热处理装置、热处理方法和存储介质.pdf

本发明提供一种热处理装置、热处理方法和存储实施该方法的程序的存储介质。在使作为用于加热基板的加热板的面板冷却时，即使在冷却气体流量小的情况下，也能够在很短时间内使该面板冷却。在面板的下侧设置在内周侧形成有气体排出口的整流板。此外，在该面板和整流板之间设有与该整流板直径大致相同的管状降温吹扫环，在该降温吹扫环的内周侧形成多个气体喷出孔。然后，缩小在该面板的下端面和降温吹扫环的上端面之间的间隙。当冷却气体从该降温吹扫环向内侧流动时，在面板下端面和降温吹扫环上端面之间的区域变成负压，沿着冷却气体的流动，大量的大气从外部流入面板和整流板之间，使该面板迅速冷却。

1.  一种热处理装置，用于对基板进行加热处理，其特征在于，包括：
加热板，其载置基板，并设有加热单元；
多个气体喷出孔，其在所述加热板的下面沿着所述加热板的圆周方向设置，以使从该加热板的外侧向内侧对所述加热板进行冷却的冷却气体通过；
整流板，其中央部形成气体排出口，其设置在该加热板的下方，与该加热板靠近并相对，以限制所述加热板的下面的所述冷却气体的气流；和
外部气体引入口，其在所述加热板的外端部沿着圆周方向设置，以所述冷却气体的通过而产生的所述负压，将外部气氛引入到所述加热板和所述整流板之间。

2.  如权利要求1所述的热处理装置，其特征在于：
包括在所述加热板的下方，沿着该加热板的圆周方向形成环状的管状部件，和向该管状部件供给冷却气体的冷却气体供给路，在所述管状部件的内周侧穿设有所述气体喷出孔。

3.  如权利要求2所述的热处理装置，其特征在于：
所述管状部件与所述加热板的下面之间形成所述外部气体引入口的间隙。

4.  如权利要求1所述的热处理装置，其特征在于：
包括多个冷却喷嘴，其在所述加热板的下方，且其前端部沿着该加热板的圆周方向隔开规定间隔设置，
所述气体喷出孔是在该冷却喷嘴的前端部形成的气体喷出孔。

5.  如权利要求4所述的热处理装置，其特征在于：
所述冷却喷嘴从下面向上面贯穿整流板。

6.  如权利要求1～5中任一项中所述的热处理装置，其特征在于：
所述气体喷出孔向上方倾斜，使得冷却气体冲击到所述加热板的下面。

7.  一种热处理方法，对基板进行加热处理，其特征在于，包括：
将基板载置在加热板上，对所述基板进行加热的工序；
在所述加热板的下面，从该加热板的外侧向内侧，从沿着所述加热板的圆周方向设置的多个气体喷出孔流过冷却所述加热板的冷却气体，从而在该加热板外端部的下面产生负压的工序；
由于所述负压，从沿着圆周方向设置在所述加热板的外周部的外部气体引入口，将外部气氛引入到所述加热板和设置在该加热板的下方的整流板之间，使该外部气氛与所述冷却气体一起流动，冷却所述加热板的工序；和
使所述冷却气体和从外部引入的所述外部气氛从在所述整流板的中央部形成的气体排出口向下方排出的工序。

8.  如权利要求7所述的热处理方法，其特征在于：
在所述产生负压的工序中，使冷却气体向斜上方流动，使得所述冷却气体冲击到所述加热板的下面。

9.  一种存储介质，存储有计算机程序，其特征在于：
所述计算机程序编入实施权利要求7或8所述热处理方法的各个步骤。

热处理装置、热处理方法和存储介质
技术领域
本发明涉及在加热板上载置基板并对基板进行加热处理的热处理装置、热处理方法和存储实施该方法的程序的存储介质。
背景技术
在作为对基板进行液体处理的系统，例如用于进行抗蚀剂膜涂敷、显影的涂敷、显影装置中，收纳在加热板上载置基板，对在该加热板上的基板进行加热的热处理装置。由于在该热处理装置中，对涂敷有各种抗蚀剂膜的基板进行热处理，所以要根据抗蚀剂膜种类的不同，选择适当的加热温度和加热时间等热处理条件。
因此，在上述热处理装置中，在例如对一批基板进行加热处理结束之后，在后面的批次基板的加热温度和前面批次基板的加热温度不同的情况下，就要变更加热板的温度，使加热温度适应该后续批次基板。例如在与后续批次基板相适应的加热温度高于前面批次基板加热温度的情况下，就要提高设置在加热板上的加热器的输出。另一方面，在与后续批次基板相适应的加热温度低于前面批次基板的加热温度的情况下，就要进行加热板的冷却。
作为冷却这样加热板的方法，如在例如专利文献1和专利文献2中所述的那样，使加热板的背面与作为制冷剂的液体等流体接触，在该制冷剂和加热板之间进行热交换，从而使加热板冷却的方法是已知的。在该方法中，以制冷剂在热板的表面上蔓延且不会污染该热板的表面的方式，划分制冷剂的流路，制冷剂在加热板背面的区域和用于冷却该制冷剂的冷却机构之间循环。
作为加热板，使用高强度的材料、例如氮化铝(AlN)等，从而其厚度被设定得很薄，例如3mm左右。这样的材料强度高，另一方面，材料费高而且加工费也高。因此，最近研究了用材料费或加工费都便宜的金属材料例如铝(Al)代替这样的材料。但是，与上述氮化铝相比较，铝的强度小，因此为了保证强度，需要使厚度加厚至不出现变形。而当将加热板加厚时，就会导致热容量增大，在更换上述批次时需要长时间的冷却，降低了生产率。
可是，即使如上述那样加厚加热板，通过增加供给到加热板背面的制冷剂的流量，即使不延长冷却时间也能够冷却加热板，但是在上述涂敷、显影装置中，要设定得使制冷剂的流量尽可能小，因此例如用于压缩冷却气体的压缩机或用于供给冷却水的加压泵或冷机等冷却装置，就要选择得与制冷剂流量相符合的小型装置。从而当想要增大制冷剂流量时，就需要变更装置的设计，即需要使冷却装置变得更大，因此缩短冷却时间是非常困难的。
另一方面，为了减少用于供给制冷剂所需要的电能，或者使上述冷却装置更加小型化，在不延长加热板的冷却时间的情况下，就要求减少从上述冷却装置供给的制冷剂流量。
此外，如上所述，由于在冷却加热板之后，立即对后面的批次进行加热处理，所以需要在对整个加热板的面进行均匀的冷却。为此，必须将例如供给制冷剂的喷嘴相对于加热板设置在多个位置上，而由于这些喷嘴还需要连接着配管，使得使用的部件数增多，产生了与装置大型化或成本上升相关的课题。
【专利文献1】特开平10-284382((0012)、图1)
【专利文献2】特开2001-52985((0013)、(0031))
发明内容
本发明是在这样的情况下而提出的，其目的在于提供一种当对载置在加热板上的基板进行加热处理时，在例如更换批次时等对加热板进行冷却时，能够在比较小的冷却气体流量下迅速冷却加热板的技术。
本发明的热处理装置，用于对基板进行加热处理，其特征在于，包括：
加热板，其载置基板，并设有加热单元；
多个气体喷出孔，其在上述加热板的下面沿着上述加热板的圆周方向设置，以使从该加热板的外侧向内侧对上述加热板进行冷却的冷却气体通过；
整流板，其中央部形成气体排出口，其设置在该加热板的下方，与该加热板靠近并相对，以限制上述加热板的下面的上述冷却气体的气流；和
外部气体引入口，其在上述加热板的外端部沿着圆周方向设置，以上述冷却气体的通过而产生的上述负压，将外部气氛引入到上述加热板和上述整流板之间。
上述的热处理装置，优选包括在上述加热板的下方，沿着该加热板的圆周方向形成环状的管状部件，和向该管状部件供给冷却气体的冷却气体供给路，在上述管状部件的内周侧穿设有上述气体喷出孔。
优选上述管状部件与上述加热板的下面之间形成上述外部气体引入口的间隙。
此外，上述热处理装置，优选包括多个冷却喷嘴，其在上述加热板的下方，且其前端部沿着该加热板的圆周方向隔开规定间隔设置，
上述气体喷出孔是在该冷却喷嘴的前端部形成的气体喷出孔。
优选上述冷却喷嘴从下面向上面贯穿整流板。
上述加热板和上述整流板之间的间隔，优选在15mm以下，更优选在8mm以下。
上述气体喷出孔优选向上倾斜，使得冷却气体冲击到上述加热板的下面。
本发明的热处理方法，对基板进行加热处理，其特征在于，包括：
将基板载置在加热板上，对上述基板进行加热的工序；
在上述加热板的下面，从该加热板的外侧向内侧，从沿着上述加热板的圆周方向设置的多个气体喷出孔流过冷却上述加热板的冷却气体，从而在该加热板外端部的下面产生负压的工序；
由于上述负压，从沿着圆周方向设置在上述加热板的外周部的外部气体引入口，将外部气氛引入到上述加热板和设置在该加热板的下方的整流板之间，使该外部气氛与上述冷却气体一起流动，冷却上述加热板的工序；和
使上述冷却气体和从外部引入的上述外部气氛从在上述整流板的中央部形成的气体排出口向下方排出的工序。
优选在上述产生负压的工序中，使冷却气体向斜上方流动，使得上述冷却气体冲击到上述加热板的下面。
本发明的存储介质，存储有计算机程序，其特征在于，
上述计算机程序编入实施上述热处理方法的各个步骤。
本发明在热处理装置的加热板上载置基板并对基板进行加热处理时，在例如更换批次等而对加热板进行冷却时，在加热板的下面，从该加热板的外侧向内侧，从沿着该加热板的圆周方向设置的多个气体喷出孔流过使上述加热板冷却的冷却气体，使得在加热板的外端部的侧面位置上产生负压，由该负压将外部的气氛引入到加热板的下方，使其与上述冷却气体一起流动。因而，即使从气体喷出孔供给的冷却气体流量小，也能够迅速地使加热板冷却。
附图说明
图1是表示本发明热处理装置一个例子的立体图。
图2是表示上述热处理装置的纵截面图。
图3是表示上述热处理装置的平面图。
图4是表示上述热处理装置中的加热单元的分解立体图。
图5是表示上述加热单元的纵截面图。
图6是表示上述加热单元的纵截面图。
图7是表示上述加热单元中的冷却气体的流动的模式图。
图8是表示上述热处理装置内的大气流动的模式图。
图9是表示在上述热处理装置中冷却气体流量和从外部引入的大气流量的相互关系的特性图。
图10是表示上述加热单元一个例子的分解立体图。
图11是表示上述加热单元的纵截面图。
图12是表示适用上述热处理装置的涂敷、显影装置一个例子的立体图。
图13是表示上述涂敷、显影装置的平面图。
图14是表示上述加热单元一个例子的分解立体图。
图15是表示上述加热单元的纵截面图。
符号说明
D  开口部
L    间隙
2    热处理装置
6    加热模块
61   加热单元
80   支撑环
82   整流板
83   降温吹扫环
83a  气体流路
84   面板
85   第二气体排出口
88   第一气体排出口
89   第三气体排出口
93   第四气体排出口
95   冷却气体供给路
96   气体喷出孔
121   冷却喷嘴
具体实施方式
作为本发明热处理装置的一个例子，参照图1～图6说明适合在基板例如半导体晶片(下面称为“晶片”)W的表面上形成涂敷膜例如抗蚀剂膜的涂敷、显影装置中使用的热处理装置2。
热处理装置2被例如由铝构成的框体4包围，该框体4内通过底面7被分隔为对晶片W进行加热处理的上方区域4a和收纳使晶片W升降的驱动机构的下方区域4b。为了方便将图1的左侧(Y轴正方向)作为前面进行说明，在上方区域4a中，从前面侧依次设置冷却臂5、加热模块6和收纳排气系统部件的一部分的收纳室9。在该框体4的侧壁44的前方，形成有用于在冷却臂5和后述的主搬送单元25之间转移晶片W的开口部45，该开口部45能够通过图中未示的闸门(shutter)进行开闭。此外，在加热模块6的侧面位置的侧壁44的两侧，并排埋设例如4根使制冷剂上下流动的制冷剂流路40，用于冷却该加热模块6周围的气氛，其构成为被调整温度的冷却水能够从设置在例如后述的隔板单元U的最下层的图中未示的收容部流到该制冷剂流路40内。
冷却臂5由用于载置晶片W的板状支撑板52和在该支撑板52下面的前方保持该支撑板52的基部51构成。该冷却臂5构成为，可以在通过基部51沿着在底部7上形成的导轨46在框体41的长边方向滑动，能够在与开口部45的侧面位置的上述主搬送单元25之间转移晶片W的位置，和在与加热模块6之间转移晶片W的处理位置之间移动。此外，在支撑板52的下面设有图中未示的调温流路，用于通过例如调节温度用的调温介质例如纯水，以对被加热的晶片W进行粗冷却(进行粗取热)。
在下方区域4b中，如图2所示，在上述开口部45的侧面位置和处理位置上分别设有与各个升降机构49a、49b连接的支撑销47a、47b，使冷却臂5上的晶片W升降，在支撑板52上形成有贯穿这些支撑销47a、47b的狭缝53。在底面7上形成有用于使支撑销47a伸出和缩回的孔部48。另外，支撑销47b通过在底面7上形成的后述第一气体排出口88伸出和缩回。
在加热模块6侧面位置中的下方区域4b的两侧，如图3所示，以靠近侧壁44的方式，设有在框体41的长边方向延伸的排气路104、104。该排气管104的配置成使得能够通过收纳室9与构成例如隔板单元U的各段单元所共用的共用排气路26连接，从在排气路104、104彼此相对的面上形成的多个吸引孔103排出该下方区域4b的气氛。
下面说明加热模块6。加热模块6如上述图1所示，由用于加热晶片W的加热单元61，和在下面开口、以从上面覆盖该加热单元61的周围的方式形成的大致呈杯子状的盖体62构成。该盖体62通过图中未示的升降机构，能够在加热单元61和冷却臂5之间进行晶片W转移的上方位置，和包围加热单元61的周围，并且使设置在该盖体62下面的周边上的图中未示的密封部件与底面7之间气密性地接合，保持晶片W的周围气氛的气密性的下方位置之间升降。
在盖体62的顶部，通过供气管66与气体供给源65连接，能够从在例如盖体62顶部的中央形成的开口部67向加热单元61上的晶片W供给例如空气或氮气等。此外，在盖体62侧壁的内侧，在面对下方位置中的晶片W的侧面的位置上，在例如整个圆周上形成有多个孔部68。这些孔部68，通过设置在盖体62侧壁内的排气流路69和设置在盖体62上面的捕集部分71与排气路70连接，能够将从晶片W产生的挥发性物质与从气体供给源65供给的上述空气或氮气一起排出。在该捕集部分71内，设有例如图中未示的过滤器等，能够捕集上述挥发性物质等。在排气路70的下游，通过收纳室9内的图中未示的流量调节单元，与上述共用的排气路26连接。
下面参照图4～图6说明加热单元61。该加热单元61由支撑环80、底板81、整流板82、作为管状部件的降温吹扫环83和作为加热板的面板84从下面开始依次层叠构成。该面板84由例如铝、不锈钢、铜合金等的比较便宜且容易加工的金属构成。
支撑环80为在中心部分形成有直径例如100mm的第二气体排出口85的圆板状，在其周边部，在整个圆周方向上形成向上伸出的高度例如40mm的立起壁86。该支撑环80的外径比晶片W的外径每边要大例如20mm。在该支撑环80的底面上设有贯穿该底面，从上述底面7到立起壁86高度位置的例如一半左右为止垂直延伸的支撑轴87，支撑环80由该支撑轴87支撑在底面7上。此外，在上述底面7上，如图5所示，以与该支撑环80的第二气体排出口85的位置对应的方式，开有与该第二气体排出口85的直径大致一样的第一气体排出口88。
在该支撑环80的支撑轴87上，支撑其外径每边比支撑环80各小7mm的底板81，使其被收纳该支撑环80内。在该底板81的中央部，形成有直径大于上述第二气体排出口85的例如直径140mm的第三气体排出口89，该第三气体排出口89被从该第三气体排出口89的中央部向外侧等间隔延伸的例如3根桥部90分隔为例如3个形状相同的扇形。在第三气体排出口89更外侧，在从半径方向距第三气体排出口89的中心部相同距离的位置分别设有高度例如15mm的圆柱状的支撑部件91。此外，在该底板81的外周边缘上，在圆周方向等间隔地在例如3处设有沿着该底板81的外周向上方延伸的例如高度25mm的热板支撑部92。
在上述支撑部件91的上方，设置有上述整流板82。在该整流板82的中央部开有直径与上述第二气体排出口85大致相同或稍小的第四气体排出口93。
在该整流板82上面的外周边缘上设置有与该整流板82的外缘同心的上述管状降温吹扫环83。在该降温吹扫环83的内部，如图5和图6所示，在整个圆周方向上形成有空洞的气体流路83a。在该降温吹扫环83的下侧，通过在支撑环80、底板81和整流板82上形成的孔部94，以与气体流路83a连通的方式，与从支撑环80的下面伸出的冷却气体供给路95的一端连接，该冷却气体供给路95的另一端则与冷却气体源100连接。此外，在降温吹扫环83的内周侧(第四气体排出口93侧)，在整个圆周方向形成有多个例如12个与上述气体流路83a连通的气体喷出孔96。这些气体喷出孔96，在每个气体喷出孔96中与水平面之间的夹角θ都相同，该角度θ稍向上倾斜为大约20°～35°左右。另外，对于该角度θ，在多个气体喷出孔96中的各个角度θ也可以不同。
在热板支撑部分92上，通过例如缓冲件等承受部件97支撑上述面板84的周边部，通过螺丝等固定部件98将该面板84固定在底板81上。此时，作为在面板84的下面和降温吹扫环83的上面之间的间隙L设定为例如1.5mm～4mm，构成后述的外部气体导入口的一部分。该间隙L在降温吹扫环83和晶片W的背面之间形成有环状的间隙，只要使流入冷却气体流过区域G的气流，从该间隙在整个圆周方向均匀地流入即可。
由面板84的下面和整流板82的上面形成的薄圆板状区域，构成流过冷却气体的冷却气体流过区域G。该冷却气体流过区域G的高度优选设定在15mm以下，更优选设定在8mm以下。
面板84是用于载置晶片W的例如厚度10mm的板，在该面板84的表面上，在该面板84上载置晶片W时，为了不会由于在晶片W和该面板84之间存在的空气致使晶片W在横向上滑动，在例如圆周方向上等间隔地设有例如6个导轨99，限制晶片W向水平方向移动。在该面板84的下面，如图5所示，以同心圆的形状设置例如四圈作为用于加热晶片W的环状的加热单元的加热器101。此外，在该面板84内，在例如中央部设有温度检出部12，用于通过面板84上面的温度检测出晶片W背面的温度，在该温度检出部12上连接有测定部13。在该测定部13上连接有后述的控制部10，能够将面板84表面的温度传递到控制部10。
如图5和图6所示，在上述支撑环80的内部，收纳有底板8 1、整流板82和降温吹扫环83，面板84从支撑环80的立起壁86的上端边缘露出。此时，在支撑环80的上端边缘的内周侧和面板84外周边缘之间形成有例如2.5mm的间隙，成为环状的开口部D，该开口部D构成外部气体导入口的一部分。另外，在图4中，为了容易看到支撑环80的内部，所以在画图时切掉了该支撑环80的一部分。此外，在该图上，面板84是画成圆板状的，但实际上如在图5和图6中所示，该面板84的上端面比其下端面稍小大约5mm的程度，从上端面向下端面其直径缓慢地缩小。而在面板84上形成使上述支撑销47b伸出缩回的小孔102。此外，在底面7、支撑环80、底板81和整流板82中，该支撑销47b通过各自形成的气体排出口88、85、89、93进行升降。
在热处理装置2上，如在上述图2中所示，连接由例如计算机构成的控制部10，存储有用于进行晶片W的加热处理或对面板84进行冷却的程序、CPU、存储器等。该程序存储在存储介质例如硬盘、光盘、磁光盘或存储卡等存储部11中，安装在控制部10中。
下面说明上述热处理装置2中的动作。首先，打开图中未示的闸门，通过主搬送单元25A(25B)将在后述涂敷单元COT中在表面上涂敷了抗蚀剂液的晶片W，通过开口部45搬送到框体41内。当将晶片W搬送至冷却臂5的上方时，由支撑销47a将晶片W载置到冷却臂5上。然后，当冷却臂5移动至处理位置时，利用加热模块6下方的支撑销47b，一边将晶片W通过导轨99限制位置，一边载置到以使晶片W达到加热温度例如120℃的方式设定温度的面板84上。此时，面板84升温到120℃，此外，通过来自加热器101或面板84的传热，也使底板81升温至加热温度附近。
然后，使盖体62下降，使晶片W周围密闭，在以规定的流量从气体供给源65供给规定的气体例如空气，并且从孔部68排出晶片W周围的气氛。然后将该状态保持规定的时间，对晶片W进行加热处理。此后，使盖体62上升，经过与搬入晶片W相反的路径将其转移到冷却臂5上，在该冷却臂5上冷却规定的时间，再由主搬送单元25A(25B)将其搬出框体41。然后对规定片数的例如同样批次的晶片W也进行同样的加热处理。
然后，对该批次的晶片W进行的加热处理结束，接着对后续批次的晶片W进行加热处理的情况进行说明。在该后续批次的晶片W表面上，涂敷例如适当的加热温度比前一批晶片W表面涂敷的抗蚀剂液要低10℃的抗蚀剂液。
此时，由于面板84已经被升温到前面晶片W的加热温度例如120℃，所以在对该后一批的晶片W进行加热处理之前，要按照下面那样对面板84进行降温。
首先，设定加热器101的输出，使得该面板84的设定温度为后续批次晶片W的加热温度。然后通过上述冷却气体供给路95，以规定的流量例如120L/min从冷却气体源100向降温吹扫环83供给例如空气或氮气等冷却气体。当该冷却气体迅速地在圆周方向通过降温吹扫环83内的气体流路83a时，就从在整个圆周方向上形成的多个气体喷出孔96，强劲地吹向在冷却气体流过区域G中的降温吹扫环83的中心处。由于气体喷出孔96向上倾斜，所以该冷却气体就冲击到面板84的下面，一边受到整流板82的限制，一边沿着该面板84的下面从外周侧向内周侧流到冷却气体流过区域G，从在整流板82的中央形成的第四气体排出口93流向下方。然后，该冷却气体通过第三气体排出口89、第二气体排出口85和第一气体排出口88流向上述下方区域4b，通过在该下方区域4b中的排气管104排到共用排气路26中。
此时，由于如上所述在面板84和降温吹扫环83之间形成作为很小间隙的环状间隙L，所以通过上述冷却气体的流动产生很大的负压，使得该间隙L可以说成为喷射泵或抽吸泵。因此，如在图7中所示，从在面板84的外端面和支撑环80上端面之间的环状开口部D，通过间隙L，使比在整个圆周方向上均匀流过的上述冷却气体流量大例如5倍以上流量的外部气氛流向该冷却气体流过区域G。由于如上所述使盖体62上升，该外部的气氛就例如图8中所示，是从开口部45或收纳室9的上方空间等流入的保持常温的后述涂敷、显影装置内的例如清洁的大气。
因此，由于与上述冷却气体一起有大量大气流入冷却气体流过区域G，所以使面板84和支撑环81很容易迅速冷却。此时，由于冷却气体和大气从外周侧向内周侧流过冷却气体流过区域G，所以使面板84整个面内均匀地冷却。然后面板84被冷却至例如晶片W的加热温度，停止供给冷却气体。然后就如上所述对该后一批晶片W进行同样的加热处理。
按照上述实施方式，当冷却面板84时，在面板84和降温吹扫环83之间设置间隙L，并且通过从降温吹扫环83向内周侧使冷却气体流向冷却气体流过区域G，将加热单元61外部的气氛引入到该冷却气体流过区域G中。从而在例如批次之间晶片W的加热温度降低的情况下，即使从该降温吹扫环83供给的冷却气体流量不大，也能够迅速地使面板84冷却。因此，能够缩短面板84到降温为止的等待时间，可提高生产率。
换句话说，当从上述冷却气体源1 00供给上述冷却气体和从外部引入的大气流量相同流量的冷却气体时，冷却气体源100的冷却装置例如压缩机等需要是非常大型的，伴随与此，用于供给冷却气体的电力也会增多，而如上所述从外部引入大气，则能够使设备简单化，减少电力的消费。
此外，在冷却气体流过区域G中，在从外侧向内侧供给冷却气体时，由于降温吹扫环83制成环状，所以能够从一根冷却气体供给路95向多个气体喷出孔96供给冷却气体，与例如设有多个喷嘴的情况相比，冷却气体的配管所需要的部件数量减少，能够均匀地冷却面板84的面内。
进而，由于气体喷出孔96是倾斜的，使得流过冷却气体流过区域G的冷却气体冲击到面板84的下面，所以与该冷却气体一起流动的从外部引入的大气也会冲击到面板84的下面，使得能够迅速地冷却该面板84。
在此说明使用热流体解析软件对冷却气体流量和从开口部D引入到冷却气体流过区域G内的大气流量进行解析的结果。当如上所述从降温吹扫环83供给冷却气体时，如在图9中所示，可以看出从外部引入的流量相当于冷却气体流量的例如5倍以上。
而且，在上述冷却气体流过区域G，开有与面板84上方连通的小孔102，但由于与下侧连通的第四气体排出口93的面积大于该小孔102的开口面积，所以几乎全部冷却气体都流向下方区域4b中。
此外，本发明并不限定于使降温吹扫环83形成为环状，如上所述使其结构设有多个喷嘴和配管，在冷却气体流过区域G中形成从外周向内周的气流，使上述间隙L处产生负压的结构也是可以的。再者，在本发明中，由于强度小而加厚，从而使用由加大了热容量的上述金属构成的面板84，能够获得很大的效果，但对由热容量小的材料例如氮化铝构成的面板84也是适用的。
作为像这样在冷却气体流过区域G中形成从外向侧内侧的气流的方法，也可以为如例如下面图10和图11所示的结构。在该结构中，降温吹扫环83配置在整流板82的下方。该降温吹扫环83与上述例子同样是管状的，但其纵截面的形状大致呈方形，上面侧在整个圆周方向上水平开口而成为开口部111。整流板82通过图中未示的密封件与降温吹扫环83的上面接触密封，使得该开口部111被密闭，在整流板82的周边部，以与该开口部111连通的方式形成多个冷却气体喷出孔112。这些冷却气体喷出孔112如在图11中所示，以朝向整流板82的内周侧的方式向上倾斜。在降温吹扫环83的下方，同样连接着冷却气体供给路95。在该例子中，降温吹扫环83的下端面和整流板82的上面的距离相当于上述的间隙L，该间隙L被设定为例如3mm。
在该例子中，当从冷却气体源100通过冷却气体供给路95向降温吹扫环83供给冷却气体时，冷却气体能够迅速地通过圆周方向，从这些冷却气体喷出孔112将冷却气体供给到冷却气体流过区域G。由于这些冷却气体喷出孔112如上所述向上倾斜，所以与上述的例子同样，该冷却气体从外侧向内侧流动。因此在间隙L处产生很大的负压，与上述例子同样将外部气氛引入该冷却气体流过区域G中。使用这样的结构也能得到与上述例子同样的效果。而在该图10和图11中，对与上述例子同样的结构的部件标注同样的符号。
在图14和图15中表示本发明的另一个实施方式。在该实施方式中，在上述底板81的上面，沿着圆周方向等间隔地设有多个例如8个立起形状的冷却喷嘴121。与这些冷却喷嘴121对应在整流板82上形成有8个贯穿孔122，每个冷却喷嘴121的前端部通过对应的贯穿孔122突出到整流板82的上面。上述冷却喷嘴121的前端面123朝上向着整流板82的中心侧倾斜，形成倾斜面124。该倾斜面124形成例如与水平面的夹角θ为向上20°～35°的程度，在该倾斜面124上穿设有多个气体喷出孔125。
此外，如在图15中所示，在各冷却喷嘴121中的整流板82的下面侧部位的侧周面上，通过图中未示的接头能够自由装卸地与构成冷却气体供给路的配管126的一端连接。各配管126向下弯曲，穿过第三气体排出口89、第二气体排出口85和第一气体排出口88向下方延伸，其基端侧与冷却气体源100连接。通过像这样等间隔地分开设置8个冷却喷嘴121，就能够消除上述降温吹扫环83的配管部对外部气体流入的妨碍，由此使得更多的外部气体通过开口部D流入冷却气体流过区域G中。另外，在图14和图15中，对与上述例子相同结构的部件标注同样的符号。
接着，简单说明该实施方式的作用和效果。当从上述冷却气体源100通过各自的冷却气体供给路(配管)95向对应的冷却喷嘴121供给冷却气体时，该冷却气体通过冷却喷嘴121的喷出孔125向斜上方喷出，流入冷却气体流过区域G。该冷却气体从圆周方向上的8处放射线状地流入整流板82的中心部，由此使上述间隙L变成负压，使得外部的气氛被引入冷却气体流过区域G中。结果，使加热板迅速冷却，得到与前面实施方式同样的效果。而作为喷出冷却气体的部件，由于在整流板82的圆周方向以规定间隔排列8个冷却喷嘴121，与前面所述在整个圆周上构成降温吹扫环83的结构相比，该冷却喷嘴121对从外部引入气体的阻碍小。从而更多的气体被引入到冷却气体流过区域G，所以能够得到更高的冷却效果。冷却喷嘴设置的数量并不限于8个。不言而喻，当使上述冷却喷嘴121的前端部位于整流板82上时，将冷却喷嘴121从整流板82的外周的外侧引入到该整流板82的表面上也是可以的。
下面说明适用上述热处理装置2的涂敷、显影装置。在图12和图13所示的涂敷、显影装置中，作为用于搬入搬出收纳在基板盒C内的例如13片晶片W的盒载置部S1，设有能够载置多个基板盒C的载置台21、设置在该载置台21深处(图中X方向)壁面上的开闭部22和通过该开闭部22与基板盒C之间转移晶片W的转移单元23。此外，在基板盒载置部S1的深处连接有周围被框体24包围的处理部S2，在该处理部S2中从前面开始依次交替设置有使包括上述热处理装置2的加热、冷却系统的单元多段化的隔板单元U1、U2、U3，和在包括后述的涂敷、显影单元的各处理单元之间转移晶片W的主搬送单元25A、25B。即，隔板单元U1、U2、U3和主搬送单元25A、25B从盒载置部S1侧在X方向前后排成一列，在各个连接部位形成有图中未示的搬送晶片用的开口部，使得晶片W在处理部S2内从一端的隔板单元U1自由移动至另一端的隔板单元U3。
此外，主搬送单元25A、25B，配置在由在两侧配置的隔板单元U1、U2、U3侧的一个面、后述右侧(Y轴正侧)的液体处理单元U4、U5侧的一个面和框体24的背面所包围的空间内。在液体处理单元U4、U5的两侧面上，设有包括处理液温度调节装置或温湿度调节用导管等的温度调节单元27、28。液体处理单元U4、U5，是在例如构成供给例如涂敷液(抗蚀剂液)或显影液之类的药液用的空间的收容部29上层叠有多层例如5层涂敷单元COT、显影单元DEV和反射防止膜形成单元BARC等构成的。此外，上述隔板单元U1、U2、U3，层叠有多层例如10层用于在液体处理单元U4、U5中进行处理的前处理和后处理的各种单元。在处理部S2中的隔板单元U3的深处，通过由例如第一搬送室31和第二搬送室32构成的接口部S3与曝光部S4连接。在接口部S3的内部，除了设有在处理部S2和曝光部S4之间转移晶片W的两个转移单元33、34之外，还设有隔板单元U6和缓冲盒C0。
当表示在该涂敷、显影装置中的晶片的流动时，首先从外面将收纳有晶片W的基板盒C载置在载置台21上，与开闭部22一起打开基板盒C的盖体，由转移单元23取出晶片W。然后，晶片W通过构成隔板单元U1一层的图中未示的转移单元转移到主搬送单元25A上，在隔板单元U1～U3中的任何一个隔板上进行作为涂敷处理的前处理的例如疏水化处理或冷却处理等，然后在涂敷单元COT中涂敷抗蚀剂液。然后在作为隔板单元U1～U3中的任何一个隔板的热处理装置2中加热晶片W，在冷却后通过隔板单元U3的转移单元搬送到接口部S3中。在该接口部S3中晶片W从例如转移单元33通过隔板单元U6和转移单元34搬送到曝光部S4中，进行曝光。在曝光之后，晶片W通过相反的路径搬送至主搬送单元25A处，在显影单元DEV中显影形成抗蚀剂掩模。此后晶片W返回到载置台21上的原来的基板盒C中。