光刻装置和器件制造方法.pdf

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1、10申请公布号CN102323727A43申请公布日20120118CN102323727ACN102323727A21申请号201110314135122申请日2005101810/966，11120041018US200510114136620051018G03F7/2020060171申请人ASML荷兰有限公司地址荷兰维德霍温72发明人JGC范德托尔恩CA胡根达姆74专利代理机构中科专利商标代理有限责任公司11021代理人王波波54发明名称光刻装置和器件制造方法57摘要光刻装置和器件制造方法，例如为了在不同基底的曝光之间方便地移动基底，使用致动的封闭板提供基底，基底台或上述两者作为限制液。

2、体的光刻装置中的空间边界的一部分，而不会例如破坏限制液体的密封。30优先权数据62分案原申请数据51INTCL19中华人民共和国国家知识产权局12发明专利申请权利要求书1页说明书8页附图6页CN102323737A1/1页21一种光刻投影装置，包括配置成保持基底的基底台；配置成把带图案的辐射光束投影到基底上的投影系统；液体限制结构，所述液体限制结构被配置成把液体限制在空间中，所述空间为投影系统与基底、基底台或上述两者之间的空间，基底、基底台或上述两者配置成形成所述空间的边界的一部分；以及致动的封闭板，该封闭板配置成当基本上未扰动液体、液体限制结构或上述两者而移动时，替代基底、基底台或上述两者构。

3、成所述空间的边界的一部分，其中，所述封闭板被定位或成形以使得致动的封闭板的顶面大体上与基底台处于相同的高度，使得当基底台远离投影系统下方的位置移动时，可以进行连续的、没有干扰的移动，同时保持使液体包含在液体限制结构中的密封，在用干涉计测量光束的过程中不挡住干涉计装置的任何干涉计光束；其中，所述致动的封闭板和所述基底台设置为当所述致动的封闭板水平地移动到投影系统下方的位置从而替换所述基底台，所述基底台被构造并且设置为水平地远离投影系统下方的位置。2如权利要求1所述的装置，包括致动装置，所述致动装置配置成在水平面移动所述封闭板。3如权利要求2所述的装置，其中所述致动装置配置成在与基底、基底台或上述。

4、两者相同的平面中移动所述封闭板，以便所述封闭板跟随基底、基底台或上述两者越过所述液体限制结构。4如权利要求1所述的装置，其中，所述基底台包括有源补偿器，所述有源补偿器被配置成补偿由于用封闭板替换基底、基底台或上述两者作为空间边界的一部分而沿与基底台移动方向垂直的方向作用在基底台上的负荷变化。5如权利要求1所述的装置，其中基底台和封闭板可释放地耦合。权利要求书CN102323727ACN102323737A1/8页3光刻装置和器件制造方法0001本申请是申请号为2005101141366、申请日为2005年10月18日、发明名称为光刻装置和器件制造方法的分案申请。技术领域0002本发明涉及一种光。

5、刻装置和一种器件制造方法。背景技术0003光刻装置是将所需图案应用于基底上通常是基底靶部上的一种装置。光刻装置是可以用于例如集成电路IC的制造。在这种情况下，构图部件或者可称为掩模或中间掩模版，它可用于产生形成在IC的一个单独层上的电路图案。该图案可以被传递到基底例如硅晶片的靶部上例如包括一部分，一个或者多个管芯。通常这种图案的传递是通过成像在涂敷于基底的辐射敏感材料抗蚀剂层上。一般地、单一的基底将包含相继构图的相邻靶部的整个网格。已知的光刻装置包括所谓的步进器，它通过将整个图案一次曝光到靶部上而辐射每一靶部，已知的光刻装置还包括所谓的扫描器，它通过在辐射光束下沿给定的方向“扫描”方向扫描所述。

6、图案，并同时沿与该方向平行或者反平行的方向同步扫描基底来辐射每一靶部。还可以通过将图案压印到基底上把图案从构图部件传递到基底上。0004已经有人提议将光刻投影装置中的基底浸入具有相对较高折射率的液体中，如水，从而填充投影系统的最后一个元件与基底之间的空间。由于曝光辐射在该液体中具有更短的波长，从而使得能够对更小的特征进行成像。液体的作用也可以认为是增加了系统的有效NA数值孔径和增加了焦深。也有人提议其它浸液，包括其中悬浮有固体微粒如石英的水。0005但是，将基底或者基底和基底台浸没在液体浴糟例如参见US4,509,853，在此将该文献全文引入作为参考中意味着在扫描曝光过程中必须加速大量的液体。。

7、这需要附加的或者功率更大的电机，并且液体中的紊流可能导致不期望的和不可预料的结果。0006提出的一种用于液体供给系统的技术方案是仅在基底的局部区域上以及投影系统的最后一个元件和基底通常该基底具有比投影系统的最后一个元件更大的表面区域之间提供液体。在PCT专利申请WO99/49504中公开了一种已经提出的用于该方案的方式在此将该文献全文引入作为参考。如图2和3所示，道过至少一个入口IN将液体提供到基底上，优选地沿基底相对于最后一个元件的移动方向提供，以及在经过投影系统下方之后通过至少一个出口OUT去除液体。也就是说，沿X方向在该元件下方扫描基底时，在元件的X一侧提供液体，X一侧接收。图2示出了示。

8、意性的布置，其中通过入口IN提供液体，和通过与低压源相连接的出口OUT在元件的另一侧接收。在图2的说明中，沿基底相对于最后一个元件的移动方向提供液体，尽管可以不必这样。围绕最后一个元件定位的入口和出口的各种定向和数量都是可能的，图3示出了一个实例，其中在围绕最后一个元件的规则图案中提供了四组位于任一侧的入口以及出口。说明书CN102323727ACN102323737A2/8页40007在湿浸式光刻技术中，投影系统和基底之间的空间填充有液体如水。在基底的曝光过程中，基底构成限制液体边界的一部分。在移去基底并用另一个基底更换的过程中，例如，液体可以从所述空间排出，以便允许更换基底。一种该方法的可。

9、能不利方面是可能在与液体接触的投影系统的一个元件上形成干燥点。附加地或者可替换地，在液体和去除液体的真空流中的变化可能需要时间进行处理，这可能导致生产量的下降。发明内容0008因此，有利的是，例如在移动基底的过程中，通过用封闭板替换基底而不扰动存在于基底和光学元件之间的液体使浸没光刻投影装置的元件浸润。通过使用另一个具有提供限制液体边界的功能的本体如封闭板，可以不必在移动基底和提供新的基底的过程中从基底和投影系统之间去除液体。0009根据本发明的一个方面，提供一种光刻投影装置，包括0010配置成保持基底的基底台；0011配置成把带图案的辐射光束投影到基底上的投影系统；0012液体限制结构、其配。

10、置成把液体限制在投影系统和基底之间的空间中、基底、基底台或上述两者配置成构成所述空间的边界的一部分；以及0013封闭板，封闭板配置成当基本上没有扰动液体、液体限制结构或上述两者而移动时，该替代基底、基底台或上述两者构成空间的边界的一部分。0014根据本发明的另一个方面，提供一种器件制造方法，包括以下步骤；0015将液体提供给带图案的光束穿过的空间，基底、基底台或上述两者构成所述空间的边界的一部分；0016交液体密封在空间中，所述密封在基底、基底台或上述两者和另一个结构之间作用；0017用封闭板替换基底、基底台或上述两者作为所述空间边界的一部分，而不破坏所述密封；以及0018使带图案的辐射光束穿。

11、过液体投影到基底上。0019根据本发明的另一个方面，提供一种光刻投影装置，包括0020配置成保持基底的基底台；0021配置在把带图案的辐射光束投影到基底上的投影系统；0022液体限制结构，其配置成把液体限制在投影系统和基底之间的空间中，基底、基底台或上述两者配置成构成所述空间的边界的一部分；以及0023在水平面中替换基底台的封闭板，该封闭板配置成替代基底、基底台或上述两者构成空间的边界的一部分；以及0024配置成在水平面中移动所述封闭板的致动装置。附图说明0025现在仅仅通过实例的方式，参考随附的示意图描述本发明的各个实施方案，附图中相应的参考标记表示相应的部件，其中0026图1示出了根据本发。

12、明的一个实施方案的光刻装置；说明书CN102323727ACN102323737A3/8页50027图2和3示出了一种在光刻投影装置中使用的液体供给系统；0028图4示出了另一种在光刻投影装置中使用的液体供给系统；0029图5示出了根据本发明的一个实施方案的另一种液体供给系统的封闭视图；0030图6A和6B示出了在根据本发明的一个实施方案的方法中的第一步；0031图7A和7B示出了在根据本发明的一个实施方案的方法中的第二步；0032图8A和8B示出了在根据本发明的一个实施方案的方法中的第三步；0033图9A和9B示出了在根据本发明的一个实施方案的方法中的第四步。具体实施方式0034图1示意性地。

13、表示了根据本发明的一个实施方案的光刻装置。该装置包括0035照射系统照射器IL，其配置成调节辐射光束PB例如UV辐射或DUV辐射。0036支撑结构例如掩摸台MT，其构造成支撑构图部件例如掩模MA，并与配置成依照某些参数将该构图部件精确定位的第一定位装置PM连接；0037基底台例如晶片台WT，其构造成保持基底例如涂敷抗蚀剂的晶片W，并与配置成依照某些参数将基底精确定位的第二定位装置PW连接；以及0038投影系统例如折射投影透镜系统PL，其配置成将通过构图部件MA赋予给辐射光束PB的图案投影到基底W的靶部C例如包括一个或多个管芯上。0039照射系统可以包括各种类型的光学部件，例如包括用于引导、整形。

14、或者控制辐射的折射光学部件、反射光学部件、磁性光学部件、电磁光学部件、静电光学部件或其它类型的光学部件，或者其任意组合。0040支撑结构以一种方式保持构图部件，该方式取决于构图部件的定向、光刻装置的设计以及其它条件、例如构图部件是否保持在真空环境中。支撑结构可以使用机械、真空、静电或其它夹紧技术来保持构图部件。支撑结构可以是框架或者工作台，例如所述结构根据需要可以是固定的或者是可移动的。支撑结构可以确保构图部件例如相对于投影系统位于所需的位置。这里任何术语“中间掩摸版”或者“掩摸”的使用可以认为与更普通的术语“构图部件”同义。0041这里使用的术语“构图部件”应广义地解释为能够给辐射光束在其截。

15、面赋予图案从而在基底的靶部中形成图案的任何装置。应该注意，赋予给辐射光束的图案可以不与基底靶部中的所需图案精确一致，例如如果该图案包括相移特征或所谓的辅助特征。一般地，赋予给辐射光束的图案与在靶部中形成的器件如集成电路的特殊功能层相对应。0042构图部件可以是透射的或者反射的。构图部件的示例包括掩模，可编程反射镜阵列，以及可编程LCD板。掩模在光刻中是公知的，它包括如二进制型、交替相移型、和衰减相移型的掩模类型，以及各种混合掩摸类型。可编程反射镜阵列的一个示例采用微小反射镜的矩阵排列，每个反射镜能够独立地倾斜，从而沿不同的方向反射入射的辐射光束。倾斜的反射镜可以在由反射镜矩阵反射的辐射光束中赋。

16、予图案。0043这里所用的术语“投影系统”应广义地解释为包含各种类型的投影系统，包括折射光学系统，反射光学系统、反折射光学系统、磁性光学系统、电磁光学系统和静电光学系统，或其任何组合，如适合于所用的曝光辐射，或者适合于其他方面，如使用的浸液或使用的真空。这里任何术语“投影透镜”的使用可以认为与更普通的术语“投影系统”同义。说明书CN102323727ACN102323737A4/8页60044如这里指出的，该装置是透射型例如采用透射掩模。或者，该装置可以是反射型例如采用上面提到的可编程反射镜阵列，或采用反射掩摸。0045光刻装置可以具有两个双台或者多个基底台和/或两个或者多个掩摸台。在这种“多。

17、台式”装置中，可以并行使用这些附加台，或者可以在一个或者多个台上进行准备步骤，而一个或者多个其它台用于曝光。0046参考图1，照射器IL接收来自辐射源SO的辐射光束。辐射源和光刻装置可以是独立的机构，例如当辐射源是受激准分子激光器时。在这种情况下，不认为辐射源构成了光刻装置的一部分，辐射光束借助于光束输送系统BD从源SO传输到照射器IL，所述输送系统包括例如合适的定向反射镜和/或扩束器。在其它情况下，辐射源可以是光刻装置的组成部分，例如当源是汞灯时。源SO和照射器IL，如装需要连同光束输送系统BD一起可以称作辐射系统。0047照射器IL可以包括调节装置AD，用于调节辐射光束的角强度分布。一投地。

18、，至少可以调节在照射器光瞳平面上强度分布的外和/或内径向范围通常分别称为外和内。此外，照射器IL可以包括各种其它部件，如积分器IN和聚光器CO。照射器可以用于调节辐射光束，从而该光束在其横截面上具有所需的均匀度和强度分布。0048辐射光束PB入射到保持在支撑结构如掩模分MT上的的图部件如掩摸MA上，并由构图部件进行构图。横向穿过掩摸MA后，辐射光束PB通过投影系统PL，该投影系统将光束聚焦在基底W的靶部C上。在第二定位装置PW和位置传感器IF例如干涉测量器件、线性编码器或电容传感器的辅助下，可以精确地移动基底台WT，从而例如在辐射光束PB的光路中定位不同的靶部C。类似地，例如在从掩模库中机械取。

19、出掩模MA后或在扫描期间，可以使用第一定位装置PM和另一个位置传感器图1中未明确示出来使掩模MA相对于辐射光束PB的光路精确定位。一般地，借助于长行程模块粗略定位和短行程模块精确定位，可以实现掩模台MT的移动，其中长行程模块和短行程摸块构成第一定位装置PW的一部分。在步进器与扫描装置相对的情况下，掩模台MT可以只与知行程致动装置连接，或者固定。可以使用掩模对准标记M1、M2和基底对准标记P1、P2对准掩模MA与基底W。尽管如所示出的基底对准标记占据了指定的靶部，它们可以投置在各个靶部这些标记是公知的划线对准标记之间的空间中。类似地，在其中在掩膜MA上提供了超过一个管芯的情况下，可以在各个管芯之。

20、间设置掩膜对准标记。0049所示的装置可以按照下面摸式中的到少一种使用00501在步进模式中，掩模台MT和基底台WT基本保持不动，而赋予辐射光束的整个图案被一次投影到靶部C上即单次静态曝光。然后沿X和/或Y方向移动基底台WT，使得可以曝光不同的靶部C。在步进模式中，曝光场的最大尺寸限制了在单次静态曝光中成像的靶部C的尺寸。00512在扫描模式中，当赋予辐射光束的图案被投影到靶部C时，同步扫描掩模台MT和基底台WT即单次动态曝光。基底台WT相对于掩模台MT的速度和方向通过投影系统PL的放大缩小和图像反转特性来确定。在扫描模式中，曝光场的最大尺寸限制了在单次动态曝光中靶部的宽度沿非扫描方向，而扫描。

21、移动的长度确定了靶部的高度沿扫描方向。00523在其他摸式中，当赋予辐射光束的图案被投影到靶部C上时，掩摸台MT基本保说明书CN102323727ACN102323737A5/8页7持不动，支撑可编程构图部件，同时移动或扫描基底台WT。在该模式中，一般采用脉冲辐射源，并且在每次移动基底台WT之后，或者在扫描期间两个相继的辐射脉冲之间根据需要更新可编程构图部件。这种操作摸式可以容易地应用于采用可编程构图部件的无掩摸光刻中，所述可编程构图部件例如是上面提到的可编程反射镜阵列型。0053还可以采用上述使用模式的组合和/或变化，或者采用完全不同的使用模式。0054图4示出了另一种使用局部液体供给系统的。

22、浸没光刻技术方案。通过位于投影系统PL的任何一侧上两个凹槽入口IN提供液体，然后从入口IN径向向外布置的多个分立出口OUT去除液体。入口IN和OUT可以布置在一个板中，板的中心有一个孔，通过该孔可以投射投影光束。可以通过位于投影系统PL的一侧上的一个凹槽入口IN提供液体，然后从位于投影系统PL的另一侧上的多个分立出口OUT去除液体，从而在投影系统PL和基底W之间形成液体薄膜的流动。所用入口IN和出口OUT的组合的选择取决于基底W的移动方向其它入口IN和出口OUT的组合是不起作用的。0055已经提出的另一种使用局部液体供给系统的湿浸式光刻技术方案是提供其有液体限制结构的液体供给系统，该液体限制结。

23、构沿着投影系统的最后一个元件和基底台之间的空间的至少一部分边界延神。图5示出了这种技术方案。液体限制结构相对于投影系统在XY平面基本上是静止的，但是在Z方向光轴方向可以有一些相对移动。从而在该液体限制结构和基底的表面之间形成密封。在一个实施方案中，密封是非接触式密封，例如气封。在美国专利申请案NOUS10/705,783中公开了使用气封的这种系统，在此将其全文引入作为参考。0056参考图5，容器10给基底在投影系统的成像区域周围形成非接触的密封，使得液体被限定成填充基底表面和投影系统的最后一个元件之间的空间。容器由定位在提影系统PL的最后一个元件的下方并围绕其的液体限制结构12形成。使液体流入。

24、投影系统下面的空间并进入到液体限制结构12中。液体限制结构12稍微延神到投影系统的最后一个元件上方一点，液面高度升高到该最后一个元件上方，从而提供了一个液体缓冲器。液体限制结构12具有一内圆周，其在上端部优选非常接近投影系统或其最后一个元件的形状，例如可以是圆形。在底部，该内圆周非常符合成像区域的形状，例如是矩形，当然也可以不必是这种形状。0057液体由液体限制结构12的底部和基底W的表面之间的密封16如气封限定在容器中。该气封可由气体形成。所述气体例如是空气、人造气体、N2或情性气体，其可通过入口15在压力下提供到液体限制结构12和基底之间的间隙，然后从第一出口14抽出。如此布置作用在气体入。

25、口15上的过压力、作用在第一出口14上的真空水平以及间隙的几何尺寸，使得存在向内限定液体的高速气流。本领域技术人员可以理解，可以使用其它类型的密封来限制液体。0058根据本发明的一个实施方案，提供致动的封闭板20。它水平地移动到投影系统下方的位置替换基底台，该基底台水平地远离投影系统下方的位置移动。致动的封闭板20的顶面大体上与基底台处于相同的高度，使得当基底台远离投形系统下方的位置移动时，可以进行连续的、没有干扰的移动，同时保持使液体包含在液体限制结构中的密封。部分用来移动基底台的一个或多个长行程致动装置可以用于水平地致动封闭板。如下文更加详细描述的，当把与液体限制结构12相关的力从基底台转。

26、移到封闭板上时，也可以采用作用于基说明书CN102323727ACN102323737A6/8页8底台上的垂直负荷变化的有源补偿。如此定位和/或成形致动的封闭板20。使得它在用干涉计光束测量的过程中不会挡住这些光束。0059提供致动的封闭板的一个或多个优点包括更快的基底更换、在液体限制结构中和其周围的气体、液体以及真空流大体上保持恒定的水平这样能够减少处理时间和减小污染的可能性、减小了对投影系统和/或基底台的机械干扰、改进了在基底台上的空间利用因为不以在基底台上提供单独的封闭板以及消除了投影系统中的干燥点。附加地或者可替换地，根据本发明的一个实施方案的封闭板可以不必去除然后替换液体或者据基底垂。

27、直地移动到其它位置，从而可以把封闭板放置在其适当的位置。液体、气体和真空流中的变化需要时间进行处理，并且垂直的移动可能导致对投影系统和基底台的干扰。转到图6至9，图6A、7A、8A和9A示出了基底台WT和致动的封闭板20相对投影系统PL的平面图。图6B、7B、8B和9B出了基底台WT和致动的封闭板20相对投影系统PL的侧视图。0060图6A和6B示出了例如在基底W的曝光期间基底台WT和致动的封闭板20的相对位置。该封闭板不会遮住投影系统PL，而基底W与投影系统PL排成直线。0061图7A和7B示出了例如当基底W的曝光充分或几乎充分时基底台WT和致动的封闭板20的相对位置。据该致动的封闭板20移。

28、动到一个位置，使得其水平地与基底台WT对准和垂直地与投影系统PL对准。0062图8A和8B示出了例如当基底W的曝光充分时替换基底台WT的致动的封闭板20。该致动的封闭板20和基底台WT沿同一方向移动，并处于相同的高度。0063图9A和9B示出了处于投影系统PL下方位置处的致动的封闭板20，此时该封闭板20用作限制液体11的边界的一个侧面。此时基底W例如能够与基底台WT上的另一个基底W进行交换，而不会扰动液体11。0064该系统的一个优点是在整个基底交换过程中都不会干扰液体限制结构12、投影系统PL、基底W和/或致动的封闭板20。此外，基底台WT和/或致动的封闭板20不案垂直地移动，从而减小了气。

29、体被引入到液体供给系统中的危险。0065此外，基底台WT可以包括主动补偿器25，其配置成当由液体限制结构施加的力从基底台上去除时补偿该作用力的变化。该补偿器可以包括基底台上的垂直运动传感器和/或压力传感器以及配置成把补偿信号发送给如基底台定位装置PW的控制系统，该基底台定位装置PW配置成响应于所述信号移动基底台WT，从而补偿作用力的变化。附加地或者可替换地，致动的封闭板20还可以包括主动补偿器27，以便减小对液体限制结构的干扰，例如当从封闭板上移除液体限制结构时导致的干扰。该补偿器可以包括致动的封闭板20上的垂直运动传感器和/或压力传感器以及配置成把补偿信号发送给如液体限制系统定位装置29的控。

30、制系统，该液体限制系统定位装置29配置成响应于所述信号移动液体限制结构12，从而补偿作用力的变化。0066基底台WT和致动的封闭板20能够可释放地耦合。这意味着当致动的封闭板20替换基底台WT时它们可以连接在一起，反之亦然；但是当替换完成时它们可以彼此分开。致动的封闭板20和基底台WT可以同样由同一个系统25或27或者由单独的系统25和27控制。可以使用如附图中所示的单独的长行程致动装置22A和22B；但是该单独的致动装置可以由同一控制系统25或27或者不同的控制系统25和27控制。0067在一个实施方案中，可以测量作用在致动的封闭板20上的力，例如通过致动的封说明书CN102323727AC。

31、N102323737A7/8页9闭板主动补偿器27并向前馈送给基底台WT的控制系统例如有源补偿器25，使得可以补偿该作用在致动的封闭板20上的力，从而不会影响基底台WT。通过这种方式致动的封闭板20可以用作基底台WT的力测量系统。0068尽管已经就从基底台移动基底并将另一个基底放置在基底台上论述了一个或多个实施方案，也可以在其它应用中使用上述一个或多个实施方案。例如，基底可以保持在基底台上，而封闭板仅用于封闭液体限制结构。此外，尽管已经就用作投影系统和基底之间的空间边界的基底论述了一个或多个实施方案，但是基底台也可以与基底分开或联合构成该空间边界的一部分。例如，基底台的一部分例如对准标记可以位。

32、于液体限制结构下方，并构成空间边界的一部分。因此，封闭板可以替换基底台作为空间边界对一部分，或者反之亦然。0069在欧洲专利申请案NO032570723中，公开了一种双或二台湿浸式光刻装置的思想。这种装置具有两个支撑基底的台。在没有浸液的第一位置用一个台进行高度测量，而在其中提供了浸液的第二位置使用一个台进行曝光。或者，该装置仅有一个台。0070尽管在本申请中可以具体参考使用该光刻装置制造IC，但是应该理解这里描述的光刻装置可能具有其它应用，例如，它可用于制造集成光学系统、用于磁畴存储器的引导和检测图案、平板显示器、液晶显示器LCD、薄膜磁头等等。本领域的技术人员将理解，在这种可替换的用途范围。

33、中，这里任何术语“晶片”或者“管芯”的使用应认为分别可以与更普通的术语“基底”或“靶部”同义。在曝光之前或之后，可以在例如轨迹器通常将抗蚀剂层作用于基底并将已曝光的抗蚀剂显影的一种工具、计量工具和/或检验工具对这里提到的基底进行处理。在可应用的地方，这里的公开可应用于这种和其他基底处理工具。另外，例如为了形成多层IC，可以对基底进行多次处理，因此这里所用的术语基底也可以指的是已经包含多个已处理的层的基底。0071这里使用的术语“辐射”和“光束”包含所有类型的电磁辐射，包括紫外UV辐射例如具有大约365，248，193，157或者126NM的液长。0072该申请使用的术语“透镜”可以表示任何一个。

34、各种类型的光学部件或其组合，包括折射和反射光学部件。0073尽管上面已经描述了本发明的具体实施方案，但是应该理解可以不同于所描述的实施本发明。例如，本发明可以采取计算机程序的形式，该计算机程序包含一个或多个序列的描述了上面所公开的方法的机器可读指令，或者包含其中存储有这种计算机程序的数据存储介质例如半导体存储器。磁盘或光盘。0074本发明的一个或多个实施方案可以应用于任何湿浸式光刻装置，特别地但不唯一的、可以应用于上面提到的那些类型的光刻装置。这里设想的液体供给系统应该广义地进行解释。在一些实施方案中，它可以是一种将液体提供到投影系统和基底和/或基底台之间的空间的机构或其组合。它可以包括一个或。

35、多个结构的组合、一个或多个液体入口、一个或多个气体入口。一个或多个气体出口和/或一个或多个把液体提供到空间的液体出口。在一个实施方案中，空间的表面可以是基底和/或基底台的一部分，或者空间的表面可以完全覆盖基底和/或基底台的表面，或者该空间可以遮住基底和/或基底台。视需要地液体供给系统还包括一个或多个元件，以便控制液体的位置、数量、质量、形状、流速或任何其它特征。说明书CN102323727ACN102323737A8/8页100075上面的描述是为了说明，而不是限制。因此，对本领域技术人员来说显而易见的是在不脱离下面描述的权利要求书的范围的条件下，可以对所描述的发明进行各种修改。说明书CN102323727ACN102323737A1/6页11图1图2说明书附图CN102323727ACN102323737A2/6页12图3图4说明书附图CN102323727ACN102323737A3/6页13图5图6A图6B说明书附图CN102323727ACN102323737A4/6页14图7A图7B说明书附图CN102323727ACN102323737A5/6页15图8A图8B说明书附图CN102323727ACN102323737A6/6页16图9A图9B说明书附图CN102323727A。