TFTLCD的数据线引线区的结构及其制作方法.pdf

本发明涉及一种TFT-LCD的数据线引线区的结构及其制作方法，该结构包括基板、栅绝缘层薄膜、数据线引线和钝化层薄膜，数据线引线下方的基板上保留有栅极层金属线，数据线引线上形成有过孔，过孔下方和上方对应位置的栅绝缘层薄膜和钝化层薄膜被去除，并与过孔共同形成连接孔，连接孔中形成有透明像素电极引线，透明像素电极引线通过连接孔将栅极层金属线和数据线引线连接起来。本发明还公开了一种数据线引线区结构的制作方法。本发明通过引入在数据线引线区形成的通过沉积在过孔中的透明像素电极引线与数据线引线相连接的栅极层金属线，与现有技术中的数据线引线区的结构相比能够很好的避免引线断开这种不良现象的出现。

1、  一种TFT-LCD的数据线引线区的结构，包括基板、栅绝缘层薄膜、数据线引线和钝化层薄膜，其特征在于：所述数据线引线下方的基板上保留有栅极层金属线；所述数据线引线上形成有过孔；所述过孔下方和上方对应位置的栅绝缘层薄膜和钝化层薄膜被去除，并与所述过孔共同形成连接孔；所述连接孔中形成有透明像素电极引线；所述透明像素电极引线通过所述连接孔将所述栅极层金属线和数据线引线连接起来。

2、  根据权利要求1所述的TFT-LCD数据线引线区的结构，其特征在于：还包括位于栅绝缘层薄膜上的有源层薄膜，所述连接孔对应位置的有源层薄膜被去除。

3、  根据权利要求1或2所述的TFT-LCD数据线引线区的结构，其特征在于：所述栅极层金属线位于所述数据线引线的正下方。

4、  根据权利要求1或2所述的TFT-LCD数据线引线区的结构，其特征在于：所述过孔为圆形、方形或截断式。

5、  一种TFT-LCD的数据线引线区结构的制作方法，其特征在于，包括：
步骤51，在基板上形成栅极层薄膜，采用掩模版掩模，并通过曝光和刻蚀工艺，在基板的数据线引线区形成栅极层金属线；
步骤52，在完成步骤51的基板上，依次沉积栅绝缘层薄膜和有源层薄膜，采用掩模版掩模，并通过曝光和刻蚀工艺刻蚀掉有源层薄膜；
步骤53，在完成步骤52的基板上，形成源/漏极金属层薄膜，采用掩模版掩模，并通过曝光和刻蚀工艺将数据线引线区的源/漏极金属层薄膜刻蚀成数据线引线，并在所述数据线引线上形成过孔；
步骤54，在完成步骤53的基板上，形成钝化层薄膜，然后采用掩模版掩模，并通过曝光和刻蚀工艺将所述过孔正上方和正下方对应位置处的钝化层薄膜和栅绝缘层薄膜刻蚀掉，形成连接孔；
步骤55，在完成步骤54的基板上，形成像素电极层薄膜，然后通过掩模版掩模、曝光和刻蚀工艺在所述连接孔处形成将所述栅极层金属线和数据线引线连接起来的像素电极引线。

6、  根据权利要求5所述的TFT-LCD的数据线引线区结构的制作方法，其特征在于：所述步骤51中形成的栅极层金属线位于所述步骤53中形成的数据线引线的正下方。

7、  根据权利要求5所述的TFT-LCD的数据线引线区结构的制作方法，其特征在于：所述步骤53中形成的过孔为方形、圆形或截断式。

8、  一种TFT-LCD的数据线引线区结构的制作方法，其特征在于，包括：
步骤81，在基板上形成栅极层薄膜，采用掩模版掩模，并通过曝光和刻蚀工艺，在基板的数据线引线区形成栅极层金属线；
步骤82，在完成步骤81的基板上，依次沉积栅绝缘层薄膜、有源层薄膜和源/漏极金属层薄膜，采用掩模版掩模，并通过曝光和刻蚀工艺将数据线引线区的源/漏极金属层薄膜刻蚀成数据线引线，在数据线引线上形成过孔，然后将所述过孔处的有源层薄膜刻蚀掉；
步骤83，在完成步骤82的基板上，形成钝化层薄膜，然后采用掩模版掩模，并通过曝光和刻蚀工艺将所述过孔正上方和正下方对应位置处的钝化层薄膜和栅绝缘层薄膜刻蚀掉，形成连接孔；
步骤84，在完成步骤83的基板上，形成像素电极层薄膜，然后通过掩模版掩模、曝光和刻蚀工艺在所述连接孔处形成将所述栅极层金属线和数据线引线连接起来的像素电极引线。

9、  根据权利要求8所述的TFT-LCD的数据线引线区结构的制作方法，其特征在于：所述步骤81中形成的栅极层金属线位于所述步骤82中形成的数据线引线的正下方。

10、  根据权利要求8所述的TFT-LCD的数据线引线区结构的制作方法，其特征在于：所述步骤82中形成的过孔为方形、圆形或截断式。

TFT-LCD的数据线引线区的结构及其制作方法
技术领域
本发明涉及一种TFT-LCD的数据线(Data线)结构及其制作方法，尤其是涉及一种TFT-LCD的数据线引线区(lead区)的结构及其制作方法。
背景技术
传统TFT-LCD生产过程中的5次掩模(5Mask)工艺中的数据线引线区，如图1和图2所示，其工艺过程如下：(1)在基板7上形成栅极层薄膜(gate层)，然后被刻蚀掉；(2)形成栅绝缘层薄膜3(G-SiNx层)和有源层薄膜(Active层)，然后有源层薄膜被刻蚀掉；(3)形成源/漏极金属层薄膜(S/D层)，并将数据线引线区的源/漏极金属层薄膜刻蚀成数据线引线2；(4)形成钝化层薄膜1(PVX层)；(5)形成像素电极层薄膜，然后被刻蚀掉。图1和图2中的B区域为静电释放区，C区域为管脚区。
4次掩模(4Mask)工艺中的数据线引线区如图1和图2所示，其工艺过程如下：(1)在基板7上形成栅极层薄膜，然后被刻蚀掉；(2)形成栅绝缘层薄膜3、有源层薄膜和源/漏极金属层薄膜，并将数据线引线区的源/漏极金属层薄膜刻蚀成数据线引线2，刻蚀掉数据线引线下方的有源层薄膜；(3)形成钝化层薄膜1；(4)形成像素电极层薄膜，然后被刻蚀掉。
这两种工艺均形成上、下层为绝缘层，中间为导线的引线区结构。然而在源/漏极金属层沉积(Deposition)过程前和过程中落在上面的微粒(Particle)、后续工序中在引线区的静电击穿和异物压断数据线引线都会导致数据线引线断线，即引线断开(Lead Open)现象，在产品中表现为一条竖直的亮线，直接影响了产品的质量。
发明内容
本发明的目的是提供一种TFT-LCD数据线引线区的结构及其制作方法，能够避免数据线引线区的静电放电(ESD)性导致的引线断开，沉积(Deposition)性的导致的引线断开和异物压断数据线引线的导致的引线断开的不良现象。
为实现上述目的，本发明提供了一种TFT-LCD数据线引线区的结构，包括基板、栅绝缘层薄膜、数据线引线和钝化层薄膜，所述数据线引线下方的基板上保留有栅极层金属线；所述数据线引线上形成有过孔；所述过孔下方和上方对应位置的栅绝缘层薄膜和钝化层薄膜被去除，并与所述过孔共同形成连接孔；所述连接孔中形成有透明像素电极引线；所述透明像素电极引线通过所述连接孔将所述栅极层金属线和数据线引线连接起来。
为实现上述目的，本发明还提供一种TFT-LCD的数据线引线区结构的制作方法，包括：
步骤51，在基板上形成栅极层薄膜，采用掩模版掩模，并通过曝光和刻蚀工艺，在基板的数据线引线区形成栅极层金属线；
步骤52，在完成步骤51的基板上，依次沉积栅绝缘层薄膜和有源层薄膜，采用掩模版掩模，并通过曝光和刻蚀工艺刻蚀掉有源层薄膜；
步骤53，在完成步骤52的基板上，形成源/漏极金属层薄膜，采用掩模版掩模，并通过曝光和刻蚀工艺将数据线引线区的源/漏极金属层薄膜刻蚀成数据线引线，并在所述数据线引线上形成过孔；
步骤54，在完成步骤53的基板上，形成钝化层薄膜，然后采用掩模版掩模，并通过曝光和刻蚀工艺将所述过孔正上方和正下方对应位置处的钝化层薄膜和栅绝缘层薄膜刻蚀掉，形成连接孔；
步骤55，在完成步骤54的基板上，形成像素电极层薄膜，然后通过掩模版掩模、曝光和刻蚀工艺在所述连接孔处形成将所述栅极层金属线和数据线引线连接起来的像素电极引线。
本发明还提供了一种TFT-LCD的数据线引线区结构的制作方法，包括：
步骤81，在基板上形成栅极层薄膜，采用掩模版掩模，并通过曝光和刻蚀工艺，在基板的数据线引线区形成栅极层金属线；
步骤82，在完成步骤81的基板上，依次沉积栅绝缘层薄膜、有源层薄膜和源/漏极金属层薄膜，采用掩模版掩模，并通过曝光和刻蚀工艺将数据线引线区的源/漏极金属层薄膜刻蚀成数据线引线，在数据线引线上形成过孔，然后将所述过孔处的有源层薄膜刻蚀掉；
步骤83，在完成步骤82的基板上，形成钝化层薄膜，然后采用掩模版掩模，并通过曝光和刻蚀工艺将所述过孔正上方和正下方对应位置处的钝化层薄膜和栅绝缘层薄膜刻蚀掉，形成连接孔；
步骤84，在完成步骤83的基板上，形成像素电极层薄膜，然后通过掩模版掩模、曝光和刻蚀工艺在所述连接孔处形成将所述栅极层金属线和数据线引线连接起来的像素电极引线。
因此，本发明通过引入在所述数据线引线区形成的通过沉积在所述过孔中的透明像素电极引线与数据线引线相连接的栅极层金属线，与现有技术中的数据线引线区的结构相比能够很好的避免引线断开这种不良现象的出现。
附图说明
图1为现有技术的TFT-LCD的数据线引线区结构图；
图2为图1中A-A向位置截面放大图；
图3为本发明TFT-LCD的数据线引线区的结构的实施例的数据线引线区的结构图；
图4为本发明TFT-LCD的数据线引线区的结构的实施例一的图3中D-D向位置截面放大图；
图5为本发明TFT-LCD的数据线引线区的结构的实施例一的图3中E-E向位置剖面放大图；
图6为本发明TFT-LCD的数据线引线区的结构的实施例二的图3中D-D向位置截面放大图；
图7为本发明TFT-LCD的数据线引线区的结构的实施例二的图3中E-E向位置剖面放大图；
图8为本发明TFT-LCD的数据线引线区结构的制作方法的实施例一的流程图；
图9为本发明TFT-LCD的数据线引线区结构的制作方法的实施例二的流程图。
附图标记说明
1-钝化层薄膜；          2-数据线引线；   3-栅绝缘层薄膜；   4-栅极层金属线；
5-透明像素电极引线；    6-有源层薄膜；   7-基板；           8-连接孔。
具体实施方式
下面结合附图和实施例，对本发明作进一步的详细介绍。
本发明TFT-LCD的数据线引线区的结构的实施例一
如图3所示，本实施例描述的结构部分位于阵列基板的外围引线区域，通过图4所示的D-D向位置的截面放大图和图5所示的E-E向位置剖面放大图来进一步说明本发明的结构。
如图4所示，本实施例描述的结构部分位于阵列基板的外围引线区域包括基板7、栅绝缘层薄膜3、数据线引线2、钝化层薄膜1和透明像素电极引线5，所述数据线引线2下方的基板7上保留有栅极层金属线4；所述数据线引线2上方形成有过孔；所述过孔下方和上方对应位置的栅绝缘层薄膜3和钝化层薄膜1被去除，并与所述过孔共同形成连接孔8；所述连接孔8中形成有透明像素电极引线5；所述透明像素电极引线5通过所述连接孔8将所述栅极层金属线4和数据线引线2连接起来，所述栅极层金属线4位于数据线引线2的下方，最优是正下方，这样可使得其能与数据线引线2通过连接孔8方便的连接，所述数据线引线2上形成的过孔数量为一个或多个，形状可变化为多样，如方形、圆形或截断式等。
如图5所示，其为图3中E-E向位置的截面放大图，从E-E向看，该结构包含了间隔排列的多个过孔，图中仅示出两个过孔，由于数据线引线2上的过孔为一个或多个，且可为截断型过孔，因此上述本实施例中所述数据线引线可呈分段式结构。
本发明TFT-LCD的数据线引线区的结构的实施例二
如图3和图6所示，本实施例与实施例一的不同之处在于保留了数据线引线2下方、栅绝缘层薄膜3上方的有源层薄膜6，并将连接孔8位置对应的有源层薄膜6去除。
如图7所示，其为图3中E-E向位置的截面放大图，从E-E向看，该结构包含了间隔排列的多个过孔，图中仅示出两个过孔，由于数据线引线2上的过孔为一个或多个，且可为截断型过孔，因此上述本实施例中所述数据线引线可呈分段式结构。
通过上述两个实施例可以看出，通过引入在栅极层形成的金属线，这样在数据线的引线区就形成了上方为数据线引线、下方为栅极层金属线的双层金属线的连接结构。通过双层的金属线连接结构设计，即使上层的数据线引线由于在源/漏极金属层沉积过程前和过程中落在上面的微粒、后续工序中在引线区的静电击穿和异物压断而导致断开，也不会出现引线断开的不良现象。在数据线的整个引线区通过双层的金属线连接能够在很大程度上保证不会出现引线断开的不良现象，并且本实施例在现有的工艺条件下就可以实现。
本发明TFT-LCD的数据线引线区结构的制作方法的实施例一
本实施例涉及5次掩模工艺，为了更好说明本发明，本实施例结合阵列基板的中心区域进行说明，如图8所示，其具体实施过程如下：
步骤51，在基板上形成栅极层薄膜，采用掩模版掩模，并通过曝光和刻蚀工艺，在基板的中心区域形成栅线和栅电极的同时，在周边引线区域的后续形成数据线引线位置处形成栅极层金属线；
步骤52，在完成步骤51的基板上，依次沉积栅绝缘层和有源层薄膜，采用掩模版掩模，并通过曝光和刻蚀工艺形成基板中心区域有源层的同时，刻蚀掉周边引线区域的有源层；
步骤53，在完成步骤52的基板上，形成源/漏极金属层薄膜，采用掩模版掩模，并通过曝光和刻蚀工艺，在基板中心区域形成源极、漏极和数据线的同时，在周边引线区域形成数据线引线，并在所述数据线引线上形成过孔，所述过孔为一个或多个，形状可为圆形、方形或截断式等形状；
步骤54，在完成步骤53的基板上，形成钝化层薄膜，然后采用掩模版掩模，并通过曝光和刻蚀工艺，在基板中心区域形成漏极上方的钝化层过孔的同时，将周边引线区域数据线引线上过孔正上方和正下方对应位置处的钝化层薄膜和栅绝缘层薄膜刻蚀掉，以形成连接孔；
步骤55，在完成步骤54的基板上，形成像素电极层薄膜，然后通过掩模版掩模、曝光和刻蚀工艺，在基板中心区域形成像素电极的同时，在周边引线区域形成像素电极引线，像素电极引线通过连接孔将所述栅极层金属线和所述数据线引线连接起来。
本发明TFT-LCD的数据线引线区结构的制作方法的实施例二
本实施例涉及4次掩模工艺，如图9所示，其具体实施过程如下：
步骤81，在基板上形成栅极层薄膜，采用掩模版掩模，并通过曝光和刻蚀工艺，在基板的中心区域形成栅线和栅电极的同时，在周边引线区域的后续形成数据线引线位置处形成栅极层金属线；
步骤82，在完成步骤81的基板上，依次沉积栅绝缘层薄膜、有源层薄膜和源/漏极金属层薄膜，采用掩模版掩模，并通过曝光和刻蚀工艺，在基板中心区域形成源极、漏极和数据线的同时，在周边引线区域形成数据线引线，使其位于所述栅极层金属线的正上方，并在所述数据线引线上形成过孔，所述过孔为一个或多个，形状可为圆形、方形或截断式等形状，然后将所述过孔处的有源层薄膜刻蚀掉；
步骤83，在完成步骤82的基板上，形成钝化层薄膜，然后采用掩模版掩模，并通过曝光和刻蚀工艺，在基板中心区域形成漏极上方的钝化层过孔的同时，将周边引线区域数据线引线上过孔正上方和正下方对应位置处的钝化层薄膜和栅绝缘层薄膜刻蚀掉，以形成连接孔；
步骤84，在完成步骤83的基板上，形成像素电极层薄膜，然后通过掩模版掩模、曝光和刻蚀工艺，在基板中心区域形成像素电极的同时，在周边引线区域形成像素电极引线，像素电极引线通过所述连接孔将所述栅极层金属线和所述数据线引线连接起来。
本实施例与实施例一的不同之处在于保留了数据线引线下方、栅绝缘层薄膜上方的有源层薄膜，并将连接孔位置对应的有源层薄膜去除。
通过上述两个TFT-LCD的数据线引线区结构的制作方法的实施例所公开的方法，可以在数据线的引线区形成上方为数据线引线、下方为栅极层金属线的双层金属线的连接结构，并且上述两个实施例均可在现有的工艺条件下实现。
最后应说明的是：以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而非对其进行限制，尽管参照较佳实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对本发明的技术方案进行修改或者等同替换，而这些修改或者等同替换亦不能使修改后的技术方案脱离本发明技术方案的精神和范围。