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一种用于改变离子束栅格中的孔位置或尺寸或两者的设计方法，包括确定待被更改的控制栅格；获得用于栅格图案的变化系数；以及利用该变化系数来产生新的栅格图案。变化系数是孔位置变化系数或孔直径变化系数中的一个或两个。该设计方法还包括离子束栅格，所述离子束栅格具有由控制栅格孔位置或尺寸或两者的变化系数的改变所限定的孔位置或尺寸或两者的特征。

1.  一种用于产生束栅格图案的设计方法，包括：
确定待被更改的控制栅格图案；
获得用于所述栅格图案的变化系数；
利用所述变化系数来产生新栅格图案。

2.  根据权利要求1所述的设计方法，其中，所述变化系数是孔位置变化系数或孔直径变化系数中的一个或两个。

3.  根据权利要求1所述的设计方法，其中，所述获得变化系数方法包括求解微分方程。

4.  根据权利要求1所述的设计方法，其中，所述获得变化系数包括求解以下微分方程中的一个或两个：
dRdr=r×f(r)R×F(R)]]>
或，
dXdx=h(x)H(X).]]>

5.  根据权利要求1所述的设计方法，其中，所述获得变化系数包括求解微分方程，并且还进一步包括利用四级Runge-Kutta子程序来求解所述微分方程。

6.  根据权利要求1所述的设计方法，其中，所述获得变化系数包括求解以下微分方程中的一个或两个：
dr′dr=rR×g(r),]]>
或
dx′dx=1i(x).]]>

7.  根据权利要求1所述的设计方法，其中，所述获得变化系数包括求解微分方程，并且还进一步包括提供以下内容中的一项或多项：
f(r)和F(R)，并且利用所述微分方程来获得R(r)，其用于从初始设计位置径向地再定位栅格孔位置，以获得变化的孔图案；或
h(x)和H(X)，并且利用所述微分方程来获得X(x)，其用于从初始设计位置线性地再定位栅格孔位置，以获得变化的孔图案；或
g(r)，并且利用所述微分方程来获得r’(r)，其用于从初始设计位置径向地再定位孔位置，以获得变化的孔图案；或
i(x)，并且利用所述微分方程来获得x’(x)，其用于从初始设计位置线性地再定位孔位置，以获得变化的孔图案。

8.  根据权利要求1所述的设计方法，进一步包括重复获得变化系数并使用所述变化系数产生新的栅格图案。

9.  根据权利要求1所述的设计方法，其中，所述束栅格图案具有基本连续变化的透明度的特性。

10.  一种通过权利要求1所述的设计方法产生的束栅格。

11.  一种束栅格，其通过以下步骤被设计：
确定待被更改的控制栅格图案；
获得用于所述栅格图案的变化系数；
利用所述变化系数来产生新的栅格图案。

12.  根据权利要求11所述的束栅格，其中，所述变化系数是孔位置变化系数或孔直径变化系数中的一个或两个。

13.  根据权利要求11所述的束栅格，其中，由微分方程的解来获得所述变化系数。

14.  根据权利要求11所述的束栅格，其中，由以下微分方程中的一个或两个的解来获得所述变化系数：
dRdr=r×f(r)R×F(R)]]>
或，
dXdx=h(x)H(X).]]>

15.  根据权利要求11所述的束栅格，其中，由微分方程的解来获得所述变化系数，其中，所述求解所述微分方程包括使用四级Runge-Kutta子程序。

16.  根据权利要求11所述的束栅格，其中，由以下微分方程中的一个或两个的解来获得所述变化系数：
dr′dr=rR×g(r),]]>
或，
dx′dx=1i(x).]]>

17.  根据权利要求11所述的束栅格，其中，由微分方程的解来获得所述变化系数，其中已经向所述微分方程提供以下内容中的一项或多项：
f(r)和F(R)，用于获得R(r)，R(r)表征与控制孔图案相比的新的栅格孔位置的径向位置；或
h(x)和H(X)，用于获得X(x)，X(x)表征与控制孔图案相比的新的栅格孔位置的线性位置；或
g(r)，并且利用所述微分方程来获得r’(r)，r’(r)表征与控制孔图案相比的新的栅格孔位置的径向位置；或
i(x)，并且利用所述微分方程来获得x’(x)，x’(x)表征与控制孔图案相比的新的栅格孔位置的径向位置。

18.  根据权利要求11所述的束栅格，其中，由迭代获得变化系数来获得所述变化系数。

19.  根据权利要求11所述的束栅格，其中，所述利用所述变化系数包括产生新的栅格图案，所述新的栅格图案具有孔尺寸和位置变化两者或者至少是与不同孔尺寸的离散区域相结合的孔位置变化的特征。

20.  根据权利要求11所述的束栅格，具有基本连续变化的透明度的特征。

用于离子束均匀性的栅格透明度和栅格孔图案控制
技术领域
所描述的主题涉及离子源栅格孔图案设计技术以及利用拉伸和/或收缩栅格孔之间的(通常为径向或线性的)距离来控制栅格透明度的技术，其中，栅格通常为宽束离子加速系统的电极。
背景技术
开发和使用宽束离子源中的一个问题在于产生非常均匀的离子束密度曲线(密度分布)。由于放电等离子本身不具有均匀分布的离子密度，所以利用等离子中所产生的离子的离子源通常具有不均匀的离子束密度曲线。尽管这里讨论的是束栅格(beam grid)，例如，离子源，但是它通常适用于包括正负离子束源和电子源两者的任何充电颗粒宽束源。
为了解决该问题并获得均匀性较高的离子束流(ion beamcurrent)密度，已经开发了栅格化的离子源的离子提取(extraction)栅格，使其在整个栅格图案上具有各种不同的栅格开口面积比例(fraction)(栅格透明度)。确实，很多离子源具有栅格图案的离散部分，在每个离散部分中，孔间距离和/或孔的直径可能是不同的。已提供这样的离子提取栅格作为各种用途的解决方案。然而，当对于离子束流密度均匀性的要求较高时，这种离散部分的边界还可能会导致离子束流密度均匀性出现不期望的波动。
图1示出了任意传统栅格图案的一个实例，其具有用于栅格透明度的多个离散的径向限定的区域(同心圆圈表示各区域之间的边界，并划分各区域)。通常利用重复图案将栅格设计填充在每个区域中，以在该区域中获得恒定的栅格透明度。然而，在各区域的边界处，一个区域与另一区域之间的过渡可能不是平滑的，导致栅格孔密度的局部不连续，并且，如果对这种局部不连续置之不理且不做修正的话，束流密度也会出现不连续。图2示出了径向和方位角(水平，azimuthal)区域边界处出现的典型不规则性(注意，小黑圆圈表示当孔等分布置时孔的位置)。这些区域边界可以是径向的，并且各种方位角边界可以出现在如图所示的位置，或者可以根据具体的设计而是孔的尺寸或间距不连续变化的其它边界(注意，从图1中心开始数的第二个径向边界处观察到的没有被孔占据的六个区域是与本公开主题无关的其它设计特征造成的结果)。传统上，由设计人员逐孔地来完成平滑边界处过渡区所需的任何调节。图3示出了利用任意单位(unit)的栅格透明度的分布，作为另一任意传统栅格设计中的半径的函数。图3中分散的数据点与图案不匹配且孔已被手动调节的边界相关。
发明内容
本公开是用于改变离子束栅格的孔位置或尺寸的设计方法，其包括确定待改变的控制栅格；获得用于栅格图案的孔位置和/或孔尺寸改变系数；以及利用改变系数来产生新栅格图案，这也可被称为“按比例增减”栅格透明度。而且所公开的是利用所描述的设计图案而产生的栅格。
附图说明
附图中：
图1是传统离子束栅格图案的示意性平面图；
图2是图1的示意性栅格图案的放大部分；
图3是另一传统栅格图案的透明度分布曲线图；
图4示出了示意性栅格图案的一对放大部分；
图5示出了可替换示意性栅格图案的一对放大部分；
图6包括图6A、图6B、图6C和图6D，其为示出了本发明方法的一组曲线图；
图7是传统离子束栅格图案的另一示意性平面图；
图8是由此产生的离子束栅格图案的示意性平面图；
图9是可与本发明一起使用的径向等离子密度曲线的绘制图；
图10是本发明设计方法的流程图示图；以及
图11是本发明设计方法的另一流程图示图。
具体实施方式
已经利用数学模型开发出了目的在于改变离子束栅格中孔位置和孔间距的设计方法，以改变栅格透明度，该栅格透明度也被称为栅格开口面积比例。新技术或这里所描述的技术不需要离散区域(诸如图1和图2所示的那些区域)，因此可以基本消除移动区域边界处的栅格孔的这种耗时且人为的操作。相反，本设计方法使得，通过“拉伸”和/或“收缩”来基本连续地改变孔间距，以连续地或基本连续地改变栅格离子透明度(开口面积)，从而补偿由于其它原因造成的等离子不均匀性或束不均匀性(beam non-uniformity)。在这种方法之外，还由此开发出了利用基于本发明设计方法的基本连续变化的透明度而产生的新栅格。上述开发成果中的一种或两种的效果通常都将更好地控制离子束均匀性。尽管这里讨论的是束栅格，例如离子源，但是它通常也适用于包括正或负离子束源或电子源的任何充电颗粒宽束源。
通过取而代之地使用基本平滑的、基本连续变化的孔间距或基本连续变化的栅格孔尺寸，用于发展栅格透明度的这种以数学为基础的方法可以解决现有栅格图案设计技术的不足，其中，该现有栅格图案设计技术使用的是离散的部分或区域形成的孔间距或孔尺寸。因此，根据本发明的示例性设计方法被描述为具有以下几个步骤。
第一通用技术开始于待被改变的初始(原始或控制)栅格图案。接着，在第一可替换实施例中，如图4所示，初始图案的孔位置的径向坐标可从r变化至R。然而，当这么做时，在初始图案中的(r-dr/2，r+dr/2)范围内以及在改变图案中的(R-dR/2，R+dR/2)的范围内应该具有相同数量的栅格孔。假设可以将初始和改变栅格图案的栅格透明度分别设定为半径的函数，如f(r)和F(R)：
f(r)×2πr×dr＝F(R)×2πR×dR
∴dRdr=r×f(r)R×F(R).]]>
通过求解该微分方程，以利用边界条件R(r＝r0)＝r0解出栅格孔位置改变系数R(r)，可以获得新栅格图案，获得期望的或不期望的栅格透明度曲线F(R)。在下文中，可以可替换地将栅格孔位置改变系数称为位置改变系数或简称为改变系数。
在可替换的第二实施例中，该技术也可开始于待被改变的初始(原始或控制)栅格图案。接着，如图5所示，几个初始图案孔位置中的每个孔位置的笛卡儿坐标可从x变化成X，并且和前面的相同，在初始图案中的(x-dx/2，x+dx/2)范围内以及在改变图案中的(X-dX/2，X+dX/2)的范围内应该具有相同数量的栅格孔。假设可以将初始和改变栅格图案的栅格透明度分别设定为笛卡儿距离h(x)和H(X)的函数：
h(x)×dx＝H(X)×dX
∴dXdx=h(x)H(X).]]>
接着，通过求解该微分方程以利用任意边界条件(诸如X(x)＝0)解出位置改变系数X(x)，可以获得新栅格图案，以获得所需的栅格透明度曲线H(X)。结合径向和线性两种图案变化来描述本发明通用方法的应用的实例，并在图10中(参见以下描述)以流程图形式示出。尽管在此未详细描述，但是类似方法可用于方位角图案的改变，其中，θ是极坐标系中的方位角坐标，求解相对等的微分方程以利用适合的边界条件来获得位置变化系数θ(θ)。
在求解类似这些的微分方程中可以使用各种方法，诸如，可以找到一些市场上可获得的软件产品，诸如MathCad或Mathematica。作为另一实例，也可使用Microsoft Excel文件来实现该目的。可以用来求解微分方程的一个实例是四级(4^th)Runge-Kutta子程序(routine)，还有任何级数的其它的向前匹配技术(forward-marchingtechnique)(例如，如果是第一级，诸如所谓的Euler方法)。对于径向方法来说，通过提供f(r)和F(R)，使用者将能够获得位置改变系数R(r)，其用于将栅格孔位置从初始设计位置径向移动，以获得改变的孔图案。类似地，通过提供h(x)和H(X)，使用者将能够获得位置改变系数X(x)，其用于将栅格孔位置从初始设计位置线性移动，以获得笛卡儿坐标系中的用于线性拉伸/收缩的改变的孔图案。类似地，通过提供p(θ)和P(θ)，使用者能够获得位置改变系数θ(θ)，其用于将栅格孔位置从初始设计位置方位角地移动，以获得极坐标系中的改变的孔图案。
从不同方面来看，利用栅格透明度改变的比率作为近似值，本发明的方法可以描述如下。步骤0：通过(笛卡儿坐标系中的i(x)或2D径向系统中的g(r))这种改变来限定栅格透明度的所需比例，以获得较好的离子束密度均匀性曲线。可以根据试验或其它方式来确定所述的曲线。这首先可以包括确定控制栅格，可以试图改变该控制栅格。接着，步骤1：基于所需的改变，可以通过求解微分方程来估计栅格透明度变化率，根据进行改变的方向，所述的微分方程可以具有不同形式。在笛卡儿坐标系中，其可为：
dx′dx=1i(x),]]>
其中，栅格透明度变化率i(x)＝H(x)/h(x)是对于H(X)/h(x)的估计值，并且x’(x)产生位置变化系数X(x)的估计值。在2D径向系统中，其为：
dr′dr=rr′×g(r),]]>
其中，栅格透明度变化率g(r)＝F(r)/f(r)是对于F(R)/f(r)的估计值，并且r’(r)产生位置变化系数R(r)的估计值。接着，步骤2：将上面微分方程的解应用于控制栅格孔图案，获得新栅格图案。作为可选的进一步的步骤是步骤3：如果利用新栅格图案获得的离子束密度曲线未提供优选水平的均匀性，那么，可以重复上面的步骤1-2(可替换地或者除步骤0-2之外)，在所述的步骤1-2中调节了栅格透明度的所需变化。图11(参见以下描述)示出了根据本发明的重复步骤的流程，并且参照图11描述了该流程。此外，类似步骤可用于方位角图案的改变。
如图6的四个部分所示，可以通过曲线图形式一定程度地描述所述的方法，作为径向的实例。图6的第一幅图(即图6A)示出了大约十英寸宽基板上可能出现的这种非均匀离子束密度曲线。注意，如从图1作为实例示出的圆形栅格中可以期望的，(关于中心垂直轴)左右镜像。还要注意，如可能预计的那样，密度在接近远边时通常会下降，虽然在接近或更接近中心时可能会出现高于标准化(正规化(规一化)，normalized)的密度。相反，更优选地，优选的均匀标准化的密度应该呈现为水平(flat)线，诸如图6中的第三幅图(即图6C)中所示的那样。因此，这里阐述的第一步骤是，确定需要朝向均匀方向改进的栅格。产生图6A中曲线的栅格可以刚好是这样的栅格。接着，下一步骤是计算所需的栅格透明度变化率。通过计算每一径向位置处的所需标准化束流密度与实际标准化束流密度之间的比率来估计这种变化率。图6中的第二幅图(即图B)用曲线图的形式表示了对应于图6A曲线图的右半部分的这种栅格透明度变化率。注意，图6B的从顶部到底部的曲线是相对于图6A曲线的右侧部分的水平镜像图像效果。概念上讲，图6B的栅格透明度变化率的曲线也可以表示图6A曲线的初始值的值的倒数关系。这样，如果不等于图6C曲线的标准化值，则初始值与倒数值的乘积将接近图6C曲线的标准化值。该径向实例的微分方程解r’(r)在图6D中被曲线图形式地示出为r’(r)相对于r的微分。其表示连续变化的位置变化系数，该系数可用于初始设计中每个孔的径向位置，以提供新设计，该新设计具有接近图6C所示理想状态的改进均匀性的性能。注意，虽然边缘处的孔显著移动了(在本具体实例中向上移动约2mm)，但是临近的孔也移动类似量，从而临近孔之间的距离仅发生微小变化。因此，在上面讨论的实例中，初始离散区域化的图案中的每个孔的径向位置被移动了，即，以使得新的孔间距从初始间距连续或基本连续变化的方式进行“拉伸/收缩”，产生新图案，该新图案尽管可能仍然包含离散区域但可以更好地满足改进的均匀性标准。
在使用了用于改进初始离散区域化图案性能的技术之外，具有连续变化孔间距的技术也可用于新图案的设计。在这种情况的一个实例中，可以使用连续变化栅格透明度变化率g(r)或i(x)来估计离散区域化设计以及对于微分方程的输入。所得到的位置变化系数解r’(r)(R(r)或x’(x)的估计值(X(x)的估计值)可以函数上地复制初始离散区域化设计，但使其“平滑”。图7示出了这种离散区域化图案的实例。在图7中，在从没有孔的六个区域径向向外延伸的区域中可以很容易看到孔图案的不规则性。通过应用这里描述的方法，栅格孔位置的平滑且连续变化的调节可以提供如图8作为实例所示的栅格的平坦图案。于是，结果可以是能够更好地控制离子束的均匀性，这是因为与离散区域相关的不连续性可能已经被如此地消除了。
因此，开发出数学模型来连续或基本连续地按比例缩放栅格图案设计，以获得所需改进的离子束均匀性。利用该模型来设计几个栅格组，并且当它们被用于离子束蚀刻用途时，蚀刻率测量值显示出了离子束均匀性的改进。该技术已经应用于离子源栅格设计，并且检测到了能够预测栅格性能在离子束流密度均匀性方面的改进的指示，同时还检测到了改进的蚀刻率分布。注意，在一些情况下，初始设计是离散区域化的控制设计，其被连续“拉伸”以补偿被实验性检测的蚀刻曲线中发现的非均匀性。而且，通过射线示踪模型(ray-tracing model)连续地迭代该设计方法，以提供连续变化的透明度设计。该迭代过程用于函数地复制初始离散区域化设计，但使其“平滑”。因此，其目的可以是提供没有任何离散区域的连续变化的透明度设计，但是该设计将尽可能精密地以具有更高蚀刻均匀性的方式函数地复制初始离散区域化设计。于是，该连续变化的基线设计可用作用于进一步的以试验为基础的迭代过程的始点，以优化与具体应用有关的、在特定操作条件下的栅格性能。
因此，已经发现，通常，可能需要连续或基本连续变化的透明度设计。在给定测得的等离子密度径向曲线或径向束流密度作为始点的情况下，该技术能够提供这样的设计。
利用诸如这里所述的变化系数的变化栅格透明度设计的另一实施例可以是，基本连续地改变孔直径。用于利用基本连续变化的孔直径来形成设计的方法可以以如下方式进行。当形成了作为其半径r的函数d(r)的、具有孔直径d的初始栅格设计并且已知具有栅格透明度变化率j(r)的所需栅格透明度的所需变化栅格设计时，那么改变的栅格设计应该具有的孔直径是：
d′=d(r)×j(r)]]>
其中，d’(r)是新直径，其在下文中被指定为孔直径变化系数，或可替换地，可以被简称为变化系数。可替换地，如果孔直径和所需的栅格透明度变化率在笛卡儿坐标系中被分别给定为d(x)和k(x)，则变化的栅格设计直径将被示为：
d′(x)=d(x)×k(x)]]>
其中，d’(x)是新直径，其在下文中也被指定为孔直径变化系数，或被简称为变化系数。
而且，将变化孔位置和孔直径的技术结合在一起是可行的。通过结合所需的栅格透明度变化率k(x)或j(r)可以获得整体的所需的栅格透明度变化率l(x)或m(r)，通过变化孔直径和不同的所需的栅格透明度变化率i(x)或g(r)可以获得k(x)或j(r)，通过变化孔位置可以获得i(x)或g(r)，其中：
l(x)＝i(x)×k(x)
或
m(r)＝g(r)×j(r)
                 。
对于每个整体的变化率l(x)或m(r)来说，设计者可以任意分割栅格透明度变化率(i(x)和k(x)，或g(r)和j(r))，只要满足上述等式即可。接着，可以使用每个栅格透明度变化率来求解位置变化系数x’(x)或r’(r)以及直径变化系数d’(x)或d’(r)。
虽然上面已经描述了各种实施例用作该初始或控制栅格图案以及来自被提取的束的相应测得的束流密度曲线以确定用于新栅格的栅格透明度变化率的始点，但是确定用于新栅格的栅格透明度变化率的方法也可开始于被测得的等离子密度曲线或通过理论模型得到的等离子密度曲线。这可有利于基于放电的理论模型或原型箱室(chamber)中的等离子密度的测量值来设计用于新装置的第一重复栅格。这里，使得和向栅格系统供应离子的离子源相关的等离子密度曲线与由栅格从该离子源提取的离子束的密度曲线之间存在区别。图9示出了这种径向离子密度曲线的实例。在这种情况下，可以开始该过程，用作具有恒定孔间距的控制栅格图案，并可以使用作为f(r)的表示等离子密度曲线或任何其它初始始点的函数。
以下是可用于本发明的更详细的方法，如图10所示。具体地，无论是否具有先前计算或先前制造的栅格(其中，该栅格透明度被给定为f(r)或h(x))，第一步骤通常可以包括建立控制栅格图案。接着，在设计者指定新栅格透明度F(R)或H(X)之后，可以通过求解一个或多个微分方程来获得栅格孔位置变化系数。求解微分方程的实例可以包括使用四(4^th)级Runge Kutta方法。例如，当利用该方法求解以下径向微分方程时：
dRdr=r×f(r)R×F(R)]]>
其中限定了位置和边界条件(r_n(n＝0，1，2，...)以及R₀＝r₀)以及其它一些因素(例如，诸如栅格图案总尺寸和/或孔间最小厚度的各种设计限制因素)，根据以下公式并利用r_n、R_n、f(r)、F(R)、和Δr(＝r_n+1-r_n)可获得R_n+1：
k1=Δr×rn×f(rn)Rn×F(Rn),]]>
k2=Δr×(rn+Δr2)×f(rn+Δr2)(Rn+k12)×F(Rn+k12),]]>
k3=Δr×(rn+Δr2)×f(rn+Δr2)(Rn+k22)×F(Rn+k22),]]>
k4=Δr×(rn+Δr)×f(rn+Δr)(Rn+k3)×F(Rn+k3),]]>
Rn+1=Rn+k1+k2×2+k3×2+k46.]]>
接着，求解微分方程可以给出用于孔的新位置，作为r_n和R_n阵列(数组，array)形式的栅格孔位置变化系数。注意，可以使用表格或其它方式(应用程序，utility)来发展和/或示踪相对于初始位置的改变位置。这种方法可用于径向和/或直线坐标系，如图10所示。
图11所示的可替换实施例开始于所估计的栅格透明度变化率g(r)或i(x)。在该实施例实例中，初始操作或步骤0可以包括将栅格透明度的所需比例限定为g(r)(其可以被限定为F(R＝r)/f(r)或i(x)(可以获得i(x)并作为H(X＝x)/h(x))。图6B示出了这样的实例。接着，在进一步的操作中，这里是步骤1，可以执行将限定和计算的操作与后续的确定操作结合起来。首先，这可以包括通过设定r’₀＝r₀或x’₀＝x₀来限定r_n或x_n(n＝0，1，2，...)，并且求解以下微分方程中的一个或两个：
dr′dr=rR×g(r)]]>
或
dx′dx=1i(x)]]>
这给出了r_n和r’_n阵列形式的或x_n和x’_n形式的栅格孔位置变化系数。接着，进行步骤2，可以基于r_n和r’_n的关系或x_n和x’_n的关系利用孔图案来制造栅格。在该步骤2之后，接着可以进一步确定新设计是否产生所需的栅格透明度，其中，如果情况是这样的话，图11的过程即完成。然而，如果情况不是这样的话，那么可以再次进行步骤1和2的重复操作。如果必需的话，可以相对于和/或从先前重复操作中获得基于栅格透明度的所需栅格透明度变化率g(r)或i(x)的变化。
尽管上述很多实例是离子束栅格和离子束源，但是该设计方法以及基于设计方法而制造的栅格通常可以应用于包括正或负离子束源或电子源的任何充电颗粒宽束源。在这种情况下，所关注的空间函数可以是例如诸如上游负离子密度(和/或到达率)曲线或电子密度(和/或到达率)曲线以及相应的下游充电颗粒束流密度曲线的那些函数，其中，上游和下游是相对于提取栅格而限定的。类似地，尽管例如DC或RF激发放电的各种形式的放电源常用作用于离子束提取的等离子源，但是可以预料到这里所描述的设计方法以及基于该设计方法制造的栅格通常适用于从通过多个可替换方式中的任一种方式而制造的等离子(例如微波等离子、驻波片等离子、激光激发等离子、表面接触或发射等离子)中提取的以及从各种非等离子中提取的充电颗粒束，还适用于单电荷种类领域和表面发射装置等等。
上述的说明、实例、和数据提供了本方法和结构的描述以及本发明示例性具体实施方式的使用。然而，在本发明的范围内可以构思其它实施例，这包括在不受限制的情况下提供一些方法和/或不同于所示和/或所描述的那些的形状、尺寸、和位置的栅格。另外，虽然说明书已经描述了示例性方法和栅格，但是在本发明的范围内可以采用其它方法和栅格。由于在不背离本发明精神和范围的前提下，可以进行和/或使用很多实施例，所以本发明仅由所附的权利要求所限定。