体上的反射面照射测量光束的干涉仪系统，测量该移动体至少在该第1区域与该第2区域的位置信息，该第1区域至少包含对所装载的该物体进行曝光的曝光位置，第2区域位于该第1区域的第1方向的一侧、至少进行该物体的更换，第3区域位于该第1区域与该第2区域之间；
该第3区域包含该测量光束脱离该反射面的该移动体的移动路径。

38、  如权利要求37所述的曝光方法，其中，该第1光栅部沿着该移动体在该第1区域与该第2区域之间移动时的该编码器读头的移动轨迹配置。

39、  如权利要求37或38所述的曝光方法，其中，在与该预定平面平行的平面上的与该第1及第2区域对应的位置上，分别进一步配置第1及第2光栅部；
该测量步骤根据与该第1及第2光栅部相对的编码器读头的输出，分别测量该第1及第2区域中的该移动体在该预定平面内的位置信息。

40、  如权利要求37至39中任一项所述的曝光方法，其中，在该移动体的表面上设有多个编码器读头；
该测量步骤根据该多个编码器读头的输出，测量该移动体在该预定平面内的位置信息。

41、  如权利要求40所述的曝光方法，其中，通过按照该移动体的移动切换下述状态来进行状态设定：该多个编码器读头中的2个同时与该第1、第2及第3光栅部中的1个相对的状态，以及该2个编码器读头个别地且同时与任意2个光栅部相对的状态。

42、  如权利要求40或41所述的曝光方法，其中，该多个编码器读头包括以该第1方向以及在该预定平面内垂直于该第1方向的第2方向中的至少一方为测量方向、并且分别配置在该移动体的表面上的不同位置上的多个第1读头；
该多个第1读头同时与在该第1、第2及第3光栅部的至少1个中具有以该测量方向为周期方向的光栅的部分相对。

43、  如权利要求42所述的曝光方法，其中，该测量步骤根据该多个第1读头的输出，测量该移动体在该预定平面内的旋转方向的位置信息。

44、  如权利要求42或43所述的曝光方法，其中，该测量步骤根据该多个第1读头的输出，取得该第1、第2及第3光栅部中的至少1个的第1部分与第2部分之间的位置关系。

45、  如权利要求37至44中任一项所述的曝光方法，其中，使用多个移动体。

46、  如权利要求45所述的曝光方法，进一步具备：
进一步包括以下步骤：驱动该多个移动体中的2个移动体，且在使该2个移动体中的一方位于该第1区域的第1状态迁移至该2个移动体中的另一方位于该第1区域的第2状态时，维持该2个移动体在该预定平面内的预定方向上接近或接触的并列状态的情形下，将该2个移动体同时在该预定方向上驱动。

47、  如权利要求46所述的曝光方法，其中，在与该预定平面平行的表面上处于该并列状态的该2个移动体中的至少一方所具备的编码器读头能相对的位置上，进一步配置第4光栅部；
该测量步骤根据与该第4光栅部相对的该编码器读头的输出，测量处于该并列状态的该2个移动体中的至少一方在该预定平面内的位置信息。

48、  如权利要求46或47所述的曝光方法，其中，该预定方向是该第1方向以及垂直于该第1方向的第2方向中的一个。

49、  如权利要求46至48中任一项所述的曝光方法，其中，该2个移动体中的一方在第1范围内移动，该第1范围在该预定平面内包含该第1、第2、第3区域；
该2个移动体中的另一方在该第1区域以外的、至少一部分不同于该第1范围的第2范围内移动。

50、  一种曝光方法，用能量束使物体曝光，包括：
在包含第1、第2及第3区域的预定范围内，根据编码器读头的输出，测量移动体在预定平面内的位置信息的测量步骤，其中，该移动体在其上保持该物体并且能够基本上沿预定平面移动，该编码器读头设于该移动体的与第1、第2、及第3光栅部中的任意一个相对的表面上，该第1、第2、及第3光栅部位于与该移动体的基本上平行于该预定平面的表面相对的、与该预定平面平行的平面上的与该第1、第2、及第3区域对应的位置上，该第1区域至少包含对所装载的该物体进行曝光的曝光位置，第2区域位于该第1区域的第1方向的一侧、至少进行该物体的更换，第3区域位于该第1区域与该第2区域之间。

51、  如权利要求50所述的曝光方法，其中，该第3光栅部沿着该移动体在该第1区域与该第2区域之间移动时的该编码器读头的移动轨迹配置。

52、  如权利要求50或51所述的曝光方法，其中，该第1光栅部与该第2光栅部彼此分离配置。

53、  如权利要求52所述的曝光方法，其中，该第1光栅部与该第2光栅部经由该第3光栅部配置。

54、  如权利要求50至53中任一项所述的曝光方法，其中，该测量步骤使用对设于该移动体上的反射面照射测量光束的干涉仪系统，进一步测量该移动体至少在该第1区域与该第2区域的位置信息；
该第3区域包含该测量光束脱离该反射面的该移动体的移动路径。

55、  如权利要求50至54中任一项所述的曝光方法，其中，在该移动体的表面上设有多个编码器读头；
该测量步骤根据该多个编码器读头的输出，测量该移动体在该预定平面内的位置信息。

56、  如权利要求55所述的曝光方法，其中，按照该移动体的移动切换下述状态以进行状态设定：该多个编码器读头中的2个同时与该第1、第2及第3光栅部中的任1个相对的状态，以及该2个编码器读头个别且同时与该第1、第2及第3光栅部中的任2个相对的状态。

57、  如权利要求55或56所述的曝光方法，其中，该多个编码器读头包括以该第1方向以及在该预定平面内垂直于该第1方向的第2方向中的至少一方为测量方向、并且分别配置在该移动体的表面上不同位置上的多个第1读头，
该多个第1读头同时与在该第1、第2及第3光栅部的至少1个中具有以该测量方向为周期方向的光栅的部分相对。

58、  如权利要求57所述的曝光方法，其中，在该测量步骤中，根据该多个第1读头的输出，测量该移动体在该预定平面内的旋转方向的位置信息。

59、  如权利要求57或58所述的曝光方法，其中，该测量步骤根据该多个第1读头的输出，取得该第1、第2及第3光栅部中的至少1个的第1部分与第2部分之间的位置关系。

60、  如权利要求50至59中任一项所述的曝光方法，其中，使用多个移动体。

61、  如权利要求60所述的曝光方法，进一步包括以下驱动步骤：驱动该多个移动体中的2个移动体，并且在使该2个移动体中的一方位于该第1区域的第1状态迁移至该2个移动体中的另一方位于该第1区域的第2状态时，在维持该2个移动体在该预定平面内的预定方向接近或接触的并列状态的情况下，将该2个移动体同时在该预定方向上驱动。

62、  如权利要求61所述的曝光方法，其中，在与该预定平面平行的表面上处于该并列状态的该2个移动体中的至少一方所具备的编码器读头能够相对的位置上，进一步配置有第4光栅部；
该测量步骤根据与该第4光栅部相对的该编码器读头的输出，测量处于该并列状态的该2个移动体中的至少一方在该预定平面内的位置信息。

63、  如权利要求61或62所述的曝光方法，其中，该预定方向是该第1方向以及垂直于该第1方向的第2方向中的一个。

64、  如权利要求61至63中任一项所述的曝光方法，其中，该2个移动体中的一方在第1范围内移动，该第1范围在该预定平面内包含该第1、第2、第3区域；
该2个移动体中的另一方在该第1区域以外的、至少一部分不同于该第1范围的第2范围内移动。

65、  一种曝光方法，用能量束使物体曝光，包括：
根据第1、第2编码器读头的输出，分别测量第1、第2移动体在第3、第5区域的预定平面内的位置信息的测量步骤，
其中，第1移动体在其上保持该物体并且能够在包含第1、第2、第3区域的第1范围内基本上沿预定平面移动，第1区域包含至少对所装载的该物体进行曝光的曝光位置，第2区域位于该第1区域的第1方向的一侧、至少进行该物体的更换，第3区域则位于该第1区域与该第2区域之间；
第2移动体在其上保持该物体，并且能在包含该第1区域、位于该第1区域的第1方向一侧的至少进行该物体的更换的第4区域、以及该第1区域与该第4区域之间的第5区域的第2范围内，基本上沿预定平面移动；
该第1、第2编码器读头分别设于该第1移动体的与第1光栅部相对的表面上、以及该第2移动体的与第2光栅部相对的表面上，该第1、第2光栅部分别位于与第1、第2移动体的基本上平行于该预定平面的表面相对的、与该预定平面平行的平面上的与该第3、第5区域对应的位置上。

66、  如权利要求65所述的曝光方法，其中，该第1范围与该第2范围部分重迭。

67、  如权利要求65或66所述的曝光方法，其中，设置多个作为该第1、第2编码器读头中的至少一方的特定编码器读头，
该测量步骤根据该多个特定编码器读头的输出，测量该第1及第2移动体中的、设置有该特定编码器读头的特定移动体在该预定平面内的位置信息。

68、  如权利要求67所述的曝光方法，其中，通过按照该移动体的移动切换下述状态来进行状态设定：该多个特定编码器读头中的2个同时与该第1、及第2光栅部中的1个相对的状态，以及该2个特定编码器读头个别地且同时与该第1、及第2光栅部相对的状态。

69、  如权利要求67或68所述的曝光方法，其中，该多个特定编码器读头包括以该第1方向以及在该预定平面内垂直于该第1方向的第2方向中的至少一方为测量方向、并且分别配置在该移动体的表面上的不同位置上的多个第1读头；
该多个第1读头同时与在该第1、及第2光栅部的至少1个中具有以该测量方向为周期方向的光栅的部分相对。

70、  如权利要求69所述的曝光方法，其中，该测量步骤根据该多个第1读头的输出，测量该特定移动体在该预定平面内的旋转方向的位置信息。

71、  如权利要求69或70所述的曝光方法，其中，该测量步骤根据该多个第1读头的输出，取得该第1及第2光栅部中至少1个的第1部分与第2部分之间的位置关系。

72、  如权利要求37至71中任一项所述的曝光方法，其中，经由设置在该曝光位置处的光学系统与位于该曝光位置处的移动体之间形成的液浸区域的液体来照射能量束，由此使该移动体上的物体曝光。

73、  一种器件制造方法，包括：
使用如权利要求37至72中任一项的曝光方法使物体曝光的曝光步骤；以及
将曝光完成的物体予以显影的显影步骤。

曝光装置、曝光方法以及器件制造方法
技术领域
本发明涉及曝光装置、曝光方法、以及器件制造方法，尤其是涉及在制造半导体器件等微器件的光刻工艺中使用的曝光装置及曝光方法、以及使用该曝光方法的器件制造方法。
背景技术
以往，在制造半导体器件(集成电路等)、液晶显示器件等电子器件(微器件)的光刻工艺中，主要使用步进重复(step&repeat)方式的投影曝光装置(所谓步进机)、或步进扫描(step&scan)方式的投影曝光装置(所谓扫描步进机(也称扫描机))等曝光装置。
此种曝光装置，首先要求有高生产量。作为提升生产量的方法，已提出了各种双晶片载台型的曝光装置(例如，参照美国专利第6,262,796号说明书)，其采用设置多个、例如2个保持晶片的晶片载台，对该2个载台进行不同操作的并行处理的方法。
此外，最近提出一种采用液浸法的双晶片载台型曝光装置(例如，参照美国专利第7,161,659号说明书)。
然而，例如美国专利第7,161,659号说明书所记载的曝光装置具备2个晶片载台的情形下，在各晶片载台于曝光位置(投影透镜下方的位置)与进行晶片更换(及晶片对准)的位置之间的移动中，却存在用以测量该晶片载台的位置的干涉仪系统无法进行测量的位置。
发明内容
本发明鉴于上述情况而作出，本发明第1方面提供第1曝光装置，用能量束使物体曝光，具备：移动体，在其上保持该物体并且能够在包含第1、第2、第3区域的预定范围的区域内基本上沿预定平面移动，其中第1区域包含至少对所装载的该物体进行曝光的曝光位置，第2区域位于该第1区域的第1方向的一侧、至少进行该物体的更换，第3区域位于该第1区域与该第2区域之间；第1光栅部，配置在与该移动体的基本上平行于该预定平面的表面相对的、与该预定平面平行的平面上的与该第3区域对应的位置上；以及测量装置，包括：具有设在该移动体的表面上的编码器读头、根据与该第1光栅部相对的该编码器读头的输出来测量该移动体在该预定平面内的位置信息的编码器系统；以及对设于该移动体上的反射面照射测量光束、测量该移动体至少在该第1区域与该第2区域中的位置信息的干涉仪系统，其中，该第3区域包含该测量光束脱离该反射面的该移动体的移动路径。
据此，利用测量装置所包含的编码器系统，测量通过第3区域在第1区域与第2区域间移动的移动体于预定平面内的位置信息。因此，在包含测量装置中所包含的干涉仪系统的测量光束脱离设于移动体上的反射面的移动体移动路径的第3区域，仅需在与预定平面平行的面上的对应第3区域的位置配置第1光栅部，即能控制通过第3区域在第1区域与前述第2区域间移动时的移动体于预定平面内的位置。
本发明第2方面提供第2曝光装置，用能量束使物体曝光，具备：移动体，在其上保持该物体并且能够在包含第1、第2、第3区域的预定范围的区域内基本上沿预定平面移动，其中第1区域包含至少对所装载的该物体进行曝光的曝光位置，第2区域位于该第1区域的第1方向的一侧、至少进行该物体的更换，第3区域位于该第1区域与该第2区域之间；第1、第2及3光栅部，分别配置在与该移动体的基本上平行于该预定平面的表面相对的、与该预定平面平行的平面上的与该第1、第2及第3区域对应的位置上；以及测量装置，包括编码器系统，该编码器系统具有设在该移动体的表面上的编码器读头，根据与该第1、第2及第3光栅部中的任一者相对的该编码器读头的输出，测量该移动体在该预定平面内的位置信息。
据此，利用测量装置所包含的编码器系统，不仅在第1区域内与第2区域内移动时，在通过第3区域移动于第1区域与第2区域之间时，也能测量移动体于预定平面内的位置信息。因此，通过在与预定平面平行的面上的与第1、第2及第3区域对应的位置分别配置第1、第2及第3光栅部，能够仅使用测量装置所含的编码器系统，不只是在第1区域内与第2区域内移动时，而且在通过第3区域而在第1区域与第2区域之间移动时，也能控制移动体于预定平面内的位置。
本发明第3方面提供第3曝光装置，用能量束使物体曝光，具备：第1移动体，在其上保持该物体并且能够在包含第1、第2、第3区域的第1范围内基本上沿预定平面移动，第1区域包含至少对所装载的该物体进行曝光的曝光位置，第2区域位于该第1区域的第1方向的一侧、至少进行该物体的更换，第3区域则位于该第1区域与该第2区域之间；第2移动体，在其上保持该物体，并且能在包含该第1区域、位于该第1区域的第1方向一侧的至少进行该物体的更换的第4区域、以及该第1区域与该第4区域之间的第5区域的第2范围内，基本上沿预定平面移动；第1、第2光栅部，分别配置在与该第1及第2移动体的基本上平行于该预定平面的表面相对的、与该预定平面平行的平面上的对应于该第3及第5区域的位置上；以及测量装置，包括编码器系统，该编码器系统具有分别设在该第1移动体的表面上以及该第2移动体的表面上的第1及第2编码器读头，根据与该第1光栅部相对的该第1编码器读头的输出、以及与该第2光栅部相对的该第2编码器读头的输出，分别测量该第1及第2移动体在该预定平面内的位置信息。
据此，利用测量装置所含的编码器系统，测量通过第3区域而在第1区域与第2区域之间移动的第1移动体于预定平面内的位置信息。此外，利用测量装置测量通过第5区域而在第1区域与第4区域之间移动的第2移动体于预定平面内的位置信息。因此，仅需在与预定平面平行的面上的对应第3区域、第5区域的位置分别配置第1、第2光栅部，就能控制通过第3区域在第1区域与前述第2区域之间移动时的第1移动体、及通过第4区域在第1区域与前述第5区域之间移动时的第2移动体于预定平面内的位置。
本发明第4方面提供第1曝光方法，用能量束使物体曝光，包括：在包含第1、第2及第3区域的预定范围内，根据编码器读头的输出，测量移动体在该第3区域的预定平面内的位置信息的测量步骤，其中，该移动体在其上保持该物体并且能够基本上沿预定平面移动，该编码器读头设于该移动体的与第1光栅部相对的表面上，该第1光栅部位于与该移动体的基本上平行于该预定平面的表面相对的、与该预定平面平行的平面上的与该第3区域对应的位置上，并使用对设于该移动体上的反射面照射测量光束的干涉仪系统，测量该移动体至少在该第1区域与该第2区域的位置信息，该第1区域至少包含对所装载的该物体进行曝光的曝光位置，第2区域位于该第1区域的第1方向的一侧、至少进行该物体的更换，第3区域位于该第1区域与该第2区域之间；该第3区域包含该测量光束脱离该反射面的该移动体的移动路径。
据此，根据编码器读头的输出，测量通过第3区域在第1区域与第2区域之间移动的移动体于预定平面内的位置信息。因此，在包含测量装置中所包含的干涉仪系统的测量光束脱离设于移动体上的反射面的移动体移动路径的第3区域，仅需在与预定平面平行的面上的对应第3区域的位置配置第1光栅部，就能控制通过第3区域在第1区域与前述第2区域之间移动时的移动体于预定平面内的位置。
本发明第5方面提供第2曝光方法，用能量束使物体曝光，包括：在包含第1、第2及第3区域的预定范围内，根据编码器读头的输出，测量移动体在预定平面内的位置信息的测量步骤，其中，该移动体在其上保持该物体并且能够基本上沿预定平面移动，该编码器读头设于该移动体的与第1、第2、及第3光栅部中的任意一个相对的表面上，该第1、第2、及第3光栅部位于与该移动体的基本上平行于该预定平面的表面相对的、与该预定平面平行的平面上的与该第1、第2、及第3区域对应的位置上，该第1区域至少包含对所装载的该物体进行曝光的曝光位置，第2区域位于该第1区域的第1方向的一侧、至少进行该物体的更换，第3区域位于该第1区域与该第2区域之间。
据此，根据编码器读头的输出，不仅在第1区域内与第2区域内移动时，在通过第3区域移动于第1区域与第2区域之间时，也能测量移动体于预定平面内的位置信息。因此，通过在与预定平面平行的面上的与第1、第2及第3区域对应的位置分别配置第1、第2及第3光栅部，能够仅使用测量装置所包含的编码器系统，不只是在第1区域内与第2区域内移动时，且在通过第3区域而在第1区域与第2区域之间移动时，也能控制移动体于预定平面内的位置。
本发明第6方面提供第3曝光方法，用能量束使物体曝光，包括：根据第1、第2编码器读头的输出，分别测量第1、第2移动体在第3、第5区域的预定平面内的位置信息的测量步骤，其中，第1移动体在其上保持该物体并且能够在包含第1、第2、第3区域的第1范围内基本上沿预定平面移动，第1区域包含至少对所装载的该物体进行曝光的曝光位置，第2区域位于该第1区域的第1方向的一侧、至少进行该物体的更换，第3区域则位于该第1区域与该第2区域之间；第2移动体在其上保持该物体，并且能在包含该第1区域、位于该第1区域的第1方向一侧的至少进行该物体的更换的第4区域、以及该第1区域与该第4区域之间的第5区域的第2范围内，基本上沿预定平面移动；该第1、第2编码器读头分别设于该第1移动体的与第1光栅部相对的表面上、以及该第2移动体的与第2光栅部相对的表面上，该第1、第2光栅部分别位于与第1、第2移动体的基本上平行于该预定平面的表面相对的、与该预定平面平行的平面上的与该第3、第5区域对应的位置上。
据此，根据第1编码器读头的输出，测量通过第3区域而在第1区域与第2区域之间移动的第1移动体于预定平面内的位置信息。此外，根据第2编码器读出的输出，测量通过第5区域而在第1区域与第4区域之间移动的第2移动体于预定平面内的位置信息。因此，仅需在与预定平面平行的面上的对应第3区域、第5区域的位置分别配置第1、第2光栅部，就能控制通过第3区域在第1区域与前述第2区域之间移动时的第1移动体、及通过第4区域在第1区域与前述第5区域之间移动时的第2移动体于预定平面内的位置。
本发明另一方面提供一种器件制造方法，包含：使用本发明第1、第2、第3曝光方法的任一者使物体曝光的步骤；以及将曝光完成的物体予以显影的步骤。
附图说明
图1是概略显示第1实施形态的曝光装置的构成的图。
图2(A)是显示图1的晶片载台WST1的前视图；图2(B)是显示晶片载台WST1的俯视图。
图3(A)是显示图1的晶片载台WST2的前视图；图3(B)是显示晶片载台WST2的俯视图。
图4(A)～图4(C)是用以说明传送部的图。
图5是显示图1的曝光装置所具备的载台装置的俯视图。
图6是用以说明使用3个多轴干涉仪的晶片载台的位置测量的图。
图7是显示一实施形态的曝光装置控制系统的主要构成的框图。
图8是显示对晶片载台WST1上装载的晶片进行曝光、并在晶片载台WST2上进行晶片更换的状态的图。
图9是显示对晶片载台WST1上装载的晶片进行曝光、并对晶片载台WST2上装载的晶片进行晶片对准的状态的图。
图10是显示晶片载台WST2依照使用编码器的位置测量的结果，沿着由编码器读头与标尺的配置所规定的路径，经由第2等待区域从对准区域往曝光区域移动的状态的图。
图11是显示晶片载台WST1与晶片载台WST2向并列(scrum)位置的移动结束的状态的图。
图12是显示对晶片载台WST2上装载的晶片进行曝光、并在晶片载台WST1上进行晶片更换的状态的图。
图13(A)及图13(B)是用以说明第1实施形态的第1变形例的图。
图14是用以说明第1实施形态的第2变形例的图。
图15是用以说明另一变形例的图。
图16是显示第2实施形态的曝光装置的载台装置的俯视图。
图17是显示第2实施形态的曝光装置对晶片载台WST1上装载的晶片进行曝光、对晶片载台WST2上装载的晶片进行晶片对准的状态的图。
图18是显示第2实施形态的曝光装置中的晶片载台WST2依照使用编码器的位置测量的结果，沿着由编码器读头与标尺的配置所规定的路径，经由第2等待区域从对准区域往曝光区域移动的状态的图。
图19是显示第2实施形态的曝光装置中，晶片载台WST1与晶片载台WST2往并列位置的移动结束的状态的图。
图20是显示第2实施形态的曝光装置中，对晶片载台WST2上装载的晶片进行曝光、在晶片载台WST1上进行晶片更换的状态的图。
图21是用以说明第2实施形态的第1变形例的图。
图22是用以说明第2实施形态的第2变形例的图。
图23是用以说明第2实施形态的另一变形例的图。
具体实施方式
《第1实施形态》
以下，根据图1～图12说明本发明的第1实施形态。
图1概略显示第1实施形态的双载台型的曝光装置100的构成。此曝光装置100，是步进扫描方式的投影曝光装置、也即所谓的扫描机。如后述，本实施形态中设有投影光学系统PL与对准系统ALG，以下，将与此投影光学系统PL的光轴AX平行的方向设为Z轴方向、将在与该Z轴方向正交的面内与连结投影光学系统PL的中心(光轴AX)与对准系统ALG的检测中心(光轴AXp)的直线平行的方向设为Y轴方向，与Z轴及Y轴正交的方向设为X轴方向，且将绕X轴、Y轴、及Z轴的旋转(倾斜)方向分别设为θx、θy、及θz方向来进行说明。
曝光装置100，具备照明系统10、标线片载台RST、投影单元PU、局部液浸装置8、对准系统ALG、载台装置50、及它们的控制系统等。又，图1中，构成载台装置50的2个晶片载台WST1、WST2分别位于投影单元PU的下方、对准系统ALG的下方。此外，晶片载台WST1、WST2上分别装载有晶片W1、W2。
照明系统10，例如美国专利申请公开第2003/0025890号说明书等所揭示，其包含光源、具有光学积分器等的照度均一化光学系统、具有标线片遮帘等(均未图示)的照明光学系统。该照明系统10，通过照明光(曝光用光)IL，以大致均一的照度来照明被标线片遮帘(也称为屏蔽系统)在标线片R上设定的狭缝状照明区域IAR。此处，作为一例，使用ArF准分子激光光束(波长193nm)来作为照明光IL。
于标线片载台RST上例如通过真空吸附固定有标线片R，该标线片R在其图案面(图1的下表面)上形成有电路图案等。标线片载台RST，能通过包含例如线性马达等的标线片载台驱动系统11(图1中未图示、参照图7)而在XY平面内微幅驱动，且能以预定的扫描速度在扫描方向(指图1的图面内左右方向的Y轴方向)上驱动。
标线片载台RST在XY平面(移动面)内的位置信息(包含θz方向的旋转信息)，通过标线片激光干涉仪(以下称为“标线片干涉仪”)116，经由移动镜15(实际上设有具有与Y轴方向正交的反射面的Y移动镜(或逆向反射镜)、以及具有与X轴方向正交的反射面的X移动镜)例如以0.25nm程度的分辨率始终检测。标线片干涉仪116的位置信息传送至主控制装置20(于图1未图示，参照图7)，主控制装置20，根据被送来的位置信息，经由标线片载台驱动系统11控制标线片载台RST的位置(及速度)。
投影单元PU，配置于标线片载台RST的图1下方(-Z方向)。投影单元PU，包含：镜筒40、以及被保持于该镜筒40内的投影光学系统PL。作为投影光学系统PL，例如使用沿与Z轴方向平行的光轴AX排列的多个透镜(透镜元件)所构成的折射光学系统。投影光学系统PL，例如是两侧远心折射光学系统且具有预定投影倍率(例如1/4倍、1/5倍、或1/8倍等)。藉此，当以来自照明系统10的照明光IL来照明标线片R上的照明区域IAR时，利用通过投影光学系统PL的第1面(物体面)与其图案面大致配置成一致的标线片R的照明光IL，使该照明区域IAR内的标线片R的电路图案的缩小像经由投影光学系统PL(投影单元PU)形成于区域(以下也称为曝光区域)IA上；该区域IA与配置于投影光学系统PL的第2面(像面)侧、表面涂布有光阻(感光剂)的晶片W1(或W2)上的照明区域IAR共轭。接着，通过标线片载台RST与晶片载台WST1(或WST2)的同步驱动，使标线片R相对照明区域IAR(照明光IL)移动于扫描方向(Y轴方向)，且使晶片W1(或W2)相对曝光区域(照明用光IL)移动于扫描方向(Y轴方向)，藉此对晶片W1(或W2)上的照射区域(shot area)(分割区域)进行扫描曝光，以将标线片的图案转印于该照射区域。也即，本实施形态中，通过照明系统10、标线片R及投影光学系统PL将图案生成于晶片W1(或W2)上，然后通过照明光IL对晶片W1(或W2)上的感光层(光阻层)的曝光将该图案形成于晶片W上。
在本实施形态的曝光装置100中，为进行液浸方式的曝光，设有局部液浸装置8。局部液浸装置8，包含液体供应装置5、液体回收装置6(图1中皆未图示，参照图7)、液体供应管31A、液体回收管31B、及嘴单元32等。嘴单元32，如图1所示，以围绕保持构成投影光学系统PL的最靠近像面侧(晶片侧)的光学元件、此处是透镜(以下，也称前端透镜)191的镜筒40的下端部周围的方式，被悬吊支承于用以保持投影单元PU的未图示的主机架。本实施形态中，嘴单元32，如图1所示，其下端面被设定在与前端透镜191的下端面大致齐平的面上。
液体供应管31A连接于液体供应装置5(图1中未图示，参照图7)、液体回收管31B则连接于液体回收装置6(图1中未图示，参照图7)。此处，液体供应装置5，包含有贮藏液体的液体槽、加压泵、温度控制装置、以及用以控制液体流量的阀等。液体回收装置6，具备贮藏回收的液体的储液槽、吸引泵、用以控制液体流量的阀等。
主控制装置20，控制液体供应装置5(参照图7)，经由液体供应管31A将液体供应至前端透镜191与晶片W1(或W2)之间，并控制液体回收装置6(参照图7)，经由液体回收管31B从前端透镜191与晶片W1(或W2)之间回收液体。在这些操作中，主控制装置20将液体供应装置5与液体回收装置6控制成所供应的液体量与回收的液体量始终相等。因此，在前端透镜191与晶片W1(或W2)之间的空间中，随时更换保持有一定量的液体Lq，据此形成液浸区域14(参照例如图6、图8等)。本实施形态的曝光装置100，经由形成液浸区域14的液体Lq将照明光IL照射于晶片W1(或W2)，以进行对晶片W1(或W2)的曝光。此处，液浸区域14虽是应称为液体空间的以液体Lq充满的三维空间，但因空间也有空隙的意思，为避免此误解，本说明书中使用液浸区域的用语。
上述液体使用例如可使ArF准分子激光光束(波长193nm的光)透射的纯水。又，ArF准分子激光光束对纯水的折射率n大致为1.44，在纯水中，照明光IL的波长将缩短为193nm×1/n＝约134nm。
对准系统ALG配置在离投影单元PU的中心(投影光学系统PL的光轴AX(本实施形态中，与前述曝光区域IA的中心一致))在-Y侧相距预定距离的位置，被保持于未图示的主机架。此处，对准系统ALG使用例如图像处理方式的FIA(Field Image Alignment，场像对准)系统。对准系统ALG，在进行晶片对准等时，依据主控制装置20的指示拍摄晶片载台WST1或WST2上的基准标记或晶片上的对准标记(晶片标记)，将该成像信号经由未图示的信号处理系统供应至主控制装置20(参照图7)。
除此以外，在本实施形态的曝光装置100中，在投影单元PU的附近设有与例如美国专利第5,448,332号说明书等所揭示的相同构成的多点焦点位置检测系统(以下，简称为多点AF系统)AF(图1中未图示，参照图7)。此处，作为多点AF系统，使用如下系统：将来自照射系统的检测光束经由形成于前述嘴单元32中的未图示的光透射部及液浸区域的液体Lq分别照射于晶片W1(或W2)表面的多个检测点，并经由形成于嘴单元32中的另一光透射部由受光系统接收检测光束于多个检测点的反射光。多点AF系统AF的检测信号经由未图示的AF信号处理系统供应至主控制装置20(参照图7)。主控制装置20根据多点AF系统AF的检测信号，检测各检测点的晶片W表面的Z轴方向的位置信息，根据该检测结果实施扫描曝光过程中的晶片W的所谓的焦点调平(focus levelling)控制。又，也可在对准检测系统ALG的附近设置多点AF系统，在晶片对准时事先取得晶片表面的面位置信息(凹凸信息)，在曝光时，使用该面位置信息与检测晶片载台上表面的Z轴方向的位置的另一传感器的测量值，来实施晶片W的所谓的焦点调平控制。
进一步，曝光装置100，在标线片载台RST的上方设有由使用曝光波长的光的一对TTR(Through The Reticle，经由标线片)对准系统所构成的标线片对准检测系统13(图1中未图示，参照图7)。标线片对准检测系统13的检测信号，经由未图示的对准信号处理系统供应至主控制装置20(参照图7)。
载台装置50，如图1所示，具备：配置在底盘12上方的晶片载台WST1、WST2、用以测量晶片载台WST1、WST2的位置信息的测量系统200(参照图7)、以及驱动晶片载台WST1、WST2的载台驱动系统124(参照图7)等。测量系统200，如图7所示，包含干涉仪系统118及编码器系统150等。
晶片载台WST1、WST2分别通过所具备的后述气动滑件，隔着数μm程度的间隙被悬浮支承在底盘12的上方。此外，晶片载台WST1、WST2可通过构成载台驱动系统124的后述平面马达，分别沿底盘12的上表面(移动导引面)在XY平面内驱动。又，晶片载台WST1，在包含后述的曝光时移动区域AE、并列(scrum)状态移动区域AS、第1等待区域AW1、以及对准区域AA的第1移动范围内移动。晶片载台WST2，则在包含曝光时移动区域AE、并列状态移动区域AS、第2等待区域AW2、以及对准区域AA的第2移动范围内移动。
晶片载台WST1，如图1及图2(A)所示，包含载台本体91、与搭载在载台本体91上的晶片台WTB1。载台本体91，如图2(A)所示，除设于底盘12内部的固定子52外，还具有构成平面马达51的可动子56，以及一体设在该可动子56的下半部周围、具有多个空气轴承的气动滑件54。
可动子56，例如由包含以相邻磁极面的极性彼此相异的方式排列成矩阵状的多个平面磁石所构成的平面磁性产生体的磁石单元构成。
另一方面，固定子52，则由具有在底盘12内部排列成矩阵状的多个电枢线圈(驱动线圈)57的电枢单元构成。作为电枢线圈57，本实施形态中设有X驱动线圈及Y驱动线圈。并通过固定子52与前述可动子56，构成电磁驱动方式(罗伦兹力驱动方式)的磁转(movingmagnet)型的平面马达51。
多个电枢线圈57被构成底盘12上表面的平板状构件58覆盖。平板状构件58的上表面，构成来自晶片载台WST1(及WST2)的移动导引面和气动滑件54所具备的空气轴承的加压空气的受压面。
晶片台WTB1，经由构成载台驱动系统124的一部分的Z调平机构(例如，包含音圈马达等)设在载台本体91上。晶片台WTB1，通过Z调平机构相对于载台本体91被微驱动于Z轴方向、θx方向及θy方向。因此，晶片台WTB1，可通过包含平面马达51与Z调平机构的载台驱动系统124，相对底盘12驱动于6自由度方向(X、Y、Z、θx、θy、θz)。
在晶片台WTB1的上表面中央，设有以真空吸附等方式保持晶片的晶片保持具(未图示)。在晶片保持具(晶片的载置区域)外侧，如图2(B)所示，设有在中央形成有比晶片保持具大一圈的圆形开口、且具有矩形外形(轮廓)的板件28。板件28表面形成施加了对液体Lq的拒液处理的拒液面。又，板件28被设定为其表面全部(或一部分)与晶片W表面大致齐平。
又，在板件28的+Y侧的+X端部附近形成有圆形开口，该圆形开口内嵌有基准标记板FM1。基准标记板FM1，其表面被设定为与板件28大致齐平。在基准标记板FM1表面上，至少形成有由标线片对准检测系统13检测的一对第1基准标记、以及由对准系统ALG检测的第2基准标记。
在晶片台WTB1的+X侧的-Y端部，如图2(B)所示，设有较其它部分突出的板状檐部23a。晶片台WTB1的整个上表面，包含晶片W1及檐部23a在内，大致齐平。
晶片载台WST2，如图1、图3(A)及图3(B)等所示，包含载台本体91与晶片台WTB2，与上述晶片载台WST1为左右对称，具有相同的构成。不过，在晶片载台WST2中，与晶片台WTB1上的基准标记FM1的配置成对称的配置，在晶片台WTB2上表面设有基准标记板FM2，且以与晶片台WTB1的檐部23a大致对称的配置，设有檐部23b。
接着，针对檐部23a、23b详述其功能等。
图4(A)中，放大显示了设于晶片台WTB1的檐部23a、与设于晶片台WTB2的檐部23b。如图4(A)所示，檐部23a由从晶片台WTB1的+X侧上端部突出的大致平板状的部分构成，在其前端部形成有上半部较下半部突出的凸部。另一方面，檐部23b由从晶片台WTB2的-X侧上端部突出的大致平板状的部分构成，在其前端部形成有凸部，该凸部的下半部较上半部突出，并且与檐部23a的凸部卡合，在该卡合状态下，如图4(A)所示，整体形成为板状部。
各檐部23a、23b的前端，由图4(A)可知，分别位于晶片载台WST1的+X侧端部、晶片载台WST1的-X侧端部。又，檐部23a、23b彼此卡合状态下的檐部23a与檐部23b的合计长度，即使前端部有部分重迭部，也被设定为具有可阻止晶片载台WST1与晶片载台WST2接触(更正确而言，阻止晶片载台WST1的气动滑件54的+X侧端与晶片载台WST2的气动滑件54的-X侧端接触)程度的长度。此场合，在檐部23a、23b彼此卡合的状态下，不仅是上述气动滑件54彼此的接触，还能如图4(A)所示，阻止突出设于晶片载台WST1的+X侧端的反射镜27f(详细后述)、与突出设于晶片载台WST2的-X侧端的反射镜27e(详细后述)接触。也即，檐部23a与檐部23b各自的突出长度并不特别成为问题，只要在檐部23a、23b彼此卡合的状态下，能避免晶片载台WST1与晶片载台WST2的接触(更正确而言，晶片载台WST1的气动滑件54的+X侧端与晶片载台WST2的气动滑件54的-X侧端的接触)、并且能避免反射镜27f与反射镜27e的接触即可。
本实施形态中，在晶片载台WST1、WST2接近或接触、更正确而言檐部23a与檐部23b接近或接触的状态(也即两晶片载台的并列状态)下，檐部23a及檐部23b被反射面27f与反射面27e完全覆盖。此时，晶片台WTB1与晶片台WTB2的上表面，包含檐部23a、23b的上表面，整体大致成平齐(完全平的面)(参照图4(A))。此处，所谓檐部23a与檐部23b接近，例如，是指檐部23a与檐部23b隔着300μm程度以下的间隙接近的状态。
檐部23a的宽度(Y轴方向上的长度)，如图5等所示，被设定为充分大于前述液浸区域14的宽度(Y轴方向上的长度)。因此，例如在结束对装载于晶片台WTB1上的晶片W1的曝光、而为了开始对装载于晶片台WTB2上的晶片W2进行曝光，须使位于投影光学系统PL附近的曝光时移动区域AE(参照图8)的晶片载台WST1退避至曝光时移动区域AE外(参照图8)，使在预定等待位置等待的晶片载台WST2移至曝光时移动区域AE。此时，主控制装置20，如图11所示，使晶片载台WST1、WST2所分别具有的檐部23a、23b卡合以使晶片载台WST1、WST2在X轴方向上接近或接触。并在维持此状态(并列状态)下，主控制装置20通过将两晶片载台WST1、WST2在-X方向上驱动，使液浸区域14顺序在晶片台WTB1、檐部23a、檐部23b及晶片台WTB2上表面移动。当然，也可使液浸区域14反向移动。
又，例如图11所示，并列状态移动区域AS是晶片载台WST1、WST2维持并列状态移动的概略范围。此外，例如图9所示，曝光时移动区域AE是曝光时因晶片载台的移动而晶片载台上的晶片移动的概略范围，后述对准区域AA则为晶片对准时因晶片载台的移动而晶片载台上的晶片移动的概略范围。
液浸区域14经由檐部23a、23b从晶片台WTB1上往晶片台WTB2上移动时，形成液浸区域14的液体Lq有可能侵入檐部23a与檐部23b的间隙，经由晶片载台WST1及/或WST2的侧面而漏至晶片载台WST1及/或WST2的下方。因此，例如图4(C)所示，应在檐部23b的与檐部23a卡合的面的一部分、或檐部23a的与檐部23b卡合的面的一部分、或檐部23a与檐部23b两者的卡合面的一部分上，置以密封构件24。在此情况下，可通过密封构件24防止液体Lq侵入檐部23a与檐部23b的间隙，并且防止漏至晶片载台WST1及/或WST2的下方。又，密封构件24例如是使用由氟橡胶等构成的弹性密封构件。此外，也可取代贴以密封构件24，而对檐部23a与檐部23b的卡合面、及/或檐部23b与檐部23a的卡合面，以铁氟龙(Teflon，注册商标)等施以拒水涂层。
本实施形态中，如上所述，可使液浸区域14经由檐部23a、23b在晶片台WTB1、WTB2间移动。在该运动中，由于维持了檐部23a及23b的接触或接近状态，因此能防止液浸区域14的液体Lq从檐部23a与檐部23b的间隙泄漏。因此，能在不使液体Lq沾湿反射镜27f、27e的情形下，使液浸区域14在晶片台WTB1、WTB2间移动。据此，无须进行从投影光学系统PL的下部回收液体Lq的回收作业，从而与进行液体Lq的回收、供应的情形相比较，能提升生产量。
上述说明虽针对在晶片台WTB1、WTB2分别设置檐部23a、23b的情形作了说明，但不限于此，也可如图4(B)所示，在晶片台WTB1设置檐部23c，并在晶片台WTB2设置嵌合檐部23c的台阶部23d。或者，相反，在晶片台WTB1设置台阶部、在晶片台WTB2设置檐部也可。此场合下，在将檐部23c与台阶部23d嵌合的两晶片载台WST1、WST2的并列状态下，檐部23c的长度应设定为能避免晶片载台WST1与晶片载台WST2的接触、及反射镜27f与反射镜27e的接触的长度。
再者，也可在晶片载台WST1、WST2中，设置如例如国际公开第2007/097379号小册子所揭示的基准杆(CD杆)、照度不均测量传感器、空间像测量器、波面像差测量器及照度监测器等各种测量装置及测量构件。
本实施形态中，从晶片载台WST1的-X侧端部，设于底盘12(晶片载台WST1、WST2的移动导引面)的-X侧的、能沿Y轴方向移动的第1缆线梭(未图示)，连接配线/配管用的缆线。同样，从晶片载台WST2的+X侧端部，设于底盘12的+X侧的、能沿Y轴方向移动的第2缆线梭(未图示)，连接配线/配管用的缆线。通过这些缆线，进行对Z调平机构及测量装置的电力供应、以及对设于两晶片载台WST1、WST2的气动滑件的加压空气的供应等。
接着，说明构成测量系统200的一部分的干涉仪系统118。
如图2(B)及图3(B)所示，在晶片台WTB1及WTB2的-X侧端面、+Y侧端面、+X侧端面、-Y侧端面，分别形成有反射面27a、27b、27c、27d。又，在晶片载台WST1、WST2的-X侧及+X侧，设有反射镜27e、27f(分别相对反射面27a、27c倾斜45度)。又，如图1及图5所示，长方形板状的反射板25A、25B以其反射面与晶片载台WST1、WST2(晶片台WTB1、WTB2)相对的状态，分别配置在投影单元PU的+X侧、-X侧，其长边方向沿着Y轴方向。反射板25A、25B设置在保持投影单元PU等的主机架的下表面。
干涉仪系统118，如图5所示，包含4个Y干涉仪16、17、18、19与4个XZ干涉仪116、117、126、127。Y干涉仪16、17、18在底盘12的+Y侧，配置在X轴方向上的不同位置。Y干涉仪19在底盘12的-Y侧，与Y干涉仪17相对配置。XZ干涉仪116、117在底盘12的-X侧，在Y轴方向相距预定距离配置。此外，XZ干涉仪126、127则在底盘12的+X侧，分别与XZ干涉仪116、127相对配置。
具体而言，Y干涉仪17，如图6所示，对晶片台WTB1(或WTB2)的反射面27b照射与Y轴平行的2个测量光束B17₁、B17₂，该2个测量光束与连结投影光学系统PL的光轴AX与对准系统ALG的检测中心、与Y轴平行的直线(基准轴)LV₀在±X方向上相距相等距离接收测量光束B17₁、B17₂的反射光来测量反射面27b在测量光束B17₁、B17₂的照射点的Y轴方向位移(设为第1、第2位置信息)。第1、第2位置信息被送至主控制装置20。主控制装置20根据第1、第2位置信息的平均值，算出晶片台WTB1(或WTB2)在Y轴方向的位置(Y位置)。即，Y干涉仪17在Y轴方向的实质测量轴与基准轴LV₀一致。此外，主控制装置20根据第1、第2位置信息的差，算出晶片台WTB1(或WTB2)在θz方向的旋转信息(偏转(yawing)量)。
又，Y干涉仪17，与测量光束B17₁、B17₂在-Z方向相距预定距离，对反射面27b照射另一个测量光束B17₃，并接收测量光束B17₃的反射光，以测量反射面27b在测量光束B17₃的照射点的Y轴方向的位移(设为第3位置信息)，将其送至主控制装置20。主控制装置20根据第3位置信息、第1、第2位置信息，算出晶片台WTB1(或WTB2)在θx方向的旋转信息(俯仰(pitching)量)。
Y干涉仪16、18、19与Y干涉仪17同样，用于测量晶片台WTB1、WTB2的一方或两方的Y位置、俯仰量及偏转量。Y干涉仪16、18分别具有与基准轴LV₀平行的测量轴LV₁、LV₂。又，基准轴LV₀作为Y干涉仪19的实质的测量轴，Y干涉仪19将3个测量光束照射于晶片台WTB1(或WTB2)的反射面27d。
XZ干涉仪116、126，将与投影光学系统PL的光轴AX及基准轴LV₀正交的基准轴LH作为X轴方向的测量轴。即，XZ干涉仪116，如图6所示，沿测量轴LH将测量光束B116₁照射于晶片台WTB1(或WTB2)的反射面27a，并接收在反射面27a的测量光束B116₁的反射光，以测量反射面27a在测量光束B116₁的照射点的X轴方向位移(设为第4位置信息)。同样，XZ干涉仪126，沿测量轴LH将测量光束B126₁照射于晶片台WTB1(或WTB2)的反射面27c，并接收在反射面27c的测量光束B126₁的反射光，以测量反射面27c在测量光束B126₁的照射点的X轴方向位移(设为第5位置信息)。第4、第5位置信息被送至主控制装置20。主控制装置20根据第4、第5位置信息，算出晶片台WTB1(或WTB2)的X位置。
又，XZ干涉仪116，与测量轴LH平行地将测量光束(Z测量光束)B116₂照射于设在晶片台WTB1(或WTB2)的反射镜27e的反射面。测量光束B116₂被反射镜27e反射向+Z方向，照射于前述反射板25B的反射面上。来自反射板25B的反射面的测量光束B116₂的反射光，回溯原来的光路而被XZ干涉仪116接收。XZ干涉仪116测量测量光束B116₂的光路长(的变化)，将该测量结果送至主控制装置20。同样，XZ干涉仪126，与测量轴LH平行地，将测量光束(Z测量光束)B126₂照射于设在晶片台WTB1(或WTB2)的反射镜27f的反射面。测量光束B126₂被反射镜27f反射向+Z方向，照射于前述反射板25A的反射面上。来自反射板25A的反射面的测量光束B126₂的反射光，回溯原来的光路而被XZ干涉仪126接收。XZ干涉仪126测量测量光束B126₂的光路长(的变化)，将该测量结果送至主控制装置20。
主控制装置20，根据从前述第4位置信息所得的测量光束B116₁的光路长、与测量光束B116₂的光路长的差，算出测量光束B116₂在反射镜27e的反射面上的照射点的Z位置(记为Ze)。
又，主控制装置20，根据从前述第5位置信息所得的测量光束B126₁的光路长、与测量光束B126₂的光路长的差，算出测量光束B126₂在反射镜27f的反射面上的照射点的Z位置(记为Zf)。进一步，主控制装置20根据2个Z位置Ze、Zf的平均值和差，算出晶片台WTB1(或WTB2)的Z位置与θy方向的旋转信息(滚动(rolling)量)。
又，XZ干涉仪116、126，如图6所示，与测量轴LH平行但在-Z方向与测量光束B116₁、B126₁相隔预定距离，分别对反射面27a、27c照射测量光束B116₃、B126₃。XZ干涉仪116、126接收测量光束B116₃、B126₃的反射光，以测量反射面27a、27c在测量光束B116₃、B126₃的照射点的X轴方向位移(设为第6、第7位置信息)。第6、第7位置信息被送至主控制装置20。主控制装置20根据第4位置信息与第6位置信息，算出晶片台WTB1(或WTB2)的滚动量(设为θy1)。又，主控制装置20根据第5位置信息与第7位置信息算出晶片台WTB1(或WTB2)的滚动量(设为θy2)。此外，主控制装置20根据Z位置(Ze)与上述滚动量θy1，算出晶片台WTB1(或WTB2)的Z位置。再者，主控制装置20根据Z位置(Zf)与上述滚动量θy2，算出晶片台WTB1(或WTB2)的Z位置。
但是，测量光束B116₁、B116₃的分离距离及测量光束B126₁、B126₃的分离距离，比测量光束(Z测量光束)B116₂、B126₂在反射镜27e、27f的反射面上的照射点的X轴方向的距离短。因此，晶片台WTB1(或WTB2)的滚动量的测量精度，与使用前述Z测量光束B116₂、B126₂的测量要差。因此，主控制装置20，原则上，使用Z测量光束B116₂、B126₂、即使用两XZ干涉仪116、126来进行晶片台WTB1(或WTB2)的θy方向的位置信息(滚动量)及Z位置的测量，作为例外的替代方法，仅使用XZ干涉仪116、126的任一方来进行测量。又，替代方法的使用例留待后述。
XZ干涉仪117、127与XZ干涉仪116、126同样，在晶片对准时等用于测量晶片台WTB1(或WTB2)的X位置、Z位置及θy方向的位置(滚动量)。又，测量方法除了将在对准系统ALG的检测中心与基准轴LV₀正交且与X轴平行的基准轴LA(参照图5)作为测量轴外，与使用XZ干涉仪116、126的测量相同。
如以上所述，通过包含Y干涉仪16、17、18、19及XZ干涉仪116、117、126、127的干涉仪系统118的使用，可测量晶片台WTB1(或WTB2)的6自由度(X、Y、Z、θx、θy、θz)方向的位置信息。此外，根据各个干涉仪的配置，主控制装置20在曝光时移动区域AE使用Y干涉仪17与XZ干涉仪116、126，而在晶片载台WST1、WST2在晶片对准时移动的对准系统ALG附近的对准区域AA(参照图9)则使用Y干涉仪19与XZ干涉仪117、127。又，主控制装置20，如图12所示，在晶片载台WST1用以在曝光时移动区域AE与对准区域AA之间来回移动的第1等待区域(底盘12上的-X侧区域)AW1内，使用Y干涉仪16与XZ干涉仪116、126或117、127，而如图10所示，在晶片载台WST2用以在曝光时移动区域AE与对准区域AA之间来回移动的第2等待区域(底盘12的+X侧区域)AW2内，则使用Y干涉仪18与XZ干涉仪116、126或117、127。
本实施形态中，为测量晶片台WTB1(或WTB2)于XY平面内的位置信息，与上述干涉仪系统118分开地设有编码器系统150(参照图7)。因此，主控制装置20，主要使用干涉仪系统118进行晶片台WTB1(或WTB2)的位置测量，编码器系统150，则如后所述，用在晶片载台WST1(或WST2)位于干涉仪系统118的测量区域外时。当然，主控制装置20，也可并用干涉仪系统118与编码器系统150进行晶片台WTB1(或WTB2)的XY平面内的位置测量。
其次，说明构成测量系统200的一部分的编码器系统150。编码器系统150，可与前述干涉仪系统118分开独立地测量晶片载台WST1、WST2的XY平面内的位置(X、Y、θz)。本实施形态中，编码器系统150，主要用在晶片载台WST1、WST2分别沿曝光时移动区域AE与对准区域AA之间的第1、第2等待区域AW1、AW2内的移动路径移动时，进行两晶片载台WST1、WST2的位置测量。
在各晶片载台WST1、WST2上，以向上(+Z方向)射出测量光束的方式向上搭载有3个编码器读头(以下，简称读头)，具体而言，搭载有以X轴方向为测量方向的2个X读头、以Y轴方向为测量方向的1个Y读头。进一步具体而言，在晶片台WTB1的上表面，如图2(B)所示，在-X侧端部且-Y侧端部附近在X轴方向上相邻配置X读头EX₁与Y读头EY，在-X侧端部的Y轴方向中央附近配置有X读头EX₂。
又，在晶片台WTB2的上表面，如图3(B)所示，以和晶片台WTB1上表面的3个读头左右对称的配置，搭载有X读头EX₁、EX₂、Y读头EY。上述各编码器读头，是使用例如美国专利第7,238,931号说明书等所揭示的干涉型的编码器读头。
本实施形态中，采用将从搭载于晶片载台WST1、WST2的各编码器读头射出的测量光束，向形成于前述反射板25A、25B的标尺(光栅部)照射的构成。具体而言，如图5所示，在反射板25B的反射面的X轴方向中心略偏-X侧，形成有Y轴方向为长边方向的X标尺SX₁。X标尺SX₁，由以Y轴方向为长边方向的光栅线在X轴方向以预定间距(例如1μm)排列的衍射光栅构成。
又，与反射板25B的反射面上的X标尺SX₁的+X侧相邻形成有Y标尺SY₁。Y标尺SY₁，具有以Y轴方向为长边方向的细长矩形的主区域、以及从该主区域的±Y侧两端沿+X方向延伸的矩形区域构成的一对副区域(延伸区域)。Y标尺SY₁，由以X轴方向为长边方向的光栅线在Y轴方向以预定间距(例如1μm)排列的衍射光栅构成。
在反射板25A的反射面上，以和X标尺SX₁、Y标尺SY₁左右对称的配置形成有X标尺SX₂、Y标尺SY₂。X标尺SX₂、Y标尺SY₂，由与X标尺SX₁、Y标尺SY₁相同构成的衍射光栅构成。
本实施形态中，以X轴方向为测量方向的X读头EX₁、EX₂，分别对X标尺SX₁、SX₂照射测量光束并接收其反射光，由此检测X读头本身相对于照射了测量光束的X标尺在X轴方向上的相对位移。
同样，以Y轴方向为测量方向的Y读头EY，对Y标尺SY₁、SY₂照射测量光束并接收其反射光，由此检测Y读头本身相对于照射了测量光束的Y标尺在Y轴方向上的相对位移。
本实施形态中，如图5所示，在晶片载台WST1位于从曝光时移动区域AE经由第1等待区域AW1向第1装载位置及对准区域AA移动的移动路径的-X侧端部且+Y侧端部的位置时，晶片载台WST1上所搭载的X读头EX₁、EX₂与X标尺SX₁相对、而Y读头EY与Y标尺SY₁相对。此处，从与对应标尺相对的各读头，分别将针对各测量方向的、读头与对应的标尺的相对位移的测量信息，送至主控制装置20。主控制装置20根据各读头的测量信息，算出晶片载台WST1于XY平面内的位置(X轴方向、Y轴方向及θz方向的位置)。
此处，第1装载位置是指在晶片载台WST1上进行晶片更换的位置，本实施形态中，配置在第1等待区域AW1内，定为基准标记板FM1被定位在对准系统ALG正下方时的晶片载台WST1的位置。
又，当晶片载台WST1从图5所示状态往+X方向移动时，X读头EX₁、EX₂脱离X标尺SX₁。此场合下，主控制装置20使用Y读头EY、XZ干涉仪116(或XZ干涉仪116、126)及Y干涉仪16测量晶片载台WST1的位置。当晶片载台WST1进一步往+X方向移动预定距离时，Y读头EY也脱离Y标尺SY₁。此场合下，主控制装置20使用干涉仪系统118，具体而言，使用Y干涉仪16及XZ干涉仪116(或Y干涉仪16及XZ干涉仪116、126)测量晶片载台WST1的位置。
又，在晶片载台WST2位于从曝光时移动区域AE经由第2等待区域AW2朝向第2装载位置及对准区域AA移动的移动路径的+X侧端部且+Y侧端部的位置时，晶片载台WST2上所搭载的X读头EX₁、EX₂与X标尺SX₂、Y读头EY与Y标尺SY₂相对。主控制装置20根据这3个读头的测量结果，算出晶片载台WST2在移动面内的XY平面内的位置。又，在读头脱离对应的标尺时，与前述同样，切换为使用干涉仪系统118的位置测量。
此处，第2装载位置是指在晶片载台WST2上进行晶片更换的位置，本实施形态中，配置在第2等待区域AW2内，定为基准标记板FM2被定位在对准系统ALG正下方时的晶片载台WST2的位置。
通过采用如图5所示的标尺SX₁、SY₁的配置、以及晶片载台WST1所搭载的读头EX₁、EX₂、EY的配置，在晶片载台WST1从曝光时移动区域AE经由第1等待区域AW1移动至第1装载位置及对准区域AA时、或与此相反移动时，在晶片载台WST1的移动路径中，至少在沿Y轴方向延伸的直线路径中，可进行仅使用编码器系统150的位置测量。同样，通过采用标尺SX₂、SY₂的配置以及晶片载台WST2所搭载的读头EX₁、EX₂、EY的配置，在晶片载台WST2从曝光时移动区域AE经由第2等待区域AW2移动至第2装载位置及对准区域AA时、或与其相反移动时，在载台WST2的移动路径中，至少在沿Y轴方向延伸的直线路径中，可进行仅使用编码器系统150的位置测量。如此，无需在使用干涉仪系统118进行沿上述直线路径移动的晶片载台WST1、WST2的位置测量时所必须的XZ干涉仪116与117的切换处理、及XZ干涉仪126与127的切换处理、以及切换后所使用的干涉仪的重设(原点的重设)。因此，与使用干涉仪系统118的场合相比，能提升生产量。
图7中显示了曝光装置100的控制系统的主要构成。此控制系统，主要由整体控制装置全体的微机(或工作站)所组成的主控制装置20构成。
其次，根据图8～图12及图5，说明使用2个晶片载台WST1、WST2的并行处理动作。以下的动作中，主控制装置20如前所述控制液体供应装置5与液体回收装置6，在投影光学系统PL的前端透镜191的正下方的空间中保持一定量的液体Lq，以随时形成液浸区域14。
图8中，显示了在曝光时移动区域AE，对晶片载台WST1上装载的晶片W1进行步进扫描方式的曝光，与此并行，在第2等待区域AW2内的第2装载位置，在晶片搬送机构(未图示)与晶片载台WST2之间正进行晶片更换的状态。
上述晶片更换中、及该晶片更换后，晶片载台WST2停止于第2装载位置的期间，主控制装置20在开始对新的晶片W2的晶片对准(及其它前处理测量)之前，先实施Y干涉仪19与XZ干涉仪117、127的重设(原点的重设)。
晶片更换(新晶片W2的装载)与干涉仪19，117、127的重设完成后，主控制装置20使用对准系统ALG检测基准标记板FM2上的第2基准标记。接着，主控制装置20检测以对准系统ALG的指针中心为基准的第2基准标记的位置，根据该检测结果、以及检测时干涉仪19、117、127进行的晶片载台WST2的位置测量的结果，算出第2基准标记在以基准轴LA及基准轴LV₀为坐标轴的正交坐标系统(对准坐标系统)中的位置坐标。
接着，主控制装置20，如图9所示，使晶片载台WST2移动至对准区域AA。主控制装置20使用干涉仪19、117、127，一边测量在对准区域AA(对准坐标系统)中的晶片载台WST2的位置坐标、一边进行增强型全晶片对准(enhanced global alignment，EGA)。具体而言，主控制装置20，一边使用干涉仪19、117、127控制晶片载台WST2的位置座标、一边使用对准系统ALG检测晶片W2上特定的多个照射区域(采样照射区域)中设置的多个对准标记，求出它们的位置座标。根据所求得的位置坐标与设计位置坐标，实施例如美国专利第4,780,617号说明书等所揭示的统计运算，算出多个照射区域在对准坐标系统中的位置坐标。并从所算出的位置坐标减去前面检测的第2基准标记的位置坐标，来求出以第2基准标记的位置为原点的晶片W2上的多个照射区域的位置坐标。
通常，上述晶片更换、晶片对准序列比曝光序列先结束。因此，当晶片对准结束时，主控制装置20使晶片载台WST2移动至前述在第2等待区域AW2内沿Y轴方向延伸的直线路径上的预定等待位置。此时，主控制装置20暂时使晶片载台WST2回到前述第2装载位置。由此，晶片载台WST2所搭载的Y读头EY与Y标尺SY₂(参照图8)相对。主控制装置20，在Y读头EY与Y标尺SY₂相对的时间点，将晶片载台WST2的Y位置测量从使用Y干涉仪19的测量、切换为使用Y读头EY的测量。接着，主控制装置20将晶片载台WST2沿+X方向驱动。如此，X读头EX₁、EX₂与X标尺SX₂相对。主控制装置20，在X读头EX₁、EX₂与X标尺SX₂相对的时间点，将晶片载台WST2的X位置及θz位置的测量，从使用干涉仪系统118的测量切换为使用X读头EX₁、EX₂的测量。接着，主控制装置20，使晶片载台WST2在上述预定等待位置等待，直到对晶片载台WST1上的晶片W1的曝光结束为止。
当对晶片台WTB1上的晶片W1的曝光结束时，主控制装置20，开始将晶片载台WST1、WST2驱动向图11所示的并列状态移动区域AS内的各预定位置(右侧并列位置)。晶片载台WST1往右侧并列位置的移动开始后，主控制装置20，将用于晶片载台WST1的位置测量的Y干涉仪从Y干涉仪17切换为Y干涉仪16。又，此时，主控制装置20，如图10所示，使用编码器读头EX₁、EX₂、EY测量晶片载台WST2的位置，根据该测量结果，沿着由读头EX₁、EX₂、EY以及对应的标尺SX₂、SY₂的配置所规定的路径(直线路径)移动晶片载台WST2。
又，此时，朝向右侧并列位置移动的晶片载台WST2遮住原本照射于晶片载台WST1的XZ干涉仪126的3个测量光束，使用XZ干涉仪126的晶片载台WST1的位置测量变得无法进行。因此，主控制装置20仅使用XZ干涉仪116测量晶片台WTB1的X、Z、θy位置。此处，主控制装置20为测量θy位置及Z位置而使用前述替代法。
又，主控制装置20，在晶片载台WST2到达图11所示的右侧并列位置时，将晶片载台WST2的X位置及θz位置测量，从使用读头EX₁、EX₂的测量切换为使用XZ干涉仪126及Y干涉仪18的测量。此时，主控制装置20根据读头EX₁、EX₂、EY的测量值，预设定XZ干涉仪126及Y干涉仪18(但是，以Y读头EY进行的测量继续进行)。此外，由图11可清楚得知，在晶片载台WST2移动至右侧并列位置的状态下，由于被晶片载台WST1遮住了XZ干涉仪116的3个测量光束，因此，主控制装置20仅使用XZ干涉仪126测量晶片台WTB2的X、Z、θy位置。此处，主控制装置20为测量θy位置及Z位置，也采用前述替代法。
又，在两晶片载台WST1、WST2移动至并列状态移动区域AS内的右侧并列位置的状态下，如图11所示，晶片载台WST1的檐部23a与晶片载台WST2的檐部23b卡合，成为两晶片载台WST1、WST2经由檐部23a、23b而接近或接触的并列状态。又，此时，如图11所示，晶片载台WST1所搭载的Y读头EY与Y标尺SY₁相对。因此，主控制装置20将用于测量晶片载台WST1的Y位置的测量器从干涉仪16切换为Y读头EY。接着，主控制装置20在保持此并列状态的情形下，将两晶片载台WST1、WST2沿-X方向驱动。又，此时，使用晶片载台WST1所搭载的Y读头EY与XZ干涉仪116进行晶片载台WST1的X、Y位置的测量(但是，θz位置的测量使用Y干涉仪16)、使用晶片载台WST2所搭载的Y读头EY与XZ干涉仪126进行晶片载台WST2的X、Y位置测量(但是，θz位置的测量使用Y干涉仪18)，依据这些测量结果驱动两晶片载台WST1、WST2。又，此时，可以分别使用Y干涉仪16、18测量晶片载台WST1、WST2的Y位置。
随着晶片载台WST1、WST2在并列状态移动区域AS内、保持并列状态的情形下沿-X方向移动，形成在前端透镜191与晶片台WTB1之间的液浸区域14，顺序移动至晶片台WTB1、檐部23a、檐部23b、晶片台WTB2上。图5中，显示了液浸区域14刚完成跨过檐部23a上、从晶片台WTB1上移动至晶片台WTB2上之后的状态。
当液浸区域14往晶片台WTB2上的移动完成时，晶片载台WST1所搭载的编码器读头EX₁、EX₂、EY分别与对应的标尺SX₁、SY₁相对。因此，主控制装置20将晶片载台WST1的XY平面内的位置测量，从使用XZ干涉仪116与Y读头EY的测量切换为使用X读头EX₁、EX₂与Y读头EY的测量。接着，主控制装置20，使晶片载台WST1沿着由3个读头EX₁、EX₂、EY与分别对应的标尺SX₁、SY₁的配置所规定的第1等待区域AW1内的路径，移动至图12所示的第1装载位置。晶片载台WST1到达第1装载位置后，主控制装置20，切换为使用Y干涉仪19与XZ干涉仪117、127的晶片载台WST1的位置测量。
与上述晶片载台WST1的移动并行，主控制装置20驱动晶片载台WST2，将基准标记板FM2定位于投影光学系统PL的正下方。在此的前，主控制装置20，将使用晶片载台WST2所搭载的Y读头EY与XZ干涉仪126的晶片载台WST2于XY平面内的位置测量、切换为使用Y干涉仪17与XZ干涉仪116、126的晶片载台WST2于XY平面内的位置测量。并使用标线片对准检测系统13(参照图7)检测基准标记板FM2上的一对第1基准标记，以检测与第1基准标记对应的标线片R上的标线片对准标记在晶片面上的投影像的相对位置。又，此检测经由投影光学系统PL及形成液浸区域14的液体Lq进行。
主控制装置20，根据此处所检测的相对位置信息、以及先前求出的以第2基准标记为基准的晶片W2上各照射区域的位置信息，算出标线片R的图案的投影位置(投影光学系统PL的投影中心)与晶片W2上各照射区域的相对位置关系。根据该算出结果，主控制装置20，与前述晶片W1的场合同样，一边控制晶片载台WST2的位置、一边以步进扫描方式将标线片R的图案转印至晶片W2上的各照射区域。图12中，显示以此方式将标线片R的图案转印至晶片W2上各照射区域的情形。
与对上述晶片载台WST2上的晶片W2的曝光动作并行，主控制装置20，在第1装载位置，在晶片搬送机构(未图示)与晶片载台WST1之间进行晶片更换，将新的晶片W1装载至晶片台WTB1上。接着，主控制装置20，使用对准系统ALG检测基准标记板FM1上的第2基准标记。又，在第2基准标记的检测前，在晶片载台WST1位于第1装载位置的状态下，主控制装置20实施Y干涉仪19与XZ干涉仪117、127的重设(原点的重设)。之后，主控制装置20一边控制晶片载台WST1的位置、一边对晶片W1进行与前述同样的使用对准系统ALG的晶片对准(EGA)。
当对晶片台WTB1上的晶片W1的晶片对准(EGA)结束、且对晶片台WTB2上的晶片W2的曝光也结束时，主控制装置20将晶片载台WST1、WST2驱动向并列状态移动区域AS内的左侧并列位置。此左侧并列位置，是指晶片载台WST1、WST2位于图11所示的右侧并列位置相对于前述基准轴LV₀成左右对称的位置。朝左侧并列位置驱动中的晶片载台WST1的位置测量，以和前述晶片载台WST2的位置测量同样的顺序进行。
在此左侧并列位置，晶片载台WST1的檐部23a与晶片载台WST2的檐部23b也卡合，而两晶片载台WST1、WST2成并列状态。主控制装置20在保持此并列状态的情形下，将两晶片载台WST1、WST2沿与先前的驱动相反的+X方向驱动。随此驱动，形成在前端透镜191与晶片台WTB2之间的液浸区域14，与先前相反地，顺序从晶片台WTB2、檐部23b、檐部23a、移动至晶片台WTB1上。当然，在保持并列状态移动时，与先前同样，进行两晶片载台WST1、WST2的位置测量。当液浸区域14的移动完成时，主控制装置20以和前述同样的顺序开始对晶片载台WST1上的晶片W1的曝光。与此曝光动作并行，主控制装置20以和前述同样的方式将晶片载台WST2经由第2等待区域AW2驱动向第2装载位置，将晶片载台WST2上已曝光完成的晶片W2更换为新的晶片W2，实施对新晶片W2的晶片对准。
之后，主控制装置20反复实施上述使用晶片载台WST1、WST2的并行处理动作。
由以上的说明可知，由与X标尺SX₁相对的一对X读头EX₁、EX₂构成的一对X编码器、以及与Y标尺SY₁相对的Y读头EY构成的Y编码器来构成第1编码器系统，此第1编码器系统测量当晶片载台WST1沿着进行使晶片W1位于形成液浸区域14的曝光位置的第1状态、与使晶片W1从曝光位置退避的第2状态之间的状态迁移时的X轴方向路径移动时，即当晶片载台WST1沿着包含并列状态移动区域AS内的移动路径与第1等待区域AW1内的移动路径的、曝光时移动区域AE与第1装载位置附近区域之间的移动路径移动时，晶片载台WST1于XY平面内的位置信息。又，由与X标尺SX₂相对的一对X读头EX₁、EX₂构成的一对X编码器、以及与Y标尺SY₂相对的Y读头EY构成的Y编码器来构成第2编码器系统，此第2编码器系统测量当晶片载台WST2沿着进行使晶片W2位于形成液浸区域14的曝光位置的第1状态、与使晶片W1从曝光位置退避的第2状态之间的状态迁移时的X轴方向路径移动时，即当晶片载台WST2沿着包含并列状态移动区域AS内的移动路径与第2等待区域AW2内的移动路径的、曝光时移动区域AE与第2装载位置附近区域之间的移动路径移动时，晶片载台WST2于XY平面内的位置信息。包含第1编码器系统与第2编码器系统在内，构成前述编码器系统150。
如以上的说明，根据本实施形态的曝光装置100，通过与X标尺SX₁相对的一对X读头EX₁、EX₂构成的一对X编码器、以及与Y标尺SY₁相对的Y读头EY构成的Y编码器，测量晶片载台WST1沿着曝光时移动区域AE与第1装载位置附近区域之间的第1等待区域AW1内的移动路径、具体而言沿着与前述Y轴基本平行的移动路径移动时，在XY平面内的位置信息(包含θz方向的旋转信息)。同样，通过与X标尺SX₂相对的一对X读头EX₁、EX₂构成的一对X编码器、以及与Y标尺SY₂相对的Y读头EY构成的Y编码器，测量晶片载台WST2沿着曝光时移动区域AE与第2装载位置附近区域之间的第2等待区域AW2内的移动路径、具体而言沿着与前述Y轴基本平行的移动路径移动时，在XY平面内的位置信息(包含θz方向的旋转信息)。因此，曝光装置100，在难以用干涉仪系统118进行晶片载台WST1、WST2的位置测量的区域，可通过编码器系统150分别测量晶片载台WST1、WST2的位置，通过包含干涉仪系统118与编码器系统150的测量系统200，随时测量晶片载台WST1、WST2于XY平面内的位置信息。此外，在晶片载台WST1、WST2沿上述各移动路径的移动中，不需要XZ干涉仪116、117间以及126、126间的切换处理。因此，能避免干涉仪的切换处理所造成的时间浪费，而能维持高生产量。
又，根据本实施形态的曝光装置100，仅需在与XY平面平行的反射板25A的反射面上沿与晶片载台WST1的移动路径对应的读头EX₁、EX₂及EY的移动轨迹分别配置X标尺SX₁及Y标尺SY₁，即能控制沿曝光时移动区域AE与第1装载位置附近区域之间的第1等待区域AW1内的移动路径移动时的晶片载台WST1于XY平面内的位置。同样，仅需在与XY平面平行的反射板25B的反射面上沿与晶片载台WST2的移动路径对应的读头EX₁、EX₂及EY的移动轨迹分别配置X标尺SX₂及Y标尺SY₂，即能控制沿曝光时移动区域AE与第2装载位置附近区域之间的第2等待区域AW2内的移动路径移动时的晶片载台WST2于XY平面内的位置。因此，曝光装置100，与在曝光位置与第1、第2装载位置之间的区域的整个面(即与反射板25A、25B的整个面大致一致)设置光栅的情形等相比，能谋求成本的降低。
此外，在进行使晶片W1位于形成液浸区域14的曝光位置的第1状态与使晶片W1退出曝光位置的第2状态之间的状态迁移时，晶片载台WST1于X轴方向的移动路径，即并列状态移动区域AS内的、晶片载台WST1与晶片载台WST2的并列状态下的移动路径，使用与对应的Y标尺SY₁相对的晶片载台WST1所搭载的Y读头EY，由主控制装置20测量晶片载台WST1的Y位置。同样，在进行使晶片W2位于形成液浸区域14的曝光位置的第1状态与使晶片W2从曝光位置退出的第2状态之间的状态迁移时，晶片载台WST2于X轴方向的移动路径，即并列状态移动区域AS内的、晶片载台WST2与晶片载台WST1的并列状态下的移动路径，使用与对应的Y标尺SY₂相对的晶片载台WST2所搭载的Y读头EY，由主控制装置20测量晶片载台WST2的Y位置。因此，与使用干涉仪系统测量并列状态移动区域AS内的并列状态下移动时的晶片载台WST1、WST2于Y轴方向的位置的情形相比，能进行高精度的测量。
又，根据曝光装置100，能在投影光学系统PL(投影单元PU)与其下方的晶片台(或晶片台上所装载的晶片)之间的空间中形成有液浸区域14的状态下，不会从两晶片载台WST1、WST2的间隙漏出液体，而从前述第1状态迁移至第2状态、或相反地从第2状态迁移至第1状态。由此，在并列状态下设于彼此相对侧的面上的反射镜27e、27f的反射面不会被液体湿润，而能保障以XZ干涉仪116、117、126、127进行的、使用反射镜27e、27f的反射面的晶片载台位置测量的高稳定性。
又，在一个晶片载台经由投影光学系统PL与液浸区域14的液体Lq进行的晶片曝光后，直至开始进行在另一个晶片载台经由投影光学系统PL与液浸区域14的液体Lq的晶片曝光为止的期间，无需进行形成液浸区域14的液体Lq的全回收、及再供应步骤。因此，能将在一个晶片载台的曝光结束至在另一个晶片载台的曝光开始的时间，缩短至与非液浸方式的曝光装置相同程度，以谋求生产量的提升。此外，在投影光学系统PL的像面侧随时存在液体，因此能有效防止在投影光学系统PL像面侧的光学构件(例如前端透镜191)上产生水渍(水痕)，从而长期良好地维持投影光学系统PL的成像性能。
又，也可通过前述2个晶片载台WST1、WST2的并行动作，而与仅使用1个晶片载台顺序进行晶片更换、晶片对准及曝光动作的现有的具备单一晶片载台的曝光装置相比，能谋求生产量的提升。
又，通过液浸曝光进行高解析度、且比空气中大的焦深的曝光，能将标线片R的图案以良好精度转印至晶片上。
上述实施形态中，虽然在晶片载台WST1、WST2上分别搭载与X标尺SX₁相对的一对X读头EX₁、EX₂和与Y标尺SY₁相对的Y读头，但不限于此，也可在晶片载台WST1、WST2上搭载一对Y读头与1个X读头。只要各晶片载台上Y读头与X读头合计至少有3个即可。其理由在于，此时，除了各晶片载台的X轴方向及Y轴方向的位置信息外，也能测量θz方向的旋转信息。不过，若目的仅在于测量各晶片载台的X轴方向及Y轴方向的位置信息的话，则在晶片载台WST1、WST2上，搭载与X标尺SX₁相对的1个X读头和与与Y标尺SY₁相对的1个Y读头即可。
又，前述实施形态中，如图13(A)及图13(B)所示，也可在晶片载台WST1上的X读头EX₁附近配置Y读头EY₁、EY₂。此场合下，Y读头EY₁与前述Y读头EY配置在相同位置，而Y读头EY₂则与Y读头EY₁在+Y侧相邻，即Y读头EY₁、EY₂以能同时与Y标尺SY₁的副区域(延伸区域)相对的位置关系配置。此图13(A)及图13(B)所示的变形例(以下，为方便起见，称第1变形例)，有如下的优点。
即，为降低例如Y标尺SY₁的制造成本，可将前述主区域与一对副区域这3部分分别制作并加以排列来制造Y标尺SY₁。此场合下，要将Y标尺SY₁的主区域(以下，记载为标尺部SY₁₁)和副区域(以下，记载为标尺部SY₁₂)在无误差的情形下、也即将分割的光栅彼此在无误差(如设计值)的情形下配置是非常困难的。
因此，此第1变形例，通过如下方法排除误差的影响。
a、如图13(A)所示，在晶片载台WST1位于Y读头EY₁、EY₂能与标尺部SY₁₂相对的位置时，主控制装置20分别撷取与标尺部SY₁₂相对的Y读头EY₁、EY₂的测量信息。
b、其次，当晶片载台WST1沿-Y方向移动而成为如图13(B)所示状态时，撷取与标尺部SY₁₂相对的Y读头EY₂的测量信息、以与标尺部SY₁₁相对的Y读头EY₁的测量信息。
c、接着，主控制装置20，根据在a中所取得的Y读头EY₁、EY₂的测量信息彼此间的关系以及在b中所取得的Y读头EY₂、EY₂的测量信息彼此间的关系，求出标尺部SY₁₂与标尺部SY₁₁的接合误差，以修正Y读头EY₁的测量信息。由此，之后，晶片载台WST1的Y位置能使用Y读头EY₁、EY₂的至少一方以良好精度加以测量。
在标尺部SY₁₁与标尺部SY₁₂的-Y侧端部的接合部，也只要进行与上述同样的处理即可。又，在也需要修正标尺部SY₁₁与标尺部SY₁₂的旋转误差的情形时，只要按照能够与Y读头EY₁、EY₂一起同时与标尺部SY₁₂相对的位置关系再设置1个Y读头、例如在晶片载台WST1上与Y读头EY₁或EY₂的+X侧相邻设置即可。
又，在另一个晶片载台WST2侧，在晶片载台WST2上以和上述配置成左右对称的配置设置2个Y读头，进行同样的处理即可。
通过此方式，能以与使用将主区域与一对副区域的3部分形成在一片板件上所制作的Y标尺的情形相同程度的精度，控制晶片载台WST1、WST2于Y轴方向的位置。
又，前述实施形态中，也可取代前述X标尺SX₁、SX₂，而使用图14的第2变形例所示的X标尺SX₁’、SX₂’。这些X标尺SX₁’、SX₂’，具有以Y轴方向为长边方向的细长矩形的主区域、以及从该主区域的+Y侧端部与Y标尺SY₁的+Y侧端部沿X轴方向延伸的矩形区域构成的一对副区域(延伸区域)。相应于此，将X读头EX₁于各晶片载台上的位置，如图14中所示，变更为相对Y读头EY₁(此Y读头EY₁，在晶片载台上与Y读头EY设在相同位置)向+Y侧偏移预定距离的位置。
此第2变形例，在进行使晶片W1位于形成液浸区域14的曝光位置的第1状态与使晶片W1从曝光位置退出的第2状态之间的状态迁移时的晶片载台WST1的移动路径中，即在包含并列状态移动区域AS内的与晶片载台WST2的并列状态下的移动路径与第1等待区域AW1内的移动路径在内的、曝光时移动区域AE与第1装载位置附近区域之间的移动路径的整个区域中，沿该移动路径移动时的晶片载台WST1于XY平面内的位置信息，可以通过包含由与X标尺SX₁’相对的X读头EX₁、EX₂构成的2个X编码器、以及由与Y标尺SY₁相对的Y读头EY₁构成的Y编码器的第1编码器系统，高精度地加以测量。
又，根据此第2变形例，在进行使晶片W2位于形成液浸区域14的曝光位置的第1状态与使晶片W2从曝光位置退出的第2状态之间的状态迁移时的晶片载台WST2的移动路径中，即在包含并列状态移动区域AS内的与晶片载台WST1的并列状态下的移动路径与第2等待区域AW2内的移动路径在内的、曝光时移动区域AE与第2装载位置附近区域之间的移动路径的整个区域中，沿该移动路径移动时的晶片载台WST2于XY平面内的位置信息，可以通过包含由与X标尺SX₂’相对的X读头EX₁、EX₂构成的2个X编码器、以及由与Y标尺SY₂相对的Y读头EY₁构成的Y编码器的第2编码器系统，以高精度加以测量。
因此，此第2变形例，具有不必设置前述Y干涉仪16、18的优点。不过，此第2变形例中，也可设置前述Y干涉仪16、18。一般而言，干涉仪比编码器更易受到空气波动的影响，因此，与编码器相比虽然测量的短期稳定性较差，但相反地由于无标尺(光栅)的经时变化等，因此与编码器相比测量的长期稳定性较好，干涉仪与编码器具有测量特性相异的情形。因此，通过编码器与干涉仪的并用，可提升所测量的位置信息的综合可靠性。
又，在图14的第2变形例中，也可如图15所示，与X读头EX₁、X读头EX₂、Y读头EY₁分别相邻并且以能同时与对应标尺相对的配置，设置X读头EX₃、X读头EX₄、Y读头EY₂。如此，与上述第1变形例同样的理由，能降低各标尺的制造成本。
《第2实施形态》
其次，根据图16～图20说明本发明的第2实施形态。此第2实施形态的曝光装置，与前述第1实施形态在编码器系统的构成、及伴随使用该编码器系统的位置测量的晶片载台WST1、WST2的并行处理动作等有所差异，其它部分的构成等则与前述第1实施形态相同。因此，以下说明中，为避免重复说明，对相同或同等构成部分使用相同符号，并省略其说明。此外，以下，以差异点为中心进行说明。
前述第1实施形态，各编码器(读头)采用在单轴方向上具有灵敏度的线性编码器，但本第2实施形态的曝光装置，采用在彼此正交的二轴方向上具有灵敏度、即以正交二轴方向为测量方向的2维编码器(2D编码器)。作为2维编码器，可使用例如具有配置于正交2轴方向的二对固定标尺，在各对的固定标尺上将从2维光栅产生的正交2轴方向的相同次数的衍射光，分别聚光于共用的索引(index)标尺的3光栅衍射干涉方式的编码器。
本第2实施形态的曝光装置，如图16所示，在各晶片载台WST1、WST2至少分别搭载有2个2维编码器读头(2D读头)E₁、E₂。在晶片载台WST1上表面，在-X侧端部且-Y侧端部附近配置第1读头E₁、在-X侧的Y轴方向中央附近配置有第2读头E₂。又，在晶片载台WST2上表面，以和晶片载台WST1所搭载的2个2D读头成左右对称(相对Y轴对称)的配置搭载有2个2D读头E₁、E₂。
如图16所示，从反射板25B的反射面的X轴方向中心略靠-X侧，形成具有以Y轴方向为长边方向的细长矩形的主区域、从该主区域的Y轴方向两端沿+X方向延伸的一对副区域(延伸区域)、以及在Y轴方向上距离该一对副区域(延伸区域)预定距离的位置从主区域沿+X方向延伸的一对副区域(延伸区域)的2维标尺(2D标尺)S₁。此处，在Y轴方向的预定距离，是指2个2D读头E₁、E₂在Y轴方向上的分离距离。另一方面，在反射板25A的反射面上，形成有与2D标尺S₁左右对称的2维标尺(2D标尺)S₂。
2D标尺S₁、S₂由在X轴及Y轴方向以预定间距设置的2维衍射光栅构成。
本实施形态中，2D读头E₁、E₂分别对2D标尺S₁、S₂照射测量光束，并接收该测量光束来自2D标尺S₁、S₂的反射光(衍射光)，由此检测2D读头本身相对于被照射测量光束的2D标尺在X轴方向及Y轴方向上的相对位移。
本第2实施形态，如图16所示，在晶片载台WST1位于经由第1等待区域AW1从曝光时移动区域AE朝第1装载位置及对准区域AA移动的移动路径的-X侧端部且+Y侧端部的位置时，晶片载台WST1上所搭载的2D读头E₁、E₂与2D标尺S₁的主区域相对。此处，从与对应的2D标尺S₁相对的2D读头E₁、E₂，2D读头E₁、E₂在X轴与Y轴这两轴方向上相对于对应的2D标尺S₁的相对位移的测量值被送至主控制装置20。主控制装置20根据各2D读头E₁、E₂的测量值，算出晶片载台WST1于XY平面内的位置(X轴方向，Y轴方向及θz方向的位置)。
又，当晶片载台WST1从图16所示状态移动于+X方向时，2个2D读头E₁、E₂与2D标尺S₁的+Y侧的一对副区域(延伸区域)相对。同样，在晶片载台WST1位于上述移动路径的-Y侧端部时，于相同的X位置，2个2D读头E₁、E₂与2D标尺S₁的-Y侧的一对副区域(延伸区域)相对。在这些情形下，也与先前同样地，主控制装置20可根据两2D读头E₁、E₂的测量值算出晶片载台WST1于XY平面内的位置。
当晶片载台WST1从2D读头E₁、E₂与2D标尺S₁的+Y侧的一对副区域(延伸区域)相对的状态，进一步在+X方向移动预定距离时，2D读头E₁、E₂脱离2D标尺S₁。在此之前，主控制装置20，将使用2D读头E₁、E₂的晶片载台WST1的位置测量切换为使用干涉仪系统118的晶片载台WST1的位置测量。例如，从Y干涉仪17及XZ干涉仪116、126的测量结果，算出晶片载台WST1于XY平面内的位置(X轴方向，Y轴方向及θz方向的位置)。
同样，在晶片载台WST2位于经由第2等待区域AW2从曝光时移动区域AE朝第2装载位置及对准区域AA移动的移动路径的+X侧端部且+Y侧端部的位置时，晶片载台WST2上所搭载的2D读头E₁、E₂与2D标尺S₂的主区域相对。主控制装置20根据2D读头E₁、E₂的测量值，算出晶片载台WST2于XY平面内的位置。又，在2D读头E₁、E₂与2D标尺S₂的延伸区域相对的情形时也同样。此外，在2D读头E₁、E₂脱离2D标尺S₂时，也与前述晶片载台WST1的情形相同，先将位置测量切换为使用干涉仪系统118的晶片载台WST2的位置测量。
通过如图16所示的2D标尺S₁的配置与搭载于晶片载台WST1的2D读头E₁、E₂的配置的采用，能在晶片载台WST1经由第1等待区域AW1从曝光时移动区域AE移动至第1装载位置时、或相反地移动时的晶片载台WST1的移动路径的整个区域，进行仅使用2D编码器的载台位置测量。同样，通过2D标尺S₂的配置与搭载于晶片载台WST2的2D读头E₁、E₂的配置的采用，能在晶片载台WST2经由第2等待区域AW2从曝光时移动区域AE移动至第2装载位置时、或相反地移动时的晶片载台WST2的移动路径的整个区域，进行仅使用2D编码器的载台位置测量。如此，无需在使用干涉仪系统118进行对沿上述直线路径移动的晶片载台WST1、WST2的位置测量的情形时所必须的XZ干涉仪116与117的切换处理、及XZ干涉仪126与127的切换处理、以及切换后所使用的干涉仪的重设(原点的重设)。因此，与使用干涉仪系统118的情形相比，能提升生产量。此外，由于上述理由，本第2实施形态无须设置前述Y干涉仪16、18。
其次，根据图16～图20，说明使用2个晶片载台WST1、WST2的并行处理动作。又，以下的动作中，与前述第1实施形态同样，始终形成有液浸区域14。
图17中显示了在曝光时移动区域AE中，进行对晶片载台WST1上所装载的晶片W1的步进扫描方式的曝光，与此并行，在对准区域AA中进行对晶片载台WST2上所装载的晶片W2的增强型全晶片对准(EGA)的状态。此时，主控制装置20使用Y干涉仪17与XZ干涉仪116、126测量晶片载台WST1的位置，使用Y干涉仪19与XZ干涉仪117、127测量晶片载台WST2的位置。
对晶片W2的晶片对准(EGA)结束时，主控制装置20使晶片载台WST2往第2等待区域AW2内的、2D标尺S₂的主区域所规定的沿Y轴方向延伸的直线路径上的预定等待位置移动。此时，主控制装置20暂时使晶片载台WST2回到前述第2装载位置。据此，晶片载台WST2所搭载的2D读头E₁、E₂与2D标尺S₂的一对延伸区域相对。接着，主控制装置20在2D读头E₁、E₂与2D标尺S₂相对的时间点，将使用干涉仪19、117、127的晶片载台WST2于XY平面内的位置测量切换为使用2D编码器E₁、E₂的晶片载台WST2于XY平面内的位置测量。此外，主控制装置20，在对晶片载台WST1上的晶片W1的曝光结束前，使晶片载台WST2在上述预定等待位置等待。
当对晶片台WTB1上的晶片W1的曝光结束时，主控制装置20将晶片载台WST1、WST2分别驱动向图19所示的并列状态移动区域AS内的各预定位置(右侧并列位置)。此时，主控制装置20，如图18所示，使用2D读头E₁、E₂测量晶片载台WST2的位置，并依据该测量结果，使晶片载台WST2沿着由2D读头E₁、E₂与2D标尺S₂的配置所规定的第2等待区域AW2内的路径(直线路径)移动。
又，当晶片载台WST1到达并列状态移动区域AS内的右侧并列位置时，如图19所示，由于晶片载台WST1所搭载的2D读头E₁、E₂与2D标尺S₁的一对延伸区域相对，因此，主控制装置20从使用干涉仪17、116、126的晶片载台WST1的位置测量，切换为使用2D读头E₁、E₂的位置测量。
在两晶片载台WST1、WST2移动至并列状态移动区域AS内的右侧并列位置的状态下，如图19所示，晶片载台WST1的檐部23a与晶片载台WST2的檐部23b卡合，而经由两晶片载台WST1、WST2的檐部23a、23b成为两载台接近或接触的并列状态。接着，主控制装置20在保持此并列状态的情形下，将两晶片载台WST1、WST2沿-X方向驱动。此时，主控制装置20使用分别搭载于晶片载台WST1、WST2的2D编码器E₁、E₂进行位置测量，根据该测量结果驱动两载台WST1、WST2。
随着两晶片载台WST1、WST2在并列状态移动区域AS内保持并列状态的情形下向-X方向移动，原本形成在前端透镜191与晶片台WTB1之间的液浸区域14，从晶片台WTB1往檐部23a、檐部23b、晶片台WTB2上顺序移动。图16中显示了采此方式，使液浸区域14越过檐部23a上而从晶片台WTB1上移动往晶片台WTB2上之后一刻的状态。
当液浸区域14往晶片台WTB2上的移动完成时，主控制装置20使晶片载台WST1经由第1等待区域AW1移动至图20所示的第1装载位置。此移动中的晶片载台WST1的位置使用2D读头E₁、E₂加以测量。载台WST1到达第1装载位置后，主控制装置20，从使用2D读头E₁、E₂的晶片载台WST1的位置测量，切换为使用Y干涉仪19与XZ干涉仪117、127的载台WST1的位置测量。
与上述晶片载台WST1的移动并行，主控制装置20，使晶片载台WST2移动至曝光时移动区域AE，将基准标记板FM2定位在投影光学系统PL的正下方。在此之前，主控制装置20，从使用2D读头E₁、E₂的晶片载台WST2于XY平面内的位置测量，切换为使用干涉仪17、116、126的晶片载台WST2于XY平面内的位置测量。接着，以和前述相同的顺序，开始标线片对准(检测基准标记板FM2上的一对第1基准标记)及使用步进扫描方式的对晶片W2的曝光。
与对上述晶片载台WST2上的晶片W2的曝光动作并行，主控制装置20，在第1装载位置，在晶片搬送机构(未图示)与晶片载台WST1之间进行晶片更换，将新的晶片W1装载于晶片台WTB1上。接着，使用对准系统ALG检测基准标记板FM1上的第2基准标记。然后，主控制装置20，使晶片载台WST1移动至对准区域AA，并一边控制晶片载台WST1的位置、一边对晶片W1进行与前述同样的使用对准系统ALG的晶片对准(EGA)。
当对晶片台WTB1上的晶片W1的晶片对准(EGA)结束、且对晶片台WTB2上的晶片W2的曝光也结束时，主控制装置20循着与先前的移动路径相反的路径，将晶片载台WST1、WST2驱动向并列状态移动区域AS内的左侧并列位置。当两晶片载台WST1、WST2移动至左侧并列位置时，主控制装置20在保持并列状态的情形下，将两载台WST1、WST2往与先前的驱动相反的+X方向驱动。通过该驱动，液浸区域14与先前相反地，从晶片台WTB2顺序往檐部23b、檐部23a、晶片台WTB1上移动。液浸区域14的移动完成时，主控制装置20，以和前述同样的顺序，开始对晶片载台WST1上的晶片W1的曝光。与此曝光动作并行，主控制装置20，以和前述同样的方式将晶片载台WST2经由第2等待区域AW2驱动向第2装载位置，将晶片载台WST2上曝光完成的晶片W2更换为新的晶片W2，以实施对新的晶片W2的晶片对准。
然后，主控制装置20，反复实施上述晶片载台WST1、WST2的并行动作。
如以上的说明，本第2实施形态的曝光装置，可获得与前述第1实施形态的曝光装置同等的作用效果。除此以外，根据本第2实施形态的曝光装置，在使用上述2D编码器的晶片载台WST1、WST2的并行处理动作中，主控制装置20，仅使用编码器系统测量在各并列位置与各装载位置之间的并列状态移动区域AS内、以及各等待区域AW1、AW2内的路径中移动的两晶片载台WST1、WST2的位置，因此无需设置前述Y干涉仪16、18。
又，本第2实施形态，于晶片载台WST1、WST2上搭载有分别与2D标尺S₁、S₂相对的各2个2D读头E₁、E₂，因此除了各晶片载台的X轴方向及Y轴方向的位置信息外，也能测量θz方向的旋转信息。不过，若其目的仅在于测量各晶片载台的X轴方向及Y轴方向的位置信息的话，则也可于晶片载台WST1、WST2上仅搭载1个2D读头。
又，与上述第2实施形态同样，在使用2D编码器的情形时，例如图21所示的第1变形例那样，也可在晶片载台WST1、WST2上，例如以与Y轴方向相邻、即以能同时与2D标尺相对的位置关系，分别搭载2维编码器读头(2D读头)E₁、E₂。该变形例中，主控制装置可根据2D读头E₁、E₂的测量值，算出晶片载台WST1、WST2于XY平面内的位置(X轴方向，Y轴方向及θz方向的位置)。又，此变形例中，也可对应2D读头E₁、E₂的配置，使用如图21所示的大致U字形的2D标尺S₁’、S₂’来缩小标尺的配置面积，由此谋求成本的降低。此外，此变形例中，也可于晶片载台WST1、WST2上将2D读头E₁、E₂于X轴方向相邻配置，也可以其它位置关系配置。只要是2D读头E₁、E₂能同时与2D标尺S₁’、S₂’相对的配置即可。
又，上述各实施形态，在曝光时移动区域AE内与对准区域AA内使用干涉仪系统118，而在并列状态移动区域AS内及第1、第2等待区域AW1，AW2内则并用干涉仪系统118与编码器系统150、或仅使用编码器系统150来进行晶片载台WST1、WST2的位置测量。相对于此，也可在整个移动范围内仅使用编码器系统来进行两载台WST1、WST2的位置测量。
此处，作为一例，说明图22所示的上述第2实施形态的第2变形例。取代图1及图5所示的反射板25A、25B，配置了与晶片载台WST1、WST2的移动面(底盘12)的整个表面相对的矩形反射板25C。但是，在反射板25C中形成有用以插入镜筒40与对准系统ALG的下端部的2个圆形开口。又，反射板25C设置在保持投影单元PU等的主机架的下表面。
在反射板25C的与底盘12相对的表面上的、对应于并列状态移动区域AS与第1、第2等待区域AW1、AW2的位置，形成有在上述第2实施形态中导入的2个2D标尺S₁、S₂(参照图16)。再者，在除了镜筒40与对准系统ALG贯通的开口部外的对应于曝光时移动区域AE与对准区域AA的位置，形成有同样的2D标尺SE、SA。这些2D标尺SE、SA经由2D标尺S₁、S₂连接。
搭载于晶片载台WST1及WST2的2D读头E₁、E₂，分别对2D标尺S₁、SE、SA及S₂、SE、SA照射测量光束，并通过接收该测量光束的来自2D标尺的反射光(衍射光)，来检测2D读头本身相对于被照射测量光束的2D标尺的X轴方向及Y轴方向的相对位移。搭载于晶片载台WST1及WST2的2D读头E₁、E₂的测量值被送至主控制装置20。主控制装置20根据各2D读头E₁、E₂的测量值，算出晶片载台WST1、WST2于XY平面内的位置(X轴方向、Y轴方向及θz方向的位置)。
如以上所述，通过2D标尺S₁、S₂以外的2D标尺SE、SA的导入，在曝光时及晶片对准时也能进行仅使用编码器系统150的晶片载台WST1、WST2的位置测量。因此，不使用干涉仪系统，也能进行与上述各实施形态相同的使用晶片载台WST1、WST2的并列处理动作。当然，也可与上述各实施形态同样地，设置干涉仪系统，来并用干涉仪系统与编码器系统。
此外，与对图13及图15所示的第1实施形态的2个变形例同样，也可如图23所示，于晶片载台WST1、WST2上，与2D读头E₁、E₂分别接近地设置2D读头E₃、E₄。2D标尺S₁、S₂、SE、SA分别作成，而对于2D标尺S₁、S₂，则将主区域与副区域(延伸区域)个别作成，通过将这些各区域在反射板25C上彼此接合，成为一体的2D标尺S₁、S₂、SE、SA。因此，与上述2个变形例同样，通过在晶片载台WST1、WST2上彼此接近配置的各2个2D读头E₁、E₃与E₂、E₄的并用，在各2D读头横跨2D标尺S₁、S₂、SE、SA间的接合部、或横跨2D标尺S₁、S₂的主区域与副区域间的接合部时，可在接近的2个2D读头间连接晶片载台WST1、WST2的位置测量结果。图23中显示了晶片载台WST1上的2D读头E₁、E₃及E₂、E₄横跨2D标尺SA、S₁间的接合部、以及晶片载台WST2上的2D读头E₁、E₃及E₂、E₄横跨2D标尺SE、S₂间的接合部的瞬间的状态。于此状态下，进行前述接合误差的修正。据此，由于2D标尺的接合误差获得修正，因此能进行高精度的晶片载台WST1、WST2的位置测量。
又，上述各实施形态中，虽然系通过檐部23a及23b(或檐部23c(及台阶部23d))来构成在晶片载台WST1、WST2间进行液浸区域14的传送的传送部，但不限于此，只要能通过彼此卡合，维持晶片载台WST1与晶片载台WST2相距预定间隔(相距能避免晶片载台WST1与晶片载台WST2接触、及反射镜27f与反射镜27e接触的间隔)相对的状态，并且液浸区域能通过其上表面的话，传送部可以不是如檐部的形状。
又，上述各实施形态，以前述晶片载台WST1、WST2的移动路径为前提，晶片载台WST1、WST2通过平面马达沿XY平面独立驱动。但不一定必须使用平面马达，也可视移动路径的不同使用线性马达等。
又，上述各实施形态及变形例中，彼此卡合的檐部23a、23b(或彼此卡合的檐部23c与台阶部23d)，分别设在晶片载台WST1的+X侧的表面、晶片载台WST2的-X侧的表面的各-Y端部。这是为了使檐部对应例如图5及图11等所示的并列时的两晶片载台WST1、WST2的移动路径。因此，在并列时的两晶片载台WST1、WST2的移动路径不同的情形时，应当视该移动路径而适当设定檐部23a与檐部23b(或檐部23c与台阶部23d)的设置场所。檐部等的传送部，只要是设在2个晶片载台相对的一侧的表面中的至少一个表面上，并不限于-Y端部，可设置在任何位置。但是，设置场所，优选是不会实质上妨碍使用对设于晶片载台WST1、WST2的反射镜27e、27f的反射面照射的测量光束的晶片载台WST1、WST2于Z轴方向的位置信息测量的位置(反射镜27e、27f的反射面的非有效区域上方)。此外，檐部等的传送部，只要是设在2个晶片载台相对一侧的表面中的至少一个表面上，其个数不限于1个。例如，在设置有多个传送部的情形时，多个传送部的配置以设定为能以最佳效率开始进行下一曝光对象晶片的曝光的并列(效率最佳的并列)为宜。此场合下，也可视晶片W1、W2的照射区域的曝光序列，将开始进行下一曝光对象晶片的曝光、以及包括基准标记板上的基准标记在内的检测皆能以最佳效率进行的方式，来决定檐部等传送部的配置，并且进一步视需要决定基准标记板于晶片载台上的配置。
又，上述各实施形态及变形例，虽然针对在晶片载台WST1、WST2上设置固定的檐部等突出部的情形作了说明，但不限于此，突出部也可以是可动的。此场合下，例如可将突出部作成仅在两晶片载台WST1、WST2处于并列状态时呈大致水平状态，并列时以外、即非使用时可以折迭。
又，上述实施形态及变形例，虽将檐部的Y轴方向宽度设定为略大于液浸区域，但不限于此，檐部的Y轴方向宽度可以设定得更大。
又，上述各实施形态及变形例，虽然针对在液浸区域的传送等时，在维持2个晶片载台WST1、WST2的并列状态的情形下，在X轴方向驱动的情形作了说明，但不限于此，也可作成不仅是X轴方向而也能驱动于Y轴方向。如此，可将并列状态之后被传送了液浸区域的晶片载台所保持的下一曝光对象晶片的曝光开始为止的时间，与将2个晶片载台WST1、WST2维持并列状态的情形下仅驱动于X轴方向的情形相比，稍微加以缩短。
此外，以上的说明中，针对在晶片载台WST1、WST的至少一方的X轴方向至少一侧形成檐部等突出部的情形作了说明。然而，也可在不具有檐部等突出部的2个晶片载台之间，采用例如上述变形例所说明的伴随有两载台于Y轴方向的位置偏移(offset)的并列状态。此场合下，可将该并列状态时的偏移量设定为可成为上述最佳效率的并列。或者，在例如一个晶片载台WST1的+X侧侧面的+Y侧端部附近具有较其它部分突出的部件(以下，称突起)，在另一晶片载台WST2的-X侧侧面的-Y侧端部附近形成有能将上述部件收容在其内部的凹部的情形时，可将并列状态时的偏移量定为突起与凹部能彼此相对。此场合下，能在防止突起接触晶片载台WST2而损伤的同时，使液浸区域在晶片载台WST1、WST上来回移动。
又，上述各实施形态，虽然针对将本发明于适用于作为第1、第2移动体具备晶片载台WST1、WST2的曝光装置的情形作了说明，但不限于此，也能将本发明适用于美国专利第6,897,963号说明书等所揭示的具备晶片载台和具有测量构件(基准标记、传感器等)的测量载台的曝光装置等。此场合下，测量载台用于经由投影光学系统PL及液体Lq接收照明光IL的预定测量，例如照明不均测量、照度测量、空间像测量及波面像差测量等。此外，驱动晶片载台等的移动体驱动系统，可根据该测量结果的至少一部分，在以照明光(能量束)使晶片载台上的晶片曝光时，驱动晶片载台而进行高精度的曝光。
除此以外，不以第1、第2移动体为构成要素的本发明也能适用于仅具有1个晶片载台而不具备测量载台等方式的步进机、或扫描机等。
又，上述各实施形态，以使晶片载台WST1的+X侧的面与晶片载台WST2的-X侧的面相对为前提，而仅在这些面上设置彼此卡合的檐部23a、23b。然而，不限于此，在能使晶片载台WST1的-X侧端面与晶片载台WST2的+X侧端面相对的情形时，当然也可在这些面上设置彼此卡合的檐部，经由这些檐部使2个晶片载台接近或接触。
又，上述各实施形态中，虽然针对为了进行液浸区域14的传送，而由主控制装置20使晶片载台WST1、WST2维持在X轴方向部分接触或接近的并列状态下被驱动于X轴方向的情形作了说明，但本发明并不限定于此。也可采用为了进行液浸区域14的传送，而由主控制装置20使载台WST1、WST2维持在Y轴方向部分接触或接近的并列状态被驱动于Y轴方向的构成。
又，上述各实施形态中，虽然将嘴单元32的下表面与投影光学系统PL的前端光学器件的下端面作成为大致齐平的面，但不限于此，例如也可将嘴单元32的下表面，配置为比前端光学器件的射出面更接近投影光学系统PL的像面(即、晶片)。即，局部液浸装置8不限于上述构造，也可使用例如欧洲专利申请公开第1420298号说明书、美国专利申请公开第2006/0231206号说明书、美国专利申请公开第2005/0280791号说明书、美国专利第6,952,253号说明书等所记载的构造。此外，也可例如美国专利申请公开第2005/0248856号说明书的揭示，除了前端光学器件的像面侧光路外，也将前端光学器件的物体面侧光路以液体加以充满。再者，也可在前端光学器件的部分表面(至少包含与液体的接触面)或整个表面上形成具有亲液性及/或溶解防止机能的薄膜。又，石英虽与液体的亲和性高、且不需溶解防止膜，但萤石最好是至少形成溶解防止膜。
又，上述各实施形态中，虽使用纯水(水)作为液体，但本发明当然并不限定于此。也可使用化学性质稳定、照明光IL的透射率高的安全液体来作为液体，例如含氟惰性液体。作为此含氟惰性液体，例如能使用氟洛黎纳特(Fluorinert，美国3M公司的商品名称)。此含氟惰性液体也具有优异的冷却效果。又，作为液体，也能使用对照明光IL的折射率比纯水(折射率1.44左右)高的液体，例如折射率为1.5以上的液体。此种液体，例如有折射率约1.50的异丙醇、折射率约1.61的甘油(glycerin)等具有C-H键合或O-H键合的预定液体、乙烷、庚烷、癸烷等预定液体(有机溶剂)、或折射率约1.60的十氢萘(Decalin，Decahydronaphthalene)等。或者，也可是混合上述液体中任意两种以上而得到的液体，也可是向纯水添加(混合)上述液体的至少一种而得到的液体。或者，作为液体，也可是向纯水添加(混合)H⁺、Cs⁺、K⁺、Cl^-、SO₄^2-、或PO₄^2-等碱基或酸等而得到的液体。再者，也可是向纯水添加(混合)Al氧化物等微粒子而得到的液体。上述液体能使ArF准分子激光光透射。又，作为液体，最好是光的吸收系数较小，温度依存性较少，并对投影光学系统(前端光学器件)及/或涂布于晶片表面的感光剂(或保护膜(顶层涂布膜)或反射防止膜等)较稳定者。又，在以F₂激光为光源时，只要选择全氟聚醚油(Fomblin Oil)即可。再者，作为液体，也可使用对照明光IL的折射率高于纯水的液体、例如折射率为1.6～1.8程度的液体。此外，也可使用超临界流体作为液体。又，投影光学系统PL的前端光学器件，可以例如石英(二氧化硅)或氟化钙(萤石)、氟化钡、氟化锶、氟化锂、氟化钠等的氟化合物的单结晶材料来形成。或以折射率高于石英或萤石(例如1.6以上)的材料形成。作为折射率1.6以上的材料，例如，可如国际公开第2005/059617号小册子所揭示，使用蓝宝石、二氧化锗等，或者，也可如国际公开第2005/059618号小册子所揭示，使用氯化钾(折射率约1.75)等。
又，上述实施形态中，也可再利用回收的液体，此时，最好是能在液体回收装置、或回收管等设置用以从回收的液体中除去杂质的过滤器。
又，上述各实施形态，虽然针对本发明适用于步进扫描方式等的扫描型曝光装置的情形作了说明，但不限于此，也能将本发明适用于步进机等的静止型曝光装置。此外，本发明也能适用于将照射区域与照射区域加以合成的步进接合(step&stitch)方式的缩小投影曝光装置、近接方式的曝光装置、或镜像投影对准器(mirror projectionaligner)等。
又，上述实施形态的曝光装置中的投影光学系统不仅仅可以是缩小系统，也可为等倍系统及放大系统中的任一者，投影光学系统PL不仅可为折射系统，也可是反射系统及折反射系统中的任一者，其投影像也可为倒立像与正立像中的任一者。此外，前述照明区域及曝光区域的形状虽为矩形，但并不限于此，也可是例如圆弧、梯形、或平行四边形等。
又，上述各实施形态的曝光装置的光源，不限于ArF准分子激光光源，也能使用KrF准分子激光光源(输出波长248nm)、F₂激光(输出波长157nm)、Ar₂激光(输出波长126nm)、Kr₂激光(输出波长146nm)等脉冲激光光源，或发出g线(波长436nm)、i线(波长365nm)等产生发射线的超高压水银灯等。又，也可使用YAG激光的谐波产生装置等。另外，可使用例如美国专利第7,023,610号说明书所揭示的谐波，其如下得到：以涂布有铒(或铒及镱两者)的光纤放大器，将从DFB半导体激光或纤维激光射出的红外线区或可见区的单一波长激光光束放大来作为真空紫外光，并使用非线形光学结晶将其转换波长成紫外光。
又，上述各实施形态，虽然使用在具有光透射性的基板上形成预定遮光图案(或相位图案、光衰减图案)的光透射型掩模(标线片)，但也可使用例如美国专利第6,778,257号说明书所揭示的电子掩模来代替此标线片，在该电子掩模(也称为可变成形掩模、有源掩模、或图像产生器，例如包括作为非发光型图像显示器件(空间光调制器)的一种的DMD(Digital Micromirror Device，数字微镜器件)等)上，根据要曝光的图案的电子数据，形成光透射图案、反射图案或发光图案。
又，本发明也能适用于，例如通过将干涉条纹形成于晶片上、而在晶片上形成线-间隔图案(line-and-space pattern)的曝光装置(光刻系统)。
再者，本发明也能适用于例如美国专利第6,611,316号所揭示的将两个标线片图案经由投影光学系统合成，并通过一次扫描曝光来对一个照射区域大致同时进行双重曝光的曝光装置。
此外，上述各实施形态中待形成图案的物体(能量束所照射的曝光对象的物体)并不限于晶片，也可是玻璃板、陶瓷基板、膜构件、或者掩模底板等其它物体。
曝光装置的用途并不限定于半导体器件制造用的曝光装置，也可广泛适用于例如用来将液晶显示器件图案转印于矩形玻璃板的曝光装置，或制造有机EL、薄膜磁头、成像器件(CCD等)、微型机器及DNA芯片等的曝光装置。又，除了制造半导体器件等微器件的曝光装置以外，为了制造用于光曝光装置、EUV(超深紫外)曝光装置、X射线曝光装置及电子射线曝光装置等的标线片或掩模，也能将本发明适用于用以将电路图案转印至玻璃基板或硅晶片等的曝光装置。
半导体器件等的电子器件，经由进行器件的功能、性能设计的步骤，制造基于设计步骤的标线片，由从硅材料形成晶片的步骤，使用前述实施形态的曝光装置(图案形成装置)和曝光方法将形成于标线片(掩模)的图案转印至晶片的光刻步骤，将曝光后晶片加以显影的显影步骤，将残存光阻的部分以外的部分的露出构件以蚀刻加以去除的蚀刻步骤，去除经蚀刻后不要的光阻的光阻除去步骤，器件组装步骤(含切割步骤、接合步骤、封装步骤)、及检查步骤等加以制造。此场合下，由于在光刻步骤中使用上述实施形态的曝光装置实施前述曝光方法，以于晶片上形成器件图案，因此能以良好的生产性制造高集成度的器件。
如以上的说明，本发明的曝光装置及曝光方法非常适合用于使物体曝光。此外，本发明的器件制造方法，非常适合用于制造半导体器件或液晶显示器件等的电子器件。